联电强攻存储器 泉州建厂；

大基金将带动中国集成电路产业发展进入快车道

集成电路产业被认为是**制造业，尤其是电子信息产业的核心。2014年9月，在工信部、财政部的指导下，国家集成电路产业投资基金（亦称大基金）正式设立，该基金被认为承载了扶持中国企业在集成电路市场上赶超欧美的使命。在大基金巨额投资之下，行业内初步形成以紫光、中芯国际和长电科技为龙头的国家队。今年，大基金还将继续发力，带动中国集成电路产业发展进入快车道。 2015年是国家集成电路产业投资基金（亦称大基金）完整运作的一年。从大基金设立至今的一年多的实践工作来看，大基金的各项工作进展顺利，效果较为显著，实现了良好的开局。 今年，大基金在制造领域的投资比例将由去年的45%提升到60%，并将继续支持集成电路产业龙头企业的发展。 另外，大基金还将更大力度地支持集成电路制造业和特色集成电路发展，重点推进存储器项目，并将重点支持特色半导体，主要方向为砷化镓、氮化镓，未来还有可能支持碳化硅领域。 投资覆盖产业链主要环节 实现国家战略和市场机制的有机结合是大基金总的运营原则，在具体投资方式上主要以直接投资为主，也可通过间接投资支持产业相关方面的发展，包括一些小微的企业。同时，大基金也帮助地方设立的子基金或帮助

西安与紫光商谈存储器项目合作

西部网讯（陕西广播电视台《陕西新闻联播》记者 王融）为加大西安在新一代信息产业的发展力度，抢占战略新兴产业高地，4月13号到14号，省委常委、西安市委书记魏民洲赴北京，与紫光集团就开展存储芯片设计、封装测试等项目的合作交换意见。 他表示，西安市委、市政府将会大力支持紫光集团在西安的投资发展，希望双方深化务实合作，在科技**、研发制造等方面取得更多成果。紫光集团的存储芯片设计、封装测试等项目具备了****的技术和标准，项目的建设对于西安加快产业结构调整，做强区域半导体产业集群具有重要意义。

华中**集成电路技术及产业服务中心落地武汉

Checker视觉传感器：小设备解决打包带检漏大问题

集成电路产业被认为是**制造业，尤其是电子信息产业的核心。2014年9月，在工信部、财政部的指导下，国家集成电路产业投资基金（亦称大基金）正式设立，该基金被认为承载了扶持中国企业在集成电路市场上赶超欧美的使命。在大基金巨额投资之下，行业内初步形成以紫光、中芯国际和长电科技为龙头的国家队。今年，大基金还将继续发力，带动中国集成电路产业发展进入快车道。■丁文武2015年是国家集成电路产业投资基金（亦称大基金）完整运作的一年。从大基金设立至今的一年多的实践工作来看，大基金的各项工作进展顺利，效果较为显著，实现了良好的开局。今年，大基金在制造领域的投资比例将由去年的45%提升到60%，并将继续支持集成电路产业龙头企业的发展。另外，大基金还将更大力度地支持集成电路制造业和特色集成电路发展，重点推进存储器项目，并将重点支持特色半导体，主要方向为砷化镓、氮化镓，未来还有可能支持碳化硅领域。投资覆盖产业链主要环节实现国家战略和市场机制的有机结合是大基金总的运营原则，在具体投资方式上主要以直接投资为主，也可通过间接投资支持产业相关方面的发展，包括一些小微的企业。同时，大基金也帮助地方设立的子基金或帮助龙

ROHM旗下LAPIS Semiconductor开发出NOR Flash存储器“MR29V12852B”

中国在存储器长远发展方向仍然面临巨大鸿沟

中国正急于建立自己的记忆体业务，这一点当然毋庸置疑。不过到底要如何以及何时才能实现这一愿景却仍旧是个迹，日本的几位半导体行业知情人士在接受采访时指出。 中国国家集成电路产业投资基金拥有雄厚的财力，而这笔由地方政府主导的经济资源将被用于帮助中国的“记忆体梦”一步步成为现实。不过抛开主观愿望，中国要想真正建立属于自己的记忆体产业，还需要可靠的知识产权来源与工程技术人才。中国代工厂商XMC于上周在武汉正式着手兴建一座新的晶圆工厂，旨在制造3D NAND闪存记忆体。整个建设计划预计耗资２４０亿美元，资金来源则包括集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金以及中国发展投资基金等多个财团，XMC方面指出。一位日本半导体设备专家表示，这笔交付XMC的投资“极其巨大”。他同时语带讽刺地指出：“这意味着项目必须得取得成功。”不过在被问及XMC将使用哪家企业的3D NAND闪存技术时，他的回答是“他们说使用的是自有IP。不过我对此并不了解。”三星对东芝IHS技术公司半导体价值链主管Akira Minamikawa也表达了类似的谨慎态度。说起XMC的3D NAND闪存制造起步工作，他认为“非常艰难”。以

ROHM旗下LAPIS Semiconductor开发出非常适用于车载、工业设备的 高可靠性NOR Flash存储器“MR29V12852B”

ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司（蓝碧石半导体）开发出128Mbit NOR Flash存储器“MR29V12852B”，该产品非常适用于对品质有高要求的车载设备和工业设备的数据存储介质。Flash存储器根据存储数据的存储单元的排列形式不同而分为NAND型和NOR型两种。NAND型的特征是每比特的价格相对便宜，多用作手机、数码相机、数码音响等保存数字数据的存储介质；NOR型的特征是存储数据的可靠性高，多用作品质要求高的车载设备、工业设备等保存固件的存储介质。包括Flash存储器在内的非易失性存储器，毋庸置疑会有偶发数据错误的可能性。尤其在品质要求高的车载设备和工业设备中，为了系统的稳定工作，必须采取有效预防这种数据错误引发的程序误运行或误停止的措施。本LSI作为128Mb NOR Flash存储器，业界**内置纠错码电路和输出驱动能力调整电路，通过替换现有存储器，可轻松且以低成本实现系统上的数据错误对策。该产品非常适用于品质要求高的车载设备和工业设备，有助于系统的稳定工作和降低成本。现在，样品已开始出售，电路设计、测试程序设计、评估等Flash存储器开发在蓝

