研究人员利用胶态纳米晶体油墨印出晶体管

美国宾州大学（University of Pennsylvania）的研究人员开发出四种具有特性可调的纳米晶体油墨，能让研究人员调整其特性，用于列印出可用的电晶体图案。 在一篇题为“利用胶态纳米晶体库建构电子元件”（Exploiting the colloidal nanocrystal library to construct electronic devices）的研究论文中，共同作者——宾州大学工程与应用科学系教授Cherie Kagan与Ji-Hyuk Choi描述如何利用胶态纳米电晶体的多样性来设计材料、介面与制程，建构出采用基于溶液制程的各种纳米晶体电子元件。 可调整的胶态纳米晶体油墨配方，用于制造出可列印的电晶体 该油墨配方采用可调谐的胶态纳米晶体，包括金属银和半导电的硒化镉纳米晶体，实现高导电性与高迁移率的薄膜电极与场效电晶体（FET）的通道层、形成高电介常数闸极绝缘层的氧化铝，以及可在沈积电极上整合铟供应的金属铟纳米晶体与银纳米晶体混合物，一直到（以低温掺杂扩散步骤）钝化和掺杂硒化镉纳米晶体通道层。 利用需要多个微影光罩的低温多步骤自旋涂覆过程，以及纳米晶体的专用表面

首块纳米晶体“墨水”制成的晶体管问世

将促进柔性电子和可穿戴设备研制 科技日报北京4月8日电 （记者刘霞）晶体管是电子设备的基本元件，但其构造过程非常复杂，需要高温且高度真空的条件。美韩科学家在《科学》杂志上报告了一种新型制造方法，将液体纳米晶体“墨水”按顺序放置。他们称，这种效应晶体管或可用3D打印技术制造出来，有望用于物联网、柔性电子和可穿戴设备的研制。据宾夕法尼亚大学官网消息，研究人员在实验中先将拥有晶体管电学属性的纳米晶体，或球形纳米粒子分散在液体内，制造出四种纳米晶体墨水：一种导体（银）、一种绝缘体（氧化铝）、一种半导体（硒化镉）以及一种有掺杂物（银、铟混合物）的导体。研究人员之一、韩国地质矿产研究所的崔志赫（音译）说：“我们**证实，晶体管所有的组件金属层、绝缘层、半导体层甚至半导体掺杂剂都能由纳米晶体制造。”不过在制造过程中，需要采用**的方式将其堆放。首先，导电的银纳米晶体墨水从液体中沉淀在一个被光刻用掩模处理过的柔性塑料表面，随后，快速旋转将其画在一个平坦的层内。接着将掩模移走，留下银墨水做晶体管的门电极。接下来，在其上面放置一层以氧化铝纳米晶体为基础的绝缘体，再放上一层以硒化镉纳米晶体为基础的半导体，*

安森美半导体推进更快、更智能和更高能效的GaN晶体管

氮化镓（GaN）是一种新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势，被称为第三代半导体材料，用于电源系统的设计如功率因数校正（PFC）、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等，可实现硅器件难以达到的更高电源转换效率和更高的功率密度水平，为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来性能飞跃。GaN的优势从表1可见，GaN具备出色的击穿能力、更高的电子密度及速度，和更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率，这意味着开关过程的反向恢复时间可忽略不计，因而表现出低损耗并提供高开关频率，而低损耗加上宽带宽器件的高结温特性，可降低散热量，高开关频率可减少滤波器和无源器件如变压器、电容、电感等的使用，*终减小系统尺寸和重量，提升功率密度，有助于设计人员实现紧凑的高能效电源方案。同为宽带宽器件，GaN比SiC的成本更低，更易于商业化和具备广泛采用的潜力。表1：半导体材料关键特性一览安森美半导体与Transphorm联合推出**代Cascode GaNGaN在电源应用已证明能提供优于硅基器件的重要性能优势。安森美半导体和功率转换专家Transphorm

