MRAM大势将至　产学界吁应尽速计划推动

台湾磁性技术协会邀请产学人士，11月19日于工研院举办自旋电子专题论坛，针对该主题介绍市场与技术概况。产业界与学术界人士交流该项技术的看法，对于磁性存储器(MRAM)的市场前景乐观，并认为台湾产官学研有迫切携手推动的必要性。 在市场发展方面，Digitimes研究中心主任黄逸平指出，至2030年存储器与储存市场会由非挥发性存储器所主宰，在低耗电市场上，包括L1 Cache在内，嵌入式存储器可望为embedded MRAM一统，而在重运算市场上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存储器以及部分的储存级存储器(Storage-Class memory)市场。在技术与量产进展上，除了刚完成IPO的Everspin已推出256Mb样品外，另一家美国MRAM业者Avalanche技术副总怀一鸣表示，产品2017年便将问世，未来更将推出具备3D Xpoint堆叠结构的产品，可望打入现有的储存级存储器市场。清大电子所教授张孟凡则指出，在2017年2月国际固态电路研讨会(ISSCC)上，东芝(Toshiba)、日立(Hitachi)与SK海力士(SK hynix)共同发表的论文，已做出介面为L

东芝暂转亏为盈　电视等事业仍需改造

东芝(Toshiba)自伪造财报事件在2015年爆发后，便陷入亏损状态，积极推动组织改造，到2016年4~9月财报中，营业损益终转亏为盈，且公司重建方向已现端倪，接下来将以NAND Flash、基础建设、电力事业为重心，低收益事业如电视、工业系统等，则将进一步组织改造与裁员。 东芝业绩好转主因之一，在于NAND Flash市场需求量大，特别是大陆智能型手机厂纷纷增加产品存储器容量，替东芝带来大笔订单，即使有意料之外的汇损，但营收与营利仍高于目标值。因此东芝执行董事平田政善表示，重建公司的大方向已然确定。重建东芝的大方向，不仅有销售成绩良好的存储器，同时也有始终无法改善的事业，如电视事业，原订2016会计年度(2016/4~2017/3)转亏为盈的电视事业，现在看来到2017会计年度都还是亏损，且亏损额还会加大。虽然目前东芝还打算维持电视事业，只打算进一步裁员，但平田政善表示，还要看2016年底的销售成绩如何。虽然没有明讲，但假如2016年12月东芝电视销售成绩仍低于预期，不排除放弃电视事业的可能性；其他难以转亏为盈的事业，也可能被东芝放弃。

3大理由看透 快闪存储器明年前景

国内快闪记忆体控制晶片大厂群联于11月10日召开法说会，董事长潘健成先生表示，第4季快闪记忆体供需吃紧情形将趋于缓和，但包括智慧手机、伺服器等应用对快闪记忆体使用量持续扩增的带动下，他预期快闪记忆体产业在明年第3季将再度面临供不应求的缺货压力，有可能成为历年来供需失衡*严重的一季。为Q4营运成绩打预防针？潘董事长的这番言论虽明确点出产业在明年将迎来好年的长线利多，但相对于他在10月初乐观看待今年第4季产业供需吃紧的言论来看，此次发言似乎有替第4季营运成绩打预防针的作用，建议投资人可在看好产业长线发展的前提下，趁着短期营运可能表现不如预期，逢低建立快闪记忆体类股的部位。潘董事长看好明年快闪记忆体供不应求的理由有3点，一是明年手机配备快闪记忆体的容量将持续增加，尤其是开发中国家消费者持续从功能型手机转换至智慧手机，自然提升快闪记忆体的需求。二是电子产品使用大量增加，包括穿戴式电子产品、物联网设备及各式智慧型产品都开始配备快闪记忆体，可储存指令或内容。三是云端运算带动伺服器的储存容量增加，特别是图像、影音等内容在社群网站的推波助澜下快速增长，加上资料中心伺服器在储存速度、稳定度及节能、散热等

缺货情况或缓解 NAND明年下半年正式进入3D时代

NAND Flash(存储型快闪存储器)原厂今年积极转进3D-NAND，不过制程难度高，良率总是无法有效提升，业者评估*快要等到明年下半年，3D-NAND的产出才会明显加快，真正进入3D-NAND时代，届时将助于缓解目前严重缺货的情况。随着存储容量及效能需求，NAND Flash主要供应商三星、海力士、东芝、美光今年下半年陆续转进3D-NAND Flash，透过堆叠层数的增加及制程技术的改进，突破2D-NAND发展限制，但2D-NAND产能遭到排挤而降低，加上智能手机嵌入式存储器容量提高，大举刺激NAND Flash产业呈现供不应求。供不应求将延续全球市场研究机构TrendForce集邦科技研究协理杨文得指出，明年将是NAND Flash产业充满挑战与机会的1年，由于2D-NAND Flash产能依旧快速下滑，而3D-NAND Flash 的进度与良率提升充满挑战，明年将延续NAND Flash供不应求情况。