三星24年蝉联DRAM存储器市占率** SK海力士/美光难超越

三星电子（Samsung Electronics）连续24年蝉联全球DRAM存储器半导体市占率**，为半导体产业写下新历史；2015年市占率达45.3%，营收突破200亿美元，不但刷新自身纪录，也成为存储器价格持续下跌声中，**还能获利的业者。 据韩媒Money Today报导，市调机构IHS资料显示，2015年三星DRAM营收为204.34亿美元，较2014年186.61亿美元成长9.5%，**突破200亿美元。虽然全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元，但三星营收却逆势成长。 从整年度的市占率来看，三星占45.3%创下历史新高；排名**的SK海力士（SK Hynix）为27.7%，营收124.89亿美元，较2014年126.66亿美元减少，但市占率微幅增加。第三名美光（Micron）的营收滑落到90.70亿美元，市占率也从24.6%下降到20%。 三星电子在1992年开发出64Mb DRAM之后，连续24年蝉联DRAM半导体全球市占率**。三星能稳坐龙头地位的关键，在于拥有竞争对手难以超越的技术差距，这也是半导体市场价格持续滑落，三星仍能维持获利的原因。

中国存储器崛起之路注定困难重重

中国正急于建立自己的记忆体业务，这一点当然毋庸置疑。不过到底要如何以及何时才能实现这一愿景却仍旧是个迹，日本的几位半导体行业知情人士在接受采访时指出。中国国家集成电路产业投资基金拥有雄厚的财力，而这笔由地方政府主导的经济资源将被用于帮助中国的“记忆体梦”一步步成为现实。不过抛开主观愿望，中国要想真正建立属于自己的记忆体产业，还需要可靠的知识产权来源与工程技术人才。中国代工厂商XMC于上周在武汉正式着手兴建一座新的晶圆工厂，旨在制造3DNAND闪存记忆体。整个建设计划预计耗资２４０亿美元，资金来源则包括集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金以及中国发展投资基金等多个财团，XMC方面指出。一位日本半导体设备专家表示，这笔交付XMC的投资“极其巨大”。他同时语带讽刺地指出：“这意味着项目必须得取得成功。”不过在被问及XMC将使用哪家企业的3DNAND闪存技术时，他的回答是“他们说使用的是自有IP。不过我对此并不了解。”三星对东芝IHS技术公司半导体价值链主管AkiraMinamikawa也表达了类似的谨慎态度。说起XMC的3DNAND闪存制造起步工作，他认为“非常艰难”。以三星为例，

Nvidia超级电脑解析 存储器共构加速运算效率

解决功耗问题 移动装置搭载复杂AI不再遥不可及

类神经网**工智能系统近来十分火红，除了能够创作幻觉艺术、凭空杜撰酒评，更一举击败世界围棋**。执行这些运算的系统程式复杂且耗电，因此还无法应用于移动装置上。 研究人员在2月举行的国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference)上展示了几款支援人工智能的低功耗芯片原型，让移动装置具备深度学习能力的梦想又向前迈进一步。据IEEE Spectrum报导，麻省理工学院(MIT)、NVIDIA以及韩国科学技术院(KAIST)的研究人员发表的低功耗芯片百度可提供智能型手机模仿人类视觉，并让自驾车具备预测路上行人移动方向的能力。手机应用处理器(AP)也将能执行部分属人工智能的任务，例如高通(Qualcomm)的Snapdragon芯片便搭配可实现自动影像标识的软体开发套件。这种以软体为主的方法虽是一大突破，但限制也不少，一如缺乏自主学习功能。MIT电机工程学教授Vivienne Sze表示，神经网路规模越大，运算层就越多，执行任务所消耗的能量也随之增加，*耗电的部分发生在处理器和存储器之间的资料传输，特别是卷积神经网路(Convolu

Nvidia Drive PX2自动驾驶平台具12个核心 售价为1.5万美元

Nvidia在2016年GTC技术大会上发表基于Pascal显示卡的Drive PX 2自动驾驶平台。事实上，Drive PX 2在1月国际消费电子展(CES)上就曾亮过相，但当时为保密需要，PCB板上仅嵌入GTX 980M。如今Nvidia已大方揭示Drive PX 2的真正秘密，CPU部分是8核A57+4核Denver核心，总计12核。 根据The Verge报导，Drive PX 2的GPU部分采用2颗Pascal独立显示卡，搭载4GB GDDR5显示存储器，频宽80GB/s，位宽128bit，主频1.25GHz，推估为GP106核心。平台内建8GB LPDDR4存储器，功耗约为250W，采水冷散热。Drive PX 2车载电脑被Nvidia比作小型超级电脑，其浮点运算性能为8TFLOPS，超越TITAN X。至于衡量深度学习的DLTOPS，则可以达到24 DLTOPS，为TITAN X的6倍。功能如此强大的自动驾驶平台已开始出货，价格达1.5万美元。Nvidia在GTC大会上还展示首台自驾Formula E电动方程式赛车，这台车用的就是Drive PX 2平台。

中国存储器产业“大跃进”

⊙记者 李兴彩 ○编辑 全泽源 近期5座12寸晶圆厂竞相上马，引发投资者对存储器产业的高度关注。业内**人士接受上证报采访时表示，首先这对中国半导体产业**是好事情，在新的需求和技术下，“大干快上”的投资将极大地促进中国存储器产业发展；但鉴于存储器重投资、盈利周期长等特点，国家对该产业的顶层设计规划就显得尤为重要，“政绩工程”匆忙上马不仅造成投资浪费，还可能贻误产业发展机遇。扎堆上马项目3月的*后一周似乎可以写入中国存储器产业历史，4座12寸晶圆厂投资计划接踵出炉：江苏淮安的德科玛12寸CMOS影像传感器项目、武汉新芯二期12寸存储器项目、台积电与南京市政府正式签约12寸厂、美国万代半导体（AOS）12寸MOSFET功率半导体项目；此外，紫光集团预计将在深圳建12寸晶圆厂。存储器“大干快上”是好是坏？有业内**人士接受采访时表示，5大项目同时上马看似“大跃进”，但对中国存储产业来说**是好事情。“有投资、有人做、才有可能成就产业，而存储新技术的发展给了中国追赶的机会，这5家公司不可能都成功，但一定会有1-2家比较靠谱。”该人士如此说，随着技术的发展，各种新型存储技术进入“百花齐放”阶段

