半导体厂纷纷进军大陆 五年500亿美元投资

全球半导体厂正计划在中国大规模扩产，未来五年总投资额预料达500亿美元，比过去五年增加两倍以上。包括紫光集团240亿美元的存储器工厂在内，目前至少有10项新建或扩建工厂计画。在北京积极推动半导体制造部门成为主要产业下，英特尔和三星电子也计划扩建现有工厂。不过如此大手笔投资，却也让人担心可能引发全球供需失衡。笔者调查全球半导体和半导体制造设备厂营运状况，包括订单趋势和计画，并统计业者打算投入中国的资本支出，发现大部分追加投资都将花在半导体制造设备上。美国顾问公司贝恩（Bain & Co.）的估计也显示，全球半导体厂商未来10年在中国的投资，总计可望达到1，080亿美元。 紫光集团计划在武汉设立生产NAND快闪存储器和动态随机存取存储器（DRAM）的工厂，*近也收购武汉新芯集成电路制造公司（XMC），被视为是中国政府欲透过整合国内主要芯片厂，以提高投资效率策略的一环。英特尔计划扩展大连存储器厂的产能，三星电子也可能扩大在中国的投资。其他计划在中国设立新厂的半导体业者包括台积电和美国格罗方德（GlobalFoundries）。分析师表示，半导体厂商纷纷到中国设厂，除了能缩短与智能手机和个人电

创维21ni9000总线工厂调试模式进入方法汇总

创维彩电有很多型号，对应的创维电视机21NI9000线路图有好几种，具体的机芯号在板子上有标注清楚，不同的机芯对应不同的进总线方法。创维21NI9000进总线方法比如很多机芯的创维21NI9000彩电是通过按住键控板的“音量减”键直至“00”状态，同时按遥控器的屏显键进入。按数字键选择调试项目；P-MOD密码为“789”。按**键退出。下面我们做一些汇总。创维彩电I2C总线工厂调试模式进入方法汇总1. T系列机芯（3T20、3T21、3T30、4T01、5T03、5T10、5T20、5T21、5T25等）进入：（1）音量减至*小（00）；（2）同时按面板VOL-和遥控器屏显键，进入S模式。此时屏幕右上角出现S字符；（3）按遥控器屏显键，屏幕上S字符消失，再次重复步骤（2）进入D模式，屏幕右上角出现D字符；（4）按频道+/-选项，按音量+/-键改变参数。退出：按待机键即可退出D模式。2. Y系列机芯 进入：（1）按遥控器MENU菜单键两次，进入图像菜单；（2）依次按遥控器交替键（Q.VIEW）和静音键（MUTE）即可进入；（3）按TIME定时键切换工厂菜单。退出：按MENU菜单键即可。3

索喜发布可同时处理3条全高清视频的编***IC

日本索喜科技公司（Socionext）于2016年9月6日发布了支持H.264的编***IC“SC2M15”。通过1个芯片就可提供H.264/AVC格式视频数据和音频数据的解码、转码、编码功能。 该芯片适用于广播电视设备、**设备、医疗设备、视频采集设备和TV会议系统等。能实现多通道处理，可同时转码或编码3条全高清视频流。能够以1080i60、每秒2Mb的低延迟、低码率，实现高画质的视频编码。可作为从IC，通过简易命令接口（UART），从外部的主机CPU控制多种功能。备有缩放、OSD叠加和去隔行等图像处理功能。工作存储器可以使用两个通道的DDR3型SDRAM（每秒1600Mb，16位）。新产品的封装为35mm见方的FC-BGA（引脚间距1mm）。采用40nm工艺制造。价格尚未公布。还准备了开发用评估板“SC2M15A-B1”。通过使用评估板，可以经由USB从PC等设备输入命令，对新产品进行评估。视频流可通过TS串口、以太网和USB存储器输入。（记者：小岛郁太郎）

兆易**：募投扩张期待未来前景 增持评级

投资要点： NOR闪存市场国内龙头企业，A股稀缺标的：兆易**(153.890, 13.99, 10.00%)在国内NORFlash行业是龙头厂商，也是中国大陆集成电路存储器芯片的核心供应商之一，在国内A股市场存储器芯片国产化方面的稀缺标的，我们认为在国家整体产业政策持续推动的行业背景下，公司未来发展空间值得期待。收入快速成长，盈利保持稳健：公司公布的2016年半年度业绩报告显示，上半年公司销售收入同比提升34.09%达到6.55亿元，毛利率小幅降低0.89个百分点为27.39%，作为智力密集型企业，公司在研发投入持续大幅度增加的情况下，上半年三项费用率同比仅小幅增加0.8个百分点，归属母公司股东净利润同比上升44.16%达到8，991万元，盈利能力保持了稳健。募投项目拓展NAND闪存和MCU产品：公司在本次募集资金的拟投资项目方面，除在其现有的NOR闪存方面继续增加投资以外，公司还将切入NAND闪存市场提升国内企业在相关领域的竞争实力。募投项目还将继续投资32位通用性MCU芯片，以应对智能家居、可穿戴设备等行业的迅速发展带来的产品需求扩张。投资建议：我们公司预测2016年至2018年

制程微缩产能损失大 明年下半年DRAM将爆新行情？

明年下半年DRAM供给可能会供不应求，韩媒指出，存储器厂商转进20纳米制程的产能损失，或许会让DRAM陷入供给短缺，炒热行情。BusinessKorea 12日报道，半导体和投资银行的业界消息指出，2017年DRAM需求预料将年增19.3%，不过2017年DRAM每月产量将减少2万组，从当前的105万组、2017年降至103万组，主要是制程转换造成产能减少。不仅如此，产程转换的供给成长率以往大约是30%，2017年成长率可能减至10%，加剧供给不足问题。据了解，明年上半年是淡季，DRAM可能会略为供给过剩。不过随着美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)转进20纳米，产出减少；下半年传统旺季到来时，业者又未增加投资，DRAM将由供给过多变为供给不足。业界观察家预期，明年整体DRAM产品价格将下滑9.8%，DRAM成本减幅更大、约为18%，意味厂商仍有利润。有报道，DRAM存储器报价在今年第三季止跌回升，韩国三星、SK海力士等存储器大厂营收有望受惠。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange*新报价显示，DDR3 4Gb颗粒现货均价八月涨2.99%，

台湾群联为进大陆涉嫌做假账

韩系DRAM厂传晶圆报废 合约价酝酿调涨超过10%

　全球DRAM大厂进行产能调整带动价格止跌反弹，日前再度传出韩系半导体大厂21纳米制程报废3~5万片，导致产能缺口再扩大，存储器大厂酝酿大手笔调涨合约价，4GB模组将从12.5美元调涨至14美元，涨幅超过10%，下游模组厂已闻风将现货价调高至13.5美元，然也象征存储器转进先进制程难度恐越来越高，让大陆有机会急起直追！ 全球DRAM产业朝三条脉络发展，**是转进**制程速度直线前进，陆续转进18纳米、20纳米和21纳米制程技术；**是持续朝产品多元化布局迈进，陆续分散在标准型存储器PC DRAM和低功耗移动式存储器LPDDR/Mobile RAM；第三是大陆存储器部落的崛起，对全球存储器产业埋下不确定因子。受惠苹果新款手机问世前备货，加上大陆中**智能手机也消化不少货源，DRAM价格止跌反弹，带动现货价和合约价缓步调涨，这点让上半年财报亏损又全球大裁员的美光有喘一口气的机会。日前再度传出，韩系半导体大厂21纳米DRAM制程有报废晶圆约3~5万片产能，市场一度传出是良率不佳导致，但业界透露，这次应该与良率无关，因为良率低不致于让全数产能都报废，应该是晶圆厂的产线出问题所致。存储器业者表示

3D NAND风暴来袭，中国存储器厂商如何接招?