大陆存储器厂开出3倍薪水猛挖角 锁定台系IC设计和DRAM厂

大陆DRAM和NAND Flash存储器大战**引爆，近期包括长江存储、合肥长鑫等阵营陆续来台锁定IC设计和DRAM厂强力挖角，目前传出包括钰创员工、并入联发科的NOR Flash设计公司常忆，以及并入晶豪的宜扬等高层转战武汉新芯，并传出华亚科前**副总刘大维在合肥招兵买马，开出3倍薪水挖角过去在台有DRAM经验的人才。不过，业界认为大陆存储器发展关键在于取得合法技术，至于生产制造及人才将是次要条件。 近期大陆合肥发展存储器计划频有突破，合肥长鑫12吋晶圆厂生产线曝光，总投资额约人民币500亿元，在合肥打造月产能12.5万片晶圆厂，年产能约150万片。另外，北京兆易**(GigaDevice)为合肥操刀的存储器计划亦有具体轮廓，通过买下大陆武岳峰资本旗下SDRAM设计公司矽成(ISSI)，**掌握NOR Flash、NAND Flash及利基型DRAM技术。存储器业者表示，大陆合肥已逐渐形成存储器产业部落，希望从存储器IC设计、生产制造一路做到模组端，采取一条龙统包方式，其中，技术主要由GigaDevice负责，生产制造则由前中芯国际执行长王宁国领军的合肥长鑫担纲，然其DRAM技术基础

存储器芯片拉动IC市场增长 微露曙光

IBS塬本预测今年芯片产业将衰煺1.5%，现在认为2016年芯片产业成长率为0.2%。又有一家市场研究机构调升了对2016与2017年半导体产业成长率的预测──InternaTIonal Business Strategies （IBS）现在认为2016年芯片产业成长率为0.2%，2017年则为4.6%。在今年1月份的某个产业活动上，IBS执行长/**分析师Handel Jones 塬本预测今年芯片产业将衰煺1.5%；同时间另一家市场研究机构IC Insights则认为今年芯片市场将成长4%。现在，两边的意见已近乎一致。IC Insights不久前将2016年芯片市场成长率预测值更新为1%，2017年成长率则更正为4%；而且上述两家机构的分析师都认为，存储器价格上扬以及中国智能手机业者的新产品内採用了更高容量的存储器，是拉抬整体IC市场成长的动能所在。存储器价格与销售量的增加，带动整体芯片市场成长Jones表示，DRAM价格在今年下半年应该上涨了20~30%，抵销了过去约一年来的衰煺；NAND快闪存储器的价格也有增加，2016年增加幅度达36.2%，让整体NAND市场规模成长6.2%。

集成电路迎新一轮投资热潮中国企业成扩张主力

"随着中国半导体产业黄金发展期的脚步加快，中国企业正在成为全球半导体产业扩张的主要力量，中国半导体产业的不断壮大将深刻影响全球半导体产业的格局。”国际半导体设备与材料协会（ＳＥＭＩ）全球副总裁、中国区总裁居龙近日在上海表示。 中国制造的各类电子产品迅速走向世界，使中国成为全球*大的电子产品制造基地，也造就了中国成为全球*大的芯片需求市场，但目前国产芯片的自给率尚不足三成。《中国制造２０２５》中明确提出，２０２０年芯片自给率要达到４０％，２０２５年达到５０％。在国际上，半导体产业已经走向成熟，国际资本介入半导体产业的脚步明显放缓。与之形成反差的是，中国半导体产业近年来正上演新一轮投资热潮，龙头企业争相宣布启动收购、重组、投资建设新厂等扩张举措。近日，总投资３８７亿元人民币的华力微电子二期１２英寸集成电路芯片生产线项目在上海开工。项目建成后，华力微电子母公司——－上海华虹集团的集成电路制造规模有望进入全球前五。在一个月前，总投资近千亿元的中芯国际“新建１２寸集成电路先进工艺生产线”以及配套项目也在上海启动。中芯国际的目标是，未来几年内成为全球前三大晶圆代工企业。除上海外，今年国内多个城市也

下一代MacBook Pro可能采英特尔3D XPoint固态硬碟

苹果(Apple)才刚发布新一代MacBook Pro不久，外界已开始在推测2017年版更新一代MacBook Pro部分规格，如今有市场分析预测，如果苹果维持每12~18个月推出一次升级版新一代MacBook Pro产品线的周期，则苹果有可能在下一次新推出的MacBook Pro中，内建英特尔(Intel)“Optane”固态硬碟(SSD)。对此消息苹果尚未置评。 根据科技网站Computerworld报导，据市调机构IDC研究副总裁Jeff Janukowicz指出，苹果一直是率先采用PCIe及NVMe储存技术的先驱业者，也是****家广泛将固态硬碟导入旗下笔记型电脑(NB)产品线的PC业者，其他PC业者至今也仅有少部分PC产品线导入固态硬碟。Janukowicz表示，透过导入固态硬碟，让苹果NB产品线在读写速度及延迟表现上，比起以传统SATA硬碟为基础的PC设计在性能表现上更佳，让MacBook Pro具备更强大的回应性及更快的处理速度。有鉴于英特尔Optane固态硬碟的性能表现较传统硬碟快达1,000倍，加上英特尔*新储存技术相容于采用NVMe接口的*新一代PCIe固态硬碟，这

存储器价格上扬 芯片产业前景微露曙光

又有一家市场研究机构调升了对2016与2017年半导体产业成长率的预测──International Business Strategies (IBS)现在认为2016年晶片产业成长率为0.2%，2017年则为4.6%。 在今年1月份的某个产业活动上，IBS执行长/**分析师Handel Jones 原本预测今年晶片产业将衰退1.5%；同时间另一家市场研究机构IC Insights则认为今年晶片市场将成长4%。现在，两边的意见已近乎一致。IC Insights不久前将2016年晶片市场成长率预测值更新为1%，2017年成长率则更正为4%；而且上述两家机构的分析师都认为，记忆体价格上扬以及中国智慧型手机业者的新产品内采用了更高容量的记忆体，是拉抬整体IC市场成长的动能所在。Jones表示，DRAM价格在今年下半年应该上涨了20~30%，抵销了过去约一年来的衰退；NAND快闪记忆体的价格也有增加，2016年增加幅度达36.2%，让整体NAND市场规模成长6.2%。他预期DRAM价格在2017年只会小幅下降，NAND价格则会维持在0.28~0.35美元的水准。而Jones指出，为了与Appl

