LPDDR4X成2017年移动式内存的供货主流

高阶内存 贵到用不起

智能手机零组件价格上扬，市场却成长趋缓。 去年业者力拚内存容量战已不复见，传闻将出现的6GB RAM，恐仅少数机种搭载，目前包括三星、LG、宏达电、索尼等新旗舰机，仍维持4GB容量。 预料若要看到新一波智能手机内存容量**提升，可能要待内存报价下滑。 内存今年以来持续涨价，年初非苹阵营新机传闻，多款都传出将有**的6GB、甚至8GB的随机存取内存（RAM）传言，但包括三星Galaxy S8、LG G6、宏达电U Ultra、索尼Xperia XZs等新旗舰都采用4GB RAM；仅OPPO R9s plus、华为P10 plus采用6GB RAM。

2017年智能手机移动式内存平均单机搭载量3.2GB，成长33.4%

集邦咨询：2017年智能手机移动式内存平均单机搭载量3.2GB，成长33.4% 集微网消息，全球市场研究机构集邦咨询*新研究显示，在今年度行动式内存猛烈的价格涨势之下，智能手机行动式内存搭载量的成长动能受到压抑，预估2017年智能手机行动式内存平均单机搭载量自3.7GB下修至约3.2GB，与去年相较为仅成长33.4%。集邦咨询智能手机分析师吴雅婷表示，2016年全球智能手机的平均内存容量大约为2.4GB，而今年在LPDDR4成为主流应用的带动下，原本有望大幅成长，但由于行动式内存涨势未见停歇迹象，手机品牌厂考虑成本结构，因此推迟扩增行动式内存搭载量的脚步。吴雅婷分析，无论在性能需求或是消费者偏好的考虑，智能手机品牌都有持续扩增单机搭载容量的必要性，尤其对于非苹果阵营、以安卓操作系统为主的品牌而言更是如此。观察性能方面，由于安卓的开放性系统特性，手机使用一段时间后，运算速度会逐步下降，因此从产品设计的角度考虑，在设计手机的阶段置入足够容量的行动式内存，将是有效改善使用者体验的方式。从消费者的角度来看，尤其对中国大陆地区的消费者而言，其考虑购买的重点除了手机处理器的效能以外，莫过于是手机内

8G内存一加5曝两种外观渲染：诡异的双摄方案

竞购东芝半导体,鸿海博通两家报价*高

集微网消息，日本朝日新闻报导，东芝内存竞标案，根据消息人士透露，鸿海出资金额近日圆3兆元，是目前台面上竞标人马中出资金额*高的厂商。 原本市场外传鸿海出资2兆元（180亿美元），现在增加近1兆元。 业界解读，由于日本政府及东芝释出的意向，表明因国安问题，不倾向把半导体事售予大陆及台湾厂商，让鸿海处境相对艰困，郭台铭因而以*高的出价金额应战，对急需金援的东芝来说，是很大的诱因。目前有约十组人马竞标东芝，出资超过日圆2兆元的厂商，有美国半导体大厂博通与私募基金Silver Lakes连手的团队。 另一组则是鸿海。至于其他出价的厂商，包含美国西部数据、南韩SK海力士、美系私募基金KKR聘金都逾日圆1兆元，但不到2兆元，大部分团队都以100%收购东芝内存为出资前提。外电指出，东芝将与个别买家协商，减少竞标团队家数，并于本月启动**次招标程序，*快要在6月下旬股东会召开之前，敲定*后买家，借着出售半导体事业获得的资金，解除东芝下市危机。鸿海除了出*高价竞标东芝，也启动集团组织调整应战，规划成立S次集团，主攻半导体事业，由刘扬伟操盘，刘扬伟在鸿海任职超过十年，过往曾担任IC设计公司普诚总经理与副董

赵伟国:10年内存储器前五,四年追上高通联发科；

三星2020年推16nm DRAM内存，15nm恐成DRAM终点

三星不仅是智能手机市场的老大，更重要的是三星还掌握了产业链至关重要的DRAM内存、NAND闪存及OLED屏幕，这三大部件上三星遥遥**其他对手，手机OLED面板上更是占据95%以上的份额。在DRAM内存市场上，三星不仅产能、份额*高，技术也是***的，去年率先量产18nm工艺，今年将完成17nmDRAM内存研发，2018年量产，2020年则会推出16nm工艺的DRAM内存芯片。与CPU等芯片相比，DRAM内存在20nm节点之后也放缓了速度，线宽减少越来越困难，40nm工艺的DRAM内存芯片线宽减少约为5-10nm，20nm工艺的线宽减少就只有2-3nm了，更先进的工艺减少线宽就更困难了。业界预计15nm节点将是(传统)DRAM内存的终点，未来DRAM的技术门槛会越来越高。三星在DRAM技术上依然比其他厂商更先进，2016年3月底三星就宣布量产18nm工艺DRAM内存芯片，后面还会继续发展新一代工艺。来自韩国ETNews的消息称，三星18nm工艺开发代号为Pascal(帕斯卡)，现在则在开发代号为Armstrong(阿姆斯特朗)的17nm工艺，预计今年底正式完成研发，2018年正式量产1

速度快上十万倍!台积电三星英特尔激战下一代内存

1.台积电三星英特尔激战！内存市场已前进下一个时代；2.汇损影响联发科Q1获利恐创五年单季新低；3.传苹果三星谈判iPhone欲引进三星10nm基带；4.三星“摇钱树”芯片业务历史：李健熙40年前力排众议建立；5.Sandisk共同创办人梅罗特拉出任美光新总裁；6.是德科技向软件和服务供应商转型 欲抢先占领 5G 测试市场 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.台积电三星英特尔激战！内存市场已前进下一个时代；《韩国经济日报》报导，传三星电子 (Samsung Electronics) 已在磁阻式随机存取内存 (MRAM) 取得重大进展，市场估计在 5 月 24 日的一场晶圆厂商论坛上，三星电子将会发布该公司所研发的 MRAM 内存。由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩制程已逼近极限，目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代内存「磁电阻式随机存取内存 (MRAM)」，与含 3D XPoint 技术的「相变化内存 (PRAM)」及「电阻式动态随机存取内存 (RRA