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技术上每年都会前进一步，由24层、32层、48层，到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND。除技术进步之外，有分析师预测在2018年中期，全球NAND闪存市场在3D堆叠技术的影响下，价格有可能低到每Gb约3美分。目前，中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。在此之际，有必要了解3D NADN的产业竞争形势。 全球3D NAND竞争形势加剧想要了解3D NAND，首先应当了解其关键制造工艺。3D NAND的制造工艺十分复杂，主要包括高深宽比的沟开挖(High aspect ratio trenches)、在源与漏中不掺杂(No doping on source or drain)、完全平行的侧壁(Perfectly parallel walls)、众多级的台阶(Tens of stairsteps)、在整个硅片面上均匀的淀积层(Uniform layer across wafer)、一步光刻楼梯成形(Single-Lithostairstep)、硬掩模刻蚀(H

武汉市与紫光签署**战略合作协议

8月24日，北京。武汉市政府与紫光集团今天签署**战略合作协议。 集微网消息，8月24日，武汉市政府与紫光集团签署**战略合作协议，双方将围绕集成电路产业生产基地规划建设、集成电路产业发展基金、新IT“云-网-端”全产业链等方面开展全方位的合作。湖北省委常委、��汉市委书记阮成发，武汉市政府市长万勇、国家工业与信息化部电子司司长刁石京、国家集成电路产业投资基金总经理丁文武、清华大学常务副校长程建平、紫光集团董事长赵伟国等领导出席签约仪式。武汉市政府常务副市长龙正才与紫光集团总裁张亚东在《**战略合作协议》上签字。阮成发书记一行还调研了紫光科技产业体验中心，对紫光集团“自主**加国际合作”的“双轮驱动”发展战略和“从芯到云”的产业布局表示高度肯定和赞许。武汉市政府常务副市长龙正才与紫光集团总裁张亚东在《**战略合作协议》上签字阮成发书记在调研中指出，作为一个传统工业产业基地，武汉去年的高新技术产业已经占到全市工业总产值的60%以上，实现了华丽转身。武汉存储器项目在国家战略的支持下正在全力推进中，这个项目各方都倾注了宝贵的心血，紫光近年来在高科技产业领域的发展令人振奋，我们对紫光充满信心。双

万钢考察长江存储 赵伟国:2020年欲进入世界存储器**梯队

存储器：3D NAND风暴来袭

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技术上每年都会前进一步，由24层、32层、48层，到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层 3D NAND。除技术进步之外，有分析师预测在2018年中期，全球NAND闪存市场在3D堆叠技术的影响下，价格有可能低到每Gb约3美分。目前，中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。在此之际，有必要了解3D NADN的产业竞争形势。全球3D NAND竞争形势加剧想要了解3D NAND，首先应当了解其关键制造工艺。3D NAND的制造工艺十分复杂，主要包括高深宽比的沟开挖（High aspect ratio trenches）、在源与漏中不掺杂（No doping on source or drain）、完全平行的侧壁（Perfectly parallel walls）、众多级的台阶（Tens of stairsteps）、在整个硅片面上均匀的淀积层（Uniform layer across wafer）、一步光刻楼梯成形（Single-Lithostairstep）、硬掩模刻蚀（Ha

中国量子计算研究获突破 成功研发量子芯片

中国证券网讯 近日，我国量子计算机研究取得突破性进展，中国科技大学量子实验室成功研发了半导体量子芯片。 据央视新闻8月11日消息，量子芯片相当于未来量子计算机的“大脑”，研制成功后可实现量子的逻辑运算和信息处理。有了计算，量子的存储及控制技术也必不可少。这款三明治型的固态量子存储器，在低温有磁场的辅助设备中才能工作。中科院量子信息重点实验室研究员周宗权表示，下一步发展方向，要把这个量子存储器做小做得齐整化，以延长它的寿命，*终我们希望做成一个像经典的便携式U盘一样方便使用的器件，实现超远距离的量子态量子信息的传输。

3D NAND Flash朝垂直堆叠64层以上迈进

集微网消息，据海外媒体报道，2016年下半除东芝(Toshiba)就64层3D NAND Flash展开送样出货外，三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存储器业者亦将陆续量产，将促使3D NAND Flash垂直堆叠*高层数自64层朝2017年的80层迈进。DIGITIMES Research观察，由于干蚀刻使用在64层以上更高堆叠层数的3D NAND Flash，其蚀刻速度与正确性可望优于湿蚀刻，将使三星于64层以上3D NAND Flash转向干蚀刻发展的可能性提升。 垂直通道(Vertical Channel)构造3D NAND Flash系指字元线(Word Line；WL)与位元线(Bit Line；BL)相互垂直，堆叠层数往BL方向增加。相较于WL与BL皆处同一平面、往上层层堆叠的简单堆叠(Simple Stack)构造，垂直通道具备成本优势，成为存储器业者发展3D NAND Flash所采主流构造。随3D NAND Flash持续朝64层以上更高垂直堆叠层数迈进，制程中需贯通至底部的蚀刻厚度将较以往增加

存储的战争 NAND Flash仅是开始

在进展缓慢的储存技术世界里，NANDFlash的普及速度算是极快，几乎每种储存产品都有其足迹，*主要原因就是速度。据报导，NANDFlash刚推出时是市场上*昂贵的储存装置，后来供应商发现只要加入相对小量的快闪存储器，便可以大幅提升效能以快闪存储器技术为基础的储存装置也开始大受欢迎。由美光(Micro)和英特尔(Intel)合作开发的3DXPoint技术，以及IBM根据相变化存储器(PhaseChangeMemory)修正后开发的新型态储存装置，在速度、耐用性和重复读写的次数的表现都比目前使用的NANDFlash更佳。3DXPoint开发人员表示，新储存装置的速度和耐用度可达到NANDFlash的1，000倍，IBM则表示其开发的PCM在读取和写入速度方面比NANDFlash快上数百倍，预计可进行1，000万次读取循环。虽然NANDFlash开创了固态硬碟(SSD)的时代，但在新技术不断出现的情况下，或许这只是挑战传统存储器和储存装置概念的开端而已。不论从哪一个角度来看，这些新技术都让NANDFlash看起来像是老旧技术。对于还在摸索NAND效能的使用者来说，很难想像这些数据代表的真正

创见宇瞻等存储器模组厂看好Q3预期Q4

存储器模组厂第3季迎旺季，NAND Flash与DRAM的价格回升，需求也相对转佳，预期有助于创见、宇瞻、威刚等业者第3季的营运表现。创见目前主攻工控、策略性产品，固态硬盘(SSD)销售表现也颇佳，工控与消费型SSD占其业绩比重到6月时合计已占16%。该公司7月工控产品占业绩比重已达35.2%，消费性Flash产品则占33.3%，而策略性产品则占18.7%，标准型DRAM产品仅占12.8%。法人预计，第3季Flash供应短缺，使得价格走扬，厂商不需被迫低卖，创见本季营收表现可望比第2季好，毛利率可能持平，有助于本业获利提升，整体下半年业绩有望优于上半年。另外，在宇瞻方面，同样受惠于Flash缺货，且标准型DRAM价格已回升，对毛利有正面助益。目前宇瞻的Flash业绩占比为67%，DRAM则为33%，法人认为，该公司先前提高库存水位，迎接旺季商机，第3季的营收与获利同样可望比第2季成长。对于第4季存储器市况，模组厂认为，还有机会比第3季更好，因为从需求面看来，都是从第3季开始热身，接着第4季与隔年第1季的需求都算强劲。今年Flash从第2季起涨，第3季延续涨势，第4季可能较为和缓，而DR

希捷推出全球首颗60TB SSD硬碟

希捷(Seagate)于8月9日在加州圣塔克拉拉的快闪存储器峰会(Flash Memory Summit)上展示60TB的固态硬碟(SSD)，为目前世界上容量*大的SSD。这颗超高容量的SSD足以储存4亿张相片或1.2万部DVD电影。 根据Mashable及The Register报导，希捷这颗60TB SAS SSD是针对同时需要高读写速度和大量储存空间的企业用户研发的产品，价格可能高到大部分人都买不起。而且目前只有展示品，预计将在2017年上市。希捷这颗60TB SSD采用3.5吋规格，随机读取性能为15万IOPS，连续读写速度分别为1.5GB/s及1GB/s。而且架构**弹性，因此日后可依相同架构推出100TB等超大容量的产品。目前市面上容量*大的SSD是三星电子(Samsung Electronics)的PM1633A，*高15.36TB。三星SSD采用16层512×256GB的48层V-NAND芯片。希捷这款SSD则采用美光(Micron)的3D TLC NAND。美光于6月展示的3D TLC快闪存储器核心容量为384GiB，堆叠出60TB容量至少需要1,250颗快闪存储器核

总投资约1600亿 长江存储在武汉正式成立

周芳 总投资约1600亿元人民币的国家存储器基地有了新进展。针对近期关于“紫光收购武汉新芯”的市场传闻，《**财经日报》记者采访武汉新芯获悉，3月28日国家存储器基地在武汉启动的四个月后，今年7月26日，长江存储科技有限责任公司(下称“长江存储”)正式成立，武汉新芯将成为长江存储的全资子公司，而紫光集团则是参与长江存储的二期出资。半导体行业人士认为，长江存储的成立将为后续中国布局自主性存储器产业带来进展，利于整合国家资源，提高项目成功率。中国搭建存储器产业航母本报记者通过**企业信用信息公示系统查询发现，注册地位于武汉东湖开发区关东科技工业园的长江存储，公司注册资本189亿元。据武汉新芯介绍，长江存储的注册资本分两期出资。一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和武汉新芯股东湖北省科技投资集团有限公司共同出资，在武汉新芯集成电路制造有限公司(即“武汉新芯”)的基础上建立长江存储。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。武汉新芯将成为长江存储的全资子公司。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能

