2013半导体厂商销售额排行榜明年将有新需求

市场调查公司Gartner于2013年12月4日（美国时间）发布的全球半导体市场预测（速报值）显示，2013年全球半导体销售额将比上年增加5.2％，达到3154亿美元。世界半导体市场统计组织（WSTS）发布的2013年秋季预测也显示，2013年全球半导体市场也将比上年增加4.4％，超过3000亿美元，达到3043.09亿美元。 Gartner公布的半导体排名速报值。预计内存厂商美光科技及SK海力士的业绩将比上年大幅增长。不过，Gartner的调查结果显示，2013年畅销的只是DRAM及NAND闪存等存储器产品。而非存储器领域或与上年持平，或“已进入缓慢倒退局面”（Gartner日本公司调查部门半导体及电子器件研究总监国场将生）。其背景在于个人电脑需求低迷，同时，“推动半导体市场的智能手机及平板电脑也开始从**机型向低端机型转换”（Gartner日本调查部门半导体及电子应用**分析师清水宏之）。 虽然存储器尤其是DRAM表现出色，但其原因并不是需求高涨。Gartner日本的国场将生表示，实际上存储器的需求反而处于低迷状态，但由于DRAM各公司对此有所预料，减少了投资，因此造成了供应不足，

海力士大火估损9亿美元恐成国内*大保险理赔案

今年9月初发生在无锡新区SK海力士的一场大火已经过去了几个月，这场大火尽管没有人员伤亡，但其影响却很大，比如在国内芯片市场和保险市场方面。昨日（12月19日），有险企人士向《每日经济新闻》记者透露，SK海力士大火报损约10亿美元，保险业估损将达9亿美元，这将是国内*大的一笔保险赔案。据《中国保险报》此前报道，SK海力士5家承保公司中各自的份额分别为：现代保险占比50%，人保财险占比35%，大地保险、太平洋产险、乐爱金财险各占5%。上述险企人士进一步介绍称，该案件各家保险公司基本上都办理了再保险，主要涉及的再保险公司包括：韩国再保险、瑞士再保险、慕尼黑再保险等，而这个案例会影响到直保和再保险财险公司的承保利润，同时也将会导致半导体行业来年费率以及再保险费率的上涨。火灾报损约10亿美元记者在无锡市**生产监督管理局官网上看到的一条消息称，2013年9月4日，位于无锡市新区的韩资企业海力士-意法半导体（中国）有限公司发生一起火灾，此事故处置和救援由无锡市消防支队组织。但值得注意的是，这不是一场普通的大火。这场大火不光影响了SK海力士，进而导致国内芯片价格上涨，保险行业也同样受到影响。据了解，

基于FPGA多路机载冗余图像处理系统的设计方案

三星成功研制首款采用LPDDR4的移动DRAM

        三星日前正式宣布已经成功研发出业界内首款采用第四代低功耗内存技术LPDDR4的8Gb移动DRAM。三星存储销售及市场推广**执行副总裁Young-Hyun Jun表示：“下一代的LPDDR4 DRAM将会加快全球移动DRAM市场的发展，并且将会迅速占据主导地位。三星将会继续带领DRAM市场不断向前发展。” 三星本次推出的高速8Gb的LPDDR4移动DRAM将提供***别密度、性能和能效对比，能够让用户更快更灵活的使用应用，提供更加丰富的功能，在延长电池续航的同时为高分辨率显示屏提供支持。本次8Gb的LPDDR4内存采用20nm制程进行制造，单一芯片上提供1GB，相比较现今使用DRAM的密度大大提高。通过装备4块8Gb的芯片能够实现4GB的LPDDR4的封装，提供****的性能体验。这款全新的8Gb LPDDR 4采用了低电压摆幅终端逻辑（LVSTL）I/O接口，该接口已经通过了JEDEC的认证。基于这个全新的接口LPDDR 4芯片的数据传输速率能够达到3200MBPs，是现有LPDDR3的两倍。从总体上而言新的LPDDR4接口在性能上要比LPDDR3要高50%，此外能耗

现货价催升合约价DRAM厂受惠

海力士（Hynix）中国大陆无锡厂火警效应蔓延，市场供给不足，DRAM现货价于去年底重启涨势，2014年初更是加速上涨，上周五DDR3 2Gb*高触及3美元新高，也将带动合约价持续跟涨，相关记忆体厂可望受惠。去年第四季以来，海力士火警拉升DRAM现货价持续攀高，预期海力士无法于短期内恢复火警前的产能，影响整体市场供给；记忆体模组厂威刚科技(3260)董事长陈立白认为，今年**季DRAM市场肯定缺货。在缺货预期心理激励下，市场追价拉货态度积极，带动DRAM现货价持续攀高，去年12月报价稳步上扬，较11月上升逾二成，今年以来随著中国大陆市场农曆年前备货需求强劲，带动DRAM现货价再度展开飙涨走势。根据市调机构集邦科技调查，DDR3 2Gb颗粒现货均价已达2.799美元，创3年多来新高价；DDR3 2Gb颗粒现货均价今年来已上涨0.26美元，短短2天大涨1成。在现货价续**高下，预期合约价也将续涨，华亚科(3474)*为受惠，并可望挹注母公司南科(2408)持续维持获利步调。继去年第四季华亚科业绩续攀高下，本季包括华亚科、南科及威刚等厂均可望不淡。利基型记忆体亦可望跟涨，上周土洋法人也对华邦