三大DRAM势力明年对决 长江存储、联电、合肥长芯抢版图

集微网消息，据台湾媒体报道，近期大陆三股势力正如火如荼点燃DRAM主导权大战，长江存储传已评估到南京设立12吋厂，联电大陆DRAM厂福建晋华计划2018年量产，并在南科厂同步研发25、30纳米制程，至于合肥市与北京兆易**(GigaDevice)合作的合肥长芯，由前中芯国际执行长王宁国操刀，大陆这三股DRAM势力将决战2018年，抢当大陆DRAM产业龙头。 尽管大陆布局自制3D NAND Flash雏形渐现，长江存储将与已购并飞索(Spansion)的赛普拉斯(Cypress)合作，切入32层和64层3D NAND技术，由于门槛较高，长江存储仍有机会急起直追国际存储器大厂，然值得注意的是，全球存储器产业将率先上演大陆力争DRAM主导权戏码。目前大陆DRAM势力处于战国时代，至少有三股DRAM势力**竞逐版图，除了长江存储之外，还有联电旗下福建晋华，其主要操盘手为前瑞晶总经理、现任联电**副总陈正坤，第三股DRAM势力则是合肥市政府结合GigaDevice及王宁国人马成立的合肥长芯。长江存储与旗下武汉新芯原本是扮演大陆存储器中心角色，将统筹3D NAND和DRAM两大存储器技术发展，然大

将元信息记录至闪存的备份专用存储器

柔性非易失性存储器研究取得突破

插图作者： Paolo Samori/斯特拉斯堡大学&法国国家科学研究中心（CNRS） 蓝光和绿光分别用于在柔性晶体管设备上写入和擦除信息。半导体聚合物基质中包含的分子开关在它的两种形式中进行可逆转换：与穿过半导体的电流相互作用（被捕获）或者不发生相互作用。应用于柔性电子产品的有机纳米材料研究的持续性突破，使得观察者们绞尽脑汁地思考：为什么我们没能看到这些技术被更多地应用于可穿戴电子设备上。这个问题在于，虽然我们可以用有机纳米材料制造柔性逻辑电路和显示屏，但是实现具有实用意义写入/擦除速度的柔性非易失性存储器还有很长一段路要走。目前，来自斯特拉斯堡大学和法国国家科学研究中心（CNRS）的一个研究团队与来自柏林洪堡大学以及斯洛文尼亚的新戈里察大学的研究者合作，开发出了一种可能改变可穿戴电子设备格局的由有机纳米材料制成的柔性非易失性光存储薄膜晶体管器件。到目前为止，研制柔性有机存储器的主要挑战在于创造一个不会随时间推移而丢失数据（稳定性）的、柔韧的、允许反复写入/擦除（持久力）的稳定系统。这个国际研究团队克服了所有这些障碍，但他们希望有更多的突破。“我们希望每个器件可以存储不止一个比特（多

NAND泡沫:价格冲新高三星产能全开追不上需求

集微网消息，日经新闻29日报导，使用于智能手机、存储卡的NAND型快闪存储器(Flash Memory)批发价格进一步走升，10月份指标性产品MLC(Multi-Level Cell)类型64Gb产品价格月增约6%至每个3.3美元左右、为2年来首度突破3美元关卡，128Gb产品也月增1%至4.1美元左右。因生产技术提升，存储器价格一般来说都会随着时间推移而下滑、因此价格扬升至2年前水准是很罕见的。 报导指出，三星电子停产停售Note 7，让藉此加强攻势、扩大市场份额的中国智能手机厂需求急增，而各家存储器厂商虽已增产因应、但仍追不上需求增加速度。日本三星指出，“现阶段工厂虽已产能全开、但仍追不上需求”。据报导，调查公司IHS Technology预估，2016年NAND出货量至少将年增2成，IHS**分析师南川明指出，“截至年末为止，NAND价格恐持续维持在**”。报导指出，市场普遍认为，价格持续高涨的“NAND泡沫”恐会在明年(2017年)结束。全球第2大NAND Flash厂商东芝31日发布新闻稿宣布，因智能手机用存储器、PC/游戏机用HDD需求持续强劲，故今年度上半年(2016年4

韩国成立半导体希望基金锁定存储器研发

南韩冲刺半导体业组成国家队，由当地前两大厂三星电子和SK海力士领军，筹组总规模2,000亿韩元的“半导体希望基金”，投资具发展潜力的半导体相关企业。 三星、SK海力士是全球前两大存储器芯片商，单是DRAM领域，两大厂市占率总和超过七成，具有**制价与技术**优势，两大厂领军筹组南韩“半导体希望基金”，预料以存储器相关业务为优先，台湾南亚科、华邦电等存储器芯片厂，以及正在兴起的大陆存储器产业，短线将面临更大压力。业界人士分析，此次南韩的“半导体希望基金”金额规模虽不大，但由两大厂领军，非常具有指标意义，“就好比台积电与联电一起在台湾合资组类似的基金”。由于资金规模不大，预期应非以建置新厂、扩张产能为主，而是锁定技术研发。业界人士说，台积电董事长张忠谋先前才公开呼吁新政府不要遗忘了半导体业，新政府尚无实际动作，南韩**筹组“半导体希望基金”，透露当地对半导体产业的重视，台湾不能忽视。南韩经济日报报导，三星和SK海力士已同意参与由政府主导总规模约2,000亿韩元的“半导体希望基金”，三星将出资500亿韩元、SK海力士则分摊250亿韩元。报导引述南韩企划财务部副部长周亨焕谈话指出，期许“半导体