台积电三星英特尔新一代激战！内存市场已前进下一个时代

《韩国经济日报》报导，传三星电子 (Samsung Electronics) 已在磁阻式随机存取内存 (MRAM) 取得重大进展，市场估计在 5 月 24 日的一场晶圆厂商论坛上，三星电子将会发布该公司所研发的 MRAM 内存。 由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩制程已逼近极限，目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代内存「磁电阻式随机存取内存 (MRAM)」，与含 3D XPoint 技术的「相变化内存 (PRAM)」及「电阻式动态随机存取内存 (RRAM)」。上述三类次世代内存皆具有非挥发性内存技术，兼具高效能及低耗电之特性，估计这类次世代内存处理速度，将比一般闪存内存还要快上十万倍。目前三星电子正大力发展 MRAM 内存，而另一半导体巨擘英特尔 (INTC-US) 则是强攻含 3D XPoint 技术的 PRAM 型内存。全球*大半导体代工厂台积电 (2330-TW) 亦曾在 4 月 13 日对外说明，台积电**不会踏入标准型内存领域，因为台积电目前已具备「量产」MRAM 及电阻式动态随机存取内存 (RRAM) 等新型内存之技术。据韩国半导体业内人士透露，全球半导

紫光集团大整并 强化筹资能力

紫光集团为强化成为大陆指针内存制造厂的筹资能力，决定由紫光国芯整并正进行内存制造的长江存储和武汉新芯。 日前紫光国芯已申请停牌，预定近日将宣布此一整并计划，引起全球关注。 紫光国芯是先前相继宣布入股台湾矽品、力成和南茂的大陆芯片制造公司，原布局是希望整合台湾后段内存完整供应链，将紫光国芯打造成垂直整合布局且是中国大陆规模*大的内存制造厂，如今决定再并入长江存储，凸显紫光集团决定藉由快速扩大的大陆资本市场，作为快速发展内存制造规模和扩大人才的强大凭借。消息人士透露，紫光国芯合并长江存储公司后，以紫光国芯为存续公司。 这是紫光国芯继3月并购西安紫光国芯，成为****子公司后，现又将长江存储并入，让长江存储透过借壳上市，加速未来透过资本市场进行募资，以利后续的内存研发制量产时程。据了解，紫光国芯将以增资的方式，收购长江存储全部或部分股权。 外界预料，这是紫光国芯在2015年推出人民币800亿定额增资计划失败后，透过集团整合，另辟募资管道。长江存储是去年12月21日才成立，主要股东为紫光集团、国家集成电路产业投资基金（大基金）、湖北国芯产业投资基金等，注册资本额为人民币386亿元，主要从事内存

华为回应P10“内存门”质疑：为保障供应稳定；

1.华为回应P10“内存门”质疑：为保障供应稳定；2.分析师：确定苹果在寻求制造整车 但需要找人代工；3.部分Galaxy S8屏幕发生泛红现象；4.中国电信原董事长常小兵受审 16年间受贿376万余元；5.三大运营商高管人均薪酬55万 电信董事长115万领衔；6.单品爆款产品观改变OPPO、华为命运，左右中国手机江湖地位 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.华为回应P10“内存门”质疑：为保障供应稳定；腾讯数码讯（马可）日前，有网友在多个社交平台爆出华为P10不同产品之间内存、闪存的读写速度测试成绩差异巨大的问题，直接将*新的旗舰手机华为P10推向风口浪尖。消息称，华为可能为P10采用了emmc5.1、ufs2.0、ufs2.1三种不同规格内存，甚至还可能使用了LPDDR3内存，此举也让外界质疑华为手机部门试图通过这种方式来降低成本。据了解，有的用户测出的顺序读取速度为700-800MB/s，也有不少用户测出的顺序读取速度为500-600MB/s左右，还有相当一批用户测

力晶黄崇仁：明年DRAM恐仍缺货

力晶集团执行长黄崇仁昨表示，第五代行动通讯（５Ｇ）快速兴起，将启动大量影像传输需求，加上汽车电子及云端服务器快速成长，将开启另一波内存（ＤＲＡＭ和Flash）强劲需求，但供给端都遭遇程技术瓶颈，预料明年ＤＲＡＭ还是会缺货。 市场担心中国大陆大举投入发展内存产业，恐让未来发展蒙阴影，但黄崇仁以多年经验及对市场敏锐度，强调ＤＲＡＭ和Flash前景仍看好，尤其ＤＲＡＭ到明年底都还会缺货。黄崇仁分析，台湾与南韩两地，过去五年都未见兴建ＤＲＡＭ新厂，虽然中国大陆倾全力发展内存业，但都遭美光、三星和ＳＫ海力士等主要大厂反制，发展遇到瓶颈。此外，ＤＲＡＭ制程进入二○奈米后，投资成本昂贵，到目前为止，三大厂增产都相当节制，ＤＲＡＭ供给增加速度远低于需求成长速度，预料缺口还是一直存在。在需求端的应用，过去ＤＲＡＭ几乎全靠个人计算机支撑，如今个人计算机占ＤＲＡＭ总量已不到百分之廿，市场快速分散至智能型手机、服务器、网通和各项消费型电子。值得注意是，南韩已决定**布建５Ｇ，传输速率比４Ｇ快一百倍，因应大量影像传输需求，将成为全球建置标准，推动全球数据中心建置会持续成长，加上汽车电子应用增加，都将推升另一波Ｄ

