意法半导体推出*新双极功率晶体管媲美MOSFET的能效

ST推出双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑

负电源轨不会消失

开关电源原理与设计（连载一）

AMD或提前流片20nm/14nm工艺芯片

虽然AMD在APU的制作工艺上一直都是受制于人，但是其在产品设计方面的确从来没有落后过，这一点在显卡方面尤其明显，而且每次也都信心满满。近日据悉，AMD日前透露，20nm和14nmFinFET工艺的流片工作将在半年内完成。AMD**副总裁、全球业务总经理LisaSu在财务会议上表示：“AMD的技术工艺往往都处在**的位置。现在所有的产品系列都应用上了28nm工艺。从设计的角度讲，在未来两个季度内，我们将**转向20nm和FinFET(鳍式场效晶体管)。同时我们也将继续和代工的合作伙伴保持合作，先将20nn完成，随后就是FinFET。”虽然在表述中我们没有看到应用新工艺的产品名称，但显然指的是GPU和APU。至于为其制作20nm产品的代工厂，那自然也就是台积电无疑了。AMD要想在2014年**季度提前量产下一代GPU和APU，目前也只能依靠台积电了。台积电会在16nm上使用FinFET，GlobalFoundries则会将其用于14nm，量产时间基本都是在2014年内，也都能用来制造GPU/APU，所以在这部分产品上，目前很难断定AMD将会首先和哪家合作。实际上，在28nmAPU时代，A

废弃塑料袋可用来造碳纳米晶体管计算机？

当塑料袋被丢弃之后，似乎除了再次回收重塑塑料产品之外，它就一无是处了。现在，来自澳大利亚阿德莱德大学的科学家就为它们找到了另一个去处--碳纳米管的生产渠道。该所学校的化学工程学院研究人员早前已经研发出了在氧化铝膜上生成碳纳米管的方法。目前正在攻读博士学位的Tariq Altalhi则发现，其实任何碳源都能在碳纳米管生成过程中使用。他将不可降解的塑料袋切成片后然后放入熔炉中进行蒸发，之后得到的碳数量不但超过了目标值，而且在这一过程中并未生成任何的有毒物质。碳纳米管的用途非常广泛，它其实存在于我们生活中的每一个角落--太阳能电池板、普通电池、可伸缩元件以及*近刚出现的碳纳米计算机。小编：现在环保回收再利用的问题不在意技术，在于成本是否可以接受，产业模式是否可持续，回收制度是否能长效。

宜普公司扩大其产品系列推出全新150V功率晶体管

宜普电源转换公司2013年9月宣布推出增强型氮化镓功率晶体管系列产品中的*新成员- EPC2018。EPC2018 晶体管为5.76 mm2、150 VDS、12 A的器件，其*大RDS(on)为25 mΩ，在栅极电压为 5 V。它可以实现更高性能，因为它具备超高开关频率、非常低的RDS(on)、超低QG以及具备超小型封装占板面积。与先进硅功率MOSFET器件相比，虽然导通电阻相同，EPC2018 器件具备超小型封装占板面积及在开关性能方面比硅功率MOSFET器件高出很多倍。受惠于氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器及许多需要纳秒开关速度的电路等应用。宜普公司创办人及**执行官Alex Lidow 称“EPC2018 器件进一步替我们氮化镓场效应晶体管系列产品开拓新天地。在功率转换应用中，它提供低电阻、低输出电容、快速开关及因器件没有反向恢复而可减少开关损耗。在D类音频放大器应用中，它则可以提高效率及改善音质。”EPC2018器件在一千批量时的单价为6.54美元

美高森美推出750WGaNonSiCRF功率晶体管

美高森美公司推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅(silicon carbide，SiC)衬底氮化镓(gallium nitride，GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)技术的射频(radio frequency，RF)功率晶体管系列。在全系列空中交通管制和防撞设备中，MDSGN-750ELMV提供了突出的*高功率性能。目标应用包括商用二次监视雷达(secondary surveillance radar，SSR)，在全球各地用于大约200英里范围内机场地区和区域中心的飞机询问和识别。美高森美公司RF集成解决方案部门副总裁兼总经理David Hall称：“作为RF解决方案的领导厂商，美高森美的声望是建立在30年的经验，杰出的工程技术团队，以及专注提供突破性能和可靠性限制的新产品方面。从元器件到组件和定制封装，我们将继续投资所需的技术和设备，进一步巩固我们的**地位，并且为我们的客户提供更好服务。”当在1030/1090MHz下工作，MDSGN-750ELMV提供了****的750 W峰值功率和17分贝(dB)