“偏执的”英特尔生存之法：实感和云计算的万物互联

“只有偏执狂才能生存。”科技的发展从没像今天这般瞬息万变、风起云涌，一个月前逝世的英特尔传奇CEO安迪·格鲁夫可能会更笃定自己曾说过的这句名言。4月13日，英特尔在深圳召开了2016年***大会(IDF2016)，介绍了这家被安迪· 格鲁夫注入了硅谷偏执狂精神的公司将如何应对科技发展的新浪潮。“技术和机器也需要一双慧眼”“电脑越来越具有人的行为能力，它们能够捕捉我们看见的、听到的事物”，杨旭在演讲中说。简单来讲，实感技术就是将感知能力和理解能力赋予原本冰冷的设备，使得它们处理信息，捕捉影像，测量尺度，追踪运动轨迹，“就像人的眼睛这么复杂”。比如可以识别环境和主人的机器人管家，自动规避障碍物的无人机，可远程操作其他设备的可穿戴物，可实现虚拟换装的试衣镜和智能识别使用者的柜员机等等，都是实感技术在生活中的应用。英特尔感知计算事业部总经理鲍克勤介绍，未来的实感设备将会更为微小，成本会更低廉，功耗也会更低。无论是计算机，机器人，无人机，移动设备，还是AR/VR，都可从实感技术中受益匪浅。竞技体育就是实感技术大展身手的场景之一。在极限运动X-Games比赛中，将内置实感技术的微电脑装在滑雪板上，

选择保障线性稳压器稳定度的ESR

新型的纳米二极管 不怕被水淹没

无论科学家们是否在想办法解决“在人工皮肤中植入传感器”后的柔韧性问题，其中的电子电路都必须要接受我们汗水的考验，而硅质芯片显然并不能很好的与汗液 和睦相处。如今，一个国际科研小组已经开发出了一种能够**适水的逻辑电路和传感器。更为惊奇的是，该系统完全不需要半导体的参与。研究人员选择将有机分 子作为“外套”来包裹住里面的金质纳米粒子。他们为这个电路系统起了个名字——“chemoelectronic”电路。 该团队由北京国家纳米科学中心、美国北卡罗来纳大学教堂山分校、美国NuMat Technologies公司、韩国UNIST公司的科学家组成，并在《自然纳米技术》期刊上发表了关于chemoelectronic的文章。他们用四种有机分子随机组成的大量“配体”包裹住金质纳米粒子，创造出了****的chemoelectronic。每个配体在入水或是潮湿的环境中都能产生一个不同的电荷相关（Charge-related）效果。例如某个配体溶解后就会释放出正离子，并留下纳米颗粒包裹住负离子。而相对的，也会存在某个配体会使纳米颗粒包裹正离子并释放负离子。而后者结合两种类型的金属纳米颗粒与电荷相反的配体，

iPhone 8处理器或将采用7纳米工艺制造

芯片制造商台积电（TSMC）17日表示，正与ARM合作开发7纳米FinFET（鳍式场效晶体管）芯片制造工艺，*快将在2018用于生产苹果iPhone 8上的A12芯片组。 根据台积电公布的时间表，7纳米FinFET工艺芯片将在明年投产，而大规模生产则需要一段时间，*早可能将于2018年正式量产，按照惯例，苹果iPhone 8将会在2018年亮相，其搭载的A12处理器或将采用��积电7纳米工艺制造。 更先进的制程工艺意味着在更小的芯片上集成更多的晶体管，这将可以降低功耗。而FinFET技术通过改善晶体管的电路控制，减少漏电流，让处理器更加省电。 目前，iPhone 6s上A9芯片由台积电和三星共同生产，其中台积电采用16纳米制程，而三星版A9则是14纳米工艺。同时，有消息称iPhone 7上的A10芯片将全部由台积电代工，依然是16纳米工艺。