VR正夯 芯片存储器厂都想分杯羹

脸书(Facebook)旗下Oculus的Rift与宏达电的Vive相继出货，让虚拟实境市场热度进一步升温，不仅钰创及义隆等IC厂争抢市场商机，连记忆体厂华邦也想分一杯羹。 虚拟实境(VR)自今年初来即吸引各界高度关注，不仅是今年国际消费性电子展(CES)及世界行动通讯大会(MWC)的亮点之一，也吸引国内外各领域业者争相投入发展。除了Oculus及宏达电外，还有Sony、Google、三星及LG陆续推出虚拟实境装置；另外，宏达电等系统厂也纷纷与游戏、居家用品、百货通路及电影娱乐业等展开异业合作。游戏为各界*看好的虚拟实境应用，此外，虚拟实境还可广泛应用于电商、电影、教育及专业训练等领域。瞄准虚拟实境市场前景，钰创及义隆于今年CES即展出相关的360度环景相机研发成果，威盛也于嵌入式电子与工业电脑应用展中展出360度环景服务开发成果。其中，钰创3D网路摄影机控制器还已获Oculus的Rift系统辅助定位Constellation采用。联发科新推出的高阶智慧手机晶片曦力X20也支援虚拟实境功能。此外，音效晶片厂骅讯及记忆体厂华邦也都积极抢进虚拟实境市场，期能从中分得一杯羹；骅讯的音效晶片与

汇集天时、地利、人和 打造中国存储器中“芯”

3月28日，总投资240亿美元（约1600亿元人民币）的国家存储器基地项目，在武汉东湖高新区奠基启动。这是湖北省建国以来*大单体投资高科技产业项目。省委书记李鸿忠宣布项目启动。未来几年，武汉光谷东，将随着千亿项目的注入，崛起一座庞大的芯片之城。240亿美元将投向何处？它将给武汉光谷、给湖北、给中国带来怎样的产业焕变？ 2018年量产 240亿美元投向四大方面 武汉新芯集成电路制造有限公司执行副总裁陈少民： 总投资240亿美元的国家集成电路产业项目，预计2018年量产，2020年实现月产能30万片。240亿美元将主要用于4个方面： 一是研发，包括工艺研发、芯片研发和系统研发。 二是项目基建，国家集成电路产业基地分三期建设，3月28日启动的为一期，2018年量产后，同步启动二期、三期建设。至2020年前，一、二、三期全部建成。 三是仪器投入。 四是构建全产业链，把“一棵树”变成“一片林”。 当产能达到30万片时，该基地员工将达1.7万人。除了以武汉新芯为核心的存储器本厂，还将在左岭规划3万人的住宅区，带来大量就业与上下游的配套。 围绕国家集成电路产业基地，至少将吸引几百家配套厂商入驻，包括

无芯难兴 中国芯自主化任重道远

美国商务部对中兴实行出口限制事件已经过去一周，回过头来再看这次事件，虽然以美国解除中兴通讯及其子公司中兴康讯的对美出口限制措施而告终，看似中国企业胜了，但在这场没有硝烟的战争中，实则，不仅是中国企业败了，而且是中国制造业“败”了。本次事件背后所凸显出的中国芯片自主化的欠缺。集成电路作为制造产业，是我国电子信息技术的重要一环，关乎我国产业发展和国家**。中国无“芯”，中国难“兴”。据赛迪数据显示，2015年全球半导体市场同比下滑0.2%。但就中国市场来看，2015年中国集成电路市场规模仍创记录地达到11024亿元，同比增长6.1%，成为全球为数不多的仍能保持增长的区域市场。遗憾的是，中国集成电路的市场规模虽然一直在扩大，但我国集成电路自给率偏低的情况仍然没有得到明显改观。据海关统计，2015年我国进口集成电路3139.96亿块，同比增长10%，进口金额2307亿美元，同比增长6%。出口集成电路1827.66亿块，同比增长19.1%，出口金额693.1亿美元，同比增长13.9%，2015年进出口逆差1613.9亿美元。我国集成电路自主化发展形势依然严峻。还是以中兴为例，仅在芯片领域，中兴就

刁石京：产业链中间环节的断裂就是**的死亡地带

“集成电路产业**平台建设核心的问题都是要解决我们的技术能力，中间产业链环节的断裂，就是**的死亡地带。”工业和信息化部电子信息司司长刁石京在3月24日举办的“2016中国半导体市场年会暨第五届中国集成电路产业**大会”上如是说。会上，刁石京分析了中国集成电路产业的发展和转变，多年来整个集成电路产业保持了比较快的发展速度。2015年，产业的规模达到了3611亿元。设计、制造、封测三头并进，从2010-2015年，整个设计业的复合发展速率达到了37.7%，制造业达到28.5%，封测达到16.6%。分析数据背后刁石京认为这其中隐含着一个很有意义的事实，即整体产业价值的转移，产业结构趋于优化。。从电视机、到移动通讯设备，其中集成电路所占的价值和在整个产业链中价值分布来看，整体信息产业价值在向集成电路这几项转移，而外部制造端附加价值是越来越少，所以这也提示整个产业，如果要保证持续健康的发展，集成电路是核心，是必须要解决的问题。另一方面，依靠单点和单一产品**正在向多技术融合的系统**转变，云计算、大数据的发展将引发计算架构的变化，新的计算模式的变化，新的计算架构的变化，使得存储和计算以及其它的

脱离摩尔定律束缚 半导体产业挑战与机遇并存

相信近期关注硬件新闻的朋友们，都了解到Intel准备改变“Tick-Tock”产品模式的消息。Intel将原本两年为一个周期的硬件升级模式，变更为“制程-架构-优化”(PAO)的三步走战略。这一消息从Intel提交给美国证券交易委员会的10-K文件中可以证实。这也标志着Intel的处理器产品将会从两年一个升级周期正式变更为三年一个升级周期，这也对出现了50多年的摩尔定律造成了巨大的冲击。 究其原因，其实是众多因素共同作用的结果。首先，自然是制造工艺带来的压力。众所周知，制作处理器的基本原料是硅，在目前没能找到更有效的替代品时，制程的进步就要面临着对极限一次又一次的挑战，随之而来的是制造成本的成倍增长。同时，更高的精度意味着更低的良品率，这样就再次加大了产品的制造成本。当一款产品的制造成本远远超过其应有的销售价格时，是很难以消费级产品的形式投入到市场中的。 另外，从SNB时代起，单靠提升制程已经很难大幅提升处理器的性能了，因此处理器厂商们必须找到更加有效的升级方式，才能继续推进处理器产业的性能飞跃，这就如同当年的奔腾系列处理器在性能上遭遇瓶颈，Intel选择了双核心和超线程一样。目前处理

武汉光谷托起“中国芯”