麻省大学选AIXTRON爱思强系统用于碳纳米管和石墨烯核心研究

爱思强股份有限公司宣布，美国麻省大学罗威尔分校(UniversityofMassachusetts(UMass)Lowell)向其订购一套能处理4英寸基材的BM沉积系统。该设备已运往麻省大学新近落成的新兴技术与**中心(ETIC)，该中心是由学界、创业公司和驻校企业共享的**研究设施。麻省大学核心研究设施的纳米加工洁净室运营总监ThomasFerraguto表示：“我们计划借助这套新系统，实现将碳纳米管和石墨烯广泛应用到多种电子应用领域，例如高频晶体管、能源存储和柔性电子产品。我们的工程团队致力于开发和利用石墨烯与碳纳米管的特性。BM系统为我们了提供一个灵活、可靠的材料沉积平台。”此外，对于多方共享的研究设施而言，BM系统的耗材追踪功能也是优势之一，可以确保将运营成本准确分配到相应的研究或商业*终用户上。将石墨烯和碳纳米管的独特属性推向商业应用，是未来研发和制造领域面临的主要挑战。AIXTRON爱思强提供有高度灵活的石墨烯和碳纳米管材料沉积系统，可以对临界表面的尺寸进行**控制，从而助力制造商有效提高产量、性能、良率和质量。此外，BM系统还具有自动化流程控制、配方更改简单易行、内置流程

入门分享：3D三维晶体管的基础知识

一、3D三维晶体管的概念3D三维晶体管,从技术上讲，应该是三个门晶体管。传统的二维门由较薄的三维硅鳍(fin)所取代，硅鳍由硅基垂直伸出。门包围着硅鳍。硅鳍的三个面都由门包围控制，上面的顶部包围一个门，侧面各包围一个门，共包围三个门。在传统的二维晶体管中只有顶部一个门包围控制。英特尔对此作了十分简单的解释：“由于控制门的数量增加，晶体管处于‘开’状态时，通过的电流会尽可能多;处于‘关’状态时，电流会尽快转为零，由此导致能耗降至*低。而且晶体管在开与关两种状态之间迅速切换能够显着的提高电路性能。实际上，3D晶体管就是tri-gate 和32nm的区别。3-D Tri-Gate三维晶体管相比于32nm平面晶体管可带来*多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗减少一半，这意味着它们更加适合用于小型掌上设备。3-D Tri-Gate晶体管能够支持技术发展速度，它能让摩尔定律延续数年。该技术能促进处理器性能大幅提升，并且可以更节能，新技术将用在未来22纳米设备中，包括小的手机到大的云计算服务器都可以使用。二、3D三维晶体管的特点3-D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二

零中频接收机设计

动车组用上中国芯首件自主设计IGBT芯片通过鉴定

现在的动车组每节车厢都可以有动力，而让每节车厢的动力协同一致、控制自如，必须用一种大功率芯片，此前我国在这种**芯片上基本依赖进口。今天上午，在上海制造的大功率IGBT芯片(绝缘栅双极型晶体管)通过专家鉴定，这一中国首件自主设计制造的“中国芯”不仅迈开了替代进口的步伐，还将在轨道交通、电力系统、绿色能源、电动汽车等领域每年创造数十亿元的产值。IGBT是“核心中的核心”这种芯片的正式名称是3300V/50A IGBT芯片，由中国北车所属的上海北车永电电子科技有限公司设计制造，研发领衔人是中国科学院院院士、中国北车**技术顾问邹世昌。这次零的突破也使中国北车在大功率**IGBT领域形成了芯片设计制造、模块封装完整的产业链，处于行业**地位。IGBT的*大特点就是节能，作为新一代功率半导体器件，它具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点，是自动控制和功率变换的关键核心部件。比如动车组，牵引传动系统是其核心部件，而IGBT又是牵引传动系统的核心部件，是“核心中的核心”。IGBT的应用范围绝不**于动车组、机车等轨道交通装备行业，在电力系统、工业变频、风电、太阳能