丁文武点评存储器市场：人才是竞争的关键

在日前举行的“国际集成电路产业发展高峰论坛”上，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武表示，目前，存储器已经成为我国进口的*大宗商品，2015年进口额超2100亿美金。 与此同时，由于存储器涉及到信息存储，信息**等方面，其已经成为信息**和产业**基石。存储器在集成电路中的地位以及我国对于存储器的旺盛需求，让**各个地方基金对于发展存储器产业具有非常高的积极性。目前，武汉、深圳、福建、合肥、北京等针对存储器产业已经进行相应的投资与布局。以武汉为例，武汉已经明确要投资240亿美金来发展存储器产业。目前**期将近80亿美金的投资即将动工，目标要达到30万片产能。此外，福建也有500亿投资基金要支持泉州存储器产业的发展。不过，对于**各地存储器产业发展，丁文武认为，各个地方都要在技术，人才，成本，市场定位四个方面进行充分的准备，才能保证存储器产业健康有序发展。如技术上，各个地方技术积累仍旧不足，这需要通过吸引团队，跟国际大公司合作，授权或者转让技术等方式来提高技术储备；人才方面，中国基本上在存储方面人才是缺乏的，不仅缺乏一般的人才，更缺乏**的人才，需要对人才进行自主培养和引进；成本上，企业需

解读实现中国存储器梦的三条路径

构建中国存储器的梦一步步在向前推进，继今年4月武汉“新芯”宣布动工，公布了宏伟的规划兰图。如今紫光入围，成立长江存储科技有限责任公司，并推选赵伟国当董事长，丁文武当副董事长，表明项目再次取得实质性的进展。国内外对于项目上马的看法差异很大，就目前非常有限的资料来判断，一定取得胜算的把握可能尚不好预测。中国存储器业的发展刚刚启步，目前存储器有三个方面的力量正在聚集，一是政府主导的武汉新芯，它们与Spansion及中科院微电子所等合作，据说己经有9层3DNAND样品;二是紫光，它的策略是先通过兼并，达到一定高度之后再自行研发;三是两个地方政府，福建与合肥，它们试图寻找技术伙伴，或者挖技术团队后再前进。兼并紫光把希望寄于通过兼并，让中国的存储器业的起点抬高，再进行自主研发。这样的思维听起来是务实的，然而由于中国处在特定环境下，许多正常的兼并贸易都被美国CFIUS否决。综合起来近时期紫光的实践，欲联手美光等，希望能得到技术支持的想法恐怕难以实现。更有传闻欲学习台湾地区的“华亚科”模式，由中方出资，美光技术主导，*终成为美光在全球布局的一部分。如果是这样的结局恐怕有违于中国开初建设存储器芯片事业的

假帐、秃鹰、公司治理、政治化　群联事件有如震撼弹

存储器模组大厂金士顿(Kingston)创办人孙大卫曾下过一个注解，“存储器模组厂挂牌是不道德的！”对照上周五发生群联电子突遭到检调大规模搜索一案，此话现在看来是一语中的，但也道尽该产业的辛酸苦楚！ 为什么存储器模组产业挂牌是不道德的？孙大卫曾解释，存储器价格波动是无法预测的，公司挂牌后要对投资人公开对未来营运的展望和价格走势预估，根本是难如登天，既然一定要交代，就会有很多预测的成份在里面，这对买股票的小股东根本不公平。群联董事长潘健成在事发后把所有责任一肩扛下，充分展现他一路走来敢说、敢冲、敢当的鲜明个性。他表示，这十多年来他也常在想，“究竟是要把公司经营的很平庸？还是放手一冲？”这样的矛盾情结或许一直都在，但前者永远不会是潘健成的选项。公司治理和诚实揭露原则，有其严谨和不可越矩的规范，群联与子公司往来的帐务并未依法揭露，确实是违背公司治理的规范，也不能因为这是产业潜规则而放宽了审视的标准，若能让产业保有竞争力的同时，也能让游戏规则更健康，这是*好的双轨并行两全其美状态。然以目前产业现状，业界也质疑，能够经得起这样检视的公司，恐怕不多，何况群联此案疑点重重，不论是否有政治力介入，如此

华邦电Q2净利6.43亿新台币

存储器厂华邦电昨(28)日召开新闻发布会，**季归属母公司税后净利新台币6.43亿元，每股净利新台币0.18元，成为台湾**季*赚钱的存储器厂。华邦电总经理詹东义表示，自主研发的3x纳米制程将在第四季进入量产，明年将可展现强劲的成长爆发力。华邦电**季合并营收含新唐等子公司约季增4.1%达新台币104.97亿元，较去年同期成长13.5%，毛利率虽降至28.2%，但归属母公司税后净利新台币6.43亿元，每股净利新台币0.18元，略优于市场预期，而且是台湾存储器厂中*赚钱的公司。华邦电累计今年上半年合并营收达新台币205.84亿元，归属母公司税后净利达新台币14.19亿元，每股净利新台币0.40元。华邦电今年上半年利基型DRAM营收占比51%，营收较去年同期成长5%，网通及电视应用营收表现强劲，且车用及工业应用贡献营收成长。移动型DRAM(Mobile DRAM)上半年营收占比13%，营收较去年同期成长15%，成长动能主要来自于特殊应用芯片(ASIC)产品需求增加，以及***客户进行design-win阶段。包括NAND及NOR等快闪存储器部分，上半年营收占比达36%，营收较去年同期成长9

外媒：紫光集团收购武汉新芯多数股权

北京时间7月26日晚间消息，《华尔街日报》今日援引知情人士的消息称，中国建造先进存储芯片工厂的两大主要项目已进行了合并。此举旨在打造实力更强的大型企业，从而缩小与西方国家之间的技术差距。 据四位知情人士称，紫光集团（Tsinghua Unigroup）已收购武汉新芯集成电路制造有限公司（XMC，以下简称“武汉新芯”）多数股权。之前，武汉新芯曾打造规模为240亿美元的存储芯片制造中心。今年3月28日，总投资240亿美元（约1600亿元人民币）的存储器基地项目在武汉东湖高新区正式启动。为保证该项目顺利实施，国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资作为股东，在武汉新芯的基础上组建一家存储器公司作为存储器基地项目实施主体公司。与此同时，紫光集团也计划投资120多亿美元用于建造一家新的存储芯片厂，以及进行半导体业务并购。据紫光集团去年11月向深交所提交的公告显示，集团将通过同方国芯建造一家存储芯片厂，并进行更多并购交易。之前，紫光集团曾试图收购美国存储芯片制造商美光科技，但该交易未获成功。紫光集团和武汉

三星携手IBM　拟3年内量产新一代STT MRAM

三星电子(Samsung Electronics)与IBM携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输(Spin Transfer Torque)磁性存储器(STT-MRAM)。两家公司也表示，预计在3年内展开MRAM量产，也引起了业界高度的注目。 韩媒亚洲经济报导指出， STT-MRAM是可望取代传统DRAM、SRAM的新世代存储器技术。与目前的NAND Flash相比，写入速度快上10万倍，而读取速度则是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透过少量电力就可以驱动的非挥发性存储器，不使用时也完全不需要电力。MRAM的另外一项特征是寿命时间无限。NAND Flash反覆读写后，寿命就会大幅缩短。虽然*近靠着技术的发展，已经延长了NAND Flash的使用寿命，但仍未出现颠覆性的改善技术。MRAM自2007年亮相，2011年三星电子买下拥有STT-MRAM技术的开发公司Grandis。而SK海力士(SK Hynix)则是与东芝(Toshiba)合作，共同研发MRAM技术。然而，这样比NAND Flash读写速度还快，又没有寿命问题的MRAM却有一个致命的缺点，那就是50纳米以下的微细

大陆半导体扩产投资大 台韩设备厂订单承接看俏

在两岸半导体制造业者及TFT大厂正在进行新一轮的军备竞赛，在必须不断扩充产能的战略及政策引导下，台积电抢先调高2016年资本支出至105亿美元，联电、世界先进可望跟进的动作，已吸引大陆目前所积极扶植的半导体产业新兴晶圆厂业者关注，也不断有来台访厂采购设备的动作出现。 同样的情况也发生的韩国，根据韩国Digital Times报导，大陆武汉新芯和清华紫光将于2016年底着手架构半导体设备，并正式发包采购。规模而言，武汉新芯约要投资246亿美元，在武汉建设NAND Flash和DRAM生产厂。清华紫光则将投资约300亿美元左右建设存储器芯片厂。配合友达、群创也有布局OLED面板产能的想法，大陆OLED面板厂更是积极异常，来台**机台的企图心强烈，在先进制程晶圆与OLED面板产能未来只看大、不看小的前景加持下，台系设备厂2016年下半订单的成长动能颇佳，甚至一线客户已直接下单至2017年第1季，就是要抢先一步备妥所需的产能，这也让台系设备厂对后续营收及获利成长的脚步信心十足。虽然目前台系晶圆厂及面板厂内部的核心设备仍多由外商所提供，不过，提高生产流程及降低营运成本的桥接机器设备，在台厂这几年

