郭台铭入主东芝？半导体部门分社化日媒点名鸿海

日本电子大厂东芝（Toshiba）因在美国投资的核能事业亏损陷入财务危机，廿七日决定将主力事业半导体部门分离成立独立公司，对外出售部分股权来筹措资金度过难关。日本媒体点名鸿海董事长郭台铭展现极大兴趣，在收购夏普（Sharp）后，可能又入主东芝。 东芝廿七日举行董事会，正式决议在三月底前将半导体部门分社化，计画出售新公司股权以得到资金挹注，出售比例以两成为上限。东芝董事会也决定转换经营战略，不再将重心放在发展核能事业。东芝将剥离核电业务，成立直属社长的组织，以加强管理出现问题的美国子公司西屋电气（WH）。日本媒体「东洋经济」报导，去年甫收购日本家电大厂夏普的郭台铭，对东芝展现极大兴趣，入股或收购部分事业都是可能选项。其他有意出资的对手还包括日本电子大厂佳能(Canon)、全球*大硬碟厂商威腾电子（Western Digital）、美国银湖投资集团(Silver Lake Partners)等。东洋经济报导指出，鸿海相当关注东芝的半导体和八Ｋ影像技术，并渴望得到八Ｋ影像的核心内容，借此生产出能播放超高画质影片的电视机。鸿海本身虽未生产半导体，但集团旗下夏普在广岛有半导体工厂，若能取得东芝的

东芝单芯片低脚数MCU可实现多电机控制

东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布，公司已成功研发出一个新的微控制器产品族—“M4K族”，该族产品支持利用低脚数（32-64个引脚）单芯片控制多个电机。MK4族是东芝高速、低功耗微控制器TXZ™系列中的**组产品，这些微控制器集成ARM® Cortex®-M内核，13款产品的样品发货将于10月启动。随着节能法规日益严苛，产品持续小型化，市场对可有效控制多个电机的低脚数微控制器（MCU）的需求日益增加。这些新产品满足空调等家用电器电机控制系统的需求，它们基于整合有浮点处理单元的ARM® Cortex®-M4F。集成功能包括转换速度达0.5μs的高精度模数转换器、操作频率高达80MHz的高速闪存以及用于东芝原创矢量控制引擎的协同处理器。这些集成功能可共同确保这些新产品实现高效的电机控制，同时提高功率因数和系统控制。这些新产品支持RAMScope接口，可通过将与电机控制有关的参数加载至RAM，无需停止电机，即可进行参数实时确认。这些产品还整合了自行诊断功能和CRC算法电路，前者用于确认模数转换器的基准电压，后者用于对内存的每一次读操作进行错误检测，它们有助于减轻功能**性［1］

东芝逃过一劫 投资者同意不提前调用贷款

路透社今日援引两位知情人士的消息称，主要投资者已经同意东芝的请求，不提前调用贷款。东芝本月10日会见了公司债权人，希望他们不要利用贷款协议中规定的条款来提前调用其贷款，从而赋予公司更多的时间来制定复苏计划。知情人士今日称，包括三井住友银行、瑞穗银行和三菱东京UFJ银行在内的主要债权人已经同意东芝的请求，至少在2月底前不会调用贷款。下个月，东芝将再次会见债权人，并通报*终的减损数字。 东芝去年12月27日宣布，可能对能源部门进行数十亿美元的资产减记，主要由于旗下核电企业西屋（Westinghouse）收购美国核电业务所导致。这让投资者大失所望，也导致东芝于1月10紧急约见投资者。知情人士称，由于东芝的信贷级别被大大调低，足以让投资者提前撤出投资。去年12月，在东芝宣布数十亿美元的资产减记后，标准普尔等评级机构纷纷调低了东芝的信贷等级。知情人士称，截至去年9月，东芝拥有约8000亿日元（约合70.4亿美元）的银行贷款。这其中，大部分已获得债权人的同意，不提前调用。只有部分区域性银行反对东芝的建议。当前，东芝严重依赖于出借方度过*新的危机。东芝股票目前仍位于东京证券交易所的观察名单上，已不可

东芝核能事业大亏　分拆芯片业务求生存

挺过2015年虚报利润的假帐风波之后，东芝(Toshiba)大刀阔斧进行瘦身与改组，并有希望在连续2年亏损共5,000亿日圆后，转亏为盈。然而眼下美国核能业务的钜额亏损，将使东芝实现盈利的希望破灭。 根据金融时报(FT)报道，东芝在2016年12月27日承认，为反映S&W美国核电厂计画的延迟与成本超支，将认列数十亿美元的减损，消息释出后，东芝股价3天内下跌了42%，信评机构也已调降东芝的信用评等。但东芝的危机并未解除，日前该公司表示，正考虑分拆其获利甚佳的内存事业以补足财务缺口。分析师预测东芝认列的减损金额范围在50~80亿美元之间，若将非核心资产减价出售，约值50亿美元，让融资银行十分紧张。棘手的核能业务由于牵涉日本能源政策，无法说卖就卖，使东芝只能将脑筋动到金鸡母的快闪存储器部门身上。尽管东芝在会计造假丑闻爆发后力图振作，成效不彰的旧领导团队也已引咎辞职，新董事会将恪遵公司治理标准，然而2015年底，董事会同意东芝在美国的子公司西屋电气(Westinghouse)收购Chicago Bridge & Iron旗下的核电厂营造商S&W (Stone & Webster)，种下今日钜额

东芝想卖半导体业务股权　威腾可望接手

日经新闻(Nikkei)报道，面对美国核电业务的资产减值亏损，东芝(Toshiba)正考虑分拆旗下的半导体业务，并释出20%的股权，价值约2,000~3,000亿日圆(17.7~26.6亿美元)，消息释出后，威腾电子(Western Digital；WD)和几家私募基金已表达兴趣。东芝希望*快能在2017年上半将芯片业务独立出来。 东芝在公布2016会计年度第2季财报时曾表示，内存业务是该公司的核心业务，并已达成12%的营业利益率，超乎预期。分拆芯片业务将可帮助东芝取得短期资金，更容易获得银行融资及资金，进行资本投资，毕竟内存业务虽然利润颇丰，但研发成本相对也比较高。根据EE Times报道，3D NAND技术是东芝芯片业务的金鸡母，由于消费性电子产品和企业储存领域对内存的需求不断增加，带动NAND快闪存储器市场，尤其是3D NAND内存大幅成长。研究机构Allied Market Research的报告便指出，2014~2022年内存市场的年复合成长率可达33.7%，规模为390亿美元。Nasdaq Stock Market网站认为，威腾在收购东芝半导体业务股权方面占有先天优势，20