中国的Fab为何总是人们的眼中钉

中国Fab厂的故事总能引发各种心态者入胜，论及中国Fab现状，若以CMOS技术路线图为评判依据，眼下似乎是恨铁不成钢者居多，不可否认，这是大陆半导体圈的主流民意。面对现状，有人漠然，有人呐喊，有人讥讽，但也有人在偷着乐。我们都知道画饼充不了饥，放到半导体上也是同样的道理。所以，你可以有非常美好的规划蓝图（Fabless公司的layout），但就是不让你有能与国际同行叫板的制造能力，layout变成不了chip，还不是瞎掰吗？按照国际大佬们制订的游戏规则，中国IC工艺节点就必须落后人家至少两个世代，事实上自打中国开展现代半导体产业以来，就算使上吃奶的力气也从未突破这一红线。引进、消化、吸收、**，这是如今所有先进半导体高地的标准发展流程，可唯独在中国大陆这**程要加以＂优化＂，即使出高价也不得随意引进。有钱都不卖给你，这是市场无形之手缺失之地。所以，游戏规则也好，摩尔定律也罢，中国发展半导体产业的着力点，只有放到**这**程环节上才有出路，否则一味跟在别人后面还没到弯道就被人家玩死、整死、拖死。再说了，整天想着弯道超车的人们，请牢记交通规则，珍爱生命切忌浮燥！现在人们一提及IC进口*后总

新型电脑有望摆脱硅晶体技术的依赖

美公司推出全球首款新型氮化镓晶圆可制造**设备

近日消息，美国射频微系统公司(RFMD)日前推出世界**用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓晶圆，以满足**和商用需求。该公司实现了从现有高产量、6寸砷化镓晶圆生产向6寸氮化镓晶圆生产和研发的转变，以降低成本满足不断增长的氮化镓器件市场需求。RFMD公司总裁兼**执行官鲍勃称：“我们很高兴在RFMD公司的现有高产量6寸砷化镓生产线上推出业界首款6寸碳化硅基氮化镓射频技术。氮化镓器件和砷化镓器件在制造上的合并是我们“砷化镓中氮化镓代工厂”策略的一部分，以使现存生产能力通过制造**型氮化镓基产品抓住增长机会。”根据行业分析公司--策略数据公司的数据，2017年氮化镓微电子市场将是现在的三倍，达到3.34亿美元，年复合增长率(CAGR)达到28%。该市场由**(雷达、电子战、通信)和商用(电源管理、蜂窝通信、有限电视、移动式无线电通信)共同推动。RFMD公司功率宽带部门副总裁杰夫博士称：“利用我们在6寸砷化镓制造技术的**地位和高产量的专业知识，RFMD公司有能力增加6寸氮化镓制造能力，来推出新的射频功率产品，以此加速我们在通信、有线电视、能量转换、雷达、干扰、宇航和代工业务中的利润增长。

基于峰值控制的IGBT串联均压技术

摘要：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的关键技术是均压控制。峰值控制技术是保证串联运行中每个IGBT的集射极电压都不超过**极限的有效技术。在介绍IGBT工作特性的基础上，对串联IGBT关断过程不同动态时段内的均压控制目标进行了分析，为设计不带RC缓冲回路的均压方法提供了理论基础。综合各阶段控制要点，采用基于稳压管箝位的峰值控制方法，在低压实验中实现了有效的串联均压，验证了理论分析的正确性。*后，针对该方法在高压应用时的缺点，提出了一种绝缘栅双极型晶体管；均压；峰值控制1 引言随着电力电子技术的发展，高压大功率设备对IGBT的耐压等级提出更高要求，故IGBT串联技术成为研究热点之一。IGBT串联应用的关键问题是实现均压。在众多IGBT串联均压技术中，*简单、可靠的方法是并联RC缓冲回路。但在高压场合，考虑到损耗、体积及造价等因素，无RC缓冲回路的均压方法更实用。此外，基于电压轨迹控制和门极信号延时调整等有饱和区、有关断瞬态、关断稳态、开通瞬态、开通稳态。因IGBT不均压情况在关断时比开通时更复杂，在此以关断时的均压控制为主要研究目标。按外电路和器件内部参数不一致等因素对uCE不均

