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16 2016年11月18日 星期五NEC面向5G开发出28GHz频段天线,用500个元件通信距离达到1km
技术在线 (0)NEC于2016年11月16日宣布,该公司面向新一代移动通信标准“5G”开发出了基站用28GHz频段天线。元件数量多达约500个,可通过波束赋形(Beamforming,BF)方式,*远实现1km的长距离通信。NEC是日本**发布28GHz频段5G用天线的通信设备厂商。 NEC此次发布的天线也被称作有源天线系统(Active Antenna System,AAS),每个天线元件都具备模拟前端电路和AD/DA转换器。BF通过使用数字基带电路对每个天线元件进行相位和振幅控制来实现。为了区别于以前每个天线元件都采用移相器的模拟控制BF,此次的BF也被称作数字BF。此次的AAS实现了极高密度的封装,天线元件之间的距离仅为5mm。据NEC介绍,AAS的高密度封装一般存在D-A转换器发热的课题,此次通过改进散热路径解决了问题。NEC的仿真结果显示,此次的天线可在16个方向实现*远1km的长距离通信,每个通信区域可以达到30Gbps以上的传输容量。NEC此前一直面向5G用途开发支持5GHz等较低频段的AAS。开发28GHz频段产品的背景是,美国和韩国打算开始试用使用28GHz频段频率的5G系统,NT
中国大举投资12吋晶圆厂供应将吃紧 环球晶得利
精实新闻 (0)中国大举投资12吋晶圆厂,产能将于明年下半年起至2017年开出,长线对12吋硅晶圆需求将大增,环球晶(6488)在今年完成两起并购案后12吋产能大升,可望迎未来硅晶圆需求向上。展望近期,目前环球晶12吋和8吋接近满载生产,本季营运续升,明年**季看好可顺利涨价,且在日币贬值趋势下,营运环境也大幅改善。 环球晶第三季营收42.66亿元,毛利率24.4%,税后净利3.7亿元,获利受到日币升值的影响,税后EPS为1元。累计前三季每股税后获利为3元。中国近两年晶圆厂大举投资,除了台湾的台积电(2330)、联电(2303)、力晶赴陆设厂外,其它包括格罗方德、紫光、中芯、华力微等也陆续拼建厂,12吋晶圆厂一座接一座盖,在经过一段建设期后,预估到明年下半旬到2017年产能陆续开出,将于12吋硅晶圆的需求大幅提升;而另一方面,近几年来,全球前5大可以生产12吋产品的半导体硅晶圆厂扩产有限,目前12吋硅晶圆的供需已趋紧,预计到明年底需求爆增下,供应会更吃紧。展望第四季,因全球半导体因终端功率元件、高阶智能手机的市场需求依旧强劲、通讯应用处理器与基频芯片需求成长,以稼动率的部分,目前8吋以及12吋产品几乎
Maxim高性能微控制器简化穿戴装置设计
新电子 (0)Maxim推出基于ARM Cortex-M4F核心的MAX32630和MAX32631微控制器, 可帮助设计者轻松开发高性能健身与医疗穿戴式装置。 随着个人健身和医疗穿戴式应用的快速增长,市场对设备内部的电子元件也提出了复杂的新要求。这些元件必须尺寸很小,又同时具备**的功能、处理性能以及*佳的整合外设。此外,元件还须在各种工作模式下,同时实现高精度、低杂讯与极低功耗,从而确保单次充电即可实现足够长的工作时间。Maxim*新推出的MAX32630和MAX32631微控制器拥有丰富和强大的功能,可以轻松解决上述难题。MAX32630和MAX32631的进阶电源管理功能,可以*大程度地延长工作时间,确保在工作状态(127uW/MHz)、DMA (32uW/MHz)及睡眠保持(3.5uW)模式下,都实现*低能耗。该两款微控制器,提供充足的板载程式(2MB快闪记忆体)、资料储存(512KB SRAM)和缓存(8KB),有助于运行协力厂商应用和纪录感测器资料,从而**改善使用者体验。介面包括SPI、SPI XIP、UART、I2C、1-Wire以及USB埠。外设功能包括6个32位元计时器、时钟、