回忆安迪·格鲁夫：真正定义数字时代规律

“光机转导器”使声波、光波和无线电波联系起来

声波导将声子引导进光机械腔内，使得该团队能够直接操纵悬浮纳米梁的运动。任职于国家标准与技术研究所(NIST)的研究人员已经开发出一种将信号在光波，声波和无线电波之间转换的“压电光机回路”。基于此设计的系统可以在下一代计算机中移动和存储信息。该团队的工作被发表在《NaturePhotonics》杂志上，同时也在2016年3月在马里兰州巴尔的摩市举行的美国物理学会会议上进行了报告。摩尔定律——一个认为集成电路的晶体管数量将每两年翻一番的理论——已经被证明是非常符合实际情况的，因此工程师们将很快会开始遭遇根本上的极限。随着晶体管的减小，热以及其他因素将开始在电路中产生放大的效应。因此，研究人员正在越来越多地考虑那些在其中电子元件与其他携带信息的物理系统例如光和声音进行连接的设计。如果研究人员可以开发出将信号从一种类型转换到另一种类型(转导)的有效的方式，连接这些不同类型的物理系统将可以绕过一些发生在那些只依赖于一种类型的信息载体的组件上的问题。例如，光能够携带大量的信息，并且通常不会与它的环境非常强烈地相互作用，所以它不像电流一样加热元件。然而，虽然光很有用，但它不适合所有的情况。光线很难被

金属所研制出窄带隙分布半导体性单壁碳纳米管

单壁碳纳米管（swcnt）因碳原子排布方式不同可表现为金属性或半导体性，其中半导体性swcnt具有纳米尺度、良好的结构稳定性、可调的带隙和高载流子迁移率，被认为是构建高性能场效应晶体管的理想沟道材料，并可望在新一代柔性电子器件中获得应用。然而，金属性和半导体性swcnt的结构和生成能差异细微，通常制备得到的碳纳米管中含有约三分之一金属性和三分之二半导体性swcnt，这种不同导电属性swcnt的混合物无法用于高性能电子器件的构建。因此，高质量半导体性swcnt的可控制备是当前碳纳米管研究的重点和难点。 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室先进炭材料研究部的研究人员利用金属性与半导体性swcnt在化学稳定性上的微弱差异，提出了浮动催化——原位刻蚀方法，在swcnt生长过程中引入适量气体刻蚀剂（如氧气或氢气）优先反应刻蚀金属性swcnt，获得了纯度90%以上的半导体性swcnt（journaloftheamericanchemicalsociety2011,133:5232;acsnano2013,7:6831）。半导体性swcnt的带隙与直径直接相关，**控制其直径不仅可以实

英特尔14nm比代工厂强太多 但龙头优势难保

“中国芯”又一出闹剧 到底谁的黑锅？

日前，承载着核高基（国家“核心电子器件、**通用芯片及基础软件产品”的简称）项目的中晟宏芯爆出欠薪事件，而有媒体更是发出“无良房地产商控股中晟宏芯，致使国家高性能CPU项目流产，拖欠员工工资，董事长总经理已不知去向！”这样骇人的消息。 据**了解，虽然上述的说法可能有夸大其词，但曾经要**“龙芯”的宏芯如今欠薪却是属实。原本被国家赋予厚望，从工信部、江苏地方两级政府获得了巨额资金，并承担核高基项目的中晟宏芯为何出现欠薪事件？中晟宏芯缘何而生在大数据、云计算的带动下，服务器市场前景异常广阔——预计到2020年，服务器芯片市场将达到150亿美元。而中国作为具有巨大潜力的全球**大服务器芯片市场，自然成为外国公司眼中的“兵家必争之地”。与此同时，IBM在经营上遇到诸多困难——其Power服务器芯片市场份额正不断被x86侵蚀，为了强化产业联盟和生态，IBM急于在中国扶持一个合作伙伴做低端Power服务器芯片，并借助中国政府的政策保护抵抗x86芯片的侵蚀，而IBM得以继续在**服务器上赚钱。与此同时，中国对集成电路产业非常重视，从中央到地方政府对发展该产业予以极大的扶持力度。在这股浪潮下，江苏一