武汉新芯发力3DNOR欲领衔中国存储半导体业

12月12日，工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在江苏南京举办以“推动整机与芯片联动，打造集成电路大产业链”为主题的“2013中国集成电路产业促进大会暨第八届‘中国芯’颁奖典礼”。会议期间，受邀采访到来自武汉新芯董事长兼总裁王继增先生。据了解，武汉新芯集成电路制造有限公司是建国以来湖北省单体投资规模*大的高科技制造项目，是国家认定的首批重点集成电路生产企业。主要采用90纳米及更高工艺技术水平生产12英寸存储类逻辑芯片，包括动态存储器（DRAM），静态存储器（SRAM），闪存（FLASH）等，这些产品是各类消费类电子产品的核心部件广泛应用于如计算机、数码相机、MP4、数字家电、手机、显示器等领域。半导体作为国家战略部署产业，武汉新芯受惠于国家政策以及资金的支持。王继增先生在采访中表示，新芯目前积极同国内微电所、知名院校进行合作，布局**的技术领域。同时表达出愿与行业上下同仁，共同打造产业生态环境。全球应用NOR闪存技术的产量保持在35亿到40亿的规模，由于在低容量市场收到廉价NAND器件的冲击，所以其市场容量近一年下降了近10%，新芯会将产量维持在定量生产。其中45nm技术

半导体业排名：高通成第4联发科排14

研调机构iSuppli预估，今年全球半导体产值可望成长近5%；其中，美光(Micron)今年业绩将可倍增，并跃居全球第4大半导体厂，将是*大赢家。iSuppli预期，今年动态随机存取存储器(DRAM)市场产值可望成长35%，储存型快闪存储器(NANDFlash)市场产值也将成长27.7%。在存储器市场强劲成长带动下，iSuppi看好，今年全球半导体产值可望止跌回升，将达3179亿美元，将较去年成长4.9%。iSuppi预估，美光今年业绩可望达141.68亿美元，将较去年大增1.09倍，并将一举跃居全球第4大半导体厂。iSuppli同时预估，手机芯片厂联发科今年业绩将达44.34亿美元，将...

2014大数据和预测分析市场需关注的趋势

全球半导体收益较上月减少11%

科技改变人类展望电子行业热门前沿技术

瑞萨芯全力支持打造开放的智能产品及系统

良率问题导致供货不顺，11月下旬DRAM合约价逆势开红盘

根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，原先预估下半年价格将受到SK海力士产出逐渐恢复以及市场需求不振影响逐步走弱，然而，受到某一线大厂在PC DRAM出货不顺影响下，转向其他DRAM厂追加订单，使得11月下旬合约价格逆势走扬，4GB主流模组*高来到35美元，均价为33美元，升幅大约各有3%；2GB模组也因为产出大幅减少价格呈现上涨趋势，*高来到18.5美元，市场甚至传出已有小量成交超过20美元水位。以合约价格做推算，4Gb颗粒*高来到4.06美元，与现货价格(11/28收盘价)4.25美元逐渐逼近。展望12月，在受到良率不佳导致交货不顺影响，不排除合约价格维持在平盘或小幅上扬的可能性。观察各主流PC OEM库存水位，受到先前无锡火灾影响，导致原先偏高的DRAM库存逐步下降，截至目前为止各家大约仅有3~4周水位，而出货量较大的PC-OEM厂甚至已低于三周，为该次合约价格上扬主因。SK海力士无锡厂逐步复工前提下，明年首季度将会是DRAM价格的修正期，预计合约价将逐步回到火灾前的价格区间。而三大DRAM厂因逐步转进25奈米，成本结构逐步改

瑞萨推出RZ/A1系列MCU芯片，内置内存容量*大为10

ARM Symposia年度技术论坛”日前在北京举行。在本次论坛上，瑞萨电子推出RZ/A1系列MCU芯片，内置内存容量*大为10M，属该领域之*。据瑞萨电子大中国区通用和SOC产品中心综合营销部副部长王均峰介绍，RZ/A1共分为RZ/A1H、RZ/A1M和RZ/A1L三种类型。RZ/A1芯片使用高速内存存取和Cortex-A9@400MHz解决高性能，解决了外置DRAM的稳定性及供货问题，降低了整体成本。它拥有先进的图形功能，支持高解析度，内置高速2D图像加速器，实现高速图像处理(支持OpenVG1.1)，并可实现视频输入输出支持多种显示功能。同时，它配备了10M/100M Ethernet MAC、...