赛灵思公布16奈米FPGA细节
新电子 (0)赛灵思(Xilinx)近期公布搭载高频宽记忆体(HBM),及快取同调汇流互连架构加速器(CCIX)的16奈米Virtex UltraScale+系列FPGA设计细节。此系列支援HBM的FPGA元件,拥有*高记忆体频宽,能提供较DDR4 DIMM高20倍的记忆体频宽,更比业界采相同记忆体技术之产品每位元低4倍功耗。 此全新元件针对机器学习、乙太网路连结、8K影像及雷达等密集型运算下,所需较高之记忆体所设计。该系列产品亦提供CCIX IP,可支援CCIX之处理器以执行快取同调汇流,满足运算加速应用。赛灵思FPGA暨SoC产品管理部门**总监Kirk Saban表示,与DRAM的整合,象征着高阶FPGA应用记忆体频宽巨幅的跃进。HBM整合至赛灵思的元件中,为业界划定了未来朝向多重兆位元记忆体频宽的方向,且赛灵思的加速强化技术,将为有高运算及应用负载的客户,提供更有效率的异质化运算。以2015年起即采样并通过重重检证的16奈米Virtex UltraScale+系列FPGA为基础,针对HBM*佳化的Virtex UltraScale+产品,将HBM整合的风险降到*低。此系列产品以台积公司与赛灵
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17 2016年11月17日 星期四汽车元件中EMI抗干扰测试分析
互联网 (0)多年以来,电磁干扰(EMI)效应一直是现代电子控制系统中备受关注的一个问题。尤其在今天的汽车工业中,车辆采用了许多关键的和非关键 (criTIcal and non-criTIcal)的车载电子模块,例如引擎管理模块、防抱死系统、电子动力转向功能模块(electrical power steering funcTIons)、车内娱乐系统和热控制模块。同时,车辆所处的电磁环境也更加复杂。车上的电子元件必须与射频发射机共存,这些发射机有些安装和设置得比较恰当(例如应急服务车辆中),有些却并非如此(例如一些出厂后安装的CB发射器和车载移动电话)。此外,车辆还可能进入一些外部发射机产生的强电磁场区域,强度可达几十甚至几百福特每米。汽车业在多年前就已意识到这些问题,所有**厂商都已采取一定措施,通过制定测试标准和立法要求,力图借此减少电磁干扰的影响。因此,今天的车辆对这种干扰都具备了较强的抵抗能力。但EMI对车载模块的性能影响非常大,因此必须继续对其保持警惕。车辆及其部件的测试是一个高度专业的领域,一向由厂商自己完成。在有些国家,许多车辆厂商会共同资助那些专业的测试实验室。随着车辆中使用的子部件
艾笛森展出新款智慧照明和高显色产品
