MCU厂新唐表示，受惠于4、8、16位元MCU出货外，高阶32位元MCU出货畅旺，带动第2季税后净利高达2.6亿元，新唐第2季合并营收约新台币22.23亿元，季增20%，EPS 1.25元，优于市场预期，累计上半年税后净利约3.38亿元，年成长高达32.29%，EPS 1.63元。
华邦电单季合并营收约来到新台币105亿元，毛利率28% ，税后获利6.43亿元，EPS 0.18元，符合公司预期。累计华邦电上半年合并营收为206亿元，年增8%，毛利率29%，税后获利14亿元，EPS 0.4元。华邦电2016年上半，从产品比重分布来看，利基型存储器约占营收比重51% ，移动存储器(Mobile DRAM)约13%，NOR Flash快闪存储器约36%。
华邦总经理詹东义表示，受惠于TV、网通市场需求增温，华邦电上半年业绩年增约5%，Mobile DRAM受惠于特殊芯片需求，拿下一线大厂订单，业绩年增15%。
展望下半年与3Q，詹东义认为，2016年上半存储器市况确实不佳，但华邦电第1季的表现优于同业，第2季则约与第1季相当，平淡无奇但稳健。詹东义估计，今年Flash对DRAM的比重，约是35比65。
詹东义估计，Mobile DRAM业绩将会越来越健康，而在空白6年没有更新制程的情况下，华邦电开始导入自行研发的30纳米世代制程技术，预计今年第4季量产，有助2017年DRAM产品获利提升，24纳米制程技术，则预计2018年上半量产。
华邦电副总经理黄求己表示，今年资本支出约新台币85亿元，较原预期增加8亿元，主要用以去瓶颈化及购买自动化与测试设备，华邦电Fab C新厂，将于今年底完工，预计12月移入机台。
詹东义表示，4Q式正式量产30纳米制程，2X纳米的开发也非常顺利，DRAM特色从明年开始显现出来。他进一步说，DRAM生意稳定、平淡，营收来看，跟2015年下半相比，小增2%，年成长则是5%。移动DRAM跟2015下半年比，成长32%，年成长则有15%，下半年将继续有很强劲的订单。
詹东义补充，Flash快闪存储器部分，跟友厂比起来也非常稳定，相较于同业用降价抢市占率，华邦电没有受到低价抢市场的影响，反而以Flash走进高品质的一线客户，经过两年磨剑，NAND Flash虽走的比较慢，但走的是高规格市场，而坚持做高规DRAM的实力与获利能力，2017年可以表现出来。
NAND Flash也打入车规市场，詹东义表示，**不会踏入一般型DRAM市场，也因此，大陆红色供应链在存储器领域的崛起，不会影响到华邦电，华邦电已经握有不少要求严格的高阶客户。
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