全球芯片产业投资现状与分析

一、买买买！全球芯片产业投资现状与分析2015年全球IC企业掀起了足以撼动整个产业格局的并购潮。2014年全球IC行业的并购交易总额为380亿美元，而今年2015年已超过1200亿美元，增幅超200%。其中，安华高科技公司以370亿美元现金加股票的方式收购博通，为年内金额*大单笔并购交易。此外，英特尔斥资167亿美元将阿尔特拉收入囊中，荷兰恩智浦“迎娶”飞思卡尔，德国英飞凌买下美国的国际整流器公司，安森美并购飞兆，高通收购CSR……国际IC市场并购大战此起彼伏。全球IC行业热衷并购的主要原因在于随着市场和技术的不断发展，国际IC企业整合已是大势所趋。近年来随着全球宏观经济增长减速，IC行业增长也随之放缓，但研发和资本密集度却持续增加，这就是IC行业大规模并购整合的主要背景。纵观近年来的并购案例，尽管每一笔并购案背后的企业有着不同的战略考虑，但整合收购是IC行业未来一段时期的大趋势。随着IC行业日益成熟，发展速度必然趋缓，业内竞争却日趋激烈，因此并购整合成为IC产业的必经之路。国际IC行业的并购大潮，也揭示出全球电子信息产业正步入新的变革期，传统电子工业与IT产业开始紧密地结合在一起。电

湖北冲击中国IC产业第四极 国家存储器基地落户

随着国家存储器基地落户湖北，该省的产业链条也在加速完善，以冲击中国IC产业第四极。 10月25日，21世纪经济报道采访获悉，行业内平台之一IC咖啡已与光谷金控联合孵化器、光谷集成电路产业联盟进行战略合作，湖北省的目标是，加速完善湖北IC产业生态链。 在上述联盟会议上，展讯通信联合创始人、董事和前CTO、华山资本投资公司创始合伙人陈大同表示，近十几年，半导体产业在世界范围内发生了天翻地覆的变化，现在全球重心已转移到中国大陆。“而IC是一个小而紧密的行业，把人聚起来，许多事情就成了一半。”未来10年是IC 的2.0时代，通过IC 咖啡之类的业内平台进行整合，可起到关键作用。 当下的IC产业已被列为国家的重要产业之一。资料显示，自“十三五”以来，我国已先后出台了《国家集成电路产业发展纲要》，使得半导体集成电路产业成为国内行业中*为完备的政策支持体系。 在资金方面，我国已成立千亿元规模的国家集成电路产业投资基金，中央资金带动地方政府和社会资本的投入累计超过5000亿元，为集成电路产业发展注入强劲动力。另外，《中国制造2025》、《互联网＋行动计划》等文件重点聚集集成电路热点市场，汽车、物联网、

新存储器家族拥有无限耐久性

Microchip Technology推出拥有无限耐久性、断电时保障资料储存**的全新低成本、低风险储存解决方案。 Microchip Technology推出拥有无限耐久性、断电时保障资料储存**的全新低成本、低风险储存解决方案。新的I2C EERAM记忆体系列是简易使用的非挥发性SRAM记忆体产品，适用于需要连续或即时记录、更新或监测资料的各种应用，比如电表计量、汽车和工业等领域的应用。EERAM是一个独立的SRAM记忆体，同时在这同一个单个晶片上还包含了EEPROM影子备份，有助于在系统断电时自动保留SRAM记忆体中的内容。EERAM提供对阵列的即时随机写入功能，且无写入周期的延迟。I2C EERAM 系列记忆体的容量为4 Kb和16 Kb，包含标准8接脚 SOIC、TSSOP和PDIP等多种封装规格。EERAM系列的工作电压有3.0V和5.0V两个选择，提供工规和车规的应用温度范围内(-40~85°C及 -40~125°C)工作，同时也提供汽车等级的储存解决方案。新型EERAM元件成功的在单个晶片上整合了两种成熟、可靠的储存技术EEPROM和SRAM，是一款稳健、可靠的资料解

先进封装投资门槛大增 资本支出竞赛决胜负

半导体封测业大者恒大趋势确定，先进封装投资门槛大增，这几年资本支出竞赛即将分出胜负，其中扇出型封装（Fan-out）技术备受瞩目，力成董事长蔡笃恭说，未来先进制程的投资将会越来越贵，这几年将是封测技术大为转变的关键期，Fan-out的市场需求将会在明年放量。力成今年资本支出将达到新台币150亿元，为近年来的高峰，其中买了不少的厂房与设备，为了因应未来扩充先进制程产能，过去曾经提过资本支出要保守一点，是因为在毛利率以及折旧费用比例上面，跟竞争者的成本是有差距的，不过经过积极调整之后，现在成效已经出现了，除了毛利率有所提升，今年更积极提高资本支出。力成除了擅长于存储器的堆叠封装之外，也在非存储器的先进封装领域上逐渐崭露头角，蔡笃恭特别提到Fan-out，他说，其实FBGA（Fine-pitch Ball Grid Array，细线距球闸阵列封装，）就是Fan-out，将锡球放在载板下面，因为没有办法做打线封装，所以才会有Fan-out的制程出来，目前力成的技术已经就位了，很多客人都开始要放量了，明年下半年的贡献可期。日月光、矽品也都不约而同锁定Fan-out，日月光财务长董宏思强调，与台积