东芝拟就西屋电气计提损失 或达数百亿日元

北京时间1月13日下午消息，东芝公司拟对美国核能子公司西屋电气（WH）的业务价值和资产重新估值并计提损失，损失额可能达数百亿日元规模，东芝的财务状况恐将愈发恶化。 此次重估源自西屋电气操办的一笔收购。据共同社报道，东芝上月发布消息称，2015年底收购的芝加哥桥梁与钢铁公司/石伟公司（CB&I/Stone and Webster）预计将出现数千亿日元规模的损失，而实际操办该笔收购的正是西屋电气。据分析，上述收购可能严重损害了西屋电气本身的业务价值，东芝认为有必要对两家公司分别进行详细评估。若计提损失，东芝将实施减值损失处理，调低对西屋电气的资产和业务估值，这可能使东芝财务状况愈加恶化。自会计丑闻曝光之后，东芝财务问题一直受到关注。近日，日本《朝日新闻》援引知情人的消息称，日本证券交易监督委员会怀疑东芝存有虚报利润的行为：在截至2014年3月的三个财年中，东芝虚报约400亿日元（约合3.39亿美元）利润。

佳能收购东芝医疗被罚30万 佳能中国自救遇阻

北京商报讯（记者 孙麒翔 石飞月）数码产品面临严重挑战的佳能，在医疗器械领域遭受打击。1月4日，商务部发布行政处罚决定书称，佳能收购东芝医疗构成未依法申报违法实施的经营者集中，但不具有排除、限制竞争的效果，决定对佳能处以30万元罚款的行政处罚。中国市场在经历数码和复合机两大支柱业务下滑后，佳能押宝中国医疗器械市场，并于去年末斥巨资收购东芝医疗，然而，尚未以此业务开疆拓土先遭商务部处罚，这对佳能未来业务的开展蒙上了阴影。 商务部发布的行政处罚决定书显示，根据《反垄断法》、《未依法申报经营者集中调查处理暂行办法》和举报，商务部于2016年10月21日依法对佳能株式会社收购东芝医疗系统株式会社全部股权涉嫌未依法申报案立案调查。调查期间，商务部多次约谈佳能，要求提交相关文件资料，充分听取了佳能的意见。经查，佳能收购东芝医疗构成未依法申报违法实施的经营者集中，但不具有排除、限制竞争的效果。根据处罚书，该案所涉交易系佳能收购东芝医疗全部股权。该交易虽然分为两个步骤实施，但两个步骤紧密关联，均是佳能取得东芝医疗全部股权不可分割的组成部分，构成《反垄断法》**十条规定的经营者集中。佳能和东芝医疗201

东芝财务状况又恶化或将继续出售业务

本报讯 继2016年将白电业务和医疗设备部门分别出售给中国美的集团和佳能公司后，东芝*近又曝出因财务状况大幅恶化而请求金融支援。据外媒报道，东芝公司将召集交易银行举行会议，以解当前财务的燃眉之急。不过，银行方面可能要求其出售业务等采取彻底的重组措施。作为重组措施，剥离主力半导体业务成立分公司以及股票上市被视为有力举措，有传闻称，经营办公设备的东芝泰格以及东芝电梯公司可能成为候选。东芝此前有发布消息称，由于中国智能手机制造商的需求增加，东芝半导体核心业务利润增长，东芝2016年11月预估2016财年（截至2017年3月31日）有望扭亏转盈，实现全年净利润约1450亿日元。但东芝2016年12月27日表示，由于在美核电业务可能巨亏，将很快修改盈利预期。 （文 编）

东芝聚焦核能和半导体等优势业务

近日东芝集团主席称，银行将为东芝提供财务支持。近日，东芝发布消息称，其在美国建设的核电站所需费用超出预期，可能对业绩带来数千亿日元损失。东芝CEO纲川智表示，公司将会于2017年2月公布季度财报之际列出具体数据。目前，围绕核电业务的具体损失额还在详细调查之中。但东芝称，将修改2016财年盈利预期。有分析人士认为，这从侧面反映出东芝在核电站建设等方面存在疏忽。据外媒报道，东芝旗下核业务公司——西屋电气公司正在上海以南沿海地区三门县建设的核反应堆出现了问题，一座核反应堆遭遇了延误，并且至少比原计划延误了3年。对此，记者**时间联系东芝方面进行求证，其中国区相关负责人表示，公司日本官网并无该消息，其也未接到相关通知。本报记者期望就此次核电业务损失的责任归属、对东芝业绩的影响等问题作进一步采访。但上述人士表示，当前并不掌握事件相关信息，无权做出任何回应。截至发稿，记者并未获得回复。核电业务“拖后腿”？由于在美核电业务可能出现巨亏，日本电子生产商东芝公司股票价格2016年12月29日连续第三个交易日出现两位数暴跌，累计跌幅超过40%。其中，12月28日暴跌20%触及熔断机制。该消息一出立刻引发市

美光东芝英特尔大咖坐镇 力成封测订单接到“手软”

存储器封测厂力成公告第四季合并营收新台币136.50亿元，全年合并营收新台币483.44亿元，同步改写历史新高纪录。受惠于美光、东芝、英特尔等大客户持续扩大委外，力成今年营运乐观，营收及获利可望同**高纪录。至于紫光集团入股力成一案，因主管机关迟未核准，将在14日合约到期后自动失效。受到客户年终盘点影响，力成去年12月合并营收微减0.5%达新台币45.88亿元，为单月营收历史次高，与前年同期相较成长15.5%。去年第四季合并营收达新台币136.50亿元，较第三季成长7.0%，优于市场普遍预估的3～5%，并续创季度营收历史新高。力成去年全年合并营收达新台币483.44亿元，年增13.7%并创历史新高。法人表示，力成去年第四季营收优于市场预期，主要是受惠于DRAM、NAND Flash市场供不应求，上游客户包括美光、东芝等产能**开出，力成接单畅旺且产能利用率提升到9成以上满载水准。法人预估，力成第四季毛利率看升，单季每股净利可望上看新台币2元，去年全年每股净利将上看新台币6.3～6.5元。力成不评论法人预估财务数字。由于今年存储器市场仍处于缺货状态，法人看好力成今年营运表现。以DRAM封

佳能395亿收购东芝医疗交易完成 看好医疗和生命科学

12月20午间消息，佳能已经宣布完成对东芝医疗器械子公司“东芝医疗系统”的收购程序，收购额约6655亿日元（以当前汇率计，约合人民币395亿元。3月份宣布收购时，约合人民币387亿元）。 上述消息来自日本大型通讯社共同社报道。东芝医疗系统曾为东芝**子公司，主要从事核磁共振成像仪（MRI）、X射线检查仪等医疗器械的制造销售。今年3月，因财务造假问题曝光陷入经营危机的东芝宣布出售该子公司。富士胶片控股公司等报名收购，佳能*终胜出。2016年为佳能集团“ 全球优良企业集团构想”第五阶段的开局之年，佳能提出“实现战略大转型、挑战新发展”的基本方针，制定了七项主要战略。其**条指出，通过扩展既有事业的周边业务实现多元化，力求创造和扩大新事业。将经营资源重点分配给商业印刷、安防监控摄像机、生命科学等领域，通过并购尽快扩大事业规模。佳能认为医疗事业领域的发展潜力巨大，正运用 CMOS传感器和喷墨打印技术，开发耗时大幅减少的基因检测装置。 2015年，佳能美国以产业化为目标，成立了佳能生物医学有限公司，此外，还发布了可为癌症及遗传病研究提供基因序列信息的试剂盒“Novallele”。对于此次收购东芝

