尺寸缩小是推动产业进步的“灵舟妙药”,每两年尺寸缩小70%的魔咒至此没有延缓的迹象,2011年是22nm工艺,到2013年工艺应该到14nm。众所周知,尺寸缩小仅是一种手段,如果缺乏尺寸缩小而带来的红利,业界不会盲目跟进。依目前的态势,业界已然有所争议,有人认为由28nm向22nm过渡时成本可一种是如英特尔表示会在22nm制程中开始采用FinFET结构的三栅晶体管技术。另一种是如IBM、意法半导体等公司表示考虑在22nm制程节点时采用FD-SOI或者FD-UT SOI全耗尽技术。IBM公司曾经在前两年展示了一种基于超薄的FD-UT SOI工艺。此种工艺技术的优点是仍然基于传统的平面型晶体管结构,不过这种工艺的SOI的硅层厚度非常薄,在5nm~6nm之间,这样便于形成全耗尽(FD)结构,能够显著减小短沟道效应(SCE)的影响。
尽管英特尔与IBM双方采用的工艺技术路线不尽相同,然而市场经济是公平的,双方都会各展所长,根据市场需求做出权衡。