5纳米制程技术挑战重重 成本之高超乎想象

莫大康半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术（DP）。再进一步发展至16/14纳米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用五次图形曝光技术（FP），这已引起全球业界的关注。而对于更先进5纳米生产线来说，至今业界尚无关于它的投资估计。但是根据16/14纳米的经验，以每1000硅片需要1.5亿至1.6亿美元计，推测未来的5纳米制程，因为可能要用到EUV光刻，每台设备需约1亿美元，因此它的投资肯定会大大超过之前。所以未来建设一条芯片生产线需要100亿美元是完全有可能的。生产线的量产是个系统工程，需要材料、设备、晶体管结构、EDA工具等与之配套，对于半导体业是个更大的挑战。新的晶体管型式，加上掩膜、图形、材料、工艺控制及互连等一系列问题，将导致未来半导体业将面临许多的困难。在近期的会议上，Intel发布的

再等两年 英特尔能否重回摩尔定律？

英特尔曾自诩，未来电脑将更快、更便宜和更小型化。但近几年来，英特尔却失去了芯片制造工艺的优势。英特尔并没能跟上几十年来遵循的路线完成芯片设计，*终导致其产品置于十分尴尬的时期。按照以往，英特尔每两年时间自家的芯片制造工艺都会向前迈进一个步伐，然而*近这几年变成了每两年半，说的就是14纳米制造工艺。更有意思的是，接下来的10纳米工艺英特尔似乎更加犯难，因为英特预期至少要等到2017年年底，跳票的话甚至有可能到2018年初，14纳米需要服役将近三年时间。前不久，英格尔**财务官出席摩根士丹利科技、媒体暨电信会议(MorganStanleyTechnology,Media&TelecomConference)时StacySmith表示，希望在10纳米时隔一年之后搞定7纳米工艺制程，重新回到每两年推进一次工艺进步的轨道上。“我们希望是两年搞定，但却没有。”StacySmith称，“我们将会看到7纳米作为一场技术的变革，并可能让我们重新找回为其两年时间的节奏。”英特尔长期以来始终维持所谓的摩尔定律，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍

**政协委员潘建伟：量子通信京沪干线今年建成

**政协委员、中国科学技术大学常务副校长潘建伟院士3日在接受新华社记者采访时表示，京沪干线大尺度光纤量子通信骨干网将于2016年下半年建成。“这条量子干线连接北京与上海，贯穿山东济南、安徽合肥等地，是千公里级高可信、可扩展的广域光纤量子通信网络，属世界首例。它建成后将广泛用于金融、政务等领域信息的**传输。”潘建伟说。信息科技进一步发展面临着两大瓶颈，即计算能力瓶颈和信息**瓶颈：一方面，随着半导体晶体管的尺寸接近纳米级，电子的运动不再遵守经典物理学规律，半导体晶体管将不再可靠，**的“摩尔定律”终将失效。另一方面，芯片后门、光缆**、“棱镜门”等**与黑客攻击事实，以及超级计算机运算速度突破亿亿次每秒，使得信息面临着越来越严重的**和破译风险。“量子力学在百年来的发展过程中，已经为解决这些重大问题做好了准备。”潘建伟说。潘建伟、陆朝阳等不久前在国际上**实现基于半导体量子点的高效率和高全同性的单光子源，综合性能达到国际**，为实现基于固态体系的大规模光子纠缠和量子信息处理技术奠定了科学基础。量子通信，指利用光子的量子状态加载并传输信息。“从原理上来说，量子通信是无条件**的通信方式。