新电子 (0)亚洲灯饰业年度盛会香港国际秋季灯饰展于10月30日落幕。从10月27日开幕起,共吸引来自全球共37个国家、2,661家参展商。其中,台湾厂商共占146名。艾笛森光电(Edison)以TM-30和智慧照明为题,展出系列产品,展现**的研发成果。 过去,该公司的元件技术持续突破,多款元件产品被运用在灯具上后,照射出的光均匀一致,且无暗区,CRI数值也高达90。在香港展上,更进一步推出新一代的COB系列产品,强调采用TM-30技术,让被照射物的色彩饱和度高,鲜艳引人注目,可被广泛运用在珠宝店、服饰店、餐厅或博物馆里。人们对智慧照明的想像,原**于紧急照明的使用。而今,智慧照明不仅可以运用在紧急照明上,更可以使用于居家照明里,让人们可以慵懒地躺在沙发上,手一指,便操控灯光的调节与开关。在香港秋灯展期间,该公司推出新款的AC模组,结合感应器装置,随时侦测感应范围物体的移动,即时开关调节,兼具环保省电优势。
松下开始量产GaN功率元件,还提供驱动IC
技术在线 (0)松下在慕尼黑电子展“electronica 2016”上,展示了GaN功率晶体管和该器件的应用实例。同时宣布,将开始量产耐压600V的GaN功率晶体管“PGA26E07BA”和“PGA26E19BA”。均采用8mm见方的DFN封装(参阅本站报道)。还将开始量产支持该晶体管的栅极驱动IC“AN34092B”。 这是松下**次量产GaN功率晶体管产品。该公司于2013年3月开始样品供货耐压600V的GaN功率晶体管。此后不断在功率电子及功率器件相关展会上进行展示,大约3年半后,终于开始量产。为进一步扩大销售,松下在其展位过道一侧显眼的位置展示了GaN功率晶体管及其应用实例。其中,动力辅助服吸引了不少参观者驻足观看。驱动该辅助服的AC伺服电机的逆变器采用了GaN功率晶体管。通过采用晶体管,减小了AC伺服电机的驱动部分(逆变器基板和控制基板),实现了与AC伺服电机的一体化。松下还在其他展会上展示过该产品(参阅本站报道),当时有人咨询驱动部分是否单卖,此次还单独展示了驱动部分。(记者:根津 祯)
意法提升车用40V MOSFET杂讯表现和效能
新电子 (0)意法半导体(ST)发布两款40V车用等级MOSFET。新产品采用该公司*新的STripFET F7制造技术,开关性能优异、效能出色、杂讯辐射极低,且抗干扰能力强。新产品*大输出电流达120A,主要应用包括高电流的动力总成、车身或底盘和**系统,同时优异的开关特性使其适用于马达驱动装置,例如,电动助力转向系统(Electric Power Steering, EPS)。 该公司的STripFET系列,采用DeepGATE技术,达到降低晶片单位面积导通电阻和RDS(on)×栅电荷(Qg)值,在采用相同的功率元件封装条件提供更高的效能。高雪崩耐受度特点是此新产品另一大亮点。透过降低体效应二极体的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr),STripFET F7增强切换性能和大幅提升产品效能,另外软性反向恢复可大幅降低静电干扰 (electromagnetic interference, EMI),从而放宽对滤波元件的要求。此外,优化此装置的容值,使元件抗干扰性获得改善,缓解对缓冲电路的需求,栅极磁滞电压校调,使元件具有良好的抗干扰功能,而无需专用栅极驱动器。在马达驱动等电桥拓朴中,二极体
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18 2016年11月03日 星期四在有机双极性半导体表面涂布制作数字电路
