12月12日，工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在江苏南京举办以“推动整机与芯片联动，打造集成电路大产业链”为主题的“2013中国集成电路产业促进大会暨第八届‘中国芯’颁奖典礼”。会议期间，受邀采访到来自武汉新芯董事长兼总裁王继增先生。
据了解，武汉新芯集成电路制造有限公司是建国以来湖北省单体投资规模*大的高科技制造项目，是国家认定的首批重点集成电路生产企业。主要采用90纳米及更高工艺技术水平生产12英寸存储类逻辑芯片，包括动态存储器（DRAM），静态存储器（SRAM），闪存（FLASH）等，这些产品是各类消费类电子产品的核心部件广泛应用于如计算机、数码相机、MP4、数字家电、手机、显示器等领域。半导体作为国家战略部署产业，武汉新芯受惠于国家政策以及资金的支持。
王继增先生在采访中表示，新芯目前积极同国内微电所、知名院校进行合作，布局**的技术领域。同时表达出愿与行业上下同仁，共同打造产业生态环境。
全球应用NOR闪存技术的产量保持在35亿到40亿的规模，由于在低容量市场收到廉价NAND器件的冲击，所以其市场容量近一年下降了近10%，新芯会将产量维持在定量生产。其中45nm技术已做到8G，达到国际**水平。
对于公司未来的发展，王继增先生指出，在OEM代工市场，中芯国际等企业已经达到较高的发展水平，新芯将走差异化的发展，在分析国内外市场之后，发现3D NOR技术封装将是未来发展的重点方向，集成电路在技术研发中，会发现伴随着芯片的压缩，其成本会大幅度提高。2015年3D NOR将替代2DNOR实现高速发展水平。
从全球来看，3D NOR市场还在起步阶段，目前只有三星产出样品，新芯将在此项技术加大投入，决心成为中国存储半导体**企业。3D NOR的发展相比芯片萎缩会节约大量的成本，国内市场需求占据全球近半数，在保证45nm技术的同时，进行3d技术提升，并将揉合mobile rom设计，伴随着终端设备功能的不断完善，对芯片的需要也逐年增加，技术要求也增强。新芯的目标打造ISM（集成次系统组件）制造商，进行自有存储品牌生产。
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