全球内存和SSD价格将在2018年回落

在过去的这一年中，我们在PC和智能手机领域听到*多的声音就是成本上涨，其中存储芯片价格一路飙高成为“祸首”。不过，市场研究机构Gartner给出了一个令人兴奋的消息。Gartner表示，自2016年中期以来，PC内存的价格已经翻了一倍，4GB单条售价从12.5美元涨到了25美元，而随着NAND闪存芯片涨价，SSD的每千兆字节的成本也出现了惊人上涨。不过，这种涨价势头将在本季度达到顶峰。Gartner预测，全球内存和SSD的价格会在2018年出现明显回落，并于2019年重新陷入一个相对“冰点”。不过，在闪存芯片降价的背景下，Gartner却不认为消费者能够买到更加便宜的智能手机，因为手机厂商会通过堆配置的方法来保证自己的利润。比如苹果，该公司在其*新的iPhone手机上只提供了32GB、128GB和256GB三种存储容量，鉴于iOS 10以及高清内容的容量需求，显然更多的消费者会选择128/256GB机型，而苹果的利润也就此得到了保证。至于闪存芯片价格出现下降的原因，Gartner分析认为中国起到了关键作用。报道指出，中国是闪存芯片价格出现波动的关键因素。中国曾在2014年表示，将在未来

服务器用DRAM二季度合约价格将续涨逾10%

集邦昨（18）日出具报告，预估第2季服务器用DRAM，因缺口仍在，合约价格将续涨逾10%，但业者认为涨幅应可达15~20%；台厂以南亚科（2408）受惠*大。 这是集邦继日前公布第2季标准型DRAM合约价平均涨幅约12.5%后，针对服务器用DRAM价格走势，提供*新的分析。集邦旗下的内存储存研究（DRAMeXchange）指出，服务器用内存供给持续吃紧，且仍有供给缺口未能完全满足需求，主要DRAM对服务器制造商的平均出货达标率仅八成，显示还有二成的缺口未能满足服务器厂的需求：甚至对中国大陆和台湾ODM厂的出货达标率也降至六成，供不应求情况仍相当严重。

力晶 规画2~3年重新上市

昔日ＤＲＡＭ大厂力晶转型晶圆代工，逐渐交出获利成绩，去年获利虽未达百亿元水平，但今年有信心重返赚百亿元获利水平，达成力晶转型晶圆代工厂后，累计五年赚五百亿元目标，并决定启动重新上市计划，规划二到三年重新上市。 力晶在ＤＲＡＭ盛极一时曾是产业一哥，未料后来ＤＲＡＭ市场崩盘，公司净值转负，二○一二年十二月廿一日股票被迫下柜，甚至负债上千亿元，但力晶集团执行长黄崇仁仍亟思转型并逐年缴出获利成绩单，说服债权银行，让力晶持续运作。黄崇仁昨与媒体餐叙，强调力晶未来要直接上市，得先做好公司定位、切割晶合投资案和建立稳定获利模式等三件大事。他强调，力晶在转型为晶圆代工厂后，目前也是全球**纯提供利基型内存代工厂，获利趋于稳定，不再受到内存剧烈波动影响。至于力晶与大陆合肥市政府合资晶合国际，市期前��虽看好，但他认为短期若无法获利，未来也会成为力晶上市的包袱，因而必须切割或是等晶合状况稳定后，再谈力晶上市，可能需要一点时间让市场改变对力晶的认识。黄崇仁表示，去年是近五年ＤＲＡＭ市场*不好的一年，不过，力晶去年获利仍比纯ＤＲＡＭ厂稳健，去年税后纯益六十五点九六亿元，年减百分之卅六，每股纯益二点九六元；并有能

华为回应P10“内存门”质疑：为保障供应稳定

腾讯数码讯（马可）日前，有网友在多个社交平台爆出华为P10不同产品之间内存、闪存的读写速度测试成绩差异巨大的问题，直接将*新的旗舰手机华为P10推向风口浪尖。消息称，华为可能为P10采用了emmc5.1、ufs2.0、ufs2.1三种不同规格内存，甚至还可能使用了LPDDR3内存，此举也让外界质疑华为手机部门试图通过这种方式来降低成本。据了解，有的用户测出的顺序读取速度为700-800MB/s，也有不少用户测出的顺序读取速度为500-600MB/s左右，还有相当一批用户测试的结果仅为200-300MB/s的水平。针对曝光的问题，官方进行了正式回应，华为表示，“关于P10 / P10 Plus闪存选用问题，我们同样与业界多家**的闪存解决方案供应商紧密合作，共同保障产品品质及用户体验，同时也是为了保障供应的稳定。”从官方回应的情况来看，华为基本默认了不同批次机器在闪存版本上差异的情况，至于是否会就这个问题，为用户提供相应的解决方案，也同样未明确。事件回放4月17日，企鹅自媒体“数码壳儿”发布文章称《华为P10偷工减料？两版本闪存速度差四倍》。文章提到，华为P10发布会公布的读写速度显示为