技术在线 (0)日本理化学研究所(理研)2016年11月8日宣布开发出了一项新技术,通过对采用有机双极性半导体的数字电路元件的基板施以烷基处理,可以控制流动的载流子种类(电子与空穴),从而大幅降低了功耗。有机半导体可通过涂布材料溶液,利用低能耗工艺形成半导体层,因此采用现有印刷工艺制作时,具有成本低、可增大面积等优点。但是,要制作数字电路,必须分开涂布空穴传导型和电子传导型两种有机半导体,这一点使得利用印刷工艺制作电路十分困难。但如果采用具备有机半导体和双极性半导体(可利用空穴载流子和电子载流子)两种特性的有机双极性半导体,只需涂布单一材料,就能制作数字电路。不过,采用有机双极性半导体的元件很难有选择地使用空穴和电子,电子和空穴两者中的一种载流子会一直流动,因此被指存在功耗较大的缺点。2015年,有研究报告称,在基板上制作的单分子膜会形成电荷层,对有机半导体的特性产生影响。理研此次着眼于这种现象,在有机双极性半导体元件的硅基板上制作了带负电的氟化烷基单分子膜。结果发现半导体中会形成正电荷层,电子因被电荷层捕获而无法移动。*后成功将有机双极性半导体中流动的载流子限定为空穴载流子。理研同时还发现,采用带正
凌力尔特推出同步升压控制器
新电子 (0)凌力尔特(Linear)日前推出 H等级版本的LTC3786,该元件为一款同步升压 DC/DC控制器,可保证于接面温度高达 150°C 的操作。该控制器采用N通道 MOSFET取代升压二极体,以提高效率并降低功耗。该控制器可从 12V 输入以高达98%的效率产生 24V/5A 输出,因此非常适于汽车、工业和医疗应用。 LTC3786启动时,可操作于4.5V至38V的输入电压范围,启动后则保持低至2.5V 操作,并可调节高达60V的输出电压。在备用模式下,其 55µA低静态电流,有助于延长电池供电型应用的运作时间。强大的1.2Ω,内建N 通道MOSFET闸极驱动器,能够快速转换大MOSFET闸极,从而将转换损耗降至*低,并允许高达10A输出电流。该元件提供可调的周期对周期限流保护功能,可运用感测电阻或监视电感(DCR)两端的压降,来进行电流感测。在输入电压可超过稳定输出电压的应用中,该控制器能保持同步MOSFET连续导通,以便输出电压,并以*小功率损耗追随输入电压。且其具有75kHz至850kHz的可锁相频率、或50kHz至900kHz的可选固定频率。
Maxim发布八通道高侧开关/驱动器
新电子 (0)Maxim针对工业4.0应用发布MAX14913八通道高侧开关和驱动器,说明工业控制器设计者,对电感负载进行**地驱动与消磁。该元件的每条输出都具有独特、**的**消磁箝位元电路,能够简单、可靠地将低压数位信号传输到24V输出控制线路。 对于大多数工业应用,工程师需要利用高侧开关来控制电感负载。其中的挑战在于如何在开关打开,以及电流停止时释放电感的能量。如果电感量较大,储存的能量较高,其产生的热量可能会对驱动IC造成**损坏。利用MAX14913的**消磁功能,能够通过整合的箝位电路对任意电感负载进行**的放电和消磁。为实现更可靠的方案,该元件能够提供明线和短路故障诊断,以及*常见的外部失效模式。元件提供同类产品*佳的传输延迟指标,实现更高的系统速度和输送量。与之前的方案相比,MAX14913省去了16个二极体,相应的空间缩小15倍。此外,该元件具有八个640mA高侧开关,并可针对高速开关应用配置成推挽式驱动。其支援的应用包括可程式设计逻辑控制器(PLC)、运动控制单元、驱动器,以及其它工业和生产自动化应用。
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元件
19 2016年10月20日 星期四如何通过元件摆放来改善电路板的EMI?