SK海力士与东芝发布4Gbit STT-MRAM

韩国SK海力士与东芝试制出了4Gbit STT-MRAM，并在“IEDM 2016”上进行了发布（论文序号：27.1）。因为是Gbit级的大容量MRAM，关注度非常高，很多听众来到发布会场，甚至还有人站着听讲。 试制的STT-MRAM由8个512Mbit的存储体构成。单元面积仅为9F2（F为设计规则），与8F2左右的DRAM相当。SK海力士的演讲人表示，普通STT-MRAM为50F2。通过缩小单元面积实现高密度化，将MTJ元件的间隔缩减到了90nm。Vdd为1.1～1.7V，写入脉冲宽度为30ns左右。在演讲的*后，两公司还公开了1cm见方的4Gbit STT-MRAM芯片的照片。据介绍，利用该芯片读写时出现的错误bit，订正错误后仅为数bit。另外，还公开了利用FPGA读取保存于该芯片的24bit BPM格式图像的结果，表明在动作方面不存在问题。另外，如果实施ECC，图像会更加清晰。关于具体详情，将在2017年2月举办的ISSCC 2017上发布。关于实用化时间，发布人回答称“希望用2、3年的时间推出实用产品”。（记者：根津祯）

东芝副社长：“3D NAND将挑战200层单元积层”

“三维闪存需要挑战200层左右的存储单元积层”。东芝代表执行董事副社长兼存储与电子元器件解决方案公司社长成毛康雄在2016年12月14日开幕的半导体相关展会“SEMICON Japan 2016”（东京有明国际会展中心）的“半导体**论坛”上登台发言，并如此介绍了该公司的三维闪存（3D NAND）高密度化战略。 成毛以对比15nm工艺2D NAND（二维闪存）的形式，介绍了东芝供应的3D NAND“BiCS FLASH”（48层TLC产品）。BiCS与现有2D NAND相比，存储元件密度可达到两倍以上，可靠性（擦写次数）可提升至约10倍，性能（程序速度）可提高至约两倍，功耗可降至约一半。存储芯片的*大容量方面，15nm工艺2D NAND仅为128Gbit，而48层3D NAND可达到256Gbit。东芝打算运用3D NAND的这些优点，开拓数据中心用SSD等要求容量大、可靠性高的市场和用途。而且，东芝已从2016年7月开始提供64层3D NAND（256Gbit产品）样品，并投放了量产晶圆。成毛称，“2017年可通过64层产品覆盖相当一部分供应bit”，对启动量产充满信心。据称，该公司

东芝推出降低导通电阻的40V/45V耐压功率MOSFET

东芝推出降低了导通电阻的＋40V/＋45V耐压的n通道型功率MOSFET。该产品属于该公司低耐压n通道型功率MOSFET产品群“U-MOS IX-H系列”，此次推出了＋40V耐压的9款产品和＋45V耐压的5款产品。通过利用该公司*新的工艺技术“U-MOS IX-H”制造，降低了导通电阻与栅极电荷量之积——性能指数（FOM：Figure of Merit）。据该公司介绍，“低导通电阻和高速开关实现了业内*高性能”。另外，采用了抑制开关工作时产生的电脉冲及振铃（Ringing）的单元结构，因此可以降低开关噪声，可以减小电磁辐射噪声（EMI）。该产品适用于工业设备及消费类产品所配备的DC-DC转换器、AC-DC转换器（开关电源）及马达驱动电路等。 ＋40V耐压产品中导通电阻*低的是“TPWR8004PL”。封装为DSOP Advance，连续时的*大漏电流为150A。栅极-源极间电压为＋10V时，导通电阻为0.8mΩ（*大值），栅极-源极间电压为＋4.5V时，导通电阻为1.35mΩ（*大值）。栅极电荷量（Qg）为103nC（标称值）。栅极开关电荷量（Qsw）为23nC（标称值）。输出电荷量（

东芝面向移动设备推出采用业界**的小型封装1.3ALDO稳压器

东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出1.3A输出电流的CMOS低压差（LDO）稳压器TCR13AGADJ，该产品采用业界**的小型封装，适用于移动设备的电源。这款新的稳压器使用WCSP6F封装，尺寸仅为：0.8mm×1.2mm，厚度：0.33mm（*大值）。出货即日启动。TCR13AGADJ是一款LDO稳压器，可用于各种应用，包括用于智能手机和平板电脑的Wi-Fi芯片组、用于相机和射频模块的电源以及可穿戴设备、笔记本电脑、数字摄像机、储存设备和机顶盒的电源控制。该新产品利用外部偏压电源端子（VBAT），实现了业界**的低压差，因而能够提高使用该新产品的芯片组的电源效率。TCR13AGADJ采用WCSP6F封装（0.8mmx1.2mm，厚度：0.33mm（*大值）），对于1.3ALDO稳压器而言，该封装为行业**的小型封装，使该产品适合于需要小型尺寸和薄型轮廓的移动与模块应用。此外，该新产品实现了业界**的高纹波抑制比，有助于显著降低DCDC转换器和PMIC的纹波噪声，而纹波噪声是向相机和射频零部件提供电源时用户面临的常见问题。该新产品使用外部电阻器，其输出电压可在0.5

东芝和产综研为解决电压驱动型MRAM重要课题开辟道路

日企巨头陷负面风暴 靠中国市场打翻身仗

东芝再陷财务造假风波中国市场成翻身关键 李瑞娜日前，东芝发布了一则关于财务造假的声明，其子公司东芝EI控制系统公司从2003年起到2016年9月底，累计虚报销售收入5.2亿日元。事实上，这已经是该公司去年以来曝光的第三起财务造假事件。对于东芝为何屡陷造假旋涡，业内有分析人士认为，这与东芝营收承压关系密切。近年来东芝营收不断下滑，而上市公司又需要向股东和市场交出一份满意的财务报表，为了装点业绩，财务造假便成为*为直接的途径。另外，本次涉及财务造假的子公司主要负责机械设备系统安装维护，中国区相关业务是否会因此受到波及尚不得而知。《中国经营报》记者就中国区业务如何发展的问题咨询了东芝中国相关部门，但截至发稿未获回复。不过，可以看到的是，中国市场为东芝缓解营业压力做出了不小贡献。近日，芝东财务长平田政善在财报记者会上表示，由于大陆智能手机对于大容量存储器需求旺盛，东芝Nand Flash事业获利超出预期。拼业绩铤而走险近日，东芝发布了一则财务造假声明，承认其负责机械设备系统安装维护的子公司“东芝EI控制系统公司”营业部员工，自2003年至今连续13年伪造订货单和验收单等票据，累计虚报销售收入达