存储器应用领域不断扩大 芯片国产化进程有望提速

2016年中国深圳电子装备产业展览会今天在深圳国际会展中心举行。此次展会参展企业达500余家，其中国际展商100余家，产品主要包括半导体与集成电路制造设备、芯片生产、元器件成型设备和电子材料等领域，充分展现当前全球智能电子设备的先进技术，进一步推动我国电子设备产业快速发展。近年来，随着平板电脑、智能手机和固态硬盘等数码产品需求的大幅增长，带动了存储器产业的迅猛发展。存储芯片作为半导体产业链的重要领域，2014年全球销售规模达到了792亿美元，占到整个半导体市场规模的23.6%。存储芯片领域由于技术和资本壁垒较高，目前全球形成了寡头垄断的局面，几大存储芯片巨头垄断了全球近九成的市场份额。存储器（Memory）是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。在集成电路中，一个没有实物形式，具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和*终运行结果都保存在存储器中。在我国集成电路市场中，存储器是市场份额*大、增速*快的产品类型，作为全球电子产品的制造基地，存储器产品

51单片机作用、功能、厂商单品详解

作为*古老的单片机之一，51单片机在各行各业都发挥了十分重要的作用。51单片机的作用32位机的ARM未出之前，嵌入式的应用诸如航空航天，51单片机是*重要的控制器，其他各个领域特别是民用产品，51单片机渗入到了方方面面。工业控制上，可以说51单片机占据了大半边天。就是现在，51单片机也有举足轻重的作用，特别是小型控制系统，51单片机因为有数据总线和地址总线的关系，8位单片机中有着****的优势。51单片机的主要功能51单片机主要功能包括：·8位CPU·4kbytes 程序存储器（ROM） （52为8K）·256bytes的数据存储器（RAM） （52有384bytes的RAM）·32条I/O口线·111条指令，大部分为单字节指令·21个专用寄存器·2个可编程定时/计数器·5个中断源，2个优先级（52有6个）·一个全双工串行通信口·外部数据存储器寻址空间为64kB·外部程序存储器寻址空间为64kB·逻辑操作位寻址功能·双列直插40PinDIP封装·单一+5V电源供电CPU：由运算和控制逻辑组成，同时还包括中断系统和部分外部特殊功能寄存器;RAM：用以存放可以读写的数据，如运算的中间结果、

Epson微控制器内建16位元快闪存储器

看好线上认证、线上付款金融机制的发展，Epson运用成熟的零组件技术，顺利开发内建16位元快闪记忆体之低功率微控制器S1C17M10。新款控制器能够降低50%的耗电量，并且将晶片读卡机产出个人动态密码的速度提升四倍，大幅缩减原先读卡机的制作成本。 该款微控制器，具有优异低耗电量及内建16位元快闪记忆体。随着线上支付、线上认证的发展趋势，越来越多金融机构须要提供客户可加强**性的动态密码产生器(Token)，对于动态密码产生器的微控制器需求也相对增加。其可让晶片读卡机制造商缩小动态密码产生器的尺寸，并且延长其电池使用寿命。S1C17M10能在1.8 V至5.5 V的电压范围内运作，在“待机模式”时，所有电压的电流消耗为0.6μA，而在“执行模式”中为145μA /MHz。*大运作频率为16.8 MHz。这让其在相同条件下，能以比同级旧产品快四倍的速度，以及减半的电流运作。它能执行更复杂的软体和传输处理，但却具有更长的电池寿命。此外，更内建LCD驱动器，可直接驱动*高解析度达1280点的液晶显示器。显示器*多能支援两行及10个字母、数字字元，足以提供所有需要的资讯。Epson网址：www.

传美光将在台设后段封测厂 购入达鸿厂房、力成代管机率高

美系存储器大厂美光(Micron)传出将在台湾本地设立后段封测厂。半导体相关业者透露，美光将出资购入F-TPK旗下触控厂达鸿位于台中之厂房，未来估计将负责Mobile DRAM等之封测。业界传出，美光该厂将循与力成合作的大陆西安厂之营运模式，原本力成、南茂都有意争取，但现在几乎已经确定由力成出线。熟悉半导体相关业者表示，美光购买达鸿厂房可望在2016年下半明朗化，*快2017年可以进行量产，会以非一般型DRAM之封测如Mobile DRAM为主，未来如台弯DRAM大厂华亚科等等订单，可以在美光台中厂房直接进行封测。目前购买金额、详细时间点尚未定，但相关业者表示，交由与美光关系深厚的台存储器封测大厂力成代营运之机率非常高。达鸿宣告破产达鸿于21日晚间公告，于具状撤回重整之声请后，委托鉴价公司对资产进行鉴价，并依鉴价结果计入资产减损之影响后，截至2016年6月30日之自结资产总额为新台币71.26亿元，负债总额为93.90亿元，有资产不足以抵偿负债之情事，为维护股东及债权人之*佳利益，经董事会决议，依公司法第211条第2项及破产法第58条第1项之规定，向法院声请宣告破产。2016年7月21

LED显示屏控制系统与控制卡

LED显示屏以显示各种文字、符号和图形为主。画面显示信息由计算机编辑，经RS232/485串行口预先置入LED显示屏的帧存储器，然后逐屏显示播放，循环往复。显示方式丰富多彩，并且可以脱机工作。LED显示屏因其控制灵活，操作方便，稳定性高使用寿命长，在社会各行业有着广泛的应用。LED显示屏发展已经有20多年历史，与其他LCD拼接、工程投影机等设备一样，LED显示屏从诞生开始，就伴随着技术进步和升级换代，从起步时显示文字内容为主，到之后的图文并茂及动态视频。目前广泛应用在户外广告、舞台表演、展览展示、球场赛事、会议中心和指挥中心等领域。LED显示屏控制系统又称LED显示屏控制器、LED显示屏控制卡。它是组成LED显示屏的核心部件、主要负责接收来自计算机串行口或DVI接口的画面及视频显示信息，置入帧存储器，按分区驱动方式生成LED显示屏所能识别的串行显示数据和扫描控制时序。LED显示屏控制系统-异步控制LED显示屏异步控制系统又称LED显示屏脱机控制系统或脱机卡。主控PC机将需显示的信息及各种控制命令通过串行通讯的方式传入LED显示屏屏内控制卡，LED显示屏屏内控制卡内含有单片机及存储器，屏

1个原子位置记录1bit **超高密度存储器

荷兰代尔夫特理工大学(Delft Unviersity of Technology)宣布，开发出了向1个原子分配1bit的存储芯片。试制的存储器尺寸为96nm×126nm。记录容量仅为1KB(8000bit)，但记录密度据称达到500Tbit/平方英寸，为在售的已有HDD的约500倍。像算盘一样记录信息该存储器通过在铜(Cu)基板上控制氯(Cl)原子的位置来记录信息。具体处理时，Cu基板上的Cl原子可像算盘珠一样根据与空隙的位置关系来安排两个位置。此次采取向这两个位置中的一个分配“1”、向另一个分配“0”的设计。在控制Cl原子的位置时使用扫描隧道显微镜(STM)。试制的存储芯片按照8Byte逐一划区。各区以Cl原子和空隙来显现像二维条码一样的浓淡图案。可利用该图案显示有无损伤及错误，并实现纠错编码处理。此次据称在该试制芯片中记录了1959年物理学家理查德·费曼(Richard Feynman)在全球**对原子存储器的容量实施计算的讲座内容。实用化尚无眉目该存储技术实现实用化所面临的*大课题是无法在室温及大气环境中保存数据。“目前必须要设置在无杂质的真空中，并以77K液氮温度来冷却”(代

福建晋华存储器集成电路项目开工 填补国内主流存储器领域空白

7月16日，福建省晋华存储器集成电路生产线项目（以下简称“晋华项目”）开工仪式在泉州晋江举行。该项目一期投资370亿元，是福建省发展集成电路产业的重大战略布局，将打造成为具有自主技术及***制造工艺水平的存储器研发制造企业。国家相关部委、国家集成电路投资基金、中国科学院微电子研究所等单位近百名国内外**专家、业界重量级嘉宾，以及近200家产业链相关企业代表出席开工仪式。国家工信部副部长陈肇雄和国家发改委高技术产业司副司长孙伟分别致辞，福建省委常委、省政府常务副省长张志南致辞并宣布项目开工。填补国内主流存储器领域空白集成电路被喻为“工业粮食”，是信息技术产业的核心，随着云计算、物联网、大数据等新业态的兴起，集成电路产业发展迎来“黄金十年”，有着非常广阔的市场空间。据统计，去年国内集成电路市场规模达到1.2万亿元，是全球*大的一块市场。但目前，中国集成电路市场仍然大量依靠海外进口，去年进口芯片总额达2300多亿美元，已经超过原��成为我国**大进口商品。泉州把发展集成电路产业作为培育经济新增长支撑，推动产业转型升级的重要突破口。在晋江启动建设集成电路产业园，占地1.7万多亩，规划建设“三园一