无奈！海力士DRAM产能不足与OEM“分手”

业内消息称，SK海力士目前的DRAM内存颗粒产能依然无法满足PC OEM客户的需求，迫使后者不得不转向其它供应商，以维持合理库存。9月份无锡工厂的一把大火之后，海力士颗粒一直供应紧张。为此，海力士一边积极修复无锡工厂、恢复产能，一方面重新分配韩国工厂的产能，把原本用于NAND闪存的生产线调配到DRAM内存上，但依然无法从根本上解决问题。消息人士称，无锡工厂的恢复进度并非主因，关键在于韩国工厂从NAND转向DRAM的过程中，良品率始终无法达到令人满意的水平。受此影响，DRAM颗粒的合约价格将一直维持高位，甚至有可能略有上涨，中国春节之前降价的可能性微乎其微。这就意味着，在整个2013年12月和2014年1月，内存都不会便宜。海力士中国工厂原本每月可以生产13万块PC、服务器用的DRAM晶圆。DRAMeXchange估计，那场大火可能影响了*多50%的产能。根据海力士的*新通报，无锡工厂会在12月份的某个时候完全恢复，而此前的说法是11月份。坊间传闻称，今年其实根本没戏，必须等到明年**季度。泰国的一场洪水让硬盘行业花了两年时间才恢复正常，但愿内存别这么耗下去。

美光：多核CPU给DRAM带来麻烦力推堆叠式芯片

多核心CPU令人厌恶。DRAM的运行遭遇带宽难题。随着CPU性能的不断提升，新的问题在于将有更多计算核心尝试访问服务器内存，而带宽将进一步吃紧。解决方案之一在于将DRAM在逻辑层之上按层堆叠，从而使所构成的混合内存立方体(简称HMC)拥有更高的访问速度——美光如今已经实现了这一构想。美光选择本届丹佛超级计算大会作为舞台，向全世界隆重公布了其专为千万亿次超级计算机所开发的HMC芯片。其它目标应用还包括数据包处理、数据包缓冲或存储以及处理器加速——总之任何在内存带宽限制方面受到束缚的应用都能从中获得提升。在这次展会上，富士通展示了一块来自搭载HMC芯片的未来超级计算机原型机的电路板。美光也参与其中，并着力创建一套生态系统、旨在吸引更多厂商关注并使用HMC芯片。一块DRAM芯片结合了访问流程所必需的内存与逻辑功能。如果大家将DRAM芯片层彼此堆叠，那么逻辑电路也将出现重复。HMC给出的方案是将逻辑电路从各芯片当中去除，转而使用一个位于芯片底部的基础逻辑层，从而为HMC当中每一个DRAM层提供相应功能。HMC的方案展示：利用硅通孔作为贯穿各层的通道。美光的HMC方案当中拥有四到八个内存层。该公

第四季终端需求旺季不旺，11月上旬NANDFlash合约价下跌5-7%

根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，第四季各项NAND Flash终端需求确立旺季不旺，加上厂商库存水位依旧偏高，采购意愿薄弱，因此11月上旬合约价较10月下旬下跌5%-7%。从供给面来看，SK海力士无锡厂九月份火灾后，SK海力士与三星分别将30%与5%不等的NAND Flash产能转往DRAM，让整体第三季与第四季的NAND Flash产出下降，因此2013年的产出位元年增率从40.8%再度下修至40.3%。但*大的因素依旧来自于第四季整体需求的疲软，随身碟市场受限于USB3.0渗透率不佳的因素影响消费者采购需求，而记忆卡的���求也并未因主要****大打价格战的利多刺激而有所提升。在系统产品上，由于第四季全球经济景气复苏脚步停滞，智能型手机与平板计算机厂商对于第四季传统欧美地区的感恩节与圣诞节销售旺季预期转趋保守，纷纷下修年度出货目标，加上厂商库存水位依旧偏高，因此来自于系统产品的需求也不如预期。综合供给与需求面向分析，TrendForce认为11月上旬NAND Flash合约价仍持续下跌。展望后市，由于第四季需求表现不佳，以及受

半导体行情：MCU多核异构成主流存储器市场不佳

据华强北电子市场价格指数本期集成电路指数:94.92涨跌值:-0.82涨跌幅:-0.86%，集成电路价格指数跌影重现，恰似这冬季飘零的黄叶让人觉得心烦意乱，但又不得不面对这残酷的现实，而在这场轰轰烈烈的转型升级大战之中浮现着多少个迷茫的眼神总是让人心头颤抖，一个季节甚至是一个时代总会有幕落和绽放矛盾着！我们无从释怀但必须适应。本期绽放的是MCU指数:100.09涨跌值:7.39涨跌幅:7.97%，可谓大涨，超过了上期的单周跌幅，这过山车般的驰颠和肆无忌惮的疯狂足以摧毁大多数人的心脏，抛开客观因素不谈，我想具有特色的情分和轻浮应该占大部分。涨吧！你长你的水，我走我的路，关键是CPU指数:99.07涨跌值:1.18涨跌幅:1.21%和数字电路指数:95.67涨跌值:0.22涨跌幅:0.23%这两个也在涨。本期幕落的是存储器指数:89.9涨跌值:-3.42涨跌幅:-3.66%，纵观IC Insights预测2013年半导体销售额排名，看看那些今年排名上升的不都是些存储器方面的企业，在前20强中预计海力士的销售额增幅*大达到44％。可谓是一把火火了DRAM，也该跌跌了，跌吧！就会有板块跟风，像