Gatner:狂涨结束,内存和固态硬盘终于要降价了

在过去的这一年中，我们在PC和智能手机领域听到*多的声音就是成本上涨，其中存储芯片价格一路飙高成为“祸首”。不过，市场研究机构Gartner给出了一个令人兴奋的消息。Gartner表示，自2016年中期以来，PC内存的价格已经翻了一倍，4GB单条售价从12.5美元涨到了25美元，而随着NAND闪存芯片涨价，SSD的每千兆字节的成本也出现了惊人上涨。 不过，这种涨价势头将在本季度达到顶峰。Gartner预测，全球内存和SSD的价格会在2018年出现明显回落，并于2019年重新陷入一个相对“冰点”。不过，在闪存芯片降价的背景下，Gartner却不认为消费者能够买到更加便宜的智能手机，因为手机厂商会通过堆配置的方法来保证自己的利润。比如苹果，该公司在其*新的iPhone手机上只提供了32GB、128GB和256GB三种存储容量，鉴于iOS 10以及高清内容的容量需求，显然更多的消费者会选择128/256GB机型，而苹果的利润也就此得到了保证。至于闪存芯片价格出现下降的原因，Gartner分析认为中国起到了关键作用。报道指出，中国是闪存芯片价格出现波动的关键因素。中国曾在2014年表示，将在未

高启全强调紫光存储自主研发，内存不走台湾授权的老路

外界认为高启全到大陆发展内存产业后，带走许多台湾半导体产业的人才，对此，他接受媒体采访时强调，找人才不分地方、国籍，不会特定挖哪一公司的员工。 他解释，长江存储是一家国际化的公司，拥有全球各地的人加入，美国人、日本人、南韩人都有，绝不是只有挖台湾工程师，长江存储内部是规定要用英文沟通，因为外籍主管很多，以国际化的规格在打造企业。高启全说，长江存储2016年7月16日正式成立后，就购并武汉新芯100%股权，现在的武汉新芯约1,200人，另外，长江存储成立至今也招募将近700人，当中的研发人员占500人，台湾人约50名。紫光稍早也发出声明表示，作为一家国际化的高科技公司，紫光一向非常重视与严格遵守相关法律，尊重对知识产权的保护，鼓励技术**。在遵守相关法律和商业惯例的原则下，紫光会在世界各地寻找我们需要的人才，并向他们提供较好的薪资和职业发展的机会另外，谈到2016年7月16成立的长江存储，高启全说，已齐聚500名研发人员在武汉投入3D NAND开发，也考虑研发20/18纳米DRAM，会在技术开发具竞争力后才开始投产，欢迎美光(Micron)加入合作，双方合则两利，且时间会对长江存储有利！

台积营运展望 藏投资密码

台积电日前法说会中揭露本季各产业的营运状况，以内存、工业控制产品（工业计算机与相关设备）逆势成长，其中内存更是一枝独秀，反而通讯、计算机和消费性电子需求减弱，法人认为，仔细解读台积电的法说信息，就可以找到本季股市的投资密码。 台积电表示，本季因库存水位仍高，客户将持续调整库存，本季预估合并营收将季减7.7~8.9%，介于2,130亿元至2,160亿元，为连二季衰退；毛利率也略降至50.5%~52.5%；营业利益率约小幅下滑至39%~41%。台积电法说会，也揭露本季各产业消长。 强调本季营收下滑，主因通讯、计算机和消费性电子全都下滑，只读工控产品成长。 另外，台积电虽不代工内存产品，但指出今年内存需求强劲，本季还是一枝独秀。因内存价上扬，台积电也上修今年半导体产值，原预估的4%，上修至7%，反应内存产业价量同增。顾能公布今年上半年半导体营收总额为3,860亿美元，年增高达12.3%，也是因DRAM和储存型闪存价格大幅提升。

力成 扩大布局日本

内存封测龙头力成（6239）扩大日本封测布局，买下美光持有日本Tera Probe39.6%股权及收购美光秋田厂，有助加深与美光紧密合作关系，以及切入日本物联网、车用芯片市场，法人力挺，认为有助力成今、明年营收和获利同增。 力成上周五宣布收购美光持有的日本Tera Probe39.6%股权，同时100%收购美光日本秋田厂。法人指出，目前Tera Probe及美光秋田厂都处于获利状态，若力成今年6月将Tera Probe及美光秋田纳入合并财报，并以力成共取得Tera Probe 51.2%股权及美光秋田100%股权计算，估计今、明年分别贡献力成营收约23亿、40亿元，扣除Tera Probe少数股权后，挹注力成每股纯益分别为0.17元及0.33元。法人在力成宣布收购案后，给予正面评价，并调高力成目标价。 力成昨（17）日股价开高响应，虽然*后收85.6元，低于开盘价87.9元，但在台股一度重挫百点，表现相对亮眼。值得注意是，力成从配合美光在大陆西安设立封装厂后，就与美光紧密合作，这次买下美光在日本的封测布局投资，可望让双方合作更巩固。力成董事长蔡笃恭强调，同时看好日系IDM厂在物联网和汽

骁龙820+6GB内存！乐视新旗舰曝光：还是ID无边框

资金链危机逐步缓解的乐视各项业务正在回归正轨，包括手机，一款型号“LEX722”的新机已经亮相工信部。该机仍然沿用了乐视典型的外观设计，包括无边框ID、正面顶部大白式布局、背部三段式、后置镜面指纹识别、同心圆底纹摄像头，色调有金色、银色、灰色。三围尺寸151.4×73.9×7.5毫米，重量175克。配置方面有5.5寸1080p屏幕、2.15GHz四核处理器(骁龙820或降频版骁龙821)、6GB内存、128GB不可扩展存储、1600万像素后置摄像头、800万像素前置摄像头、4000mAh电池、安卓6.01操作系统。这设计、配置和现有旗舰乐Pro 3(LEX720)几乎完全相同，只有内存存储组合放大了(6GB+128GB现在是张艺谋版的**)，但同时处理器频率却降低了，实在难以理解。难道会叫乐Pro 3S？