戴在手腕上的柔性显示屏亮相移动世界大会

据国外科技网站TheVerge报道，技术界似乎认为未来的计算设备都是曲线形的。我们在巴塞罗那移动世界大会上又看到一款这种风格的显示屏样品。这款可以戴在手腕上的显示屏是由英国公司FlexEnable开发出来的，现在这款显示屏还不能使用，只能播放一段演示视频。虽然FlexEnable并不是一家消费电子产品公司，但它表示这款显示屏背后的技术已经开发成型，它正在同一些硬件合作伙伴进行谈判，准备将这项技术变成一款真正的产品。那么我们什么时候才能见到像这种能够戴在手腕上的显示设备出现在市面上呢？据FlexEnable的保罗·凯恩（Paul Cain）称，乐观的估计至少也要18个月之后。这款样品机使用了塑料材质的晶体管以实现其可弯曲性，FlexEnable将这种显示屏称作“有机液晶显示屏”（OLCD）。FlexEnable称，这类有机液晶显示屏可以达到与普通液晶显示屏一样的分辨率，但是它们的可弯曲性更强。这些晶体管可以被卷在任何物体上，同时还使用了外部显示技术。FlexEnable还展示了超薄柔性指纹感应器，它说这种感应器可以被包裹在门把手上以提高**性，而且也不会给用户们造成不便。我们在移动世界大

摩尔定律“寿终正寝” 半导体行业发展靠石墨烯还是量子计算？

在“患病多年”后，摩尔定律于51岁“寿终正寝”。 《自然》杂志刊文称，将于下月发布的下一份半导体技术路线图将采用完全不同的方法。早在2014年，国际半导体技术路线图组织已经决定，下一份路线图将不再依照摩尔定律。 1965年，英特尔联合创始人戈登-摩尔（Gordon Moore）观察到，集成电路中的元件集成度每12个月就能翻番。此外，确保每晶体管****的单位芯片晶体管数量每12个月增长一倍。1965年，单位芯片50个晶体管可以带来*低的每晶体管成本。摩尔预计，到1970年，单位芯片可集成1000个元件，而每晶体管成本则将下降90%。 在对数据进行提炼和简化之后，这一现象就被称作“摩尔定律”：单位芯片晶体管数量每12个月增长一倍。 摩尔的观察并非基于任何科学或工程原理。这仅仅反映了行业发展趋势。然而，在随后的发展中，半导体行业并没有将摩尔定律当作描述性、预测性的观察，而是视为规定性、确定性的守则。整个行业必须实现摩尔定律预测的目标。 然而，实现这一目标无法依靠侥幸。芯片开发是一个复杂过程，需要用到来自多家公司的机械、软件和原材料。为了确保所有厂商根据摩尔定律制定同样的时间表，整个行业遵循

存在50年的摩尔定律正在失灵？

吴春晓 1965年，英特尔联合创始人戈登-摩尔观察到，集成电路中的元件集成度每12个月就能翻番。此外，确保每晶体管****的单位芯片晶体管数量每12个月增长一倍。1965年，单位芯片50个晶体管可以带来*低的每晶体管成本。摩尔预计，到1970年，单位芯片可集成1000个元件，而每晶体管成本则将下降90%。在对数据进行提炼和简化之后，这一现象就被称作“摩尔定律”：单位芯片晶体管数量每12个月增长一倍。摩尔的观察并非基于任何科学或工程原理。这仅仅反映了行业发展趋势。然而，在随后的发展中，半导体行业并没有将摩尔定律当作描述性、预测性的观察，而是视为规定性、确定性的守则。整个行业必须实现摩尔定律预测的目标。然而，实现这一目标无法依靠侥幸。芯片开发是一个复杂过程，需要用到来自多家公司的机械、软件和原材料。为了确保所有厂商根据摩尔定律制定同样的时间表，整个行业遵循了共同的技术发展路线图。由英特尔、AMD、台积电、GlobalFoundries和IBM等厂商组成的行业组织半导体协会从1992年开始发布这样的路线图。1998年，半导体行业协会与全球其他地区的类似组织合作，成立了“国际半导体技术路线图”