2013年第三季全球移动存储器总值33亿美元

全新LSISandForce®SSD控制器推高闪存性能

LSI公司日前宣布市场**的SandForce®闪存控制器产品系列推出第三代。这项业界*广泛部署的闪存管理技术适用于驱动PCIe®及SATA固态硬盘(SSD)以及闪存卡解决方案。*新LSI® SandForce SF3700 闪存控制器系列旨在支持低功耗客户端计算应用、I/O密集型企业以及超大规模环境，可提供更高水平的闪存性能、可靠性与耐久度，充分满足SSD制造商的严格要求。SF3700系列是业界首款能够在单个部件中支持原生PCIe Gen2 x4及SATA 6Gb/s主机接口的闪存控制器，提高灵活性。这种独特功能不仅可显著简化SSD设计，而且还有助于显著降低SSD制造商的开发与制造成本。由于SF3700系列支持PCIe接口，因而用户可实现超过1.8GB/s顺序读取的突破性客户端性能，与基于SATA的解决方案相比，性能锐升3倍。LSI副总裁兼闪存组件部总经理Huibert Verhoeven表示：“从日常生活到超大规模数据中心，闪存存储解决方案都在改变着数据存储的速度与效率。SF3700系列采用重新设计的全新架构，可提供****的闪存性能与超长使用寿命，驱动当前及未来便携式客户端计算、

日美20家芯片公司联手：MRAM要革DRAM的命？

据CNET引《日经新闻》报道，日本、美国的20多家芯片公司组成研发联盟，将共同开发下一代“磁随机存取存储器”（MRAM），有望替代目前的存储方案——DRAM（动态随机存储）。包括东京电子（Tokyo Electron）、信越化学工业（Shin-Etsu Chemical）、瑞萨电子（Renesas Electronics）、日立等日本公司，以及美国芯片巨头美光科技在内的20多家芯片厂商，计划在明年2月份启动一项MRAM存储技术研发项目。上述公司将派几十名研究人员进驻日本东北大学开展这项新技术的研发，团队***为远藤哲夫（Tetsuo Endoh）教授。与DRAM存储技术相比，MRAM耗电量仅为DRAM三分之一，但读写速度却达到前者十倍。从理论上来讲，MRAM存储技术优势使其更适合于应用到下一代智能手机和平板电脑。不过是否真正得以实现还有待进一步观察。报道称，预计MRAM存储技术被大规模应用还需等到2018年。值得注意的是，DRAM龙头三星以及同为韩企的海力士均不在此联盟中

系统产品价格持稳2013Q3NANDFlash品牌供货商营收季增8.8%

ICInsights预测2013年半导体销售额排名

多巨头力挺西安高新区登顶国内半导体存储器产业

今年前三季度，美光在西安的进出口总额已经超过50亿美元。随着美光公司新的封装测试项目进驻，以及三星电子项目的即将竣工投产，西安可谓是吸纳了国际半导体产业领域，尤其是半导体存储器产业领域***企业进驻，也使得西安高新区一举成为我国半导体存储器产业领域**极。半导体存储器**战略地位 存储器芯片早已被喻为信息产业和各类电子产品的“粮食”。随着各类整机性能和数据处理需求的急剧增长，系统级芯片的迅猛发展，存储器芯片在各类芯片和电子整机产品中的作用越来越重要。这使与CPU配合的动态存储芯片容量越来越大，性能要求越来越高；CPU本身性能的提升使其内部存储器的面积越来越大，而随着数据的核爆炸式增长和使用者对数据吞吐性能的不断提高，各类外部存储系统越来越多地采用半导体存储。2012年全球半导体集成电路市场达到2916亿美元，中国进口集成电路产品1920.6亿美元，占到66%，但是真正本土集成电路产值只有91亿美元。2012年中国半导体存储器市场占比为20.2%，总额达到380亿美元，主要依靠进口，而且未来5年将以两位数的速度继续增长。当前，世界范围内，存储器市场和核心技术主要被韩国（三星、海力士）、美

ICInsights：半导体前20名榜单较去年大不同

根据IC Insights统计，今年半导体前 5 大排名，海力士由于DRAM产业秩序稳定，因此营收成长力道强劲，排名从去年第 8 名挤进第 5 名，而手机晶片联发科今年受惠低价智慧型手机市场需求推升，营收与出货表现亮眼，营收估达45.15亿美元，年增率34%为全球第 2 高，优于高通的30%，排名则挤入第16名。IC Insights指出，今年半导体前20名的排名有许多改变，其中*引注意的是海力士，虽然下半年中国厂区失火，不过今年在DRAM产业秩序回稳带动下，营收成长到130.4亿美元，成长率44%为全球第 1 ，排名则是挤掉德仪进入第 5 大。而联发科受惠中低价智慧型手机产品需求带动，包含中国大陆与其他新兴市场规模成长，营收达45.15亿美元，年增率达34%，为全球第 2 高，排名则从2012年的第22名挤进第16名。根据IC Insights统计，半导体营收规模前 5 大排名中，前 4 大顺率不变，分别是英特尔、三星、台积电与高通，营收规模分别达483.2亿美元、335.9亿美元、198亿美元与171.45亿美元，年增率为-2%、 4 %、17%与30%，第 5 名由海力士挤掉德仪

全球第三季内存产值营收续攀升9%，三星成长表现*亮眼

主流4GBDDR3合约价格十月份小幅走高

据业内人士透露，DRAM合约价格将在10月小幅走高，其中，4GB DDR3模块价格涨幅高达两位数。主流4GB DDR3模块10月合约价格预计将达到35-38美元。集邦科技已表示，由于受到海力士工厂火灾影响，九月下半个月，4GB DDR3模块价格已经涨到32美元，较八月下半个月同比增长约14.3%。消息人士指出，由于PC代工厂商获得的供应有限和库存降低， DRAM合约价格在10月和11月可能继续上涨。2Gb DDR3芯片现货价格，现在报价高达2.50美元，而为4Gb DDR3价格已上涨到4.50美元。其他消息方面，海力士已经显着增加DRAM芯片生产能力，海力士韩国的晶圆厂已经调拨NAND闪存产能来生成DRAM ，以抵消中国工厂火灾造成的生产损失。

