这种内存与原来的电流驱动型STT-MRAM相比，特点是写入电流小，容易降低耗电量。但目前写入时误码率高，是实用化面临的一个重要课题。此次新开发的写入方式能够成为解决这一课题的手段。
顾名思义，电压驱动型MRAM就是加载脉冲电压，使存储单元（MTJ元件）的磁化发生反转，从而写入信息。这时，如果加载负偏压且是脉冲宽度在1ns以下的高速脉冲电压，就有利于降低写入误码率。
不过，原来的磁内存用写入电路，布线的充放电需要时间，因此很难加载脉冲宽度在1ns以下且波形漂亮的脉冲电压。
脉冲电压的介绍 （点击放大）
设计了专用电路
为此，研发人员此次设计了生成高速脉冲电压的专用电路。具体就是，在位线之外，准备了三根（A、B、C）事先加载了低电压或高电压的“虚位线”。比如，A和C加载0V电压，B加载+1.5V电压。收到写入命令（触发信号）后，按照A、B、C的顺序依次快速开放切换虚位线，可以生成幅1.5V的高速脉冲电压。实际上，MTJ元件上加载的电压会与位线的加载电压形成压差。如果位线的加载电压为+1V，A开放时形成的压差为-1V，B开放时（写入时）形成的压差为+0.5V，C开放时形成的压差为-1V。
加载脉冲的专用电路的介绍 （点击放大）
这时，A开放时，读取写入前的记录信息，如果不需要写入信息，通过跳过写入程序，就可以提高写入速度。另外，C开放时，也就是在写入后对记录信息进行再次确认，以判断是否出现了错误。如果出现了错误，则再次写入同一信息。
根据实际制作的直径30nm的MTJ元件的实测数据，利用CMOS电路模拟器执行上述写入程序进行验证，结果发现，写入误码率改善了1～2位数。过去，东芝和产综研的研究小组曾实现10-3左右的误码率。如果使用这次的方式，可以改善到10-5至10-4左右。如果在一次写入程序中可实现10-5左右的误码率，通过反复写入2～3次，就可以实现10-15左右至10-10左右的低误码率，达到实用水平。写入2～3次虽然要多花一些时间，但能将写入速度控制在靠近主存储器的“末级缓存”所需要的10ns左右。（记者：根津祯）
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