IEDM：28nm嵌入式MRAM即将问世

包括三星、东芝、海力士等公司的研究团队将在IEDM发表有关MRAM的*新发展。在今年即将于美国加州举行的国际电子元件会议(IEDM)上，来自三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究团队预计将发表多项有关磁阻式随机存取记忆体(MRAM)的*新发展。此外，三星的研发团队以及旗下LSI业务部门显然也将再次发表其致力于开发MEMS的*新成果。三星将分别透过口头简报以及海报展示双管齐下的方式，介绍在28nm CMOS逻辑制造制程中嵌入8Mbit自旋传输(STT) MRAM等主题。在该公司发表的论文主题中，研究人员们将这种电路形容为具有“高度功能性且十分可靠”。在其摘要中并补充：该公司采用包括**整合、材料堆叠与图案化技术等途径，成功地将垂直式磁穿隧接面(pMTJ)记忆体单元阵列嵌入于铜金属后端，而不至于发生开路故障，同时，磁性能也并未发生严重退化现象。这种pMTJ记忆体单元采用氧化镁/钴铁硼(MgO/CoFeB)堆叠，可在完全整合后达到180%的穿隧磁阻值。离子束蚀刻技术用于降低至低于1ppm的短路故障;有趣的是看到离子束蚀刻技术对于生产吞吐量的影响

东芝屡陷造假旋涡 中国手机存储市场成救星

日前，东芝发布了一则关于财务造假的声明，其子公司东芝EI控制系统公司从2003年起到2016年9月底，累计虚报销售收入5.2亿日元。事实上，这已经是该公司去年以来曝光的第三起财务造假事件。对于东芝为何屡陷造假旋涡，业内有分析人士认为，这与东芝营收承压关系密切。近年来东芝营收不断下滑，而上市公司又需要向股东和市场交出一份满意的财务报表，为了装点业绩，财务造假便成为*为直接的途径。另外，本次涉及财务造假的子公司主要负责机械设备系统安装维护，中国区相关业务是否会因此受到波及尚不得而知。记者就中国区业务如何发展的问题咨询了东芝中国相关部门，但截至发稿未获回复。不过，可以看到的是，中国市场为东芝缓解营业压力做出了不小贡献。近日，芝东财务长平田政善在财报记者会上表示，由于大陆智能手机对于大容量存储器需求旺盛，东芝Nand Flash事业获利超出预期。拼业绩铤而走险近日，东芝发布了一则财务造假声明，承认其负责机械设备系统安装维护的子公司“东芝EI控制系统公司”营业部员工，自2003年至今连续13年伪造订货单和验收单等票据，累计虚报销售收入达5.2亿日元。这已经是去年以来东芝第三起财务造假事件。就在今

三星Q3稳居全球NAND市占王，东芝开倒车、被远远甩开

三星凭藉着技术优势，NAND快闪存储器市占率逐季甩开东芝等竞争者的纠缠，龙头位置越座越稳。 市调机构DRAMeXchange*新数据显示，三星第三季NAND存储器营收来到37.44亿美元，市占率较前季进步0.3个百分点至36.6%。（韩国经济日报）同期间，东芝NAND存储器营收为20.26亿美元，市占率较前季下滑0.3个百分点成为19.6%，落后三星幅度从前季的16.2%扩大至16.8%，此为历史新高水平。刚完成并购SanDisk的Western Digital市占率达17.1%，排平第三。SK海力士、美光分别以10.4%与9.8%位居第四与五名。

东芝研发出不使用“镝”的“钐钴磁铁” 将用于电动汽车

东芝虚报销售收入再涉财务造假 遭投诉索赔约166亿日元

虚报销售收入 东芝再涉财务造假 企业品牌价值遭重创据日本媒体报道，东芝公司宣布，因子公司伪造并挪用订货单等票据，截至2016年9月底，累计虚报销售收入5.2亿日元（约合人民币3320万元）。这是东芝公司近年来曝出的*新一起财务造假事件，对该公司的品牌将再次形成打击。东芝称，涉及造假的子公司是开展机械设备系统安装维护业务的“东芝EI控制系统”公司（位于福冈市）。涉事员工从2003年起就一直伪造订货单和验收单，虚报了超过实际合同金额的销售收入。据悉，该负责人在接到订单的服务或产品的成本超过预期时，没有与客户就追加付款进行商谈，从而多次造假。东芝表示，将在截至9月的半年报中进行修正，并加大力度杜绝违规情况再次发生。但分析认为，曝出新的财务造假情况必然将受到外界的指责，从而进一步影响其品牌形象。据报道，东芝2008年4月至2014年底期间采用不将经费支出列入财报的做法，违规计入税前利润约2300亿日元，为此公司曾遭到日本政府高达73.735亿日元的处罚，多名公司高管已引咎辞职。在截至2016年3月31日的上一财年中，东芝亏损额达到了7191亿日元。为摆脱财务丑闻的负面影响，今年4月，东芝宣布重

虚报销售收入 东芝再涉财务造假

虚报销售收入 东芝再涉财务造假企业品牌价值遭重创据日本媒体报道，东芝公司宣布，因子公司伪造并挪用订货单等票据，截至2016年9月底，累计虚报销售收入5.2亿日元(约合人民币3320万元)。这是东芝公司近年来曝出的*新一起财务造假事件，对该公司的品牌将再次形成打击。东芝称，涉及造假的子公司是开展机械设备系统安装维护业务的“东芝EI控制系统”公司(位于福冈市)。涉事员工从2003年起就一直伪造订货单和验收单，虚报了超过实际合同金额的销售收入。据悉，该负责人在接到订单的服务或产品的成本超过预期时，没有与客户就追加付款进行商谈，从而多次造假。东芝表示，将在截至9月的半年报中进行修正，并加大力度杜绝违规情况再次发生。但分析认为，曝出新的财务造假情况必然将受到外界的指责，从而进一步影响其品牌形象。据报道，东芝2008年4月至2014年底期间采用不将经费支出列入财报的做法，违规计入税前利润约2300亿日元，为此公司曾遭到日本政府高达73.735亿日元的处罚，多名公司高管已引咎辞职。在截至2016年3月31日的上一财年中，东芝亏损额达到了7191亿日元。为摆脱财务丑闻的负面影响，今年4月，东芝宣布重组