SK海力士：存储器价格上升强势带动 营业利益季增60%

25日SK海力士(SK Hynix)公布第3季财报，营收为4.2436兆韩元(约37.28亿美元)，营业利益为7,260亿韩元，税后净利为5,978亿韩元。营收与营业利益较前季各增加7.7%与60.3%，但与2015年同期相比，分别减少13.8%与47.5%。 据韩国经济等韩媒报导，先前证券业者预估SK海力士第3季营业利益金额约6,750亿韩元，但由结果SK海力士公布的各项数据显示，实际绩效比业界预期表现良好。SK海力士营收能较前季成长7.7%，主要可归功于第3季有许多移动装置新产品上市及个人电脑(PC)需求影响，带动市场景气复甦；营业利益较前季增加60.3%，则因SK海力士扩大20纳米前段(2z)制程DRAM量产比重，成功降低生产成本，加上市场价格回升的双重效果所致。由于PC业者事先囤积库存及移动装置新品上市，SK海力士第3季DRAM出货量比第2季增加8%，产品也逐渐走向高容量趋势，平均出货价格则为维持与第2季相同水准；NAND Flash出货量则增加12%，平均出货价格上升7%。对未来DRAM市场走势预估，SK海力士表示，���供给增加有限之下，市场需求成长力道强，产品价格应可持续上扬

三星存储器营收 季增17%

记忆体市况热，南韩大厂三星今日公布财报，虽然整体表现滑落，但记忆体业务走扬，对第4季相关展望也维持乐观。南亚科（2408）昨日举行法说会，也认为第4季DRAM供应会更吃紧，其平均销售价格（ASP）可能季增5%。 记忆体市场从第2季后半开始逐渐转佳，进入第3季更是迎来荣景，供不应求，价格翻扬。三星是全球记忆体市场主导者，在其第3季的各部门表现中，相对于其他业务呈现衰退，记忆体业务营收缴出季增17%、年增8%的好成绩。根据三星公布的资料，第3季记忆体业务营收增加，主要是因高容量的行动记忆体与伺服器记忆体出货增加，在NAND方面，有48层3D V-NAND产品持续扩版展图，而在DRAM方面，则是20奈米制程产品需求畅旺。对第4季的记忆体展望，三星认为，如V-NAND SSD等高附加价值的产品销售增加，将有助于相关业绩成长，NAND需求依然强劲，而DRAM的供需则仍维持稳定。另外，南亚科第3季营收、毛利率、净利率都提升，单季每股纯益0.51元，累计前三季每股纯益1.33元。南亚科总经理李培瑛指出，近期DRAM库存去化顺利，第4季供需可能更吃紧，标准型、伺服器、行动、消费型等各类产品的价格，可能

Microchip存储器系列拥有超强耐用性保障数据**

VLT技术 或将颠覆DRAM产业格局

10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分层晶闸管（Vertical Layered Thyristor）技术，简称VLT技术。据Kilopass**执行官Charlie Cheng称，该技术集低成本、低功耗、高效率、易制造等诸多优点于一身，有可能颠覆目前的DRAM产业格局。 *适用于云计算/服务器市场的DRAM技术Charlie Cheng指出，DRAM整体市场较为稳定，未来随着PC、手机等方面的市场需求萎缩，新的增长点将出现在云计算/服务器等市场领域。然而当前的DRAM技术用于该市场领域面临着功耗太高的问题。当前DRAM技术的存储单元，基本的结构是1个晶体管搭配一个电容器（1T1C）。这种存储单元结构目前只能做到20nm工艺，受制于电容器的尺寸和电容量，DRAM的尺寸缩小再往下走非常困难。同时，因为较小的晶体管带来更多的漏电流，且较小的电容器结构拥有更少的电容量，这将导致两次刷新之间的间隔时间必须缩短。由于刷新周期频率的加快，16Gb DDR DRAM中高达20%的原始带宽将丢失，这给多核/多线程服务器中的CPU带来负担，使CPU必须挤压每一点儿性能来保持系

华邦电成功自行开发3x纳米DRAM Q4量产

存储器大厂华邦电子总经理詹东义在活动中指出，近年强攻车用及工控等市场有成，第2季营收占比已达16%，而第4季客户需求强劲，该公司的产能已被**。另外，华邦电已成功完成自行开发的3x纳米DRAM制程，第4季可望开始进入量产，法人看好华邦电明年获利将出现跳跃性成长。华邦电今年在利基型存储器市场持续扩增市占率，DRAM及NOR/NAND Flash等产品线陆续打进苹果、三星等国际大厂供应链。虽然三星此次宣布停产Note 7，但詹东义表示，华邦电供应三星多款机种，而且还有供应给其它手机品牌大厂，因此Note 7停产不会对华邦电营运造成影响。受惠于DRAM价格持续走高，华邦电9月合并营收月增1.6%、达新台币36.32亿元，持续改写10年来单月营收新高;第3季合并营收季增2.2%、达新台币107.33亿元，与去年同期相较成长12.6%，表现优于市场预期。累计今年前3季度营收达新台币313.17亿元，较去年同期成长9.8%。由于第4季DRAM价格持续调涨，华邦电营收将开始反应涨幅效应，法人看好华邦电营收持续创高，而且明年第1季营运不看淡。另外，华邦电董事长焦佑钧15日也宣布好消息，华邦电已经成功自