东芝减损63亿美元 董事长贺重典将辞职

网易科技讯2月14日消息，据国外媒体报道，日本东芝公司今天宣��，预计其核电业务将记入7125亿日元（约合63亿美元）减损，声称旗下美国分部成本超高并且不看好其原子能业务。东芝社长贺重典(Shigenori Shiga)将辞职。 东芝周二在一份声明中表示，这一减损将导致该公司截至12月31日的9个月期间暂时5000亿日元的亏损。去年12月份东芝曾警告称这笔减损可能达到数十亿美元，引发股价下跌，该公司股价因此已经蒸发超过70亿美元。东芝预计，由于这样的亏损，股东权益在截至今年3月份的财年跌至负1500亿日元。在未能够在截止时间之前公布正式财报，经过一个下午的市场疑惑之后，该公司在傍晚只发布了财报预估数字。这引发对这家日本公司是否控制了财务的质疑，该公司股价受此影响下跌至38周以来新底。东芝现在面临压力，即要制定一个计划以巩固其资产负债表。2015年，东芝因会计丑闻曾导致重组、记录亏损和资产对外出售。东芝已经在变卖其闪存片业务的重要股份，并且正在考虑其它方法进行融资。“东芝的问题如此众多，你甚至无从下手，”东海东京证券(Tokai Tokyo Securities Co.)**债券策略师石野

受惠内存与物联网　全球半导体年增率调升至7.2%

随著存储器、物联网(IoT)与其它市场用特殊应用标准产品(app-specific standard products;ASSPs)库存状况获得改善，以及平均售价(ASP)扬升，预估2017年全球半导体市场规模可望年增7.2%，达3,641亿美元。年增幅度高于2016年的1.5%，一扫先前整体市场沉闷阴霾。调研机构Gartner表示，2016年上半全球半导体市场表现不佳，不过随著下半年库存获得补充，再加上平均售价与市场需求改善等因素，开始出现好转。由于预期库存与需求改善状况会一直延续到2017年，因此该机构*新2017年全球半导体市场规模预估值，较先前上调141亿美元。Gartner表示，在上调的141亿美元中，来自存储器的贡献就约占100亿美元。该机构分析师Ganesh Ramamoorthy表示，对存储器业者而言，市场供需已转为正向，各业者因而得以提高平均售价，来恢复原有利润。据悉，2016年初，包括DRAM与NAND Flash存储器都出现供过于求，以及售价下滑的情形，然而到了年中却又出现供应不足，和售价大幅攀升的动荡。Gartner表示，除了存储器市场成长的推升外，在ASSPs

**季服务器内存合约价续涨 16GB模组均价将迈向130美元大关

原标题：集邦咨询：**季服务器内存合约价续涨，16GB模组均价将迈向130美元大关 集微网消息，Feb. 20, 2017 ---- 集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）*新研究显示，由于供给吃紧态势尚未改变，2017年服务器内存**季合约价上扬近四成，预估**季将更进一步上涨约一成水位，其中DDR4 16GB服务器模组将迈向130美元大关。DRAMeXchange表示，自2016年第四季起，服务器内存便在标准型内存的供货吃紧下连带涨价，且受惠于2016下半年大型标案，整体备货力道超出预期。展望2017年，由于DRAM原厂对内存资本支出趋于保守，产能扩增受限，整体市场供给仍将吃紧，预估2017上半年服务器内存价格仍会延续涨价走势。整体服务器内存制程迈进20纳米以下，高容量模组加速渗透从内存产出制程来分析，三星今年的重点将会是提高18纳米制程的投片，同时SK海力士与美光阵营也会提高其20／21纳米高容量晶圆颗粒与良率，进而提升整体高容量服务器模组的渗透率。此外，目前如华为、浪潮等中国服务器厂商皆已通过原厂先进制程的验证，预计在今年**季大量转进至20纳米以下之制程，并规划于

**季服务器用内存合约价续涨，16GB 模组均价将迈向 130 美元大关

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)*新研究显示，由于供给吃紧态势尚未改变，2017 年服务器用内存**季合约价上扬近四成，预估**季将更进一步上涨约一成水位，其中 DDR4 16GB 服务器模组将迈向 130 美元大关。DRAMeXchange 表示，自 2016 年第四季起，服务器用内存便在标准型内存的供货吃紧下连带涨价，且受惠于 2016 下半年大型标案，整体备货力道超出预期。展望 2017 年，由于 DRAM 原厂对内存资本支出趋于保守，产能扩增受限，整体市场供给仍将吃紧，预估 2017 上半年服务器用内存价格仍会延续涨价走势。整体服务器用内存制程迈进 20 纳米以下，高容量模组加速渗透从内存产出制程来分析，三星今年的重点将会是提高 18 纳米制程的投片，同时 SK 海力士与美光阵营也会提高其 20/21 纳米高容量晶圆颗粒与良率，进而提升整体高容量服务器模组的渗透率。此外，目前如华为、浪潮等中国服务器厂商皆已通过原厂先进制程的验证，预计在今年**季大量转进至 20 纳米以下的制程，并规划于今年第四季前达到近六成的 20 纳米产品规划，可以预期高容量模组如 16G

乐视新机亮相跑分库：配联发科Helio X20处理器和3G内存

日前，网友在微博上爆料了乐视尚未公布的新手机，型号为“乐视X920”的工程机版本，配备了高通骁龙820处理器，6.3英寸2K屏幕，64GB的内置存储，1200万像素的后置摄像头，应该是传闻中的乐Max 3。而今天国外跑分数据库Geekbench曝光了另一款未发布设备，型号为乐视LeX622，但是并未提供太多有用的信息。 根据GeekBench上的跑分信息，该机装备了时钟频率为1.39GHz的联发科Helio X20（MT6797）十核处理器，配3GB的内存，运行基于Android 6.0 Marshmallow的LeEco定制EUI，但是目前屏幕尺寸和相机像素都不清楚