移动应用牵头，2013年非PCDRAM需求成长46%

朝着三维迈进的半导体技术

半导体领域3D技术日益重要

*近，“三维”一词在半导体领域出现得十分频繁。比如，英特尔采用22nm工艺制造的采用立体通道结构的“三维晶体管”、8月份三星电子宣布量产的“三维NAND闪存”，以及利用TSV（硅通孔）来层叠并连接半导体芯片的“三维LSI”等。 在半导体领域，原来的二维微细化（定标，Scaling）已逐步接近极限，各种三维技术变得十分必要。三维晶体管已广泛应用于微处理器，三维NAND闪存也有望在2014年以后、以服务器用SSD等为中心不断普及。但是，除了部分CMOS图像传感器及FPGA之外，却很少听到基于TSV的三维LSI的量产消息。 关于三维LSI，*初业界曾传出某项技术将被智能手机应用处理器（SoC）和DRAM大量采用的消息。那就是通过层叠SoC和DRAM、通过高密度TSV进行三维连接来实现大带宽的“Wide I/O”技术。业界曾期待高通等SoC厂商采用该技术，在2013～2014年开始量产。但实际情况是，Wide I/O的采用被搁置了。 原因在于该技术的成本太高。野村证券的成本分析结果显示，由SoC和DRAM构成的三维LSI的制造成本是原来的PoP（package on package）产品的约2

德尔福使用Labview和CompactRIO开发助力转向仿真反馈系统

“我们在短短两个月时间里就利用NI CompactRIO硬件和NI LabVIEW软件开发了一套包含复杂算法的转向反作用力仿真系统。“挑战：开发一个转向反作用力仿真系统，可以从不同传感器采集数据，进行计算、信息匹配、并产生输出，并能够可靠地执行一系列需要快速响应的实时任务。解决方案：使用NI CompactRIO硬件和NI LabVIEW软件在短短两个月内开发一个基于复杂算法的转向反作用力仿真系统。对驾驶过程中转向反作用力的仿真一直是动态变化的，因为它取决于车速、转向角度以及道路状况。另外，此仿真系统还必须具备快速响应时间，以便通过部件产生反作用力。在车速、转向角度、转向角加速度数据的基础上我们得到了转向力矩数据图，并根据此图计算出*终的反作用力。然后，我们把这些值传给一个液压系统来仿真实现*终的反作用力。我们设计系统逻辑，从不同传感器获得数据、计算数据、匹配地图数据，产生输出，并可靠、快速地执行一系列实时任务。系统概述我们选择LabVIEW和CompactRIO来创建我们的系统。我们选择了可扩展的8槽NI cRIO-9116机箱。它有一个Xilinx Virtex-5现场可编程门阵列

二代提速硬件仿真关注功耗/速度优势IP公司

Cadence CDNLive上海站，厂商聊的*多的，大家*想了解的，自然是刚刚在北京**的Palladium XP II验证平台和系统开发增强套件。作为Palladium XP仿真系统的更新产品，二代产品*多可以将验证性能再提高50%，更将其业界**的容量扩展至23亿门。而Cadence也是**在美国以外推出新品发布，其中包含的种种深意，也是值得好好探究一番……硬件仿真平台发展的深意随着芯片设计的复杂度越来越高，验证工程师已经不能高效地使用传统RTL模拟器进行SoC级或系统级模拟;规模大于1600万门设计的运行时性能不能线性扩展。同时，确认SoC的系统级复杂性要求验证工程师利用系统激励、嵌入式软件来协助验证系统级背景下SoC的性能和行为。为了克服这些困难，越来越多的验证工程师开始使用像Palladium XP/XP II这样的硬件辅助验证平台来提高他们的验证效率和产品质量。SoC成本越来越高，验证速度和成本如何平衡?Cadence公司全球销售兼系统与验证部门**副总裁黄小立先生在谈到产品验证速度和成本时，作了一个很形象的比较。验证环节如果不用新型工具，就只能采取人海战术，需要投入几百

回顾日本半导体行业28年沉浮史

物竞天择,适者生存。——查尔斯·达尔文 在ICInsights发布的2013上半年全球**的半导体厂商销售额排行榜中，包括了英特尔、三星和台积电等在过去的六个月销售额名列前茅的**厂商，和过去没有太大变化。然而值得注意的是，在2013上���年前十大厂商排名中，仅有东芝一家日本厂商上榜。任何有一定半导体行业从业经验的人都会意识到，曾经一度被业界所畏惧和尊敬的日本半导体行业经历了重大的转变和巨大的损失。下图显示了从1985年到2013上半年的全球半导体厂商Top10的排名情况。在1985年，共有五家日本厂商进入Top10名单，它们在全球舞台上发挥着举足轻重的影响力。到了1990年，有六家日本厂商跻身全球前十大半导体厂商，迄今为止，这一纪录尚未被其他国家或地区超越。然而在1995年，前十大半导体厂商中的日本厂商数量下降为四家，下滑趋势从此便一发不可收拾。从2000年和2006年的三家到2012年的两家，再到2013年上半年的一家。全球半导体厂商销售额排名那些从Top10名单上消失的厂商 值得注意的是，瑞萨(第11位)、索尼(第16位)和富士通(第22位)在2013上半年都进入了前25名。然而索