大陆存储器三路追击 挖角、合作各显神通

大陆近几年积极扶植半导体，诸如晶圆代工中芯国际；IC 设计海思、展讯；封测江苏长电、南通富士通都是中国 IC 潮备受关注的新势力。然而在存储器产业大陆始终难以找到突破口，只好从土法炼钢起，而台湾在这之间成了大陆挖角大本营。大陆发展存储器在屡屡碰壁后，开始积极整合资源力求突围，不只紫光集团与武汉新芯合体为长江存储，先前以武岳峰为首的大陆基金并购美国 DRAM 厂 ISSI，也传出拟与大陆 Flash 设计公司兆易**（Gigadevice）合并，形成 DRAM/NAND Flash 兼有的存储器厂商。先前科技新报才报导，跳槽至紫光集团的前南亚科总经理、华亚科董事长高启全，已运用自身人脉挖角南亚科、华亚科近十位主管，有员工跟随主管脚步转战中国，当时消息人士估计，台湾至少会有百位 DRAM 人才出走。就像与长江存储约好，现在再有消息指出，兆易**藉由两位从华亚科的退休刘姓**副总、离职彭姓高阶主管���脉，挖角南亚科、华亚科人才。台湾俨然成了中国发展存储器的人才培育中心。兆易**目前产品核心为 NOR 跟 Micro Controllers。2015 年营业额 11.9 亿人民币，据调研机构 I

存储器、OLED报价续飙？弥补Note7亏损三星料涨价

三星电子(Samsung Electronics Co.)在全球回收频传爆炸的「Galaxy Note 7」，智慧型手机的品牌声誉受到严重影响，但随着对手大幅扩产填补从Note 7移转而出的需求，三星制造的DRAM、AMOLED等零组件反而可能因此受惠，报价料将水涨船高。 BusinessKorea 18日报导( 见此)，市调机构Trend Force预测，苹果 ( Apple Inc. )和中国智慧机大厂都会在今(2016)年第4季扩产、以便满足Note 7停产后产生的需求，届时DRAM、NAND型快闪记忆体和AMOLED等智慧机的核心零组件或许会暂时出现短缺，进而推升报价。Trend Force预测，Note 7停产会使三星的智慧机出货量下滑600万支、来到3.1亿支左右，但苹果的出货量则有望从原本的2.05亿支攀升300万支至2.08亿支，至于华为(Huawei)的出货量也会从原本的1.44亿支拉高至1.47亿支。也就是说，就算三星的智慧机出货量下滑，整体市场的出货总量也没有太大变化，反倒是三星可能趁机拉抬行动DRAM、NAND型快闪记忆体和AMOLED面板的价格。报导称，三星旗

大陆存储器三路追击，台湾成挖角大本营

Gartner:半导体冲刺10nm 明年资本支出看增

集微网消息，Gartner预估，今年半导体资本支出金额将约646亿美元，将下滑0.3%，明年可望止跌回升，将较今年成长7.4%。 半导体逻辑制造厂将于2017年大量生产10nm制程，存储器制造厂也积极转进3D储存型快闪存储器，使得设备市场展望好转。Gartner将今年半导体资本支出预估微幅调高至646亿美元，将下滑0.3%，优于原预期的下滑0.7%。在逻辑制造厂增加10nm制程产能及存储器厂转进3D NAND Flash驱动下，Gartner预期，今年晶圆制造设备支出仍将可较去年成长6.4%。Gartner看好明年半导体资本支出金额可望回升，预期将达693亿美元，将较今年成长7.4%。

魏少军：中国发展存储器芯片应以市场为主导

在国家政策刺激下，2016年各地纷纷传出加码存储芯片的声音：北京有紫光集团宣布300亿美元做存储器，武汉有武汉新芯准备耗资240亿美元打造***存储器基地，合肥放言要打造IC之都，福建晋华也在跃跃欲试。众声喧嚷中，随着今年下半年长江存储的正式成立，武汉新芯与紫光集团走到了一起。合流背后到底发生了什么？它们的合流又对整个存储产业的发展意味着什么？中国到底该怎样发展存储？清华大学微电子研究所所长魏少军接受记者采访时认为，做存储器芯片不能四面开花，一定要集中力量办大事。紫光与武汉新芯能够走到一起，关键在于紫光的掌舵者赵伟国和武汉新芯的管理层都意识到，只有合起来成功的概率才是*高的。同时，发展存储器产业一定要遵循市场规律，要淡化“政府主导”的思路，谁的市场能力强，就由谁来主导。魏少军预计，10年之后，中国自有存储器规模应该力争达到250亿美元，在国际上做到四分天下有其一，在国内占据半壁江山。中国存储产业现状如何？在全球市场中处于怎样的位置？魏少军：迄今为止，中国还没有一家专业的存储器企业。国内一些企业譬如兆易**有一些自己的存储器产品，但主要集中在特殊领域。从主流市场来看，中国的存储器芯片基本