中国半导体业崛起策略：三驾马车并用

全球半导体业已进入新的格局，具体表现为产业趋于成熟，大者恒大，垄断加剧。在这种背景下中国半导体业崛起，应当采取哪些发展策略？产业越来越显成熟此前，半导体行业有“吞金兽”与“印钞机”之称。如今，“吞金兽”仍然名符其实，而“印钞机”的提法却可能已经名不符实了。全球半导体业经历了近50年的发展，它的主要推动力，亦即主要应用市场，分别是个人电脑、互联网、移动产品，如今正等待新的杀手级应用出现。之前半导体产业的平均增长率可达17%左右，如今已逐步逼近全球GDP的增长水平。市场公司发布的预测数据显示，2015年、2016年、2017年及2018年的半导体业增长率分别为-0.2%、-2.4%、2.0%及2.2%。另一个产业趋于成熟的重要标志是，推动产业进步的经典——摩尔定律已正式被修正，由之前的每两年前进一个技术节点（或者称0.7x），改为如今的2.5年或3.0年（或者0.75x，0.78x）。产业成熟的结果就是大者恒大，垄断加剧。之前业内有人戏称未来半导体业是三足鼎立。这个观点曾被当作笑话来听，如今却已经接近实现。全球每年近600亿美元的投资中，英特尔、三星及台积电三家占了一半多。许多**IDM大

国际集成电路产业发展高峰论坛在泉举行

16日，国际集成电路产业发展高峰论坛在我市举行。 以“海丝起点·内存启航”为主题的此次高峰论坛，由中国电子学会、中国半导体行业协会主办。国家自然科学基金会副主任、中科院院士姚建年，中科院院士吴德馨、郑有炓，美国工程院院士、台湾半导体协会理事长卢超群，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武，工信部电子信息司副司长彭红兵，中国电子学会总部党委书记葛程远，大唐电信副总裁陈山枝，省电子信息集团董事长邵玉龙，原信息产业部巡视员郑敏政；泉州市市长康涛、市委常委李建辉、副市长农刚及晋江市领导，与国内外知名专家学者、业界精英等出席开幕式，共同聚焦探讨集成电路产业未来发展。康涛在致辞中表示，集成电路是信息技术产业的核心，正步入发展的“黄金时代”。在国家、省的大力支持下，泉州积极抢抓机遇，大力培育集成电路产业，成功引进晋华存储器集成电路生产线项目。这一项目被纳入国家“十三五”集成电路重大生产力布局规划，是国家重点支持的存储器发展项目。今后，泉州有信心以晋华项目为龙头，打造集设计、制造、封装、测试、装备、材料和终端应用为一体的全产业链，贡献中国集成电路产业发展。衷心希望与会专家学者和业界精英在论坛上碰撞出更多智

大型集成电路项目晋江开工 总规划594亩一期投资370亿

闽南网7月18日讯 7月16日，坐落于晋江集成电路产业园的福建省晋华存储器集成电路生产线项目举行开工仪式，该项目由福建省电子信息集团和泉州、晋江两级政府共同投建，总规划面积594亩，一期投资370亿元，将打造成为国内**具有自主技术及***制造工艺水平的存储器研发制造企业。 当天，泉州、晋江同步发布支持集成电路产业发展的规划和相关配套政策，包括项目落地补助、科研支持、人才引进、科研奖励等方面的一系列举措将付诸实施，并将系统推进国际人才社区、国际学校、**医疗等10多个配套项目，为企业集聚**人才团队提供**高效的服务。（海都记者 苏桐轩 通讯员 姚煜娟）

福建晋华存储器集成电路项目开工

本报讯 记者陈炳欣报道：7月16日，福建省晋华存储器集成电路生产线项目开工仪式在泉州晋江举行。该项目一期投资370亿元，是福建省发展集成电路产业的重大战略布局，将打造成为国内**具有自主技术及***制造工艺水平的存储器研发制造企业。工业和信息化部副部长陈肇雄，福建省政府常务副省长张志南出席并致辞，来自国家集成电路投资基金、中国科学院微电子研究所等单位近百名**专家以及近200家产业链相关企业代表出席开工仪式。陈肇雄在致辞中指出，集成电路产业是支撑经济社会发展，保障国家信息**的战略性、基础性、先导性产业。目前国际市场，物联网、云计算、大数据、人工智能等新兴技术快速发展，给集成电路产业带来新的发展契机。我国“十三五”期间，随着“国家十三五规划纲要”、《中国制造2025》、“互联网+”等相关战略规划的深入实施，我国集成电路市场将继续保持旺盛生命力，集成电路产业将大有可为。陈肇雄表示近年来，福建省充分发挥产业人才区位优势，着力培育集成电路产业。晋华项目的启动，将进一步完善福建产业链，补齐产业发展短板，推动产业结构迈向中**。希望项目各方同心协力、务实合作，继续完善产业综合配套，优化产业发展环

台积电30亿美元南京工厂开工 半导体设备需求扩容

中国证券网讯 7日，台积电投资30亿美元的南京12英寸晶圆厂正式奠基开工。另外，福建晋华存储器集成电路项目也将于本月中旬举行开工仪式。机构预计，2016年整体晶圆厂支出将达到360亿美元，2017年有望升至407亿美元，增长约13%。券商研报认为，在晶圆厂开工建设以及国产化的推动下，我国集成电路产业景气度有望提升，材料设备、封测产业、晶圆厂洁净室设计制造需求有望向好，预计到2020年，国内设备和材料需求总额将超过200 亿美元。 据上海证券报7月8日消息，近日，国际半导体协会（SEMI）数据显示，2016年、2017年全球新建的晶圆厂至少将达到19座，其中，有10座位于我国。台积电是全球集成电路制造产业领军企业，已于去年开始为客户量产16纳米制程，并占全球14/16纳米晶圆制造一半以上市场。此次开工建设的台积电南京12英寸晶圆厂，规划月产能为2万片12英寸晶圆，预计到2018年下半年，开始投产16nm工艺，2019年将达到预定产能。另外，福建省安芯产业投资基金日前在晋江正式揭牌启动，目标规模500亿元，将在晋江重点打造集成电路产业集群，主要投向III-V族化合物集成电路产业群等重点领域

存储器西安事变 供货吃紧NAND单日*高涨一成

大陆西安变电厂爆炸造成当地三星晶圆厂、美光及力成封测厂出现电力闪断及电功下降，预期将对存储器市场供给造成影响，存储器业界昨（20）日均以“西安事变”来形容此次跳电危机，而包括DRAM及NANDFlash报价也出现难得一见的**上涨行情。三星、美光、力成等业者昨日指出，对后续供货情况不会有太大影响。但存储器业界人士表示，半导体业界在过去10年当中，有关存储器晶圆厂或封测厂发生电力闪断的事件后，都出现供货吃紧问题，因为半导体设备机台跟电脑一样，电力闪断就好像插头拔起几秒再插回一样，设备就会当机或参数跑掉，至少也要1～2周时间才有办法回复原本正常运作。所以，通路商预期后续DRAM及NANDFlash供货可能吃紧，昨日均开始提高库存水位，根据台湾、香港、深圳三地的昨日现货报价，NAND随身碟及存储卡价格涨幅*大，32GB/64GBUSB3.0随身碟公板价格涨幅达5～10％，16GB/32GBMicroSD卡价格涨幅达3～5％，32GB/64GBMLC规格NANDFlash芯片涨幅达1～3％。在DRAM部分，深圳地区DRAM模组平均涨幅达3～5％左右，DDR3颗粒价格则出现1％左右涨幅。集邦科技

东芝西部数据斥981亿人民币增产新型芯片

集微网消息，据海外媒体报道，东芝与美国合作伙伴西部数据，将于未来3年合共投资1.5万亿日圆(981亿人民币)，为目前位于日本的快闪存储器厂房增产。 扩产计划的目标是提升3D存储器的生产，以期于2017财年占该市场份额一半，并于2018财年增加至逾80%。日后，两家公司合营的日本三重县四日市厂房的产能，将为韩国三星电子旗舰工厂的约两倍。西部数据于5月完成收购SanDisk，并涉足SanDisk与东芝自2002年起开始合营的这个厂房。今年初，该��房开始量产3D快闪存储器，把产能提升逾8倍。该芯片可让智能手机、储存设备及其他电子工具，体积更细及能源效益更高。

