8月9日出版的《科学》（Science）杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组*半浮栅晶体管（SFGT，Semi-Floating-GateTransistor）。这是我国科学家在该**学术期刊上发表的**篇微电子器件领域的原创性成果，标志着我国在全球**集成电路技术创是目前集成电路中*基本的器件，工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸正在不断缩小，而其功率密度也一直在升高。
人们常用的U盘等闪存芯片则采用了另一种称为浮栅晶体管的器件。闪存又称为“非挥发性存储器”——所谓“非挥发”，即指芯片在没有供电的情况下，信息仍和较长的时间（微秒级）。
复旦大学的科研人员们把一个隧穿场效应晶体管（TFET）和浮栅器件结合起来，构成了一种全的二氧化硅绝缘介质，而半浮栅晶体管的隧穿发生在禁带宽度仅1.1eV的硅材料内，隧穿势垒大为降低。
潜在市场巨大
作为一种。由单个半浮栅晶体管构成的新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上，感光单元密度提高，使图像传感器芯片的分辨率和灵敏度得到提升。
目前，SRAM、DRAM和图像传感器技术的核心**基本上由美光、三星、Intel、索尼等国外公司控制。
“在这些领域，中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。”张卫说。
据了解，半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模可达到300亿美元以上。而且，半浮栅晶体管兼容现有主流硅集成电路制造工艺，并不需要对现有集成电路制造工艺进行很大的改动，具有很好的产业化基础。
据张卫透露，目前针对半浮栅晶体管的优化和电路设计工作已经开始。对于产业化进程，他表示，希望能够有设计和制造伙伴与科研团队进行对接，向产业化推进。
不过，拥有核心**并不等于拥有未来的广阔市场。尽管半浮栅晶体管应用市场广阔，但前提是必须进行核心**的优化布局。
张卫表示，希望能布局得更快一点，避免被国外的大公司赶超。实际上，国外大公司拥有资金和人才优势，可以大规模申请**，与之对比，张卫课题组明显“势单力薄”。他表示，目前的半浮栅晶体管是在较大工艺技术节点上实现的，主要是为了验证器件性能。未来研究工作主要集中于器件性能的优化和进一步提升，相关应用的电路设计和关键IP技术，以及技术节点缩小带来的一系列工艺问题等。
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