总投资约1600亿元的国家存储器基地项目日前在被誉为“中国光谷”的湖北武汉东湖高新(8.440, -0.18, -2.09%)区正式启动，这是我国在信息技术核心领域发展自主能力迈出的重大一步。 据介绍，国家存储器基地项目以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，2030年建成每月100万片产能。“国家存储器基地项目落户武汉，填补了此前国内集成电路产业的一块空白。”中国科学院微电子研究所所长叶甜春介绍，存储器是信息系统的基础核心芯片，小到手机、个人电脑、家用电器，大到汽车、飞机、航空火箭，都无法离开芯片这个整机设备的“心脏”。当前，芯片集成度每18个月翻一番，集成电路刻线宽度更小、信息传递速度更快、消耗功率更低。存储器是*大宗的集成电路产品，也是我国进口金额*大的集成电路产品。2014年，我国集成电路进口额2176.2亿美元，其中存储器进口额占24.9%。潜在的巨大市场需求使中国已经成为世界芯片巨头在全球布局的重要一环。国家存储器基地项目的启动，为我国打破主流存储器领域空白，实现集成电路产业跨越发展提供了

老杳:武汉240美元造芯,难以置信的满堂彩

今天微信朋友圈被刷屏，原因只有一个：投资240亿美元的武汉新芯NAND Flash项目正式启动。 自从国家颁布集成电路产业扶植政策，投资存储器风潮开始风起云涌，不仅搅得台湾业界混乱不堪，也让全世界为之瞩目。虽然国外同行大都对大陆投入巨资发展存储器产业持怀疑态度，众多本土地方领导、业界高管、专家甚至媒体却一致赞成，好像只要有钱，大陆发展存储器产业唾手可得。合肥请来前尔必达CEO要做存储器，厦门请来前尔必达CTO要做存储器（目前厦门已经放弃），紫光虽然放弃入股西部数据，从入股力成、南茂等存储器封测入手，呼声虽大在真正投入上却小心翼翼，远没有武汉新芯来的疾风暴雨。众多专家都给了武汉造芯很高评价：魏少军：存储器项目是武汉建设全球有影响力**创业中心，打造***光电子基地的核心引擎；叶甜春：会超过武钢在工业化时代对于武汉的意义；专家组组长邹雪城投出***张反对票，理由：之前百亿元投资规模太小，缺乏规模效应难以盈利。公开报道，根据存储器基地的建设进度，产能进入世界前五乃至前二，与韩国三星旗鼓相当，赶超时间不过5-15年。武汉新芯的主要技术来自与Spansion的合作，虽然不能说是自主知识产权，倒也

芯片采2.5D先进封装技术　可望改善成本结构

目前在全球半导体产业领域，有业界人士认为2.5D先进封装技术的芯片产品成本，未来可望随着相关产品量产而愈来愈低，但这样的假设可能忽略技术本身及制造商营运管理面的诸多问题与困境，可能并非如此容易预测新兴封装技术产品的未来价格走势。 据Semiconductor Engineering网站报导，随着2.5D先进封装技术进行测试，来自芯片制造商及设备供应商*普遍的声音，即认为用来在封装技术中连结各类晶粒的中介层(interposer)成本太高，或是认为光罩成本高到无法以14纳米或16纳米制程，开发复杂的平面式(planar)系统单芯片(SoC)；或是认为矽绝缘层金氧半电晶体元件(FD-SOI)比28纳米空白矽晶圆(Bulk Silicon)还贵等。但上述观念可能有些误导，即使更复杂的SoC有一定程度增加生产成本，但实际上也有部分节省成本之处，有些甚至还可以大幅节省成本开支。随着**代高频宽存储器(HBM2)的推出，其不论价格、效能及功率均低于DRAM，外观尺寸同样明显较小。对此，SK海力士(SK Hynix)技术行销**经理Kevin Tran指出，4颗芯片堆叠、采2.5D封装技术的HBM2

紫光欲砸300亿美元打造***芯片巨头

清华紫光集团董事长赵伟国接受彭博新闻访问时表示，未来三到五年该集团会投资300亿美元，目标是打造出****家***的芯片公司。 彭博中文新闻报导并点出，如果以*新收盘价格计算，300亿美元大约可以把台湾市值前几大的科技公司如台达电、大立光和日月光等，一起吞下。对于未来的战略目标，赵伟国明确表示紫光不会涉足CPU和代工领域，主要的焦点在于芯片设计领域、存储器业务以及芯片封测业务，特别是存储器业务和封测业务均可达到较大的业务规模。赵伟国说，美国也好，台湾也好，创投和私募基本上已不再投入芯片产业了，只剩中国企业仍然坚持。在他看来，充裕的资本、**的工程师加上中国自身巨大的市场，都让中国有可能出现***的芯片公司。赵伟国说，紫光在美国确实受到了较严格的待遇，但目前的麻烦主要是来自台湾。他说，紫光投资美国和台湾这些企业，使其获得更强的资金能力，并不会给市场带来新的竞争。工程师出身的赵伟国，1998年开始从商，逐步建立起信任。他说：“这个世界上，资本是*有情的，也是*无情的。当你能赚钱时，资本会追逐你，把钱交给你，当你不能赚钱时，资本会立刻抛弃你。”

力成、美光西安合建封装厂量产

存储器封测厂力成与美光科技（Micron）在中国西安合建的封装厂于去年底如期完工，��方25日在西安共同举行开幕仪式，并正式开始进入量产阶段，为双方长期的策略合作关系建立新的里程碑。 力成与美光于2014年12月签订合作合约，美光在西安高新技术产业开发区的现有测试及存储器模组厂旁，新建一座先进封装厂，作为力成未来数年提供美光封装服务使用。此封装厂已按规画进度于去年底完工，力成目前已在此新厂量产美光产品。 力成董事长暨执行长蔡笃恭表示，在美光、陕西省及西安市政府单位的大力协助下，很高兴能使力成的西安封装厂如期完工，期待西安封装厂能确实满足美光需求，并为力成在中国大西部地区顺利建立滩头堡。 美光后段制程制造副总裁Rick Bunch表示，感谢大家的鼎力协助，让美光与力成在西安的合建厂房能依照规画进度顺利进行，相信双方后续可透过更紧密的合作关系，达成整合美光全球制造服务资源及缩短产品制造所需时间的目标。 力成先前于法说会表示，未来将逐步调整产线，将标准型存储器移至西安厂生产，预期西安厂月产能至今年第四季可望超过1亿颗，明年首季产能可望全数开出。公司对于今年营运乐观看待，预期首季将维持双位数年增