东芝再陷财务造假风波

中国市场成翻身关键 李瑞娜日前，东芝发布了一则关于财务造假的声明，其子公司东芝EI控制系统公司从2003年起到2016年9月底，累计虚报销售收入5.2亿日元。事实上，这已经是该公司去年以来曝光的第三起财务造假事件。 对于东芝为何屡陷造假旋涡，业内有分析人士认为，这与东芝营收承压关系密切。近年来东芝营收不断下滑，而上市公司又需要向股东和市场交出一份满意的财务报表，为了装点业绩，财务造假便成为*为直接的途径。另外，本次涉及财务造假的子公司主要负责机械设备系统安装维护，中国区相关业务是否会因此受到波及尚不得而知。《中国经营报》记者就中国区业务如何发展的问题咨询了东芝中国相关部门，但截至发稿未获回复。不过，可以看到的是，中国市场为东芝缓解营业压力做出了不小贡献。近日，芝东财务长平田政善在财报记者会上表示，由于大陆智能手机对于大容量存储器需求旺盛，东芝Nand Flash事业获利超出预期。拼业绩铤而走险近日，东芝发布了一则财务造假声明，承认其负责机械设备系统安装维护的子公司“东芝EI控制系统公司”营业部员工，自2003年至今连续13年伪造订货单和验收单等票据，累计虚报销售收入达5.2亿日元。这已

东芝暂转亏为盈　电视等事业仍需改造

东芝(Toshiba)自伪造财报事件在2015年爆发后，便陷入亏损状态，积极推动组织改造，到2016年4~9月财报中，营业损益终转亏为盈，且公司重建方向已现端倪，接下来将以NAND Flash、基础建设、电力事业为重心，低收益事业如电视、工业系统等，则将进一步组织改造与裁员。 东芝业绩好转主因之一，在于NAND Flash市场需求量大，特别是大陆智能型手机厂纷纷增加产品存储器容量，替东芝带来大笔订单，即使有意料之外的汇损，但营收与营利仍高于目标值。因此东芝执行董事平田政善表示，重建公司的大方向已然确定。重建东芝的大方向，不仅有销售成绩良好的存储器，同时也有始终无法改善的事业，如电视事业，原订2016会计年度(2016/4~2017/3)转亏为盈的电视事业，现在看来到2017会计年度都还是亏损，且亏损额还会加大。虽然目前东芝还打算维持电视事业，只打算进一步裁员，但平田政善表示，还要看2016年底的销售成绩如何。虽然没有明讲，但假如2016年12月东芝电视销售成绩仍低于预期，不排除放弃电视事业的可能性；其他难以转亏为盈的事业，也可能被东芝放弃。

拟投资800亿！东芝新建3D Flash专用厂房

东芝（Toshiba）8日发布新闻稿宣布，为了增产3D Flash Memory，将在四日市工厂内兴建新厂房“第6厂房（Fab 6）”。东芝指出，该座新厂房将作为3D Flash专用厂房，将分2期工程兴建，其中第1期工程将在2017年2月动工、并预计于2018年夏天完工。东芝指出，关于上述新厂房具体的设备导入、开始生产时间，以及产能、生产计划等细节，将待今后评估市场动向之后再决定，且和西数（Western Digital，“WD”）进行协商后，双方今后也将进行共同投资。东芝并指出，该座新厂房将导入活用AI人工智能的生产系统、借此提升生产效率。据NHK报道，东芝上述新厂房的投资额约800亿日元。根据Yahoo Finance的资料显示，截至9日上午8点05分为止，东芝劲扬1.59%至376日日元。为了对抗三星电子等竞争对手，东芝于今年3月宣布，将在今后3年内（2016年度-2018年度）总计砸下约8，600亿日元投资NAND型快闪存储器（Flash Memory），而上述新厂房就是该8，600亿日元投资计划中的一环。东芝7月27日宣布，已研发出堆叠64层的3D Flash制程技术，并自当

进入3D NAND时代 三星/英特尔/东芝各有各招

NAND Flash产业在传统的Floating Gate架构面临瓶颈后，正式转进3D NAND Flash时代，目前三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）的3D NAND技术*早都是源自于飞索（Spansion）的Charge Trap架构，**例外的是英特尔（Intel）和美光（Micron）仍是延续传统Floating Gate架构，但从64层技术开始，也都会转成Charge Trap架构。 技术转换往往会带给产业新一轮的**战，跟不上脚步的制造商可能会从云端摔下，但也给新的供应商加入战局的机会，这次传统Floating Gate架构转换至Charge Trap架构，给了大陆加入NAND Flash技术开发行列的一张门票，尤其是Charge Trap始祖飞索很早就与大陆合作，双方的合作是顺水推舟，从NOR Flash一路合作到Charge Trap架构的3D NAND技术。各家半导体大厂的3D NAND技术早已如火如荼在开发中，目前进入32层堆叠技术，业界都认为2017年下半是3D NAND产能大量开出之时，目前看来时间点是对的，但各家半导体大

中国半导体市场畅旺 东芝再次上调 2016 上半年获利预估

根据彭博社的报导，受惠于于储存晶片以及硬碟业务的营收成长，加上撙节计画的奏效，日本*大半导体生产公司东芝 （Toshiba） 于 31 日将公司 2016 上半年度（4 月到 9 月）的预期营业利益上调 36%，来到 950 亿日圆 （约新台币 285.83 亿元 ），似乎已经完全走出过去因作假帐所造成的经营低潮期。 根据报导，东芝在声明中表示，除了上调 2016 年上半年的预期营业利益之外，还同时微幅上调了上半年的预期营收，从 2.55 兆日圆上调至 2.58 兆日圆。根据彭博社的统计资料显示，市场分析师平均预计，东芝 2016 年上半年的营业利益为 620 亿日圆，营收为 2.57 兆日圆，而东芝的声明明显高于市场预期。因此，受此消息推动，东芝股价 31 日在东京证券交易所上涨了 1.4%。按照计画，东芝将于 11 月 11 日发布公司 2016 年上半年财报。这是自 2016 年 8 月以来，东芝第 2 次上调预期营收状况。之前，东芝在 9 月底曾经对 2016 上半年的业绩预期作出上调，并预计公司将在 6 季以来**达到获利的状况，这些都归功于对中国半导体市场销售良好的协助。东

东芝利用极低功耗神经形态处理器推进深入学习

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)通过开发时域神经网络1 (TDNN)，继续履行其促进物联网和大数据分析的承诺，TDNN利用极低功耗神经形态半导体电路处理深入学习。TDNN由大量微小处理单元组成，与传统的数字处理器不同的是，它采用东芝的原创模拟技术。TDNN是于11月8日在日本举办的2016年亚洲固态电路会议(A-SSCC 2016)上对外报道的，A-SSCC是由电气和电子工程师协会(IEEE)主办的国际半导体电路技术会议。 深入学习需要大量的计算，这些计算通常在消耗大量功率的高性能处理器上进行。但是，将深入学习的功率传给传感器和智能手机等物联网边缘设备，需要高度节能的集成电路(IC)，而这些集成电路可执行大量必要操作，同时仅消耗极低的能源。在冯·诺依曼(von Neumann)型2计算机体系结构中，多数能源是在将数据从芯片上或芯片外内存设备传输至处理单元时所消耗。减少基准移动的*高效方式是配置大量处理单元，而每个单元均专用于处理位于附近的**基准。这些基准点在输入信号（例如，一只猫的图像）转换为输出信号（例如猫图像识别）过程中被赋予权重。基准点离期望的输出越