联电6月营收创历史新高

〔记者洪友芳／新竹报导〕晶圆代工厂联电（2303）公布自结6月份合并营收为135.27亿元，月增6.46％、年增12.16％，并创单月营收历史新高。单季合并营收为370亿元，季增7.55％，为单季次高水准。 联电在28奈米出货明显成长的带动下，第2季营收如市场预期季增5％以上，获利也可望会跟着显著上扬，毛利率预期将回升到21～23％，较**季14.6％显著上升。存储器大厂华邦电（2344）公布自结6月合并营收约为35.21亿元，月增1.91％，较去年同期约增加16.88％。第2季合并营收为104.98亿元 季增4.08％，约创近6年单季营收新高。累计1至6月合并营收约为205.84亿元，较去年同期约增加8.47％。华邦电主要产品线包括利基型存储器、移动存储器（Mobile DRAM）与快闪存储器，预估下半年市场需求比上半年稍热，该公司将在稳定、温和中求成长。

台积电南京工厂开工半导体设备需求扩容

7日，台积电投资30亿美元的南京12英寸晶圆厂正式奠基开工。另外，福建晋华存储器集成电路项目也将于本月中旬举行开工仪式。机构预计，2016年整体晶圆厂支出将达到360亿美元，2017年有望升至407亿美元，增长约13%。券商研报认为，在晶圆厂开工建设以及国产化的推动下，我国集成电路产业景气度有望提升，材料设备、封测产业、晶圆厂洁净室设计制造需求有望向好，预计到2020年，国内设备和材料需求总额将超过200 亿美元。 近日，国际半导体协会（SEMI）数据显示，2016年、2017年全球新建的晶圆厂至少将达到19座，其中，有10座位于我国。台积电是全球集成电路制造产业领军企业，已于去年开始为客户量产16纳米制程，并占全球14/16纳米晶圆制造一半以上市场。此次开工建设的台积电南京12英寸晶圆厂，规划月产能为2万片12英寸晶圆，预计到2018年下半年，开始投产16nm工艺，2019年将达到预定产能。另外，福建省安芯产业投资基金日前在晋江正式揭牌启动，目标规模500亿元，将在晋江重点打造集成电路产业集群，主要投向III-V族化合物集成电路产业群等重点领域。*新动态显示，福建省晋华存储器集成电路

变电站起火，三星西安厂部分产线复工

三星电子昨（19）日表示，在西安的半导体厂电力一度中断，但仅对不到1万片晶圆生产造成影响，而该厂房将在“几天内”**恢复生产。西安南郊长安区一处变电站，18日凌晨0时20分左右传出发生爆炸，附近2公里内可看见火光并伴随爆炸声，西安部分区域停电。当天下午3时10分全恢复供电。三星西安厂位于西安市南郊，离爆炸事故点很近， DRAMeXchange报导，受变电站爆炸影响，三星西安厂一度出现持续几秒的断电，导致生产线出现大面积当机、设备停工等情况，事发后所有与产线相关的工程师被全数召回抢修设备，并快速进行线上晶圆损害清查，18日部分产能已恢复生产。三星在西安工厂生产3D NAND，主要供应固态硬碟使用，也是苹果即将推出iPhone 7中256GB机型的快闪存储器主要供应商，月产能10万片。三星表示，因为大规模供电中断，造成部分产能停机，影响的产能大约在1到2%之间，对未来供货不会造成影响。不过中国快闪存储器市场网ChinaFlashMarket却认为，这次事故会对整个NAND Flash市场供给产生影响，尤其随着旺季即将到来，苹果新iPhone备货需求带动，自5月下旬涨价以来，NAND Fla

西数/希捷/QLogic等厂商高管谈存储器未来发展

分析企业尼古拉斯公司总经理Aaron Rakers表示其已经在本次于旧金山召开的尼古拉斯技术、互联网与媒体会议上同博科、QLogic、Pure与Nimble以及希捷与西部数据各方进行了炉边谈话。希捷、QLogic及其它几家同业企业有话说。分析企业尼古拉斯公司总经理Aaron Rakers表示其已经在本次于旧金山召开的尼古拉斯技术、互联网与媒体会议上同博科、QLogic、Pure与Nimble以及希捷与西部数据各方进行了炉边谈话。各位高管人员探讨了磁盘驱动器市场需求、HAMR磁盘驱动器技术、NVMe over Fabrics、第六代光纤通道以及其它行业所关注的重要议题。我们首先来看两家存储联网方案供应商的观点：博科公司**架构师Martin Skagen认为，80%的全闪存阵列端口正接入光纤通道（简称F）。他指出，博科的第六代（每秒32 Gbit）FC产品将于今年8月逐步推出通用版本。Rakers认为思科将在今年年底时发布其每秒32 Gbit FC产品，这意味着博科将能够在市场上拥有三到四个月的**周期。Skagen指出，博科将提供额外的服务质量功能，并在产品引入更为紧凑的虚拟机管理程序

面对大陆半导体产业成长　韩国的反思

过去在半导体市场上，形成只有***性能产品可存活的结构，现在则是从低到高性能都有市场。物联网(IoT)、智能汽车、穿戴式装置、无人机等的登场，带动系统芯片需求快速增加。这些装置需要搭载移动应用处理器(AP)、CMOS影像感测器(CIS)、通讯芯片、近场无线通讯(NFC)芯片、GPS芯片、电源管理芯片等多元系统芯片。造船、海运、建设等韩国传统产业正面临巨大危机，半导体产业则在全球存储器市场掌握约70%市占率。韩国半导体厂自1990年代后半开始约20年间，与美国、欧洲、日本存储器芯片业者展开流血竞争，并成功存活下来。DRAM等半导体价格持续下滑，获利性转差，然三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等韩系半导体大厂在全球存储器芯片市场上，地位难以动摇。然而，韩国半导体专家发出警告，韩国半导体产业不可过度偏重存储器芯片。为因应快速成长的物联网、自动驾驶车等多元市场需求，除持续提升存储器芯片产业竞争力外，应朝系统芯片市场拓展势力。其原因有二，一是大陆的崛起，二是全球非存储器芯片成长速度较存储器更快。大陆半导体业者凭藉庞大的资本和市场快速崛起，韩厂应均衡

集邦：华亚科对美光重要性无法取代并购案料H2明朗

华亚科 (3474)昨(13)日晚间召开记者会，宣布美光(Micron)暂缓合并华亚科的相关事宜，合并案将递延至今年下半年再行决定，除了800亿联贷案持续进行外，现行瑞晶与华亚科的技术合作将会暂缓，增添后续的合并案的变数，但双方表示只是计画展延并非破局，将努力促成该合并案圆满落幕。 TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange表示，从制程技术来分析，自从美光计画转进20 纳米之后，华亚科逐步取代了原先的日本尔必达，成为*重要的生产重镇；美光阵营(含尔必达广岛厂、台湾瑞晶、华亚科及美光原有在美国与新加坡的产能合计)中，华亚科厂是*早开始转进20纳米制程，而目前的产能除原先仅有的标准型存储器及服务器存储器，更将产能大幅延伸至新一代的行动式存储器LPDDR4。截至目前为止，20纳米的投片仍持续往上提升，预计今年约9月时程就能在投片端全转进20纳米。今(2016)年度美光的位元成长全有赖20纳米制程转进时程，代表华亚科在美光集团中至关重要的角色，无法取代。而该合作案对南亚科 (2408)的重要性也不容小觑；南亚科除了今年年底要开始小幅度转进的20纳米外，后续的1Y或1X纳米

无风不起浪？三星否认砸25兆韩圜扩充NAND产能

三星传将大幅加码投资NAND 快闪存储器，借以增加产能、维持竞争优势。不过在消息见报后不久，三星已出面否认有相关投资计画。 韩国经济日报稍早前引述知情人士消息报导指出，三星有鉴于NAND市场竞争日趋激烈，明年底前拟投资25兆韩圜，或相当于213亿美元扩充产能，希望能摆脱众多竞争者的纠缠。 相较于DRAM市场仅剩三星、SK 海力士与美光三强鼎力，NAND目前可谓进入战国时代，除了原有三大存储器厂外，日本东芝也占有一席之地，而新进入的英特尔与中国业者也试图想分一杯羹。在此状况下，三星若被迫出招清理战场，其实也不让人意外。 对于上述报导，三星已澄清消息并非事实，现阶段也尚未做成具体投资计画。不过无风不起浪，三星预计在下周二、周三召开全球策略会议，所有集团高层都将与会，届时相关议题应会有进一步的厘清。