波音和通用实验室研发出GaN CMOS场效应晶体管

由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室-HRL实验室已经宣布其实现互补金属氧化物半导体（CMOS）FET技术的**展示。该研究结果发表于2016年1月6日的inieee电子器件快报上。 在此过程中，该实验室已经确定半导体的**晶体管性能可以在集成电路中加以利用。这一突破为氮化镓成为目前以硅为原材料的电源转换电路的备选技术铺平了道路。氮化镓晶体管在电源开关和微波/毫米波应用中有出色的表现，但该潜力还未用于集成功率转换。“除非快速切换GaN功率晶体管在电源电路中故意放缓，否则芯片到芯片的寄生电感导致电压不稳定。”HRL**研究工程师、**研究员楚榕明称。楚和他在HRL微电子实验室的同事们克服了这一限制，开发出GaN CMOS技术，可在同一硅片上集成增强型GaN NMOS和PMOS。楚表示，将电源开关及驱动电路集成在同一芯片上，是减少寄生电感的*终方法。目前，氮化镓晶体管被设计成雷达系统、蜂窝基站、计算机笔记本电源适配器的电源转换器。“在短期内，CMOS IC可应用于功率集成电路，能够采用更小的外形尺寸，更低的成本实现更高效的电力管理，并能在恶劣的环境下工作。”楚说。“从长远来看，CM

HRL新晶体管或将带来电子产品的**

2 月 23 日消息，在近期，由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室HRL正式宣布将**展示其研发的互补金属氧化物半导体FET技术。 其实，该研究结果早在今年 1 月 6 日就被发表在了 inieee 电子器件快报上，但现在，它将被正式的展示。据悉，在这一过程中，该实验室已经确定半导体**晶体管性能可以在集成电路中加以利用，这一突破为氮化镓成为目前以硅为原材料的电源转换电路的备选技术铺平了道路。 在此之前，氧化镓由于存在大量的寄生电感导致电压不稳定，使其在光电子方面的应用潜力并没有被开发出来多少。而现在，HRL通过将电源开关及驱动电路集成在同一芯片上的方式，大大的减少了这一影响。这项技术被应用在电子产品当中的话，将使功率集成电路能够采用更小的尺寸，并以更低的成本实现更高效的电力管理，也能够在更为恶劣的环境下工作。在此之前，由于在制造 P 沟道晶体管和 N 沟道晶体管的挑战，氮化镓 CMOS 集成电路曾被认为是困难或不可能的。而现在 HRL 已经通过自己的努力改变了这一切。这项技术必将对电子产品带来巨大的影响，甚至是具有**性意义的影响。在未来，我们所使用的电子产品或许将因此具备更

摩尔定律失效后 芯片行业何去何从

2月15日消息，据《自然》杂志报道，半导体行业很快会放弃对摩尔定律的遵从。业内下月即将公布的新“路线图”，给出的规划将摆脱这一持续了数十年之久的原理。不过**者并未因此失去准心，因为新的需求仍在推动技术发展。全文翻译如下:下月，全球半导体行业将正式承认一个愈发明显的事实，那就是摩尔定律，这个自20世纪60年代起便支撑信息科技**的原理，即将失效。摩尔定律是计算领域的基本原理，它可以表述为，在每两年左右的时间里，微处理器芯片上的晶体管数量就会增加一倍——也可以说成，芯片的性能也会增加一倍。正是这条定律所提到的指数级增长，使得20世纪70年代首批粗糙的家用电脑，进化成为了20世纪80年代和90年代成熟的计算机。也正是因此，催生了高速互联网、智能手机，以及今天愈发普遍的联网汽车、联网冰箱与联网空调。这一切并非必然：之所以要遵从摩尔定律，是芯片制造商有意的选择。在每个发展阶段，软件开发商都会推出应用，榨干已有芯片的计算能力;消费者需要自己的设备做更多事情;而且制造商赶着用下一代芯片来满足需求。事实上，从20世纪90年代起，半导体行业每两年都会发布一份研发路线图，来协调数百家制造商与供应商的所作