日本东芝拟大规模增设半导体生产设备

据韩联社新闻网11月10日报道，韩半导体业界和国外媒体报道称，日本东芝公司将在日本滋贺县八日大规模增加设备，提高3D NAND闪存生产量，工厂预计于明年2月开工。报道称，三星电子是全球3D NAND闪存的*大生产厂家，日本东芝排名**。东芝增建生产设备，意在3D NAND技术领域追赶三星电子。三星电子在3D NAND生产技术方面**日本一至两年。业界分析，为保持半导体技术在世界的**地位，三星电子已在韩国平泽大规模扩充生产设备，东芝要想追上三星电子亦非易事。

东芝推出双极性步进马达 驱动功能再升级

中国手机出货强劲 推动东芝营业利润预期上调一倍

大陆三星东芝纷纷增产 3D NAND竞争白热化

东芝推出导通电阻仅6.5mΩ的负荷开关用MOSFET

东芝2016年9月26日推出了两款导通电阻小的负荷开关用n通道MOSFET产品，分别是+30V耐压的“SSM6K513NU”和+40V耐压的“SSM6K514NU”。+30V耐压产品的导通电阻仅为6.5mΩ，+40V产品为8.9mΩ（均为栅极-源极间电压为+10V时的标称值）。该公司表示，“实现了业界*高水平的低导通电阻”。与该公司原产品（SSM6K504NU）相比，可使导通损耗引起的发热量降低约40％。适合支持USB Type-C及USB PD（Power Delivery）等的小型移动产品的10W左右电力的开关用途。可用于智能手机及平板电脑等。 新产品利用东芝*新的沟道型MOSFET工艺技术“U-MOS IX-H”制造。+30V耐压产品的*大漏电流为15A（连续时），栅极-源极间电压为+4.5V时的导通电阻为8mΩ（标称值），栅极电荷量为7.5nC（标称值），输入电容为1130pF（标称值），反馈电容为52pF（标称值），输出电容为350pF（标称值）。+40V耐压产品的*大漏电流为12A（连续时），栅极-源极间电压为+4.5V时的导通电阻为11.2mΩ（标称值），栅极电荷量为7.

东芝后产业调整时代 中国市场发展策略前瞻

在近日举办的媒体活动上，东芝公司重点介绍了其存储、汽车、功率器件以及系统LSI四大业务部门的重点产品及市场进展。这是东芝公司去年启动产业调整计划，包括将出售Healthcare和白色家电部门以来，对中国市场开展的一次重要发布活动。从此可以看出，未来一段时间东芝公司在中国市场的发展策略。 智能汽车：**互联做组合智能汽车概念的兴起，为芯片厂商提供了新的发展方向，而这是东芝未来重点发展的市场之一。在本次媒体见面会上，东芝电子（中国）有限公司工业及汽车行业市场部副总监谭弘向记者介绍了多款与智能汽车相关的主要产品。谭弘表示，当今汽车行业三大趋势为无人驾驶、车联网和新能源车：所有人都希望汽车的行驶更智能、更**，这一技术发展的**目标是无人驾驶，而无人驾驶的基础则是**辅助驾驶（ADAS）;在车联网方面，更好的连接，不仅需要更好地和外部连接，也要更好地实现汽车内部的连接;新能源汽车是今后的发展趋势，人们需要更加好地利用能源。这三大推动力都与半导体行业密切相关。对于东芝公司来说，能够提供丰富的智能汽车产品组合，覆盖不同的汽车应用领域。比如东芝的Visconti系列芯片，目前**代产品Viscont

三星今年内量产64层NAND确保**优势

集微网消息，上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报导，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，三星表示，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。 SSD（近年来制程技术演进，成本价格逐渐逼近硬碟（Hard disk），因此渗透率大增，各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash（储存型快闪记忆体），大抢市占率，除了比市占更还要比技术。东芝及西部数据于日前同时发布新闻稿宣布，已**全球研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术，正式开始向客户送样，预计将通过本月7月完工的日本四日市工厂“新第 2 厂房”量产，量产时间都预计为2017年上半年。当时市场都解读NAND Flash龙头三星，因64层堆叠技术尚未有产出消息，因此认为将被东芝及西部数据超车，但根据韩国媒体《Electronics Weekly》报导，三星表示，预计将于今年底前量产4G V-NAND及18纳米制程的DRAM，目前进展顺利。

东芝推出采用小型封装的大电流控制光继电器

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出大电流控制光继电器，这些产品的电流范围为1.7A至4A，采用2.54SOP4和2.54SOP6小型封装。出货即日启动。该新系列包括四款产品：TLP3106、TLP3107、TLP3109和TLP3127，它们的应用包括：可编程逻辑控制器(PLC)、电池管理系统(BMS)和工厂自动化逆变器。这些新的光继电器利用东芝*新一代沟槽MOSFET控制与机械继电器[1]的一般电流处理能力相当的大电流。与具有机械接触的机械继电器相比，光继电器具备噪音更小、不存在接触磨损引起的劣化等优点。以2A的新产品TLP3109为例，它采用2.54SOP6封装，与东芝之前的DIP封装产品相比，可将封装体积减小约40%，将产品高度降低约50%。新产品的小尺寸支持在印刷电路板背面贴装，有助于实现产品小型化。此外，该新系列还包括具有*高可达100V的端电压（阻断电压）的产品，这些产品适用于各种应用。

日人创造能力未衰　然日企已丧失创造力

日本家电厂在20世纪后半曾以产品新颖优良出名，但到21世纪便显得落后，即使还能看到许多新点子，却没能由日本人成功商品化，基本上，问题是出在组织与企业，形成不鼓励**研发的风气。 以发明NAND的前东芝(Toshiba)研究员舛冈富士雄为例，他在1980年代开发出NAND并商业化，成为东芝迄今为止的主力事业，但1990年代日本泡沫经济崩溃，他不顾外界环境与上司指令，继续自顾自地从事研发，结果他研发的产品上司不接受，上司要的产品他没做，1994年被迫离开东芝。舛冈富士雄事后回忆，当时经营环境变差，公司风气变成不求有功但求无过，他这样挑战新产品新技术的人，容易留下失败纪录，更糟的是可能连累上司，在过度追求不失败的风气下，培育出整个靠不**不挑战才能升官的世代，这是带来日本企业不**的**个因素。发明蓝光LED的诺贝尔奖得主中村修二，也有类似感想，他指出他的成功，是上司愿意给他10年时间进行研究，不干涉不能带来获利的他，才有了LED产品。而现在的日本企业，由于股东压力而追求短期成果，再也不可能像他当时有充裕时间去追求高深技术。而当不求有功但求无过风气培养出的职员，逐渐升任中间管理职时，就会更进