国内存储三大势力渐成 前景尚难预测

近日，东南大学网站的一则《北京兆易**-合肥共建项目招聘简章》受到行业内关注，尽管事后兆易**发布澄清说明，称其与合肥长鑫及其相关方的合作项目目前仅处于初期接触阶段，却仍然说明了兆易**有意扩大在存储器产业发展力度的事实，再加上紫光集团+武汉新芯成立的长江存储，以及联电与福建晋江地方政府合作成立的福建晋华，中国大陆已经存在三股致力于存储器产业发展的力量。这些力量未来的发展演变将持续引人瞩目。三大存储力量逐渐建成近来，中国大陆在存储器领域的发展再次火热起来，其中*引人关注的是合肥方面的动作。据称，合肥相关方面投资的合肥长鑫公司将投入约500亿元，在合肥打造月产能12.5万片的12英寸晶圆厂晶圆生产线。另有消息称，北京兆易**也将加入该项计划。尽管事后兆易**发布澄清说明，称目前仅处于初期接触阶段。但这些信息也说明了合肥正在尽力形成一个存储器产业的发展聚集地。另外，中国其他两个存储力量的动作也不小。紫光集团/长江存储董事长赵伟国日前透露，由紫光参与投资总额达240亿美元的武汉存储器芯片基地不久即将开工，预计2018年建设完成，月产能约20万片，到2020年基地总产能将达30万片/月、203

牛！海力士72 层3D NAND 内存，传2017年**全球量产

SK 海力士*先进72 层3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。若按计划进行，海力士将成为****个量产72 层3D NAND 的内存厂。为顺应市场需求增温，海力士上周已宣布将在韩国与中国两地，投资3.15 兆韩圜来增加DRAM 与NAND 内存产能。随着微缩制程遭遇瓶颈，业者纷纷改以3D 垂直方式堆叠内存做突破，但制程技术各不相同。目前技术**的三星已于2013 年量产48 层3D NAND 内存，至于64 层3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。据市调机构 DRAMeXchange 统计，三星第三季 NAND 内存营收来到 37.44 亿美元，市占率较前季进步 0.3 个百分点至 36.6%。东芝以 19.6% 位居**，Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名，市占率依序为17.1%、10.4% 与9.8%。

福建晋华联手南科 在台成立科研中心

中新社报导，在位于福建“首富县”晋江的晋华存储器积体电路项目施工现场，工人正进行地下室土方开挖和桩基施工，一派忙碌景象。 这个一期总投资就达370亿元人民币的项目，堪称晋江目前所有重点在建项目中的“巨无霸”。该项目总经理助理郑进福表示，目前项目建设已取得阶段性进展，建成后将填补大陆主流存储器领域的空白，成为大陆**具有自主技术的DRAM存储器研发制造企业。被喻为“工业粮食”的积体电路，是信息技术产业的核心。然而，目前中国积体电路市场90％从美国、韩国等发达国家进口，已经超过原油成为****大进口商品。福建省“十三五”规划纲要提出，建设福州、厦门、泉州、莆田等积体电路产业基地，形成沿海积体电路产业带。其中，今年落户泉州晋江的晋华存储器集成电路项目，不同于其他企业走技术授权的合作路径，**高科技领域的技术共享模式，更开启两岸高科技领域深度技术合作的先河。在与晋江一水之隔的台湾，晋华公司与台南科技园区技术合作成立的联合科研中心也步入正轨，为该项目两年后的正式投产蓄智蓄力。郑进福表示，该科研中心今年6月成立，已有140多名科研人员进行产品的技术研发，待项目落地投产后，产品关键技术的研发将从台湾

美光**代3D NAND年底大规模量产

今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存，**代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的**代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。 对于3D NAND闪存，我们并不陌生，现在市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存，不论是性能还是容量或者是写入寿命，3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多，厂商也会借此降低成本，提高产量。以美光为例，他们的2D NAND闪存主力是16nm工艺的，MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb，而3D NAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb，TLC更是达到384Gb，大大高于2D NAND闪存。在转向3D NAND方面，实力*强的三星跑得*快，东芝/闪迪、SK Hynix次之，Intel和美光公司算是比较慢的了，不过一旦3D NAND闪存开始量产，由于容量先天性的优势，产能超过2D NAND闪存是迟早的事。美光CFO Ernie Maddock在参加

克服内存尺寸缩小中的电阻挑战

作者：应用材料公司金属沉积产品事业部产品经理 Rajkumar Jakkaraju在内存器件中，欧姆接触（金属与半导体的接触）连接了有源区和金属布线。为了使*多的电荷快速传输过欧姆接触区，必须使用低电阻材料。为此，低电阻率的硅化钴已成为业内标准材料，而其传输电荷的效率则取决于是否能沉积出一层足够厚的硅化钴沉积层，从而形成牢固的欧姆接触区。随着内存尺寸的不断缩小，欧姆接触区的面积在每一个技术节点都缩小70%左右，而其深宽比则不断增加，为了达到欧姆接触，沉积出低电阻率的硅化钴尤为重要。在1xnm技术节点的DRAM内存制造中，这两个因素都使硅化物沉积越来越困难，因为硅化物需要有一定的厚度，从而确保电荷能快速、可靠地通过欧姆接触区，从有源区传输至布线的上层区域，然后再原路返回。 DRAM尺寸缩小的两个全新解决方案Endura Cirrus Co如何解决硅化物覆盖的挑战？应用材料公司的Endura® Cirrus™ HT Co PVD系统通过克服接触区面积缩小及深宽比增加带来的挑战，有效解决了硅化物覆盖问题。该系统采用了高频率RF源，生成含有比其他源技术浓度高得多的金属离子的等离子体，从而在高深