OTL音频功率放大电路设计

单极性PWM技术在雷达天线控制中的应用

摘要：文中对比了单极性和双极性PWM的技术特点，并叙述了现有的半桥驱动IC在应用中的局限性。利用一些简单的逻辑门，设计了一个单极性PWM逻辑分配电路，经过半桥驱动IC功率放大，驱动由IGBT组成的H桥功率转换电路，实现对雷达天线的伺服控制。上述方法构成的电路，解决了动态自举问题、提高了雷达天线转速及功率转换电路的效率。关键词：单极性PWM；双极性PWM；半桥驱动IC；逻辑门；动态自举随着大功率半导体技术的发展，全控型电力电子器件组成的脉冲宽度调制(PWM)技术在雷达天线控制系统中得到了广泛的应用。雷达天线控制系统一般采用脉冲宽度调制(PWM)技术实现电机调速，由功率晶体管组成的H桥功率转换电路常用于拖动伺服电机。根据在一个开关周期内，电枢两端所作用的电压极性的不同分为双极性和单极性模式PWM。双极性PWM功率转换器中，同侧的上、下桥臂控制信号是相反的PWM信号；而不同侧之间上、下桥臂的控制信号相同。在PWM占空比为50％时，虽然电机不动，电枢两端的瞬时电压和瞬时电流都是交变的，交变电流的平均值为零，电动机产生高频的微振，**，直接采用脉冲变压器进行隔离及悬浮；**，采用独立的悬浮电其中

中国半浮栅晶体管横空出世应避免被国外赶超

8月9日出版的《科学》（Science）杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组*半浮栅晶体管（SFGT，Semi-Floating-GateTransistor）。这是我国科学家在该**学术期刊上发表的**篇微电子器件领域的原创性成果，标志着我国在全球**集成电路技术创是目前集成电路中*基本的器件，工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸正在不断缩小，而其功率密度也一直在升高。人们常用的U盘等闪存芯片则采用了另一种称为浮栅晶体管的器件。闪存又称为“非挥发性存储器”——所谓“非挥发”，即指芯片在没有供电的情况下，信息仍和较长的时间（微秒级）。复旦大学的科研人员们把一个隧穿场效应晶体管（TFET）和浮栅器件结合起来，构成了一种全的二氧化硅绝缘介质，而半浮栅晶体管的隧穿发生在禁带宽度仅1.1eV的硅材料内，隧穿势垒大为降低。潜在市场巨大作为一种。由单个半浮栅晶体管构成的新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上，感光单元密度提高，使图像传感器芯片的分辨率和灵敏度得到提升。目前，SRAM、DRAM和图像传感器技术的核心**基本上由美光、三星、Intel、索尼等国外公司控制。“在这些领域，中国大陆具

研究人员找到方法让石墨烯晶体管变得实用

浅谈低电压低静态电流LDO的电路设计

摘要：设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压因其具有低功耗、高的电增益级、缓冲级和2个PTAT电流输出电压为带隙基准电压不可调；需要使用NPN晶体管，而标准CMOS工艺中并不存在NPN晶体管。由于如今的SoC趋向工作在低电压环境，因此这种结构式中：IS 是三极管饱和电流；β2 是晶体管Q2的电流增益；n 是晶体管Q2和Q1射级面积比。通过式（1）可以得到PTAT电流：因此通过晶体管Q3的基射级电压和R2电压叠加即可得到输出电压值：调整电阻比值，使VT 系数 值为17.2，即可得到温度系数为零的带隙基准电压。 1.2 LDO频率分析精简结构LDO中包含三个低频极点，分别处在增益级的输出，缓冲级的输出和LDO的输出节点，分别如下：式中：ro1 和C1 分别是增益级输出电阻和负载电容；ro2是缓冲级输出电阻；Cpar 是功率管寄身电容；rop 是LDO输出级的等效电阻；CL 为输出负载补偿电容。为了保证LDO有个良好的输出暂态特性，CL 取值一般很大，因此极点p3 为LDO环路的主极点。晶体管Q3集电极电流偏置为PTAT电流，因此增益级的输出阻抗随输出