国家存储器基地落地武汉东湖新技术开发区

传闻许久的国家存储器战略方案*终定案，由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资建设的国家存储器基地即将落地武汉东湖新技术开发区。项目总投资将达240亿美元。3月28日在武汉东湖存储器基地举行启动仪式。  从投资规模来看，这次国家存储器大战略中的产能规模预计20-30万片（按照10k产能，2D NAND-3D NAND 约7-9亿美元的投资预估），而主要产品也并非之前传言的主要发展DRAM方案，而是重点发展3D NAND，兼具一些2D NAND和DRAM产品。据悉，该项目技术以自研为主，其他关键技术来源目前还处于谈判阶段，可能合作的对象包括美光、IMEC等企业和机构。

VR、AI领域起飞　韩半导体相关人力与投资仍不足

随着虚拟实境(VR)、人工智能(AI)、无人机(Drone)等下一代新技术渐受瞩目，但南韩半导体业者却传出相关领域的人力与投资不足。据韩媒E-Daily报导，在VR与AI技术发展过程中，系统半导体扮演重要的核心角色。 三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)在存储器领域位居全球**地位，但在应用处理器(AP)与影像感测器(CIS)等系统半导体方面却发展迟滞。获得Google与阿里巴巴集团投资而引起话题的Magic Leap等矽谷新创企业，全都跟系统半导体相关。随着VR、AI与无人机技术快速发展，对系统半导体的需求也逐渐升高。三星强调自2002年开始的AP事业等系统半导体投资与成长显著，然而实际上，三星在半导体领域的整体投资规模却正在萎缩，引起外界关注。据市调机构TrendForce调查，三星2016年半导体设备投资(CAPEX)为115亿美元，比前一年减少15%；负责AP事业的系统LSI事业部方面维持35亿美元，与前一年相同。暗示着三星因为存储器半导体需求萎缩，恐怕连带系统半导体也将维持保守投资。SK海力士2004年将系统半导体部门拆分出售之后

创见束崇万：SSD即将成主流　可弥补随身碟市场

存储器模组厂创见资讯董事长束崇万表示，SSD固态硬碟取代传统硬碟的速度越来越快，随着存储器大厂之间的合并案越来越烈，SSD将成为主流，这件事情一定会发生，SSD时代真的要来了。 SSD应用多为工控市场，质现在其实越来越成熟，MLC(多层式储存)价格上涨，价钱高30%以上，速度、可靠性都好很多，TLC(三层式储存)则用于一般消费用产品。工控SSD很多不同规格，而创见4月起将进军TLC SSD消费市场，今年SSD相关应用希望有20%以上比重。束崇万表示，MLC SSD可靠度其实是普遍被接受的，价钱比较贵，而TLC SSD在认证上可靠性还不是很好，但问题*近都解决了，韩系大厂三星电子(Samsung Electronics)也是*近才解决这些问题。创见目前毛利稳定，工控领域有很稳定收入，今年跟去年相比，营收小幅下滑，获利则差不多，毛利率从约20.4%下降至18.9%。创见展望2016年，营收会持续成长，毛利率希望可以维持，同时也希望通路能够增加，逐步把SSD导入，工业用领域很有信心可以逐步成长。2015年SD、USB、micro SD衰退，卡碟类衰退约25%，现在创见产品营收占比剩35%，主

西部数据股东投票同意收购闪迪案 估2Q完成购并

美国硬碟制造大厂西部数据(WD)收购NAND Flash大厂闪迪(SanDisk)一案，近日经西部数据召开特别股东大会，由超过9成西部数据股东投票赞成以190亿美元收购闪迪一案；此前闪迪股东也有高达98%投票赞成这项收购案。预期西部数据收购闪迪一案将于2016年第2季完成。科技网站Computerworld报导指出，西部数据超过9成股东投票同意先前宣布收购闪迪相关的西部数据普通股发行一案。目前西部数据已经取得来自美国、欧盟(EU)、新加坡、日本、台湾、韩国、南非及土耳其等国及地区的监管机构批准，但尽管如此，与闪迪的合并案仍有待大陆监管当局的批准同意。西部数据首度于2015年10月宣布欲收购闪迪的意愿，表示将以现金及股票收购，虽然西部数据也有生产NAND Flash，不过该公司更是生产硬碟及管理软体等产品的主要制造商。市调机构IDC研究副总裁Jeff Janukowicz表示，借由收购闪迪，将主要有助西部数据在全球NAND Flash存储器芯片市场上立即取得立足基础。闪迪主要以生产固态硬碟(SSD)及SD卡这类NAND Flash存储器产品为主。这项收购案正值当前全球IT产业快速演进及变

日本东芝公司将大举投资新型半导体 追赶三星

《日本经济新闻》3月21日报道称，东芝计划自2016年度至2018年度向主力业务半导体存储器投入8千亿日元。将比过去3年增加30%左右。将通过出售医疗器械子公司和白色家电业务来重建财务基础，在定位为增长支柱的半导体业务领域加快投资。追赶在存储器领域排在世界首位的韩国三星电子。在作为主力生产基地的三重县四日市工厂，将新建第6座工厂厂房。2016年度开工建设，力争2017年度内投产。将量产新一代“三维存储器”，在作为数字产品存储介质的NAND型闪存中，这种存储器能大幅增加数据存储容量。将向新工厂的厂房和生产设备投入约3600亿日元。而在现有工厂厂房，也将更新设备，以提高三维存储器的生产比例。将在3年里投入总计8千亿日元，借此应对智能手机存储容量的扩大和数据中心需求的增加。对存储器业务的投资额将比以往增长20-30%，达到每年2500亿-3000亿日元，将凸显以半导体为核心业务积极投资的姿态。此外，共同运营四日市工厂的美国闪迪(Sandisk)也被认为将启动与东芝同等规模的投资。东芝17日宣布，已签署将医疗器械子公司以6655亿日元出售给佳能的协议。此外，同**还就将白色家电业务出售给中国美

兆易**：存储器MCU设计专家

北京兆易**科技股份有限公司是SPI NOR FLASH领域全球主流的Fabless供应商。公司成立于2005年4月，总部设于中国北京，在中国大陆与台湾地区、韩国、美国、英国、日本等多个国家和地区设有分支机构，营销网络遍布全球，提供**便捷的本地化支持服务。公司致力于各类高速和低功耗存储器（NOR/NAND Flash）、微控制器（MCU）系列产品的设计研发，并以“高技术、低功耗、优成本”的特性**于全球同类产品，被美国EETimes机构评选为全球*热门半导体初创公司60强，并位列“中国*具成长性半导体企业**”。存储器产品连年荣获“中国芯”市场*佳表现奖，MCU产品荣获年度十大**成果奖。公司已通过SGS ISO9001及ISO14001等管理体系的认证，并与多家世界知名晶圆厂、封装测试厂结成战略合作伙伴关系，共同推进半导体领域的技术**。GigaDevice GD32 MCU是中国**基于ARM Cortex-M3内核的32位通用微控制器产品系列，可为系统开发与升级提供**的灵活性和**竞争力的性价比。其出色的实时控制能力、丰富的外设资源配置及优化的系统功耗设计可以满足工业现场、消

