美光连涨9天、飙31%!三星传DRAM缩手NAND下半年夯

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北美半导体设备BB值连5个月高于1、再加上半导体设备业龙头厂商应用材料 (Applied Materials Inc.)直指投资活动逐渐从DRAM转到NAND型快闪存储器,让美国存储器大厂美光( Micron Technology, Inc. )股价在5月18日触底反弹、一口气连涨9个交易日之多,涨势相当惊人。

美光5月31日终场跳涨了3.33%、收12.72美元,平1月12日以来收盘新高,股价带量 冲过颈线;以收盘价计算,过去9个交易日共计狂涨了31.54%,从月KD已在4月低档黄金交叉来看,过去半年来美光股价也有底部成形的味道。

barron`s.com报导,RW Baird分析师Tristan Gerra 31日发表研究报告指出,三星电子(Samsung Electronics Co.)可能会在今(2016)年下半年把一大部分的DRAM产能转移到NAND型快闪存储器,同时将18 奈米制程产能初步拉高。

Gerra认为,下半年NAND的产业市况相当乐观,主要是拜iPhone 7的储存容量增加(该款智慧机应会增添256GB版本)、PC加速采纳固态硬碟(SSD)之赐。他说,这会让NAND定价在下半年稳定走扬。

不仅如此,虽然下半年DRAM均价或许每季都将下滑10%,但美光因为采用20奈米制程技术,下半年的DRAM成本有望比上半年降低10-15%。基于上述原因,Gerra决定将美光的投资评等从「中立」调高至「表现优于大盘」。

TheStreet.com 5月20日报导,应材在财报电话会议上指出,投资活动逐渐从DRAM转到NAND型快闪存储器,估计今(2016)年下半年DRAM的资本支出会年减至少25% ,NAND则会年增35%。

Sterne Agee 证券发表研究报告指出,这两个趋势都意味着美光的毛利率长期看俏,因为DRAM支出下滑有望让供需止稳、降低定价压力,而NAND支出上扬就有望拉高产能利用率、逐渐推升毛利,因为3D NAND的毛利比其他产品还高。

Bernstein Research先前曾痛批三星心狠手辣,意图在存储器界赶尽杀绝,铲除SK 海力士 (SK Hynix )、美光,剩下一家独大。如今看法似乎有变。

Seeking Alpha 5月18日报导,Bernstein发表研究报告将美光的目标价上修1美元至11美元,指称三星的DRAM供应成长正在趋缓当中。该证券预估,从去年起DRAM出现的供给严重过剩景况将缓解,明年下半年料转趋短缺。

国际半导体设备材料协会(SEMI)5月24日公布,2016年4月北美半导体设备制造商接单出货比(Book-to-Bill ratio)初估为1.10,虽然略低于上个月的1.15 ,但已连续第5个月高于1。1.10意味着当月每出货100美元的产品就能接获价值110美元的新订单。

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