逆天！vivo新机将双摄像头放到前置，还是000万+800万像素

传未来MacBooks将用更明亮OLED显示屏 减少电耗

根据韩国网站ETNews报道，苹果正在寻求在未来MacBooks产品上使用OLED显示屏，来取代目前使用的LCD显示屏。该报道援引未公开的消息来源称，苹果目前正在研究如何使用OLED显示屏，并测试其性能，但是苹果没有提供时间表，所以苹果何时推出采用OLED的MacBooks目前还不清楚。 切换到OLED技术可以为未来的MacBooks带来几个好处，包括更低的功耗，更长的电池寿命，通常OLED面板也更薄，这可以允许苹果设计更薄和更轻的MacBooks。OLED其它潜在优点包括与LCD相比更高的亮度，更锐利的颜色和更快的响应时间。该报告称，苹果正在积极扩大OLED在产品上的使用。外界普遍认为，明年发布的新一代iPhone（8）将采用OLED显示屏。苹果已经在有限的应用中获得使用OLED显示屏的经验，包括Apple Watch和新的MacBook Pro触摸条均已经使用OLED显示屏，但是将技术适应更大的屏幕可能会带来制造方面的挑战。今天的报告称三星是苹果触摸屏OLED面板供应商，这种合作伙伴关系可以在未来扩展到MacBooks的显示屏上。凯基证券分析师郭明池明昨日表示，苹果将在2017年下

一加刘作虎：6G RAM安卓手机 卡顿一去不返！

今天，一加手机创始人CEO刘作虎在微博表示—— “今天跟朋友聊起了Android手机的发展，突然有点感慨。几年的时间，手机RAM从512M发展到了6GB，系统也不断优化，Android手机卡顿的历史一去不复返了。”显然，他暗示了旗下一加手机3的**，其采用骁龙820、6G RAM、64GB UFS 2.0闪存。不过市面上的6G内存远不止这些，还有小米5s Plus、小米Note 2、乐Pro 3、ZUK Z2 Pro等等，那么电脑前的你长期体验下来的感受是不卡顿吗？有趣的是，关于这个话题，华为手机高管今天也撰**了科普，他们认为在ART虚拟机下，安卓机仍会越用越慢，似乎内存容量并非关键因素，而是参差的三方应用、温暖碎片化、CPU/GPU抢占调度等。

十月DRAM价格月涨逾20%，4GB模组均价来到17.5美元

原标题： TrendForce：十月DRAM价格月涨逾20%，4GB模组均价来到17.5美元 集微网消息，Nov. 2, 2016 ---- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）表示，DRAM原厂与一线的PC-OEM（代工）大厂敲定第四季度的合约价格，4GB模组均价来到17.5美元，较上月的14.5美元上涨逾20%；现货市场也依然维持强劲的上升格局，DDR3／4 4Gb价格分别来到2.46／2.48美元，较上月同期比较已上涨17%与24%，显见市场对于后市上涨仍将持续保持乐观的态度。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，观察市场面，由于原厂产能陆续转进行动式内存与服务器内存后，标准型内存产能已低于20%以下，加上厂商库存水位偏低与旺季需求比预期更佳，标准型内存出现历年少见在无工厂意外情况下而价格暴涨的情形，此效应也让其他的DRAM产品在第四季皆有涨幅。近期上涨行情成寡占格局*佳典范，长期不利中国厂商进军内存产业吴雅婷指出，2016下半年在全球智能手机与服务器需求强劲下，DRAM产能迅速转进行动式内存与服务器用内存，标准型内存因此面

英特尔下一代突破性3D XPoint内存遭遇严重推迟

三星或提高内存和显示屏部件价格以弥补Note7损失

凤凰科技讯 北京时间10月21日消息，据外媒报道，由于Note7事故三星损失了约50亿美元，不过分析师表示，三星可能会利用在部件供应市场的支配地位，提高移动DRAM、闪存芯片和手机屏幕等部件的价格，弥补Note7事故的损失。 在DDR4和UFS 2.0等新技术的带动下，移动DRAM和闪存芯片的价格一直处于涨势之中。但是由于Note7事故的发生，价格上涨幅度可能更剧烈。其内在逻辑是，大批使用三星部件的中国手机厂商或将利用Note7停售带来的空白，提高其大屏手机的产能和营销力度。因此部件需求将会提高，进而促使三星抬高零部件的价格。考虑到芯片制造业务眼下占据三星逾半数的利润，涨价将能够或多或少抵消Note7事故的损失。

福建晋华DRAM工厂2018年底量产

华美半导体协会第25届年会22日在圣他克拉会议中心举行。活动有请中港台美四地的科技界人士齐聚，在半导体发展领域交流心得互通有无。全天的年会吸引了数百人参与。今年年会的重量级嘉宾是来自中国福建的晋华集成电路有限公司的副总经理吴坤荣，他为在美工程师带来了中国半导体工业发展的新鲜资讯。 吴坤荣所在的福建省晋华集成电路有限公司，成立于今年2月，其目标产品是内存的生产。目前该公司与台湾联华电子公司合作共同开发内存产品。公司已经在泉州建立新厂房，预计工程将在明年年内完工，到2018年年底，该公司会进入量产阶段。吴荣坤表示，该公司的存在，能够填补中国在内存产业上的不足，是中国半导体工业发展的重要一环，也是中国内存企业的**家，所以获得了政府的大力支持。