摩尔定律仍有效，IoE将采用印刷电子技术

2月1日，共有4位嘉宾在“ISSCC 2016”（1月31日～2月4日于美国旧金山举办）上登台发表主题演讲。**位演讲嘉宾是英特尔执行副总裁、技术和制造部门总经理威廉·霍尔特（William M. Holt），题目是“Moore’s Law: A Path Forward”。内容是摩尔定律仍然有效，同时还探讨了支撑该定律的技术CMOS和“Beyond CMOS”。 霍尔特解释称，使用丰富的数据让摩尔定律持续下去是具有经济合理性的。他表示，摩尔定律被证实是从经济性观点提出的IC方案之后，业内人士对于该定律的担忧是今后能否继续发挥经济效益，然后他便以回答这一问题的形式展开了阐述。首先，霍尔特表示，不断膨胀的研发投资带来了更高的成本削减效果，14nm、10nm工艺仍会按照摩尔定律降低每个晶体管的成本。虽然晶圆工艺成本的提高导致单位面积的成本不断上涨，但从每个晶体管的成本来看，摩尔定律对于7nm工艺仍然有效。不过，霍尔特也指出，技术此前一直按照摩尔定律发展进步，*近其方向开始发生变化。此前，伴随着工艺的升级换代，微细化的同时也带来了高速化（低延迟化）和低功耗化，但这种情况需要改变，即便牺牲高速

性能向左能耗向右 英特尔选择了后者

英特尔是世界*大的芯片制造商，现在它正在准备拥抱新的技术，以替代沿用了50多年的老计算技术。英特尔技术及制程事业部总经理威廉·霍尔特（William Holt）本周接受了采访，他说芯片会继续发展，英特尔很快就会采用新的基础性技术。 按照霍尔特的说法，英特尔暂时还不知道要采用什么新的芯片技术，它们所知道的是4到5年内必须转用新技术。霍尔特指出了两种可能性：一种是所谓的“隧穿晶体管”设备，另一种就是所谓的“自旋电子”技术。无论是哪一种技术，芯片的设计和制造都需要作出巨大的改变，它们还可能会与硅晶体管一起使用。霍尔特说，新技术的速度并不比硅晶体管快，换句话说，芯片的速度在过去一直在飞速提升，现在它要停止增长了。从另一方面来看，新技术会提高芯片的能耗效率，对于今天的计算而言这点相当关键，比如云计算、移动设备、机器人。“我们将会看到大转变的到来。”霍尔特在洛杉矶国际固态电路研讨会上说，“新技术存在本质上的不同。”在过去几十年里，芯片产业一直被摩尔定律主导，它由英特尔联合创始人戈登·摩尔（Gordon Moore）于1965年提出。摩尔认为相同面积芯片中的晶体管数量每2年翻一番，成本不增加就可以提

中国为何对功率电子行业感兴趣？

中国投资财团与美国安森美半导体（ON Semiconductor）围绕仙童半导体（Fairchild Semiconductor）股权收购展开的攻守战至今仍未结束。仙童于2015年12月拒绝了中国投资财团**次提出的收购方案，但随后于2016年1月5日宣布，将考虑华润微电子与华创投资的修订方案。 在新方案中，中国资本将以每股21.70美元的现金收购仙童，这一价格远远高于安森美提出的每股20美元，也显示出了中国投资方的决心。这并不是中国投资者**次对半导体行业产生兴趣。下面我们就重点探讨一下中国掌握着关键的功率半导体行业。中国加入功率电子领域的国际竞争  对于功率电子行业而言，40％的功率半导体器件产品都依赖于进口的中国自然是*重要的市场（参考Yole Developpement的分析报道《Status of the Chinese Power Electronics Industry 2015》（2015中国功率电子行业现状））。2014年面向中国市场供应的功率半导体器件达到了60亿美元，包括FET（Field-Effect Transistor，场效应晶体管）、IGBT（Insula

