力晶集团执行长黄崇仁昨表示，第五代行动通讯（５Ｇ）快速兴起，将启动大量影像传输需求，加上汽车电子及云端服务器快速成长，将开启另一波内存（ＤＲＡＭ和Flash）强劲需求，但供给端都遭遇程技术瓶颈，预料明年ＤＲＡＭ还是会缺货。
市场担心中国大陆大举投入发展内存产业，恐让未来发展蒙阴影，但黄崇仁以多年经验及对市场敏锐度，强调ＤＲＡＭ和Flash前景仍看好，尤其ＤＲＡＭ到明年底都还会缺货。
黄崇仁分析，台湾与南韩两地，过去五年都未见兴建ＤＲＡＭ新厂，虽然中国大陆倾全力发展内存业，但都遭美光、三星和ＳＫ海力士等主要大厂反制，发展遇到瓶颈。
此外，ＤＲＡＭ制程进入二○奈米后，投资成本昂贵，到目前为止，三大厂增产都相当节制，ＤＲＡＭ供给增加速度远低于需求成长速度，预料缺口还是一直存在。
在需求端的应用，过去ＤＲＡＭ几乎全靠个人计算机支撑，如今个人计算机占ＤＲＡＭ总量已不到百分之廿，市场快速分散至智能型手机、服务器、网通和各项消费型电子。
值得注意是，南韩已决定**布建５Ｇ，传输速率比４Ｇ快一百倍，因应大量影像传输需求，将成为全球建置标准，推动全球数据中心建置会持续成长，加上汽车电子应用增加，都将推升另一波ＤＲＡＭ和Flash产业成长。
黄崇仁引用未来手机导入内存的新发展，有许多ＡＰ厂商希望将内存堆栈一起生产；日本感测芯片大厂，也利用系统级封装（SiP）技术，把传感器、手机芯片和内存封迭起来，导入在智能型手机，未来也会应用在物联网。
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