紫光A股市场疯狂扫货：赵伟国频频并购支撑其晶元梦

在赵伟国掌舵的紫光系以一种低调吸筹的方式成为A股十多家上市公司股东的同时，赵伟国*近再放豪言，紫光今年将在储存晶元上投入300亿美元。 曾几何时，在BAT等大量互联网公司涌现之后，联想、紫光、方正、四通等中关村的「老资格」都被视为传统IT企业。不久前，联想发布巨亏年报，使得人们又重新想起当年IT产业的先行者们，那么，除了联想之外，紫光、方正等今天过得还好吗，他们都在做什么呢？聚焦传统IT企业现状■本报记者贾丽短短几年时间，以赵伟国掌舵的紫光系在资本市场连翻掀起百亿级的大规模并购，在资本市场抛出A股市场金额*高的定增预案，并「导演」了金额达800亿元巨型定增。然而这些恐怕仅是前奏，在今年的一个季度内，紫光系再次以迅雷之势埋伏进A股十几家上市公司，成为其股东。此前，紫光董事长赵伟国接受《证券日报》记者采访时表示：「紫光是高校系企业中恐龙级的，不仅活着而且健康。」而如今，他的野心正在迅速膨胀，以并购为手段将紫光系资产迅速做大，资本帝国的拼图逐渐完整。「从今年开始，我们大约要在存储器晶元制造领域投入三百亿美元，这大概是中国有史以来*大的存储项目。」近日，赵伟国再次向外界抛出他的晶元帝国梦。而为

联电联发科联合 抢占物联网商机

物联网着眼于芯片整合及诉求超低功耗，晶圆双雄台积电和联电均建立相关制程平台，协助芯片厂抢商机；联发科也成立Linkit开发平台，以整合战方式卡位。 各半导体厂近来都将物联网视为下波半导体成长动能，尤其这些领域所需的半导体元件，都不是追求先进制程，因此更是晶圆厂大展身手的好机会。台积电和联电，除了在先进制程领域外，近年来也相当整合旗下特殊制程，特别强化低成本、高效能，而且整合嵌入式快闪存储器和DRAM等相关芯片。台积电表示，提供物联网应用从类比及高压元件的40/55ULP到中高阶的28HPC和16FFC等，提供完整物联网应用芯片制程平台，这类制程都具备超低功率及整合的等特性。联电也表示，为满足物联网设计的上述需求，已建立业界*强大的物联网专用平台解决方案，透过超低功耗的特殊制程，将不同制程方案整合到各制化平台，迎合对功耗敏感的智能型应用、同时具备各种嵌入式非挥发存储器芯片，让这些芯片在低功耗环境中，保持持续连结状态。IC设计龙头联发科本身拥有手机和网通芯片产品，同样看好物联网未来需求，提出LinkIt开发平台，串联国内相关IC厂共同投入整合行列，开发多样具备Wi-Fi联网功能、省电，且具

美光连涨9天、飙31%！三星传DRAM缩手NAND下半年夯

北美半导体设备BB值连5个月高于1、再加上半导体设备业龙头厂商应用材料 (Applied Materials Inc.)直指投资活动逐渐从DRAM转到NAND型快闪存储器，让美国存储器大厂美光( Micron Technology, Inc. )股价在5月18日触底反弹、一口气连涨9个交易日之多，涨势相当惊人。美光5月31日终场跳涨了3.33%、收12.72美元，平1月12日以来收盘新高，股价带量 冲过颈线；以收盘价计算，过去9个交易日共计狂涨了31.54%，从月KD已在4月低档黄金交叉来看，过去半年来美光股价也有底部成形的味道。barron`s.com报导，RW Baird分析师Tristan Gerra 31日发表研究报告指出，三星电子(Samsung Electronics Co.)可能会在今(2016)年下半年把一大部分的DRAM产能转移到NAND型快闪存储器，同时将18 奈米制程产能初步拉高。Gerra认为，下半年NAND的产业市况相当乐观，主要是拜iPhone 7的储存容量增加(该款智慧机应会增添256GB版本)、PC加速采纳固态硬碟(SSD)之赐。他说，这会让NAND定价

大陆半导体主攻存储器 国外**壁垒成*大挑战

在《国家集成电路产业产业发展推进纲要》、《中国制造2025》等一系列政策计划的落实和集成电路产业投资基金的大力投入之下，已为存储器产业在市场、政策及资金等方面奠定良好的基础，故2015至2016年中国半导体行业将以存储器为发展重点，*主要是存储器与微处理器是发展半导体业不能或缺的领域。特别是存储器的发展不仅是因为其处于集成电路产业的核心地位，更是基于信息**的考虑，主要是因为唯有在存储器、CPU等核心芯片领域实现自主可控能力（包括核心技术、关键零部件、各类软件全部国产化，自己开发和制造），才能确保国防与信息**，更何况存储器将在新一代信息技术如物联网、大数据、云端运算等中扮演重要的角色。事实上，有鉴于中国智能型手机、平板计算机、智能可穿戴设备、服务器等消费电子产品在全球的地位稳步提升，对DRAM、NAND Flash等存储器的市场需求也随之提升，预计2016年中国大陆存储器所需的市场规模将达到近2800亿人民币，但目前大陆自给率几乎为零，反映未来进口替代空间大，此成为中国切入存储器市场*大的优势。中国发展存储器产业尚有国家战略、各项配套做为支撑，其中除官方将主导产业垂直整合，也就是企业

大陆**实现百毫秒量子存储器

中国科学技术大学潘建伟、包小辉等采用冷原子系综在国际上**实现了百毫秒高效量子存储器，为远距离量子中继系统的构建奠定了坚实基础。该成果5月31日发表在国际权威学术期刊《自然·光子学》上。审稿人对这一工作的重要性给予高度认可，并称赞这一实验为『非凡绝技』（extraordinary tour de force）。 根据观察者网报导，量子中继可以解决光子信号在光纤内指数衰减的重大难题，是未来实现超远距离量子通信的重要途径之一。量子通信被认为是****的通信方式，其基本原理是利用单个光子加密携带一个量子比特的资讯进行传输。目前量子通信只能达到百公里量级，要实现千公里以上的长程量子通信则需要基于量子存储的量子中继技术。此前已经实现的量子中继方案，长程发送一个量子比特的资讯所需时间在分钟量级以上。量子中继的基本原理是采用分段纠缠分发与纠缠交换相结合来拓展通信距离，其核心是量子存储技术，透过对光子比特进行缓存，可大幅提升纠缠连接效率。为满足远距离量子中继的实际需求，量子存储器需要对单量子态进行长时间存储且具备高读出效率。近年来，量子存储的实验研究进展很快，但到目前为止，还没有一个体系能够在存储时间

存储器热要细思量，未来竞争将更残酷无情

创见1Q毛利率达新高　2Q力拱TLC固态硬碟

存储器模组厂创见董事会通过2016年第1季合并财务报表，单季合并营收56.5亿元，每股税后盈余1.45元。 创见表示，回顾2016年第1季，Nand Flash因原厂制程转换及市场需求持续增强因素，价格触底反弹，加上工控营收稳定获利，搭配采购策略及库存控管，本季营业毛利率达22.2%，来到近三年高点。展望第2季，近期TLC快闪存储器技术日渐成熟，稳定度提升，创见推出首款采用TLC的固态硬碟，可望于今年加速扩展固态硬碟市场。另一方面，工控市场仍为深耕发展重点，即将到来的COMPUTEX主题即为物联网应用及移动装置解决方案，创见乐观看待未来营收及获利成长。

STT-MRAM新技术，可使存储单元面积减小30％

日本东北大学2016年5月13日宣布，采用可使单位存储单元面积减小30％、成品率提高70％的新技术，试制了容量为2Mbit的STT-MRAM（自旋注入磁化反转型磁阻式随机存取存储器），并通过实证实验确认了其效果。 在硅基CMOS存储器集成电路方面，随着晶体管向微细化发展，功耗趋于增大，高密化受到阻碍的问题日益严重。为了解决这一问题，业界开始积极开发在保持内容时不需要电力的非易失性存储器。STT-MRAM是使用强磁性隧道结元件（MTJ）的非易失性存储器，与其他非易失性元件相比，具有数据擦写速度快、工作电压低、反复操作耐受力强等特点，有望应用于采用DRAM及SRAM等的“工作存储器”领域。以往的STT-MRAM在MTJ元件与CMOS电路相互连接时，要刻意将MTJ配置偏，避开接触孔的正上方。这是因为，接触孔上的电极存在表面形状不平坦的问题，在上面形成MTJ膜时容易导致特性变差。不过，这种方法也会造成存储单元面积增大。为了解决这一课题，研究小组针对配置MTJ的下部电极表面开发了专用研磨技术，并以单个MTJ元件的级别实施了基础实验，结果证实，通过使用该技术，即使在接触孔正上方形成MTJ膜，也不会