21IC中国电子网 (0)设计好电路结构和器件位置后,PCB的EMI把控对于整体设计就变得异常重要。如何对开关电源当中的PCB电磁干扰进行避免就成了一个***们非常关心的话题。在本文中,小编将为大家介绍如何通过元件布局的把控来对EMI进行控制。元器件布局实践证明,即使电路原理图设计正确,印制电路板设计不当,也会对电子设备的可靠性产生不利影响。例如,如果印制板两条细平行线靠得很近,则会形成信号波形的延迟,在传输线的终端形成反射噪声;由于电源、地线的考虑不周到而引起的干扰,会使产品的性能下降,因此,在设计印制电路板的时候,应注意采用正确的方法。每一个开关电源都有四个电流回路:(1)、电源开关交流回路;(2)、输出整流交流回路;(3)、输入信号源电流回路;(4)、输出负载电流回路。输入回路通过一个近似直流的电流对输入电容充电,滤波电容主要起到一个宽带储能作用;类似地,输出滤波电容也用来储存来自输出整流器的高频能量,同时消除输出负载回路的直流能量。所以,输入和输出滤波电容的接线端十分重要,输入及输出电流回路应分别只从滤波电容的接线端连接到电源;如果在输入/输出回路和电源开关/整流回路之间的连接无法与电容的接线端直接相连
罗姆将提供功率半导体元件--碳化硅(SiC)功率元件
ROHM (0)罗姆(ROHM)宣布与Venturi电动方程式赛车车队(Venturi Formula E Team),缔结为期3年的技术伙伴契约,该车队长期参与FIA电动方程式赛车锦标赛。自10月开幕的第3季起,罗姆将提供功率半导体元件--碳化硅(SiC)功率元件,运用在赛车马力核心的变流器中,协助赛车小型化、轻量化和高效率化。相较于传统的硅(Si)功率元件,碳化硅功率元件的耗损更低,在汽车、基础设施、环境/能源、产业机器等领域的应用上备受瞩目。ROHM于2010年开始量产SiC-MOSFET,并持续研发先进元件。汽车领域方面,急速充电用的车用充电器,获得压倒性的市占率,碳化硅使用在电动汽车(EV)马达和变流器也迅速普及。电动方程式赛车是电动汽车全新的舞台,推出后立即吸引了全球赛车迷。和传统赛车不同的地方,其在于管理电力的能力非常重要,如何有效率地活用电池储备的电力,更左右了赛事的胜败。Venturi对于在汽车领域管理电力技术方面拥有**成绩,对于掌握高效率化关键—碳化硅的罗姆,抱持着非常大的期望。罗姆也将更进一步改革功率半导体元件的技术,对电动方程式赛车和电动汽车,以及社会的发展贡献一己之力。
贸泽电子携手同济大学电车队&翼驰车队征战新赛季
集微网 (0)集微网消息,2016年10月25日-半导体与电子元器件业**工程设计资源与授权分销商贸泽电子 贸泽是TTI的子公司,是沃伦巴菲特的伯克希尔哈撒韦的企业家族中的一员。贸泽电子是**的授权半导体和电子元件分销商,专门致力于以*快的方式向电子设计工程师和采购推广新产品和新技术。Mouser.com网站有来自超过600家生产商的400多万种产品。每年出版多语言版本产品目录为设计者提供现有*新的元件数据,以用于下一代的产品设计。贸泽位于美国德州达拉斯南部,拥有*先进技术的7万平方米仓库向全球170个国家,超过50万家客户出货。更多信息,敬请访问:http://www.mouser.cn。
南韩手机/元件10月出口额创2012年以来*大跌幅
精实新闻 (0)韩联社1日报导,2016年10月南韩出口金额年减3.2%至419亿美元、连续第2个月呈现年减,同时也是22个月以来第21度呈现衰退。韩国产业通商资源部指出,南韩10月无线装置(包括手机、元件)出口金额年减28.1%、创2012年7月以来*大跌幅;晶片10月出口金额在DRAM报价调涨的带动下年增1.7%;个人电脑出口金额年增7.1%、连续第6个月呈现年增。 南韩外销至*大市场中国的金额10月年减11.3%、延续今年初以来的衰退趋势,对美国、日本的外销金额也分别年减10.3%、1.7%。南韩10月进口金额年减5.4%至348亿美元。韩国国家统计局公布,2016年8月总计有182,000名南韩人失业6个月(或更久)、创历史新高,较2015年8月增加62,000人、创1999年6月以来*大增额。三星电子(Samsung Electronics Co.)2016年第3季(7-9月)资讯暨行动通讯部门(IM)Q3营益报1千亿韩圜、较一年前的2.4兆韩圜狂跌96%。LG电子行动部门第3季营损金额创历史新高(4,364亿韩圜)、连续第6个季度缴出亏损成绩单。市场研究机构GfK 10月25日发表报告指出