大陆存储器三路追击，台湾成挖角大本营；

存储器市场涨水，SK海力士价格一路飙升35%，三星将增产？

据海外媒体报道，存储器价格超夯，今年至今韩厂SK 海力士 （SK Hynix ）已经飙升35%，部分外资相当乐观，预言还有20%上行空间。巴伦（Barronˋs）14日报导，DRAM价格上涨，带动SK海力士一路攀高。DRAMeXchange预估，第三季DRAM价格将季增9%，第四季价格可能会再飙将近30%。有鉴于此，摩根士丹利（大摩）的Shawn Kim估计，SK海力士股价可望续涨20%。大摩报告称，时序迈向Q4，DRAM和NAND价格表现都优于预期，也胜过SK海力士的预估。DRAM投资应会维持紧缩，明年供给成长将低于20%。如今DRAM 库存来到低档，Q4供给成长将减缓，减缓客户预购的负面冲击。Q4 NAND供给也很吃紧；3D NAND产能开出，估计要到2017年下半才会出现影响。SK海力士14日走升1.47%收在41，550韩圜，年K线大涨35.12%。但是不是所有外资都同意此一看法，先前Bernstein Research警告，DRAM荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。巴伦（Barronˋs）9月23日报导，六月以来PC DRAM现货价大涨3

TI推出业内**完全集成的DDR存储器电源解决方案

德州仪器(TI)近日宣布推出业内**完全集成的电源管理解决方案，该方案也是**在汽车和工业应用中用于双倍数据速率 (DDR) 2、DDR3和DDR3L存储器子系统。TPS54116-Q1直流/直流降压转换器是一款输入电压为2.95-V至6-V的4-A同步降压转换器，配有1-A峰值反向/源电流DDR终止稳压器和缓冲参考，与离散化实现相比，可将系统尺寸缩小50%。TPS54116-Q1不仅能为电信、测试与测量以及工厂自动化设备的DDR存储器供电，同时专为信息娱乐系统、**驾驶员辅助系统(ADAS)和仪表盘等汽车应用供电。与TI WEBENCH?在线设计工具一起使用，TPS54116-Q1可简化功率转换并加快电源设计过程。作为TI处于业内**地位的直流/直流转换器产品组合的*新成员，TPS54116-Q1降压转换器通过集成SOSFET和减小电感器尺寸，来提供*高达2.5兆赫的开关频率并削减解决方案尺寸。同时可在中波无线电频段上设置开关频率用于噪声敏感应用，并与外部时钟同步。请阅读博文 “获得2兆赫开关频率的四个设计技巧”。下载“用于低功率TDA3x系统的汽车电源参考设计”，在使用TI的TDA

三星将在中韩量产***64层手机存储器

韩国三星电子将着手量产智慧手机用***的三维半导体存储器(3D NAND)。三星10月7日发布的2016年7～9月的合并营业利润在坚挺的半导体业务的拉动下，较上年同期增长5%，达到7.8万亿韩元(速报值)。因市场行情好转，三星*早将于2016年内在韩国和中国的工厂投产64层3D NAND。在智慧手机使用的DRAM和NAND两种半导体存储器领域，三星的市占率位居全球首位。DRAM在断开电源后，数据会消失，而NAND在断开电源后，可继续保存数据。2015年NAND市场行情低迷。*初有观点认为2016年该市场也会增长乏力，但眼下却呈复苏态势。因市场行情好转，三星将在韩国正在建设的平泽工厂以及中国的西安工厂量产***的64层3D NAND。通过将目前的48层提高到64层来提高产品竞争力。

AT89C51单片机的解密原理

单片机解密简单就是擦除单片机片内的加密锁定位。由于AT89C系列单片机擦除操作时序设计上的不合理。使在擦除片内程序之前首先擦除加密锁定位成为可能。AT89C系列单片机擦除操作的时序为：擦除开始----》擦除操作硬件初始化（10微秒）----》擦除加密锁定位（50----200微秒）---》擦除片内程序存储器内的数据（10毫秒）-----》擦除结束。如果用程序监控擦除过程，一旦加密锁定位被擦除就终止擦除操作，停止进一步擦除片内程序存储器，加过密的单片机就变成没加密的单片机了。片内程序可通过总线被读出。对于AT89C系列单片机有两种不可破解的加密方法。一、**性地破坏单片机的加密位的加密方法。简称OTP加密模式。二、**性地破坏单片机的数据总线的加密方法。简称烧总线加密模式。AT89C系列单片机OTP加密模式原理这种编程加密算法烧坏加密锁定位（把芯片内的硅片击穿），面不破坏其它部分，不占用单片机任何资源。加密锁定位被烧坏后不再具有擦除特性，89C51/52/55有3个加密位进一步增加了加密的可靠性。一旦用OTP模式加密后，单片机片内的加密位和程序存储器内的数据就不能被再次擦除，89C51/

华天科技:(昆山)交流会纪要

我国集成电路结构性增长明显,前景可期。 据WSTS 统计,2016年上半年全球半导体市场销售额达1574亿美元,同比下降5.8%。而我国集成电路产业销售额达到1847亿元,同比增长16.1%。其中封装测试达706亿元,同比增长9.5%。我国拥有万亿市场替代空间、坚定国家意志、宽松产业政策、充沛资金、丰富工程师红利等优势条件,集成电路正迎来黄金发展时期,其结构性市场机遇有望延续。公司经营情况良好,先进封装逐渐放量。从行业数据、产业接单与出货状况等经营情况来看,半导体行业今年以来回到高景气,公司作为国内封装测试龙头企业之一,有望显著受益。公司2016年上半年实现营业收入24.8亿元、营业利润1.99亿元,分别同比增长43.9%和34.8%;归属上市公司股东净利润为1.80亿元、扣非后净利润1.6亿元,分别同比增长5.3%和35.4%。净利润增长看似不高原因有:1)去年同期获得政府补助6634万元;2)国家集成电路产业投资基金持有华天西安27.2%股权,影响约1200万元净利润。实际公司经营成果良好,尤其是专注先进封装(CIS 封装、MEMS、bumping 等)的昆山子公司,上半年实现净利