DDR3现在依然坚挺DDR4或两年后成主流

大火重创晶圆厂，影响SK海力士产能高达60K

根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，SK海力士无锡厂于台湾时间9月4日下午三时左右遭祝融袭击引发DRAM产业及相关供应链关注，经过连日查证与分析，众多情报指出起火来源皆指向晶圆厂内的CVD(Chemical Vapor Deposition)重要机台楼层，除机台烧毁外，产生的浓烟与**停电导致无尘室遭浓烟污染，亦重创在线生产中的晶圆，所幸SK海力士无锡厂是以双子星架构设计，无尘室等重要设施皆以独立系统来运作，当发生公安意外时，仍可力保一半产能，避免工厂全数付之一炬。 TrendForce表示，这次火灾虽保住一半产能，但据传此部份区域也遭浓烟入侵，复工日期仍在确定中，由于起火点在无尘室内，在设备与无尘室受损下，另一半产能短期内复工难度极高。据熟悉半导体厂设备人士表示，完全复工时间将长达三个月至半年以上，SK海力士已经派出百位专家与工程师紧急进驻抢修，希望可以在*短期间恢复正常运作，唯无锡厂受创已经确定，对于DRAM产业的供给将会造成一定程度的冲击。影响时间至少两个月，三星与美光成*大受益者由于SK海力士无锡厂仍在**停工中，短期来看

海力士10月复工MCP缺货晶豪科Q4接手

韩国存储器厂SK海力士（SK Hynix）无锡厂大火后，等到11月中旬之后才能回复到火灾前产能进行投片，亦即PC或手机厂要拿到足够货源仍要等到明年。由于SK海力士是大陆多芯片存储器模块（MCP）*大供应商，现在确定无法在第4季回复正常出货，联发科、高通、展讯等手机芯片厂已建议客户提早备货，晶豪科（3006）受惠急单大涌入，第4季MCP接单已经全满。SK海力士无锡厂9月初大火后，现在已开始进入厂区进行善后工作，虽然外界仍不清楚实际受损情况，但SK海力士已通知客户要等到11月中旬之后，才有办法回复火灾前产能，并开始重新进行投片。业界人士指出，若11月中旬才行全产能进行投片，加上进行后段封装测试，整个前置时间（lead time）大约需要2～2.5个月，由此来看，SK海力士无锡厂真正开出产能并交货给客户，也是明年1月或2月的事，不仅赶不上今年底圣诞节旺季，明年初中国农历年旺季也无法足额供货。由于SK海力士的供货时间大致底定，但三星及美光因多数标准型DRAM及Mobile DRAM产能均被OEM及手机大厂包下，也无多余货源能释出到现货市场，也因此，近期标准型DRAM价格持续飙涨，4Gb DDR

三星半导体：Memory厂商配合手机公司降低功耗

上海三星半导体有限公司华北大区销售总经理刘君狄：4G/LTE等对下载视频的需求量更大，Flash Memory需要从16GB提升至32GB，甚至64GB，。另外，由于处理的像素和高清片源增加，DRAM的容量需求也会增加。加上更大的屏幕，更高的带宽，这些都需要消耗更多的功耗，所以对于Memory来说，我们也会往低功耗这个方向快速演进。现在，一些主流平台已开始从LP DDR2转向LP DDR3，明年会介入LP DDR4，并且制造工艺也会向更小尺寸演进。LP DDR4不仅传输带宽更高，且功耗也会更低。越高的屏幕分辨率会导致功耗会快速增加，我们也在与客户一起来想办法降低功耗。比如刷屏的时候，不是全屏刷，而是半屏刷，这样可以降低功耗。有些厂商需要用RAW格式来存储照片，以满足发烧友的需求，这会用到很多的Memory，我们也会配合客户去实施。此外，高速连拍也会对Memory有更高的需求。

单日*大幅度DRAM现货价急涨19%

明年市场很景气业界均看好

台湾半导体展（SEMICON Taiwan 2013）今（4）日登场，主办单位国际半导体设备材料产业协会（SEMI）指出，在台积电的领军下，台湾蝉联全球半导体设备与材料市场双**，投资金额分别达到104.3亿美元和105.5亿美元。而华亚科总经理Scott Meikle、日月光技术长唐和明、汉微科董事长许金荣等昨日则异口同声看好2014年半导体市场景气将持续复苏。过去几年来，台湾的半导体晶圆厂设备与材料支出几乎都居世界首位，让台湾成为全球*重要的半导体市场。SEMI台湾区总裁曹世纶表示，设备材料投资居冠，再次证明台湾在全球半导体制造市场无可取代的地位，随着先进半导体制程演进，关键设备与材料在其中扮演角色愈来愈重要，因此，SEMI将持续促进设备材料业者与制造和设计公司沟通合作，提升台湾半导体产业竞争力。华亚科技总经理Scott Meikle昨日指出，美光与尔必达公司合并后，市场上目前仅存3个主要供应商，但由需求面来看，行动装置销售量激增，服务器、网络、消费性电子及汽车市场的持续发展，实质上已让DRAM应用终端市场产生多元化的样貌。由现今市场上这些多元的供给与需求状况来看，不太可能再见到如