MRAM接班主流存储器指日可待

超清视角怎奈还有星光低照相伴

IDM模式是存储器产业*佳选择？

本报记者 陈炳欣“他山之石可以攻玉。”借鉴日韩以及我国台湾地区的经验，可以更好地探索出一条适宜中国大陆当前发展存储产业的路径——抓住重大技术变革机遇期，在打造龙头骨干IDM企业的同时，也不应放松存储业生态集群的培育。产业面临技术革新机遇过去30余年中，全球存储器产业经历了两次区域性的产业转移：20世纪80年代存储产业重心从欧美国家转移到日本，90年代从日本转移到韩国。目前，从事DRAM生产开发的企业不下40家，但是这个行业一直都处于不断兼并重组之中，比如2008年奇梦达被并购，2012年尔必达破产等，竞争格局已经由群雄割据向三雄争霸转变。“中国发展存储产业一定不能脱离开国际产业的大环境，孤立发展。”中科院微电子所所长叶甜春向《中国电子报》记者说。资料显示，全球两次存储转移都有着重要的产业背景。存储器从美国向日本的转移，根本原因是日本经济二战后迅速崛起的历史浪潮，直接原因则受益于电子制造业从欧美向日本的转移。上世纪90年代，韩国抓住了6英寸晶圆厂过渡到8英寸的世代交替，以9座8英寸晶圆厂的产能优势，一举取代日本厂商，跃居全球DRAM产业的首位。当前存储器技术正在发生**性的变革，中国正面

存储器龙头还不够　三星瞄向系统半导体王座

三星电子(Samsung Electronics)稳坐存储器市场龙头地位，更进一步觊觎系统半导体的全球王座。2015年移动应用处理器(AP)市场排名已超越大陆业者展讯通信上升到第四位，在数据芯片市场排名也提高。 根据韩国经济报导，依市调机构Strategy Analytics(SA)的资料显示，三星2015年AP市场排名超越展讯，上升到第四位。三星AP营收在2014年为8.6亿美元，到2015年成长为2倍达17.3亿美元。排名依序为**名高通(Qualcomm)、**名苹果(Apple) 、第三名联发科、第五名展讯通信。三星自家AP品牌Exynos，搭载于Galaxy S6、Galaxy Note 5、Galaxy S7等系列。2015年1月首度以14纳米制程量产Exynos 7 Octa，技术实力因而受到肯定。2016年又再接再厉以升级的**代14纳米制程量产Exynos 8 Octa。此外，三星也宣布以14纳米制程生产中低阶移动AP Exynos 7870。外界评论三星挟14纳米制程的实力，让系统LSI事业部2015年移动AP出货量成长2倍，甚至威胁市场霸主高通。值此同时，三星开始

三星稳坐存储器市场龙头 觊觎系统半导体

三星电子（Samsung Electronics）稳坐存储器市场龙头地位，更进一步觊觎系统半导体的全球王座。2015年移动应用处理器（AP）市场排名已超越大陆业者展讯通信上升到第四位，在数据芯片市场排名也提高。 根据韩国经济报导，依市调机构Strategy Analytics（SA）的资料显示，三星2015年AP市场排名超越展讯，上升到第四位。三星AP营收在2014年为8.6亿美元，到2015年成长为2倍达17.3亿美元。排名依序为**名高通（Qualcomm）、**名苹果（Apple） 、第三名联发科、第五名展讯通信。 三星自家AP品牌Exynos，搭载于Galaxy S6、Galaxy Note 5、Galaxy S7等系列。2015年1月首度以14纳米制程量产Exynos 7 Octa，技术实力因而受到肯定。2016年又再接再厉以升级的**代14纳米制程量产Exynos 8 Octa。 此外，三星也宣布以14纳米制程生产中低阶移动AP Exynos 7870。外界评论三星挟14纳米制程的实力，让系统LSI事业部2015年移动AP出货量成长2倍，甚至威胁市场霸主高通。 值此同时，三

导入NVMe SSD可将总成本削减6成以上

SK海力士将砸15.5兆韩元建存储器新工厂

日经新闻报导,SK海力士周一宣布，将砸15.5兆韩元（125亿美元），再盖一座新存储器工厂。 新厂选址在南韩忠清南道省北部，与原海力士旧厂比邻。据日经新闻报导，海力士已取得25万平方公尺的土地面积，并与清州市政府签订合作备忘录（MOU），新厂预计将在2018年正式动工、2019年投产。 新厂确切的产品目前还不清楚，不过海力士某官员暗示应该为NAND存储器，若新厂全部投入生产NAND存储器，海力士现有NAND存储器产能将扩增超过两倍。 此外，海力士亦宣布已开始在现有的清州厂量产先进的3D NAND芯片，将于4月初开始出货。其同业三星电子在2013年率先完成3D NAND芯片的商用化，而日本东芝公司则计划在本月开始出货此类芯片。 海力士目前是全球DRAM**大厂，但若论NAND芯片，海力士只排第五，落后三星、东芝、SanDisk与美光。由于英特尔现正积极重返存储器市场，且目标也是锁定NAND芯片，预料未来竞争将更为激烈。

慧荣科技携嵌入式存储和图形产品亮相2016嵌入式世界展会

2016年2月24日，美国加州Milpitas——在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司（Silicon Motion Technology Corporation， 纳斯达克交易代码： SIMO）于2月23至25日在德国纽伦堡举行的2016嵌入式世界展会，在1号厅160号展台向业界展示其针对汽车、工业和物联网应用的各种嵌入式存储及图形解决方案。慧荣科技展台将展出如下产品：Ferri-eMMC®解决方案Ferri-eMMC解决方案是一款集成了NAND闪存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸产品，符合JEDEC/eMMC v4.5与v5.0接口和协议规范。经过优化设计的Ferri-eMMC适用于广泛的应用并且符合AEC-Q100汽车标准要求。该解决方案基于慧荣科技成熟的eMMC控制器和固件技术而设计，具有先进的NAND管理、纠错、坏块管理和健康监测功能。所有这些特性结合在一起，为Ferri-eMMC带来了业内****的强大的数据完整性维护和数据保护功能。在当今的**汽车和工业嵌入式应用市场，Ferri-eMMC可谓是*先进的存储解决方案。F