Q4 DRAM合约价或大涨3成 南亚科华邦电等厂商受惠

随着DRAM原厂持续调整产出比重，智能手机、笔电进入备货高峰，需求增加，标准型DRAM供货持续吃紧，业界预估价格不仅本季涨幅上看3成，涨势并可望延伸到明年第1季，DRAM厂南亚科、华亚科、华邦电与存储器模组厂创见、威刚等，营运都将因价格上涨而受惠。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，市况吃紧，第4季DRAM抢货比上季更凶，主因来自原厂纷将标准型DRAM产能转进移动、服务器用存储器，遭排挤的标准型DRAM产出仅剩不到2成，加上部分厂商转到20/21纳米良率提升又不如预期，PC代工厂(OEM)为建立库存而加价加量买货，致使供给不足市况更雪上加霜，带动本季合约价涨幅比上季预估来得高。此外，智能手机、笔电进入备货高峰，移动存储器扩大到整体产出的4成以上，DRAMeXchange表示，逢传统销售旺季来临，笔电配置8GB存储器的商务新款机种数量也在迅速攀升中，带动第4季DRAM行情往上攀升。DRAMeXchange调查指出，9月标准型DRAM合约价维持续强劲上涨走势，均价已到14.5美元，月涨幅达7.4%，在全球笔电需求出乎意料大增的情况下，

晋华集成电路项目年底完成桩基

兆易**昨开板 中一签可赚近15万

◎每经记者 王砚丹 炒新股是A股市场永恒的一个主题。新规之下，由于改为中签后缴款，成千上万的投资者纷纷加入打新大军。而次新股的行情，也是异彩纷呈。8月18日上市的沪市次新股兆易**（603986，收盘价171.34元），在经过首日顶格上涨44%、随后17个“一”字板后，9月13日终于开板。当天兆易**高开8.57%后震���下挫，并一度翻绿，*终以上涨1.22%报收，收盘价为171.34元，目前仅次于贵州茅台，成为两市**高价股。如果昨日（9月13日）开板后以收盘价卖出，那么中一签兆易**可以获利14.808万元！据华泰证券涨乐财富通统计数据显示，在6月15日以后发行的次新股中，兆易**的“中一签可获利金额”****。之所以获利金额如此惊人，主要是两方面的原因共同造就的：一，作为沪市新股，中一签是1000股；二，兆易**上市首日涨幅约44%，之后出现了17个“一”字板，“一”字板个数惊人。每经投资宝（微信公众号：mjtzb2）注意到，要中一签兆易**也不容易，这从仅仅0.0335%的中签率不难看出。也就是平均1万个配号中，只有3.35个配号能中签。龙虎榜显示，9月13日卖出兆易**的前五个

薄膜氧化铪为实现高密度、高速ReRAM开辟道路

晋华集成电路项目年底完成桩基 确保2018年实现投产

作为国家“十三五”集成电路重大生产力布局规划的组成部分，晋华存储器集成电路生产线项目自7月16日开工以来，由泉州市牵头建立联席会议制度，定期研究协调项目重要事项，晋江全方位保障推动项目实施进程。目前，晋华项目正按计划有序推进。打造国内**存储器 产研一体化企业集成电路产业被喻为“工业粮食”。当前，中国集成电路产业正在以快马加鞭之势追赶!新出炉的福建省“十三五”规划纲要提出，建设福州、厦门、泉州、莆田等集成电路产业基地，形成沿海集成电路产业带。在泉州集成电路产业发展“元年”，迎来了晋华存储器集成电路生产线项目的落地。该项目坐落在晋江的集成电路产业园，由福建省电子信息集团和泉州、晋江两级政府共同投建，建设内容包括晶圆制造、产业链配套等，预计2018年9月形成月产6万片12寸内存晶圆的生产规模。届时，将打造国内**拥有自主技术的存储器产研一体化企业，并辐射带动泉州晋江成为集成电路产业链完善的“中国内存基地”。项目**高科技领域的技术共享模式，与其他企业走技术授权的合作路径有着本质区别，开启了两岸高科技领域深度技术合作的先河，对推进两岸技术交流和产业合作具有非常重要的开创性意义。项目建设有序推

华天科技：布局存储盼国产崛起 买入评级

投资要点： 布局完善有望充分享用产业转移的蛋糕：公司在半寻体集成电路封测行业的持续绊营为公司积累了有效的客户和产业渠道，天水、西安、昆山三个主要生产基地的产业布局也有效覆盖了传统、中**和兇迚封装的生产。在全球半寻体市场增长乏力，全球产业向中国大陆地区转秱的趋労下，国内半寻体厂商有望充分享蛋糕的增长。公司作为中国集成电路封测龙头企业之一，在行业整体需求改善的情况下，产能扩张和产能刟用率提升，尤其是在兇迚封装领域内的订单持续增加，将会为公司业绩稳健成长提供有效的支撑。合作武汉新芯布局存储器国产化：存储器芯片作为芯片国产化迚程中明确的収展方向，获得了来自中央和地方政府层面的政策、资金等多方面的支持力度，从行业的収展特点看，大觃模的资金投入也是行业収展的必由之路。目前国内存储器芯片投资*重要的项目是在湖北武汉的长江存储有限公司项目，根据相兲新闻和公司公告的披露，两个主要投资主体武汉新芯的投资觃模为240亿美元，而紫先国芯的投资觃模则为600亿人民币，充分体现了国家对二该项目的决心。作为武汉新芯的戓略合作伙伴，华天科技(12.990, 0.05, 0.39%)有望充分收益相兲项目的推迚中所需配