无锡海力士厂房爆炸DRAM行情骤涨

韩国DRAM大厂海力士（Hynix）位于江苏无锡DRAM厂昨天发生爆炸，由于火势猛烈、浓烟漫布，估计受创严重，牵动DRAM供应。全球DRAM大厂三星、美光及南科等相继暂停报价，并停止接单。业者指出，海力士无锡厂每月晶圆投片量高达15万片，占全球DRAM供应高达15%，虽然目前还无得知受损情况，但从初步讯息，至少有一个厂烧毁，且生产线**中断，DRAM短期供应短缺，甚至造成DRAM现货价立即飙升。由于稍早也有传出海力士也有将部分产能转作储存型快闪存储器NAND Flash，因此如果爆炸失火也波及NAND Flash ，也将推升NAND Flash价格翻扬。从网站传出的时间推算，爆炸时间约在下午4时30分，现场浓烟冲天，警消也到场抢救，但一时仍无法控制，目前还不清楚伤亡人数，以及受灾情况。更传出现场有不明气体外泄，厂区人员疏散，但并未获得大陆官方证实，海力士也未针对爆炸原因和受损情况提出说明。三星代理商至上昨天表示，消息发生后接到三星指示暂停报价。南科总经理高启全昨天表示，他是下午近5时接获通报，得知此消息，他表示，「同为DRAM供应链，这是很不幸的事。」

**业界Altera的FPGA与Micron混合内存立方实现互操作

Altera公司和Micron技术有限公司 (“Micron”)今天宣布，双方联合成功展示了Altera Stratix V FPGA和Micron混合内存立方 (Hybrid Memory Cube, 简称HMC)的互操作性。采用这一成功的技术，系统设计人员能够在下一代通信和高性能计算设计中充分发挥FPGA和SoC的HMC优势。这一展示表明了Altera的10代系列产品对HMC产品的支持进行了早期验证，能够及时将产品推向市场，包括Stratix 10以及Arria 10 FPGA和SoC。HMC得到了业界**公司和*有影响公司的认可，一直是解决传统存储器技术无法处理的问题的*佳方案，具有超高系统性能，大幅度降低了单位比特的功耗。HMC的带宽是DDR3模块的15倍，能耗比现有技术低70%，占用空间减少了90%。采用HMC的抽象存储器技术，设计人员能够有更多的时间发挥HMC的**特性和性能优势，节省了为实现基本功能而设置存储器参数的时间。这一技术还可以管理由于存储器工艺差异导致的纠错、弹回等其他参数。Micron预计会在下半年开始提供HMC样片，2014年开始量产。Micron技术公司的

Altera的FPGA与Micron混合内存立方实现互操作，共同**业界

Altera公司和Micron技术有限公司今天宣布，双方联合成功展示了Altera Stratix® V FPGA和Micron混合内存立方 (Hybrid Memory Cube, 简称HMC)的互操作性。采用这一成功的技术，系统设计人员能够在下一代通信和高性能计算设计中充分发挥FPGA和SoC的HMC优势。这一展示表明了Altera的10代系列产品对HMC产品的支持进行了早期验证，能够及时将产品推向市场，包括Stratix 10以及Arria 10 FPGA和SoC。HMC得到了业界**公司和*有影响公司的认可，一直是解决传统存储器技术无法处理的问题的*佳方案，具有超高系统性能，大幅度降低了单位比特的功耗。HMC的带宽是DDR3模块的15倍，能耗比现有技术低70%，占用空间减少了90%。采用HMC的抽象存储器技术，设计人员能够有更多的时间发挥HMC的**特性和性能优势，节省了为实现基本功能而设置存储器参数的时间。这一技术还可以管理由于存储器工艺差异导致的纠错、弹回等其他参数。Micron预计会在下半年开始提供HMC样片，2014年开始量产。Micron技术公司的DRAM解决方案副总

14nm工艺制程竞赛：六仙过海各显神通

摩尔定律即将敲响终止的音符，业界对于半导体业的前景也产生了各种看法，其中从大的方面，包括从工艺来看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的进程等。显然时至今日尚没有非常清楚的路线图，但是硅基半导体之后采用什么材料仍值得人们期待。英特尔：继续执行“Tick-Tock”发展策略英特尔预计2014年导入14nm制程量产，2015年导入10nm制程，并计划于2017年达到7nm。据英特尔已经公布的工艺路线图显示，在2013年时将实现14nm，之后FD-SOI是22nm强势候选技术尽管SOI技术有优势，但继续往14nm及以下节点走时可2014年推出16nm FinFET工艺台积电的着眼点不仅在于工艺制程的缩小，同样也聚焦在CoWoS即所谓3D IC制造上。台积电**技术官兼研发副总裁孙元成在2013年4月已经透露其官方的CMOS工艺路线图，从2013年先进的20nm平面SoC开始，至2014年台积电将采用16nm节点的FinFET工艺制程，使用低供电电压，从0.8V降至 0.6V，从而使超低功耗处理器如ARMv8尽可完成14nm FinFET测试芯片流片三星