湖北：抢占中国存储器产业制高点

本报记者 侯沁今年3月28日，总投资240亿美元的国家存储器项目在武汉光谷正式启动，这是湖北省建国以来*大单体投资高科技产业项目，基地的动工，将是湖北集成电路产业腾飞的基础。在近日召开的湖北集成电路产业推进会上，湖北省副省长许克振也强调要以存储器基地建设为契机，抓好关键突破，加快推动湖北集成电路产业发展壮大。他说道：“当前，我省集成电路产业发展正处在**的窗口期，我们要坚定信心和决心，以更加开放、务实的思维和作风，加快推动集成电路产业发展，抢占产业发展制高点。”建成支点 培育IC产业新优势从湖北省条件来看，通过近年来发展已经奠定了一些基础和优势，在有关各方的共同努力下，集成电路产业发展取得了阶段性成果。湖北省经信委副主任吴方军表示，湖北省委、省政府始终把集成电路摆在全省产业发展重中之重的位置，多次召开办公会、现场会、座谈会进行研究，各部门积极支持，全力参与。武汉新芯多年的拼搏，也积累了很多经验和教训，成为新一轮发展集成电路产业的宝贵财富，这些都为湖北省发展集成电路产业奠定了坚实的思想基础。在资金投入上，2015年8月，湖北集成电路产业基金正式注册成立。同时，总规模2000亿元的省长江经

三星存储器库存塞爆创同季历史新高, 血战才揭开序幕？

先前外资痛批三星电子不顾同行道义，在记忆体业赶尽杀绝。如今背后原因似乎揭晓，韩媒指出，今年**季三星电子和 SK 海力士（SK Hynix）的半导体库存双双创下新高，满坑满谷的记忆体卖不动，三星或许因此杀红了眼。 BusinessKorea 18 日报导，今年 Q1 季末，三星电子的半导体库存达 7.4 兆韩圜，写下同季历史新高。SK 海力士的半导体库存为 2.2 兆韩圜，更创下该公司史上之*。一般而言，企业都赶在新年之前尽量消化库存，Q4 应是出货旺季，不料记忆体买气从 2015 年开始急冻，2015 年 Q4 库存增加速度之快，几乎前所未见。三星半导体库存连年提高，近来更急速成长。2012 年半导体库存约为 4 兆韩圜，2015 年增至 6~7 兆韩圜，今年 Q1 更超越 7 兆韩圜。和 2015 年同期相比，今年 Q1 库存飙升了 1.7 兆韩圜。主要原因应是记忆体买气骤减，Q1 三星记忆体部门营收年减 3,700 亿韩圜。与此同时，2015 年 SK 海力士的库存大都在 1.5 兆韩圜以下，不料 2015 年年底突然暴增至 1.9 兆韩圜，今年 Q1 又一举突破 2 兆韩圜。S

存储器热要细思量

武汉“新芯”投资240亿美元启动存储器项目己引起全球的热议，加上紫光的存储器项目，虽然尚未正式落子，但是它的计划几乎己成定局，投资近100亿美元，由紫光国芯操刀。如今又冒出台代工双雄之一的联电，它与福建泉州合作准备迈入利基型存储器的代工行列。这样全球**公司，包括三星、英特尔、海力士，加上国内的武汉“新芯”、紫光国芯，还可能再加上合肥的项目以及泉州联电的存储器代工，都聚集于中国。存储产业竞争将再起波澜业界关切的问题是全球存储器业自1999年始，历经六次大的兼并与退出，厂家数量越来越少，DRAM只剩下三家，包括三星、海力士和美光（它于2012年兼并日本的尔必达）；NAND闪存方面有四组，分别是三星、东芝/闪迪、海力士以及美光/英特尔。尽管台湾地区尚有几家小厂，但由于实力不济，或者依附于美光，或者转型代工。存储业很久没有“新进者”出现了。三星及海力士两家垄断的局面己经持续多年，三星己连续24年称霸全球。2015年的数据，韩国的DRAM及NAND全球市场份额分别达到73%及43.7%。如果从存储器的周期计，在2001至2010年期间，仅三星和海力士两家盈利80亿美元，其他诸厂累积亏损达130

谁能打破DRAM存储器的三足鼎立格局？

4月，三星电子宣布实现10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产，再次拉大与“三国杀”剩下两个玩家——SK海力士和美光的差距。“简单的来说，目前SK海力士与美光的工艺差距分别已经相差一年及二年了。”集邦科技DRAM**分析师郭祚荣告诉记者。这也许会带来相应市场格局的变化。Bernstein Research甚至悲观预测，三星下手太狠，想把DRAM市占率提高至近50%，未来三星可能是DRAM产业的**幸存者。中国军团的加入更搅乱了这一潭太久没有新鲜血液注入的浑水，DRAM市场三足鼎立的局面究竟是否还能继续维持?DRAM价格下跌三星获利近两年来，由于需求不振，DRAM市场价格持续走低。根据市场调研机构IHS的数据，2015年全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元。郭祚荣预测，2016年DRAM市场的供过于求预估为5.7%，DRAM的价格预估仍然会一路下跌。此前，南亚科总经理李培瑛曾估计，如果主要厂商仍然有明显扩产，那么今年DRAM价格将跌25%~40%。这是因为新的需求增长缺失，而随着工艺的进步产出却必然扩大。Gartner研究总监盛陵海向记者指出，目前大量

存储器DRAM三足鼎立格局生变？

本报记者 刘静本月，三星电子宣布实现10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产，再次拉大与“三国杀”剩下两个玩家——SK海力士和美光的差距。“简单来说，目前SK海力士与美光的工艺差距分别已经相差一年及两年了。”集邦科技DRAM**分析师郭祚荣告诉记者。这也许会带来相应市场格局的变化。Bernstein Research甚至悲观预测，三星下手太狠，想把DRAM市占率提高至近50%，未来三星可能是DRAM产业的**幸存者。中国军团的加入更搅乱了这一潭太久没有新鲜血液注入的池水，DRAM市场三足鼎立的局面究竟是否还能继续维持？DRAM价格下跌三星获利近两年来，由于需求不振，DRAM市场价格持续走低。根据市场调研机构IHS的数据，2015年全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元。郭祚荣预测，2016年DRAM市场的供过于求预估为5.7%，DRAM的价格预估仍然会一路下跌。此前，南亚科总经理李培瑛曾估计，如果主要厂商仍然有明显扩产，那么今年DRAM价格将跌25%～40%。这是因为新的需求增长缺失，而随着工艺的进步产出却必然扩大。Gartner研究总监盛陵海向《中国

利基型存储器 Q2营运稳

台积电稍早表示，本季个人电脑及通讯市况呈现下滑，市场预期，DRAM价格仍将持续下滑，不过，专注利基型记忆体的南亚科（2408）、华邦及爱普等，因产品报价仍稳，本季营运预料稳中透坚。 SK海力士昨天公布上季财报为三年来*差，不过，对本季展望并不悲观，预期本季DRAM价格跌势将趋缓，下半年需求将增温，供需也会重新恢复平衡。南亚科总经理李培瑛看法与SK海力士相近，他预期本季DRAM跌势会趋缓，且往年下半年都有季节性需求，今年还有奥运可望带动消费性产品需求成长。手机搭载DRAM容量又将提升，加上新机效应，预期今年下半年市场需求可望大于上半年。

SMARTRAC的eID生产线获得EAL6认证

SMARTRAC宣布，其泰国的生产基地获得了EAL6通用标准认证。该认证允许对芯片和芯片操作系统供应商提供的EAL6认证产品进行合理处理，该公司报告称，实现更高的制造灵活性。 SMARTRAC称，我们是**个达到该**认证的inlay厂商，该认证是为硅芯片制造商和芯片操作系统提供商产品品质设定的标准。截至目前，该公司指出，它已经把EAL6认证的操作系统(OS)加载到闪存芯片上，这个过程必须遵循合格、**的处理程序。通过认证，SMARTRAC可以更好地满足客户的期望，实现更快的交货时间，因为省去了过去芯片供应商包装成模块芯片所耗的时间。因此，该公司现在拥有短时间内灵活供应小、中、大订单的能力。SMARTRAC指出，并不是所有的RFID芯片(包括EPC Gen 2芯片)包含闪存储器，或在闪存储器加载自己的操作系统。事实上，绝大多数芯片都有一个本地操作系统，这意味着其操作系统为晶圆级加载。其他一些芯片也有自己的操作系统，为ROM加载级别。相对于EAL5，EAL6认证要求IT基础设施的**性增强，包括防火墙、虚拟专用网(VPN)、入侵检测系统、入侵防御系统(IDS / IPS)，以及较高的周边