用iphone检测人体**:生物传感器成科技新宠

科技的进步为人体与机器的沟通创造了越来越多的可提高分子识别功能材料的性能、开发新型生物传感器的识别功能物质，结合生物遗传工程学的研究、开拓理想的生物功能膜材料;大力发展半导体生物传感器.即生物化学场效应晶体管(BIOFET)，使生物传感器超小型化.并且有可能实现多功能化;向集成化的方向发展，利用半导体集成电路的微细加工技术，在单—硅片上将传感器、微型阀、管道等时届系统制作在—起，形成所谓的生物化学集成电路“Bio—ChemicalIC”，将其应用于人造脏器。这是一个现实的课题，但并非梦想;开展智能型生物传感器的研究和产品的开发。总之，随着半导体技术、微电子学技术和基因工程技术的发展，可以预见，生物传感器的性能将得到进一步的改善，多功能、集成化和智能化的生物传感器也将成为现实，生物传感器的应用前景将十分广阔。

生物传感器成科技新宠iphone还可检测人体**？

科技的进步为人体与机器的沟通创造了越来越多的可提高分子识别功能材料的性能、开发新型生物传感器的识别功能物质，结合生物遗传工程学的研究、开拓理想的生物功能膜材料;大力发展半导体生物传感器.即生物化学场效应晶体管(BIOFET)，使生物传感器超小型化.并且有可能实现多功能化;向集成化的方向发展，利用半导体集成电路的微细加工技术，在单—硅片上将传感器、微型阀、管道等时届系统制作在—起，形成所谓的生物化学集成电路“Bio—ChemicalIC”，将其应用于人造脏器。这是一个现实的课题，但并非梦想;开展智能型生物传感器的研究和产品的开发。总之，随着半导体技术、微电子学技术和基因工程技术的发展，可以预见，生物传感器的性能将得到进一步的改善，多功能、集成化和智能化的生物传感器也将成为现实，生物传感器的应用前景将十分广阔。

功率MOSFET应用于开关电源注意的问题

功率MOSFET应用于开关电源时应注意以下几个问题。(1)栅极电路的阻抗非常高，易翼静电损坏。(2)直流输入阻抗高，但输入容量大，高频时输入阻抗低，因此，需要降低驱动电路阻抗。(3)并联工作时容易产生高频振荡。(4)导通时电流冲击大，易产生过电流。(5)很多情况下，不能原封不动地用于双极型晶体管的自激振荡电路。(6)寄生二极管的反向恢复时间长，很多情况下与场效应晶体管开关速度不平衡。(7)开关速度快而产生噪声，容易使驱动电路误动作，特别是开关方式为桥接电路、栅极电路的电源为浮置时，易发生这种故障。(8)漏极-栅极间电容极大，漏极电压变化容易影响输入。(9)加有负反馈，热稳定性也比双极型晶体管好，但用于电流值较小情况下不能获得这种效果。(10)理论上没有电流集中而产生二次击穿，但寄生晶体管因du/dt受到损坏，从而场效应晶体管也受到损坏。

14nm纳米是半导体工艺的一个坎

尺寸缩小是推动产业进步的“灵舟妙药”，每两年尺寸缩小70%的魔咒至此没有延缓的迹象，2011年是22nm工艺，到2013年工艺应该到14nm。众所周知，尺寸缩小仅是一种手段，如果缺乏尺寸缩小而带来的红利，业界不会盲目跟进。依目前的态势，业界已然有所争议，有人认为由28nm向22nm过渡时成本可一种是如英特尔表示会在22nm制程中开始采用FinFET结构的三栅晶体管技术。另一种是如IBM、��法半导体等公司表示考虑在22nm制程节点时采用FD-SOI或者FD-UTSOI全耗尽技术。IBM公司曾经在前两年展示了一种基于超薄的FD-UTSOI工艺。此种工艺技术的优点是仍然基于传统的平面型晶体管结构，不过这种工艺的SOI的硅层厚度非常薄，在5nm~6nm之间，这样便于形成全耗尽(FD)结构，能够显著减小短沟道效应(SCE)的影响。尽管英特尔与IBM双方采用的工艺技术路线不尽相同，然而市场经济是公平的，双方都会各展所长，根据市场需求做出权衡