中国半浮栅晶体管横空出世应避免被国外赶超

8月9日出版的《科学》（Science）杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组*半浮栅晶体管（SFGT，Semi-Floating-GateTransistor）。这是我国科学家在该**学术期刊上发表的**篇微电子器件领域的原创性成果，标志着我国在全球**集成电路技术创是目前集成电路中*基本的器件，工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸正在不断缩小，而其功率密度也一直在升高。人们常用的U盘等闪存芯片则采用了另一种称为浮栅晶体管的器件。闪存又称为“非挥发性存储器”——所谓“非挥发”，即指芯片在没有供电的情况下，信息仍和较长的时间（微秒级）。复旦大学的科研人员们把一个隧穿场效应晶体管（TFET）和浮栅器件结合起来，构成了一种全的二氧化硅绝缘介质，而半浮栅晶体管的隧穿发生在禁带宽度仅1.1eV的硅材料内，隧穿势垒大为降低。潜在市场巨大作为一种。由单个半浮栅晶体管构成的新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上，感光单元密度提高，使图像传感器芯片的分辨率和灵���度得到提升。目前，SRAM、DRAM和图像传感器技术的核心**基本上由美光、三星、Intel、索尼等国外公司控制。“在这些领域，中国大陆具

2012年全球存储器模组厂营收排名大厂独大

白牌平板多方受困，海外订单成突围关键

成亦萧何败亦萧何日本半导体行业28年沉浮史回顾

2013Q2全球行动式内存营收季增11%，SK海力士成业界黑马

Q2移动存储器营收排名，三星外购策略惠及对手

台湾半导体产值逐季增

根据台湾半导体产业协会（TSIA）、工研院IEK、经济部ITIS计划的共同统计，第2季台湾整体IC产业产值达新台币4,800亿元，较第1季大幅成长16.8％，主要受惠于行动装置强劲销售。不过，因第2季基期已高，预估第3季成长将趋缓，整体产值约达5,069亿元，季增率为5.6％。由于第2季台湾半导体生产链营收表现大幅优于预期，加上预估第3季持续成长，先前预估今年全年半导体产业产值为17,856亿元，已上修4.7％到18,703亿元，年成长率亦由原先预估的9.3％大幅上修到14.4％。虽然全球PC/NB市场出货量持续衰退，但因低价行动装置热卖，加上大陆暑假提前拉货效应发酵，第2季台湾IC设计业产值为新台币1,216亿元，较第1季大幅成长20.2％。而在半导体制造部份，同样受惠于行动装置强劲需求，第2季产值季增16.7％达2,174亿元，其中，晶圆代工产业单季产值达1,973亿元，季增率达16％，存储器制造产业则受惠于DRAM价格大涨，单季产值季增19.5％达565亿元。受惠于通讯芯片客户订单回笼，带动封测业第2季整体表现，加上上游晶圆代工第2季营收强劲反弹，支撑封测厂的接单，封测产业第2季

联电与高拓讯达携手展示解调器ATBM7812

联 ETSI EN 302 755 V1.3.1 (DVB-T2)、 ETSI EN 300 744 V1.6.1 (DVB-T)、 ETSI EN 300 429 V1.2.1 (DVB-C)、 ETSI EN 302 307 V1.2.1 (DVB-S2)与ETSI EN 300 421 V1.1.2 (DVB-S)。此外， ATBM7812也可满足以下* NorDig Unified Spec V2.4 and NorDig Unified Test Spec V2.2.2与Book 7 V2 。联华电子URAM制程是获**的嵌入式DRAM技术(eDRAM)。与传统的嵌入式SRAM或外部DRAM相较， URAM技术可提高产品效能、降低功耗、并且缩小芯片尺寸。联华电子在涵盖广泛的制程平台(*先进至65奈米)都提供了URAM技术，并拥有多年的成功制造经验，及经验证的良率表现。 URAM技术是许多应用产品的理想选择，包含解调器、时序控制、触控显示屏驱动器、网络应用客制化芯片等等。高拓讯达的工程团队已于今年Broadcast Asia Conference大会上成功验证ATBM7812-

应用材料公司发布2013财年第三季度财务报告

应用材料公司公布了截止于2013年7月28日的2013财年第三季度财务报告。本季度，应用材料公司的订单额为20亿美元，较**季度减少12%，主要由于晶圆代工业务的订单额出现季节性下滑，但存储芯片和逻辑芯片订单增加，加之应用材料全球服务产品事业部(AGS)以及平板显示产品事业部订单额保持增长，在一定程度上抵消了晶圆订单下滑的影响。第三季度公司实现净销售额19.8亿美元，较上一季度基本持平。本季度，调整后的非GAAP运营收入为3.12亿美元，调整后的非GAAP净收入为2.23亿美元（稀释后每股盈余18美分）。GAAP运营收入为2.5亿美元，净收入1.68亿美元（稀释后每股盈余14美分）。应用材料公司董事长兼**执行官麦克?斯普林特表示：“得益于消费者对移动设备和大屏幕电视机的喜好，应用材料公司的半导体和显示设备产品需求增长稳健。此外，我们也注意到应用材料公司存储芯片客户的投资规模开始加大，我们平板显示产品事业部的订单额也创下近两年一些与收购相关的费用；重组费用及任何相关的调整；减值资产、商誉、或投资；设备出售所得收益及损失；以及特定税费项目。GAAP和非GAAP业绩之间的调整信息包含在本的