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20 2016年10月17日 星期一雅特生科技推出全新550W CRPS 伺服器电源供应器
雅特生科技 (0)雅特生科技 (Artesyn Embedded Technologies) 宣佈推出一款符合英特尔(Intel)通用冗余电源供应器(CRPS)技术规範的全新550W伺服器电源供应器,其特点是可支援超融合运算系统、网路和储存系统等设备的基础架构,*适用于企业级资讯系统和云端网路设备。CSU550AP电源供应器装设于一个1U高的小型密封机壳内。由于这款电源供应器採用*新的交换式电源转换技术和高密度的元件封装,因此大小只有 2.89 x 7.28 英寸 (73.5 x 185.0mm),远比功率大致相同的旧型号电源供应器为小。这款电源供应器适用于90V至264V(交流)的输入电压,输入範围极为宽广,并配备主动式功率因数校正功能,额定转换效率高达94%,符合80 Plus Platinum 白金级认证规定的效率要求。CSU550AP电源供应器配备一个12V(直流)的主输出,可驱动採用分散式电源架构的系统,并为系统下游的直流/直流电源转换器提供馈电,而另一12V(直流)的备用输出则可为电源管理或监控电路提供额定的3A电流。主输出(直流)提供的电流则高达45.8A。此外,这款电源供应器还配备主动式
雅特生推出550W CRPS伺服器电源供应器
新电子 (0)雅特生科技(Artesyn)宣布推出一款符合英特尔(Intel)通用冗余电源供应器(CRPS)技术规范的全新550W伺服器电源供应器,其特点是可支援超融合运算系统、网路和储存系统等设备的基础架构,适用于企业级资讯系统和云端网路设备。 CSU550AP电源供应器装设于一个1U高的小型密封机壳内。由于这款电源供应器采用交换式电源转换技术和高密度的元件封装,因此大小只有2.89×7.28 英寸(73.5×185.0mm),远比功率大致相同的旧型号电源供应器为小。这款电源供应器适用于90V至264V(交流)的输入电压,输入范围极为宽广,并配备主动式功率因数校正功能,额定转换效率高达94%,符合80 Plus Platinum白金级认证规定的效率要求。此电源供应器配备一个12V(直流)的主输出,可驱动采用分散式电源架构的系统,并为系统下游的直流/直流电源转换器提供馈电,而另一12V(直流)的备用输出,则可为电源管理或监控电路提供额定的3A电流。主输出(直流)提供的电流则高达45.8A。此外,这款电源供应器还配备主动式均流功能,让多个电源可以并联一起,因此无需额外添加元件,也可为高电流应用提供更大
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21 2016年10月03日 星期一研究人员用48个字元命令就能瘫痪Linux systemd
iThome (0)一名系统管理员Andrew Ayer发现只要输入一串48字元的命令,就能使Linux的中央化系统与设定管理程式systemd当掉,可能导致本地端使用者针对重要的系统元件执行阻断服务攻击,systemd维护团队已修复该臭虫。 一名系统管理员Andrew Ayer近日在Linux系统中发现一个臭虫,只要输入一行仅仅48个字元的命令,就能让Linux的中央化系统与设定管理程式 systemd当掉。systemd为Linux启动程序的重要元件,支援众多的Linux版本,Ayer说,只要输入简短的命令“NOTIFY_S OCKET=/run/systemd/notify systemd-notify “””,PID 1就会在暂停的系统呼叫中停摆,由于inetd-style服务不再接受任何的连结,因此也无法启动或停止守护进程(daemons)。此一臭虫将造成使用者不能干净地重启系统,便会让系统变得不稳定。Ayer认为这是个严重的系统设计缺陷,将允许任何本地端使用者针对重要的系统元件执行阻断服务攻击,还说systemd的问题不只是这个臭虫,批评systemd开发人员根本不了解软体设计必须要尽量减少臭