东芝拟于Q3生产64层3D NAND Flash

三星电子的3D NAND flash霸主宝座出现危机?三星是**家开发出3D NAND flash业者，技术遥遥**，不过据传日厂东芝(Toshiba)砸重金研发后，情势一夕骤变，东芝即将超车三星，成为**生产64层3D NAND flash的厂商。BusinessKorea 20日报道，2013年三星电子率先制造3D NAND，东芝直到今天春天才加入生产行列，不过却以光速追上对手，计划今年第三季生产全球首见的64层3D NAND flash，比三星快了一季。64层3D NAND flash极为重要，业界认为64层3D NAND flash的出现，代表平面NAND flash时代画上句点。3D NAND flash采垂直堆叠，可提高记忆体容量和速度，表现优于平面NAND flash。尽管东芝来势汹汹，半导体专家指出，东芝和三星仍有技术差距，两家公司*大不同在于控制闸(control gate)技术，三星采用TANOS、东芝使用SONOS。据称东芝的技术便于多层堆叠，但是缺点在于制程较为复杂、生产力较低。Thomson Reuters、时事通信社报道，东芝(Toshiba)统筹记忆体事业

三星砸 150 亿美元，护盘 NAND、OLED 优势

集微网消息，近日西部数据和东芝纷纷挺进64层3D NAND Flash ，三星电子冒冷汗，欲豪掷 17 兆韩圜（约 150 亿美元）研发 3D NAND Flash 和 OLED，巩固目前的**优势。 韩国先驱报 29 日报导，三星电子先前暗示，今年全年研发费用为 26 兆韩圜，略高于 2015 年的 25.52 兆韩圜。今年上半该公司用掉了 8.8 兆韩圜，意味还有 17.2 兆韩圜。这笔钱会用在哪边？三星高层 Lee Myung-jin 给出方向，声称由于需求飙升，今年将专注于 3D NAND 和 OLED 面板。据传东芝（Toshiba）抢先研发出 64 层的 3D NAND Flash，并已送样。三星是头一个开发出 3D NAND Flash 业者，目前仍是**有能力量产 48 层 3D NAND Flash 的业者，为防对手抢单，今年三星将在南韩京畿道工厂增加更多产线。OLED 方面，三星电子也是中小型 OLED 面板的**霸主，市占率接近 97%，预料将砸下 10 兆韩圜，提升产能，为明年苹果 OLED 订单预做准备。三星计划把 OLED 产量，从当前的每月 6 万组，一年

东芝3D闪存芯片：存储容量将提高三成

目前，越来越多的智能手机厂商，开始大幅度提高手机闪存的容量，市场对于闪存的需求和技术要求越来越高。据悉，日本东芝和韩国三星电子在闪存技术上存在激烈竞争，而东芝**了一局，该公司即将大规模生产3D闪存。据日本经济新闻周六报道，本财年内（明年三月底之前），东芝公司将会投产*新一代的3D闪存，这将**于闪存老对手三星电子。众所周知的是，东芝因为财务丑闻，公司运营陷入了艰难境地，东芝也希望自己占据技术优势的闪存业务，能够提振全公司的表现。据报道，在东芝和三星电子目前生产的闪存芯片中，在垂直方向上一共使用了48层芯片，层数的增加，意味着在单位的面积内，闪存芯片的数据容量更大。目前智能手机朝着超薄化发展，手机内部空间十分宝贵，因此闪存芯片密度的提升，对于手机产业有着积极的意义。东芝研发的新一代3D闪存芯片，将一共使用64层芯片进行存储，这样存储容量将能够提高三成。东芝将会在位于日本三重县的芯片工厂中生产这种*先进的闪存芯片。而就在本周五，这一工厂中一栋新的生产厂房投入使用。另据日媒报道，这家位于三重县的芯片工厂，属于东芝和美国Sandisk公司合资运营，不久前，美国西部数据公司收购了Sandisk

美的33亿元吞下东芝家电，还拿到逾5000项家电**

美的的国际化又向前迈了一步。 6月30日下午，美的集团宣布收购东芝家电业务控股权的交易已经完成。这意味着美的已经获得收购东芝的所有必要的相关审批，包括日本反垄断监管机构的审批和国家发改委的备案，美的已经获得了东芝家电业务80.1%的股份。今年3月份，美的集团披露了一份与东芝签署的股份转让协议，美的将以514亿日元（约33亿人民币）的价格收购东芝家电业务子公司（Toshiba Lifestyle Products & Services Corporation, 简称TLSC）80.1%的股权。同时，美的还将会获得40年的东芝品牌在全球的授权以及超过5000项与东芝白色家电相关的**。6月30日，美的已经与东芝就本次交易的所有相关协议达成一致，并完成了协议的签署，本次交易全部514亿日元的价款也已经支付完毕。美的收购东芝，可以借助东芝品牌更好地进军国产品牌难以进入的发达国家市场。如在日本本土市场，东芝的产品定位在**。在欧洲和北美，东芝也拥有一定知名度的。美的收购东芝另一方面是双方的技术互补。东芝拥有例如扫地机器人[-0.39% 资金 研报]，充电吸尘器以及冰箱变频技术等**技术，这些技术

东芝西部数据斥981亿人民币增产新型芯片

集微网消息，据海外媒体报道，东芝与美国合作伙伴西部数据，将于未来3年合共投资1.5万亿日圆(981亿人民币)，为目前位于日本的快闪存储器厂房增产。 扩产计划的目标是提升3D存储器的生产，以期于2017财年占该市场份额一半，并于2018财年增加至逾80%。日后，两家公司合营的日本三重县四日市厂房的产能，将为韩国三星电子旗舰工厂的约两倍。西部数据于5月完成收购SanDisk，并涉足SanDisk与东芝自2002年起开始合营的这个厂房。今年初，该厂房开始量产3D快闪存储器，把产能提升逾8倍。该芯片可让智能手机、储存设备及其他电子工具，体积更细及能源效益更高。