下一代存储器技术现状及发展建议

存储器是半导体产业的基石之一。以海量数据存储为主要载体的物联网对存储器提出了低成本、低功耗、高容量、高速度、高可靠性的要求。为了抢占这一邻域的技术优势，全球各大公司、高校和研究机构一直在这一领域投入大量的人力和资源,持续开展前沿技术研发。以非挥发性存储器为例，除原先的电荷存储为主的闪存技术浮栅存储器(FG)和电荷俘获存储器(CTM)外，磁变存储器(MRAM)、阻变存储器(RRAM)和相变存储器(PCM)等存储技术蓬勃发展，形成了存储器发展历史上的一次“百花齐放”的时代。在中国存储器产业急需寻求突破的重要历史阶段，对以上几种技术进行**比较，寻找一种*具有竞争力和发展潜力的非挥发性存储器，紧迫且意义重大。 新型存储技术现状  磁变存储器*有潜力的代表是自旋转移力矩磁变存储器(STT MRAM)。既有动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)的高性能，又能兼顾闪存的低功耗优势。存储单元主体为磁性隧道结(MTJ)，有上下两层磁性材料(如：钴铁合金)和中间的绝缘夹层(如：氧化镁)所组成。其中一层为固定磁性层，另一层为自由磁性层。工作原理是由磁场调制上下两层磁性层的磁化方向成为平行或

运用材料工程解决半导体行业技术拐点的挑战

今年，半导体行业将迎来几大重要的技术拐点。存储器制造商正逐步转向3D NAND技术，从而以更低的单位成本打造性能更出众、密度更高的存储设备。我们预计2016年所有主要存储器制造商都将实现3D NAND器件的批量生产。 由平面结构向3D NAND器件的过渡将带来一系列生产工艺上的新要求，促进了由材料所推动的芯片尺寸缩微，推升了对新材料、新工艺技术的需求。在这个背景下，对厚度和一致性能够进行**的、原子级层到层控制的新型沉积和蚀刻设备，对于制造多层堆叠存储单元来说至关重要。此外，随着越来越多支持图案化和保形沉积的材料被用于构建复杂结构，材料的可选择性正成为一个必不可少的能力。2016年下半年，我们预计逻辑芯片和晶圆代工厂的10nm 3D FinFET工艺将逐步实现量产。10nm平台是晶体管制造中的重要技术，能维持晶体管性能的提升，遵照摩尔定律不断增加存储密度，从而使下一代芯片设计成为现实。然而，由于极紫外(EUV)光刻工具尚未普及，目前实现这一技术拐点仍需依赖多重曝光技术才能克服当前光学光刻分辨率的瓶颈。在DRAM工艺由20纳米级向十几纳米过渡的过程中，多重曝光技术同样重要，因其能实现存储

东芝与东大等开发STT-MRAM缓存，功耗不到SRAM的1/10

东芝与东京大学共同开发出了以STT-MRAM（Spin Transfer Torque Magetoresistive RAM）来代替使用SRAM的处理器内末级缓存（Last Level Cache，LLC）的技术。并在半导体电路技术国际学会“ISSCC 2016”（美国旧金山）上发布详情（Session 7.2）。在发布详情的前**（2月1日）举行的演示会上，东芝等演示了试制的STT-MRAM IC，在当做处理器的FPGA之间，将该芯片用作了缓存。 东芝在日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）的“常闭计算基础技术开发项目”下开发了这项技术，2012年以后曾多次发表相关内容。此次发布的技术集其大成，“包括控制用电路在内的功耗降低到了SRAM的1/10以下”（东芝）。*近一年在降低功耗方面的进展*大。此次与东芝在ISSCC 2015上发表的内容相比，功耗降到了那时的1/4～1/5。可以避免不必要的数据写入据东芝介绍，改进多项关键技术对降低功耗产生了积极效果，例如将STT-MRAM的核心元件——MTJ（Magnetic Tunnel Junction，磁隧道结）器件的直径缩小至35nm

SK海力士2015年营收292亿元 同比增长4%

据韩联社1月26日报道，SK海力士26日公布的业绩报告显示，2015年公司三大经营指标——营业利润、销售额、净利润连续第三年创下历史新高。数据显示，公司2015年营业利润达53360亿韩元(约合人民币292亿元)，同比增长4%。销售额同比增长10%，达18.79万亿韩元，净利润同比增长3%，为43240亿韩元。2015年第三季度，SK海力士营业利润连续7个季度维持在1万亿韩元以上，但第四季度的营业利润没能突破1万亿韩元，同比和环比分别减少41%和29%，为9889亿韩元。SK海力士方面预测，2016年**季度，存储器将进入销售淡季，因此存储器需求短期内难有明显改善。但随着DDR4的需求增加，DRAM市场前景有望变好。

紫光确定筹建12寸DRAM厂 或与美光合资

大陆紫光集团已确定在大陆华南地区筹建12寸DRAM厂，并循当年台塑集团与美光合资华亚科的商业模式，由紫光出资建厂，再邀请美光等国际大厂入股，解决技术授权问题。 据了解，此计划由前华亚科董事长、现为紫光集团执行副总裁的高启全亲自操刀，业界盛传，日本前尔必达总裁坂本幸雄亦有意加入。大陆官方自前年成立国家积体电路产业投资基金（简称大基金）后，就有意投入自建存储器供应链，但不论是DRAM或NAND Flash，主要制程**及矽智财都掌握前国际大厂手中，因此，率先表态要自建存储器产能的紫光集团，由于投资入股美国DRAM厂美光一案受阻，现在策略已有所转变，决定在大陆自建DRAM厂。业界人士指出，紫光原本有意投入钜资收购美光，因传出美国政府反对而作罢，但紫光仍多次派出团队与美光协商，后来有意投资入股美光，但美国政府仍持反对立场。因此，紫光已不再以投资美光为主轴，而是在大陆自建DRAM厂，再邀请美光投资入股，解决**上的问题。