高整合Rx/Tx转换器取代分离式元件
eettaiwan (0)亚德诺半导体推出高整合型Rx/Tx转换器HMC8100与HMC8200。 亚德诺半导体(Analog Devices,ADI)推出高整合型Rx/Tx转换器HMC8100与HMC8200,对于微波和毫米波行动营运商与电信设备制造厂商而言,这些元件可以大幅提高可靠度、降低成本并缩短产品上市时间。新的Rx/Tx转换器独特具备各种功能,可取代多种分离式元件,为微波回程应用提供高性能解决方案。元件数量的减少使设计得以简化,因此,制造商现在可以加快产品上市。电路板尺寸的缩减及相关功耗的降低,使可靠性进一步提高,并降低系统成本和营运支出。此外,电信设备在实际现场应用中也会更加可靠,让行动营运商可以为终端客户提供高品质的行动电话服务体验。HMC8100 中频IF接收器晶片将800M~4,000MHz的射频(RF)输入讯号降频为输出端的140MHz单端中频讯号。该元件内建两组电压增益放大器,三组功率侦测器,一组可编程自动增益控制模组,以及14MHz、28MHz、56MHz、112MHz频宽的精选整合型带通滤波器。HMC8100支援6G~42GHz的所有标准微波频段。HMC8200中频发射器晶片将业界标准
ADI针对穿戴式保健装置推出低功耗AFE
CTIMES (0)亚德诺半导体(ADI)公司推出一款低功耗的次世代生物电位类比前端(AFE)以实现更小、更轻、更低干扰性且电池寿命更长的心脏监测装置。AD8233 类比前端是一款完全整合型单导程心电图(ECG)前端设计在精巧且易于使用的元件中 。通常,***需要从各个单独元件设计心电图前端,因而增加额外成本及设计时间。此高整合型、**的AD8233 AFE减省了这些不必要的成本和额外的时间,协助***更快地将产品上市。 此外,该元件的2.0mm×1.7mm微小尺寸,实现了更小、更轻且更易于穿戴的保健装置的设计。患者不喜欢穿戴体积大、笨重且具干扰性的监控装置,甚至可能干扰他们的日常生活。更长的电池寿命是心电监测器的另一个重要特质,对于无需将装置中止来充电或更换电池以确保连续监测而提供准确的数据来说,那是不可或缺的。AD8233 类比前端的低微安(microamp)范围功率消耗能够大幅延长电池的使用寿命。除了小尺寸外,单电源(1.7 V至3.5 V)的AD8233具有极低的静态电流50 μA(典型值);甚至在关机模式(AD8233采用2 mm × 1.7 mm WLCSP封装,AD8233CB-EBZ采用评
研究人员发现奈米孔洞中填充奈米晶体 可大幅提高白光LED的效率
高工LED (0)近日,有媒体报道中国研究团队采用一种混合奈米晶体的途径,在氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)蓝光LED结构的奈米孔洞中填充奈米晶体,据称可大幅提高白光LED的效率。来自南京大学(NJU)的研究人员们在发布于《应用物理快报》(Applied Physics Letters)的研究中指出,提高色彩转换效率(CCE)的关键取决于有效的非辐射谐振能量转移,而不是在结合蓝光InGaN/GaNLED与向下转换材料(如磷或甚至半导体奈米晶体(NC)等)时经常发生的辐射泵。非辐射共振能量转换(NRET)有赖于强大的激子-激子耦合。透过载子流动的模式,研究人员发现NRET能够免于因中介光源放射与转换步骤造成的损耗,并以非辐射和谐振的方式将能量转换并谐振至具有更高量子率的奈米晶体。研究人员采用金属有机化学气相沉积法,在c平面图案化蓝宝石基底上生长InGaN/GaNMQW外延晶圆,制造出具有蓝色奈米孔洞(NH)结构的NH-LED,每个LED的有效面积为300×300μm^2。利用软UV固化奈米压印微影技术,在主动层上进行图案化,实现直径为300nm、间距约600nm的六边形奈米孔洞晶格。接着,研究人员