再进一步 三星或于明年量产15nm DRAM内存

据半导体行业人士透露，三星电子存储业务部门计划将于明年下半年生产15nm和16nm DRAM(DRAM即动态随机存取存储器，*为常见的系统内存)，被称之为1ynm工艺。据悉，三星今年初量产了18nm DRAM，目前正在极力扩大产能，计划到明年下半年在DRAM总产能中占到30-40%。全球市场研究机构集邦科技旗下的DRAMExchange估计，三星18nm DRAM目前已经占到DRAM总产能的12%，而20nm DRAM的比例高达82%。早在去年三星DS事业部执行副总裁就曾暗示，三星将在2020年大量生产10nm芯片技术，而随着目前的研发进度，*快2019年就能实现量产。由于拥有先进的工艺技术，三星电子在全球DRAM市场占据**优势的地位。市场研究机构IHS的数据显示，三星在今年**季度就已拥有DRAM市场46.6%的份额。目前的情况是，其竞争对手SK海力士和美光的主要产品还是20nm级DRAM芯片，它们明年**季度之后才能生产18nm DRAM。行业人士认为，其他对手和三星之间有着一年半的差距。

传三星 DRAM 明年迈 15 纳米

三星电子智能手机吃闷棍，力拼内存事业救业绩！据传三星为了稳固龙头地位，将在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM，对手 SK 海力士（SK Hynix）和美光（Micron）远远落后，技术差距约为一年半。 BusinessKorea 31 日报导，半导体产业透露，三星内存部门今年初量产 18 纳米制程 DRAM，准备在明年下半生产 15、16 纳米 DRAM。同时，该公司将拉高 18 纳米 DRAM 占整体 DRAM 的生产比重，目标明年下半提高至 30~40%。相关人士说，明年三星 10 纳米等级 DRAM，将占整体 DRAM 生产的一半。DRAMExchange 估计，当前三星 DRAM 生产以 20 纳米为主、占 82%，18 纳米仅占 12%。三星制程微缩进展比原先预期更为快速，内存部门主管 Chung Eun-seung 2015 年初暗示，2020 年将量产 10 纳米等级 DRAM，如今看来，应该 2019 年初就能达成目标。三星是 DRAM 霸主，IHS 数据显示，今年**季三星的 DRAM 市占率高达 46.6%。对手 SK 海力士和美光的 DRAM 制程仍停留在

全球内存模组市场衰退 金士顿稳居龙头

三星中国**新机C9来了：6GB内存+骁龙653

2015年全球内存模组厂营收年衰退10%

*新全球内存模组厂排名调查显示，由于2015年标准型内存价格下跌与DIY市场规模缩小，2015年全球模组市场总销售额约79亿美元，年衰退约10%。 DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2015年整体PC市场供过于求，加上Windows 10授权费以内存搭载量大小当作条件，使得内存消化量无明显成长，甚至全年度笔电内存搭载量年衰退1%。此外，由于2015年整体DRAM价格下跌，现货价格跌幅又较合约价格更为剧烈，使模组厂首当其冲，多数模组厂的营收表现受影响。金士顿稳居全球龙头，记忆科技与威刚分占中国大陆与台湾营收**。DRAMeXchange统计，2015年全球前五大内存模组厂已占整体销售额87%，前十名囊括全球模组市场中97%营业额，大者恒大已是模组厂的趋势。金士顿依然蝉联2015年全球内存模组厂的龙头宝座，在DRAM价格下跌逾三成的市况下，营收却逆势成长4%，主要归功于合约市场比重提升，与扩大DRAM相关产品线带来的综效。此外，金士顿旗下手机用eMCP产品已在中国市场建立滩头堡，成功打入中国代工手机供应链，未来目标直指一线大厂。记忆科技仍是****的模组厂，全球排名第三，虽然受到

三星率IBM、ARM等一众厂商联手编织“内存架构”

除了英特尔与思科之外，各家厂商皆已开始合作开发存储级内存方案。存储级内存互连结构需求已经相当迫切目前多家供应商已经开始携手开发Gen-Z方案——一套可扩展高性能总线或互连架构，旨在对接计算机与内存。这一Gen-Z联盟属于开放性非专有透明行业标准机构。该机构表示，其认为开放标准能够提供一套更为公平的竞争环境，能够有效促进新型技术成果的推广、**与采纳。此联盟成员目前包括AMD、ARM、博通、Cavium、克雷、戴尔-EMC、惠���企业业务公司(简称HPE)、华为、IBM、IDT、联想、Mellanox Technologies、美光、Microsemi、红帽、三星、希捷、SK-海力士、西部数据集团以及赛灵思。很明显，还有几股重要力量缺席。没错，首先是数据中心与服务器CPU供应巨头英特尔。这实在令人好奇。特别是考虑到作为XPoint的另一开发方，美光公司倒是加入了其中。那么除此之外还有其它候选厂商未加入吗?是的，思科亦不在名单当中。作为UCS服务器供应商，我们认为思科明显有理由对这一全新CPU-内存互连架构拥有兴趣。Gen-Z需要对内存概念加以池化根据我们掌握的情况，“这套灵活且性能出色的内

传AMD将推出Polaris新产品 包括RX 465 475和485

WCCFTech根据9月下旬发布的Radeon嵌入式显卡，推测AMD将发布Polaris架构台式机新产品，它们可能是Radeon RX 465,475和485，与当前的型号先相比提供更低的TDP功耗。AMD于9月27日发布了嵌入式Radeon E9550。该卡基本时钟为1.12GHz，升压时钟高达1.26 Hz，内建2304 SP以及256位总线，7GT/s 8GB GDDR5内存。 E9550具有与Radeon RX 480相同的SP数量，但其核心和显存工作频率有点慢。 E9550的95W TDP更有趣，因为它比RX 480的150W TDP少35%。 同时发布的嵌入式产品还有Radeon E9260，采用128位总线7GT/s内存，896个SP，浮点性能达到2.5 TFLOP，总TDP为50W。该卡的硬件规格与RX 460类似，但具有更高的吞吐量和更低的功耗。基于以上事实，WCCFTech预测AMD将发布RX 465,475和485桌面显卡，其中，RX 465工作频率稍微提升，使浮点性能从2.15提高到2.5 TFLOPS，而功耗从75W下降到小于50W。Radeon RX 485