传紫光将自建DRAM厂　由前华亚科董事长高启全主导

2015年来在半导体产业扩张动作不断的大陆清华紫光集团再传布局存储器领域，这次将在大陆自建DRAM厂。 据中央社报导，紫光集团将依循过去台塑集团与美光(Micron)合资华亚科的模式，由紫光出资建厂，再邀国际大厂入股以解决技术授权问题，初步规划厂区将落脚在大陆华南地区，由前华亚科董事长高启全主导。由于先前入股美光未果，促使紫光决定改为自行建置DRAM厂。此外有消息指出，紫光可能邀请美光以技术转移方式入股其DRAM厂，而不需出钱、又能取得产能，说服美光点头的可能性较大。如此也能解决目前DRAM和NAND Flash的主要制程**和矽智财都掌握在国际大厂手中的问题，并避免像在2015年入股美光时招致来自美国政府的阻力。紫光集团董事长赵伟国则表示，不论紫光是否收购或入股国际存储器大厂，自建存储器厂的计划仍然不变，因为不仅企业本身、大陆也需要由当地资本主导的存储器厂。消息指出，目前紫光已派员与美光和SK海力士(SK Hynix)接触，不过与美光合作的可能性应较大，而除了DRAM厂外，紫光可能再行投资建设NAND Flash厂，在大陆建设完整的存储器产线，该计划已获得大陆官方支持。

存储器封测厂力成与紫光合作的3个因素

存储器封测厂力成董事长蔡笃恭表示，力成与中国紫光合作，主要有3个因素。蔡笃恭指出，未来1年到2年，会有很多并购的案子陆续出现。 力成与超丰2日下午举办联合法人说明会。法人问及投审会通过紫光投资力成私募案的机会多寡，蔡笃恭表示，需观察政府的专业判断和社会氛围，按照政府的政策规定。 蔡笃恭指出，立法院之前针对紫光投资台湾 3 家封测厂商私募案，已做出决议。力成股东临时会已经通过紫光参与私募案，现在就等待作为申请主体的紫光，向台湾投审会提出计画书。 蔡笃恭表示，力成与紫光合作，主要有3个因素。首先，紫光积极与力成主要客户商讨布局存储器产业。这些与紫光商讨的客户，占力成营收比重达 60%。力成与紫光合作，是防止竞争对手趁隙而入、影响力成与这些客户的关系。 其次，蔡笃恭指出，中国大陆市场目前仅占力成整体营业额的 3%，希望透过与紫光合作，提升力成在中国大陆的市占率。 再者，蔡笃恭指出，力成透过私募方式与紫光合作，有闭锁期规范，政府也有法令管理。 蔡笃恭指出，力成与紫光合作、进一步提升力成在中国大陆市占率的效应，不会这么快显现。目前要处理的是，紫光参与力成私募案若获通过，力成如何在私募案获得的资金

美光本季财报两年来首亏 存储器业警讯

三星大砍智能机出货 面板存储器忧

韩厂进入14纳米平面NAND时代 三星、SK海力士2016年相继投产

韩国两大存储器厂前进14纳米平面NAND Flash时代。三星电子(Samsung Electronics)传出将于2016年量产，而SK海力士(SK Hynix)则预定在新的一年结束研发作业，并导入量产体制。 韩媒ET News报导，三星14纳米平面NAND Flash研发已完成，将于2016年上半投产。三星预定于新年1月31日在美国旧金山所举办的ISSCC上，公开14纳米NAND研发成果。至于目前正在量产16纳米的SK海力士，也进入了14纳米NAND Flash的研发。据悉，SK海力士计划将于2016年上半结束研发，并于年内展开量产。另一方面，日本、美国存储器厂则没有技术升级的计划。东芝(Toshiba)曾表示，15纳米已是极限，无法再研发出低于15纳米的平面产品。美光(Micron)则是打算集中在与英特尔(Intel)一同研发的3D XPoint技术。三星14纳米NAND Flash与16纳米产品相较时， 14纳米NAND Flash浮动闸极(Floating Gate)约缩减12.5%，晶粒面积缩小，对降低NAND Flash生产成本将带来贡献。NAND Flash以在浮动闸极

多核处理器成趋势，这九大关键技术不可不知！

与单核处理器相比，多核处理器在体系结构、软件、功耗和**性设计等方面面临着巨大的挑战，但也蕴含着巨大的潜能。CMP和SMT一样，致力于发掘计算的粗粒度并行性。CMP可以看做是随着大规模集成电路技术的发展，在芯片容量足够大时，就可以将大规模并行处理机结构中的SMP（对称多处理机）或DSM（分布共享处理机）节点集成到同一芯片内，各个处理器并行执行不同的线程或进程。在基于SMP结构的单芯片多处理机中，处理器之间通过片外Cache或者是片外的共享存储器来进行通信。而基于DSM结构的单芯片多处理器中，处理器间通过连接分布式存储器的片内高速交叉开关网络进行通信。由于SMP和DSM已经是非常成熟的技术了，CMP结构设计比较容易，只是后端设计和芯片制造工艺的要求较高而已。正因为这样，CMP成为了*先被应用于商用CPU的“未来”高性能处理器结构。虽然多核能利用集成度提高带来的诸多好处，让芯片的性能成倍地增加，但很明显的是原来系统级的一些问题便引入到了处理器内部。1 核结构研究： 同构还是异构CMP的构成分成同构和异构两类，同构是指内部核的结构是相同的，而异构是指内部的核结构是不同的。为此，面对不同的应用

2015年半导体产业购并大戏　台湾呈大额净流出

2015年全球半导体产业购并金额高达1,200亿美元，几乎是先前5年平均值逾9倍的情形，已让“购并”二字直接登上2015年全球半导体产业的关键词，甚至在大陆资本仍不断在全球各地伺机而动的情形下，2016年全球半导体产业关键字再由此二字蝉联，也不会太令人意外。 而由于北美2015年共有恩智浦(NXP)购并飞思卡尔(Freescale)，安华高(Avago)购并博通(Broadcom)，英特尔(Intel)购并Altera，总购并金额近700亿美元，几占2015年全球半导体产业购并总额的近60%强。而什么都买、什么都不奇怪的大陆半导体产业，退居**买家；不过，在2016年大陆政府及资本角动作只会更大、不会更小下，大陆半导体业者扮演全球半导体产业主要买家的关键角色，2016年可望扶正**男主角。毕竟，大陆资本家已不断朝形同寡占结构的全球DRAM与NAND Flash产业试刀，包括美光(Micron)、SK海士力(Hynix)及三星电子(Samsung Electronics)虽然一开始都给了软钉子，但也不敢把话说死，2016年大陆存储器产业链将慢慢成形，将让美系、韩系存储器大厂无法再忽视大陆