照明市场前景难料 康佳10亿接手东芝发力多元化

继三星之后，东芝也退出了中国照明市场。近日，安徽康佳绿色照明技术有限公司(以下简称“康佳照明”)与东芝正式交接。康佳正式接收了东芝在华的照明业务，涉及金额超10亿元。据悉，康佳照明通过一系列整合动作，意图实现未来3年20亿元、5年50亿元的销售目标。近几年来，在照明市场上已经发生多起并购案，LED照明行业竞争激烈，业内认为，未来企业还会持续优胜劣汰的商业法则，康佳照明发展也还需进一步观察。涉水照明领域目前，照明行业的发展势头尚足。中国照明电器协会副理事长兼秘书长陈燕生，在2016第六届上海照明科技及应用趋势论坛透露，2015年照明全行业销售额为5600亿元，同比增长8%，出口额453亿美元，同比增长9%，其中LED照明产品出口额108亿美元，同比增长20%，但全行业销售额与出口额增幅近年来**降为个位数，2014年分别为10.5%和15.5%。近日，康佳照明正式启动了与东芝照明株式会社(以下简称“东芝照明”)达成的战略合作与供货协议，主要以股权转移和资产转移的方式，接收东芝照明在华的照明业务，涉及金额超10亿元。通过该项协议，康佳照明还获得了东芝照明在中国大陆、香港市场上的“TOSHI

东芝砸1.4万亿日元 扩产新一代三维快闪记忆体

处于经营重组期的东芝公司近日宣布，为增加用于智能手机等的新一代快闪记忆体产量，2016至2018年度将向三重县四日市市的半导体工厂投资约1.4万亿日元，其中，共同运营该工厂的美国硬盘大厂西部数据电子公司(Western Digital)将出资50亿美元。共同社报道，东芝近日在四日市市工厂举行了厂房新楼竣工仪式，还计划*早在2017年度进一步增建厂房。东芝社长纲川智在四日市市的记者会上就快闪记忆体业务强调：“我们认为，市场今后还会扩大，将其作为公司发展的原动力。”西部数据电子执行长(CEO)密里根(Steve Milligan )称四日市市工厂“生产力比世界任何地方都高”，还表示愿意与东芝继续扩大合作关系。东芝预测2016年度快闪记忆体业务销售额将达到7,466亿日元，希望2018年度实现9,500亿日元。这座新厂是在2014年9月动工，当时东芝与闪迪合作要量产三维快闪记忆体(3D flash memory)。今年5月，西部数据电子完成收购新帝，其中也包括四日市市这座新厂。厂房的**期设施已在3月时投产。

东芝白电跟了美的 创维怎么办？

东芝：希望在存储等多领域与中国企业展开合作

近来，东芝公司的受关注度非常之高，一方面是因为正在进行当中的产业调整计划，包括将出售Heathcare和白色家电部门;与此同时，东芝又大举投资半导体存储器，2016年度至2018年度投资额将达8千亿日元(近70亿美元)。针对东芝电子的发展策略，在日前举办的“上海慕尼黑电子展”上，东芝电子(中国)的高层接受了媒体采访，进行了深入解读。重点投入能源和社会基础架构、电子零部件从去年开始，东芝启动了规模**的产业调整，引发业界广泛关注。针对目前调整的进展情况以及未来的发展重点，东芝电子(中国)有限公司董事长兼总经理田中基仁表示，由于去年财务上的一个情况，东芝进行了大的调整，东芝的Heathcare部门和佳能已经有了非常深的接触，东芝可能会将这个部分出售给佳能，白色家电也进行了出售。今后，东芝将会集中战略资源重点投入到能源和社会基础架构、半导体和存储产品领域之中，以寻求新的增长。半导体和存储产品属于东芝今后两大主流业务中的一个重要部分，将会继续加大市场推广力度。另外，即使是在半导体及存储这个领域内，东芝也进行了一个的调整，比如去年退出了白光LED和CMOS SENSOR两个领域，将公司资源集中到

日本PC三巨头合并谈判破裂：VAIO退出

今年2月有消息传出称日本*大的三家PC制造企业，东芝、富士通和VAIO正考虑合并，以抱团取暖的方式共抵PC寒冬。 但*新消息显示，这项规模庞大的合并计划实施的并不顺利，甚至走到了崩溃边缘。《华尔街日报》报道，东芝、富士通、VAIO三方的PC业务合并计划已经名存实亡。其中，VAIO因控股权条款未能达成一致而选择退出合并谈判，目前仅剩下东芝和富士通仍在保持接触。目前，各方都未对合并谈判作出回应，只有东芝方面表示，无论*终结果如何都会为旗下PC业务寻找新出路。

分歧严重：东芝富士通VAIO合并PC计划失败

腾讯科技讯 日本消费电子行业正在进行有史以来*大规模的重组，而东芝、富士通以及索尼变卖的VAIO公司，计划合并三家企业的个人电脑业务。而据日本媒体*新消息，这一合作计划基本已经失败。 据日经新闻4月15日报道，三家公司在诸多问题存在分歧，合并电脑业务的计划，极有可能失败告终。三方在未来新公司的发展战略、电脑工厂的整合计划等方面，分歧严重。*早从去年秋季开始，东芝、富士通，以及VAIO电脑公司的新东家“日本工业基金”进行了会谈，拟合并个人电脑业务。由于全球个人电脑市场已经连续多年下滑，三方希望通过合并提高运营效率和市场竞争力。据日经新闻称，富士通和日本工业基金已经决定，不再进行合并电脑业务的谈判，认为在目前的环境下，三方合并没有太多的意义。除了日经新闻之外，美国《华尔街日报》也报道了三家公司终止合并谈判的消息。在个人电脑市场大幅下滑的背景下，电脑产业格局也在快速改写。其中，美国苹果公司的电脑业务获得了智能手机热销的提振，市场占有率稳步上升。据媒体测算，即使上述三家公司合并电脑业务，新公司2015年的全球市场份额也只有6.5%，甚至不如苹果的7.1%份额。由于合并计划失败，三家公司的电脑业

东芝、富士通和Vaio合并PC业务谈判存破裂风险

据《华尔街日报》网络版报道，知情人士透露，东芝、富士通和Vaio合并PC业务部门的谈判存在破裂的风险，三家公司在PC市场孤军奋战的可能性大大提高。上述知情人士称，Vaio股东Japan Industrial Partners已经退出谈判，富士通与东芝仍然在谈判，但双方均不愿获得合并后PC公司的控股权，谈判仍然可能破裂。 东芝去年曝出财务丑闻后，三家公司启动旨在合并PC业务的谈判。尽管是笔记本领域的先驱，但东芝PC业务一直在亏损。东芝**执行官室町正志（Masashi Muromachi）早些时候证实了三方在谈判整合PC业务的消息，并表示合并PC业务有助于增加与供应商谈判的筹码。 消息人士称，根据洽谈的一种方案，Japan Industrial Partners将获得合并后PC公司的控股权，但三方在具体条款上没有谈拢。Vaio退出谈判的原因是它认为谈判不会有什么成果。 室町正志上个月已经暗示了谈判的艰巨性，把预计的谈判完成时间由3月份延迟到6月份。东芝发言人周四表示，公司在考虑PC业务部门各种可能的选项，其中包括与其他公司PC业务部门合并，但尚未做出决策。 参与谈判的三家日本公司在全球P