东芝新低输入电流型晶体管输出光电耦合器问世

???????东芝公司（ToshibaCorporation）日前宣布推出新的低输入电流型晶体管输出光电耦合器系列，这个新系列可以保证在低输入电流条件下实现高电流传输比。“TLP182”和“TLP183”将采用SO6封装，“TLP292”和“TLP293”将采用小型SO4封装。批量生产定于2013年8月末开始。????????这些光电耦合器都融合了东芝的原始高输出红外线LED，可确保在0.5mA输入电流和5.0mA输入电流时实现相同的电流传输比，从而可以降低输入LED的电流和确保低功耗。LED在高环境温度下具有稳定输出，这可以确保在*高达125℃的温度下工作，从而能够可靠地运用于工业设备、紧凑型电源和其他会生成高热量的应用。应用???????开关电源、PLC和逆变器等工业设备以及家用电器的交流电线路检测。产品的主要特点1.确保在0.5mA低输入电流条件下实现高电流传输比（50%至600%）2.确保可在*高达125℃的温度下工作3.采用小型SO6和SO4封装产品的主要规格

基于MC2833和MC3362的RFID系统设计

安森美半导体宣布大举扩充通过汽车认证的产品阵容

通过AEC-Q100及AEC-Q101认证的分立及标准IC为汽车设计人员提供强固的元器件选择，用于汽车电子成分不断提升的应用安森美半导体(ONSemiconductor)已经大幅扩充针对严格的汽车应用设计的AEC-Q100和AEC-Q101合格认证标准元器件阵容。汽车电子成分持续提升，使设计人员需要更多通过AEC-Q认证、提供强固物理及电气性能以符合乘用车系统严格工作环境要求的元器件。根据市��研究公司IHS的信息及分析，平均每辆**汽车的半导体成分价值336美元，其中包括集成电路(IC)及分立元件，用于先进的驾驶人辅助系统、动力系统、车身及信息娱乐系统。单是信息娱乐系统的IC成分价值，在原设备制造商(OEM)系统层面约为平均每辆车52美元，包括零配件市场系统则为平均每辆车约81美元。HIS**汽车电子分析师LucaDeAmbroggi说：“近年来，随着总体汽车电子成分上升，平均每辆汽车中的半导体成分已在快速上升，并预计将继续增加。**车中标准IC的数量约为5,000至6,000颗。针对汽车应用的半导体元器件的品质是一项关键要求，业界的目标是**率达到每100万颗元件中**元件数量为零(

超耐用LDMOS提升功率：恩智浦发布BLF188XR

??????恩智浦半导体今日推出BLF188XR–其XR系列“超耐用”LDMOS射频功率晶体管的*1驻波比的严重负载失配。BLF188XR更强大的集成ESD保护，http://v.youku.com/v_show/id_XNTY3NDU2MzY0.html???????恩智浦半导体射频功率事业部市场总监MarkMurphy表示：“我们的‘超耐用’系列目前具有更强的耐用性，完全满足*苛刻的射频负载要求，并且采用恩智浦*新的高电压LDMOS技术，轻松超越VDMOS的性能、耐用性和可靠性。全新的BLF188XR借助BLF578XR的成功之处，扩展了我们的产品组合，并带来额外的耐用性、线性度、功率和简化设计。凭借作为ISM市场**的射频功率产品供应商所创下的骄人业绩，我们已将BLF188XR设计为**吸引力的解决方案，在激光器、MRI、射频照明和射频干燥以及VHF/FM广播发射机等各种低频应用。”?????上市时间?????合格客户现在可索取BLF188XR工程样品。

中国发明半浮栅晶体管有助获得芯片制造话语权

近日消息，中国研究人员在美国《科学》杂志上报告说，在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速。据介绍，它的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。研究负责人、复旦大学教授王鹏飞说：“我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”据王鹏飞介绍，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流器件，过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，越来越接近其物理极限，基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置——隧穿场效应晶体管(TFET)制成。它的优势在于体积可更小，结构更简单，读写速度更快，且一片这样的晶体管的功效可比得上多块MOSFET晶体管。