联 ETSI EN 302 755 V1.3.1 (DVB-T2)、 ETSI EN 300 744 V1.6.1 (DVB-T)、 ETSI EN 300 429 V1.2.1 (DVB-C)、 ETSI EN 302 307 V1.2.1 (DVB-S2)与ETSI EN 300 421 V1.1.2 (DVB-S)。此外， ATBM7812也可满足以下* NorDig Unified Spec V2.4 and NorDig Unified Test Spec V2.2.2与Book 7 V2 。
联华电子URAM制程是获**的嵌入式DRAM技术(eDRAM)。与传统的嵌入式SRAM或外部DRAM相较， URAM技术可提高产品效能、降低功耗、并且缩小芯片尺寸。联华电子在涵盖广泛的制程平台(*先进至65奈米)都提供了URAM技术，并拥有多年的成功制造经验，及经验证的良率表现。 URAM技术是许多应用产品的理想选择，包含解调器、时序控制、触控显示屏驱动器、网络应用客制化芯片等等。
高拓讯达的工程团队已于今年Broadcast Asia Conference大会上成功验证ATBM7812-powered STB 。ATBM7812在解调不同DVB-T2电视广播讯号，包含具有L1 post-scrambling的 multi-PLP ，以及T2-Lite等讯号时，展现了**的接收能力。
ATBM7812现已可提供进行design-in 。
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