摩尔定律"失效"后 芯片行业何去何从

据《自然》杂志报道，半导体行业很快会放弃对摩尔定律的遵从。业内下月即将公布的新“路线图”，给出的规划将摆脱这一持续了数十年之久的原理。不过**者并未因此失去准心，因为新的需求仍在推动技术发展。全文翻译如下: 下月，全球半导体行业将正式承认一个愈发明显的事实，那就是摩尔定律，这个自20世纪60年代起便支撑信息科技**的原理，即将失效。 摩尔定律是计算领域的基本原理，它可以表述为，在每两年左右的时间里，微处理器芯片上的晶体管数量就会增加一倍——也可以说成，芯片的性能也会增加一倍。正是这条定律所提到的指数级增长，使得20世纪70年代首批粗糙的家用电脑，进化成为了20世纪80年代和90年代成熟的计算机。也正是因此，催生了高速互联网、智能手机，以及今天愈发普遍的联网汽车、联网冰箱与联网空调。 这一切并非必然：之所以要遵从摩尔定律，是芯片制造商有意的选择。在每个发展阶段，软件开发商都会推出应用，榨干已有芯片的计算能力；消费者需要自己的设备做更多事情；而且制造商赶着用下一代芯片来满足需求。事实上，从20世纪90年代起，半导体行业每两年都会发布一份研发路线图，来协调数百家制造商与供应商的所作所为，从而

AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管

ams晶圆代工事业部今日宣布进一步扩展其行业**的0.35µm高压CMOS专业制程平台。基于该高压制程平台的先进“H35”制程工艺，使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效节省空间并提升设备性能的电压可拓展的晶体管。新的电压可拓展的高压NMOS和PMOS晶体管器件针对20V至100V范围内的各种漏源电压进行了优化，显著降低了导通电阻，因此可节省器件空间。在电源管理应用中，用优化的30V NMOS晶体管代替固定的50V晶体管可节省近一半的空间;与标准的120V NMOS晶体管相比，优化的60V NMOS器件可节省22%的空间。开发大型驱动器及开关IC等复杂高压模拟/混合信号应用的晶圆代工客户能立即在单晶圆中包含更多裸片。这些可节省空间的器件适用于一系列应用，如可用于汽车、医疗和工业领域的MEMS驱动器、马达驱动器、开关、电源管理IC等。艾迈斯半导体晶圆代工事业部也因此成为全球**为晶圆代工客户提供电压可拓展晶体管的公司。艾迈斯半导体的解决方案完全符合汽车(ISO/TS 16949)和医疗(ISO 13485)行业的各项规范认证，可为客户提供高质量的产品和服务，满足客户的各种严格要求。艾迈斯半导体

历代iPhone为什么只有6s惹“芯片门”？

早在今年新一代iPhone面世之前，业界就已经得到消息称iPhone6s/Plus使用的A9芯片将交给台积电与三星两家芯片工厂代工。其中，三星使用的工艺是14nmFinFET，台积电则是16nmFinFET工艺。iPhone6s上市后，专业机构的拆解分析迅速证明了以上传闻，且大量用户通过软件获取的芯片数据显示三星和台积电的代工比例约为2：3。历代iPhone为什么只有6s惹“芯片门”?令人惊讶的是，*近许多用户对两种版本的iPhone6s的功耗、续航测试表明台积电生产的A9芯片看起来有更好的性能功耗表现。一些测试中，台积电版本的6s在续航能力方面相比三星版本的优势高达30%甚至更多。一时间舆论哗然，连苹果官方都要出来澄清事实，劝说消费者不要为芯片生产方操心。“芯片代工门”成了这段时间的热点话题。那么，苹果为何要选择两家工厂来共同代工手机*重要的组件，三星和台积电的工艺水平真的有显著差异吗?历史时间倒回1998年，当时，刚刚回到苹果重掌大权的乔布斯率领团队拿出的**个新产品就是五彩缤纷的一体机：iMac。漂亮的 iMac一发布就吸引了广泛赞誉，消费者热情的订单蜂拥而至。然而就在iMac的

电源小贴士：教你用分立组件设计稳健低成本的串联线性稳压器

石墨烯终于变成了可以制造电子开关的半导体

石墨烯因为不具有半导体的性质而无法用来制造晶体管，现在科学家找到了克服困难的办法。 石墨烯，即以蜂窝状晶格排列的单层碳原子，具备一系列出色的性质。自从石墨烯在2003年被发现以来，研究者发现它具有优异的强度、导热性和导电性。*后一种性质使得这种材料非常适合用来制作电路中的微小接触点，但*理想是用石墨烯自己制成电子元件——特别是晶体管。要做到这点，石墨烯不仅需要充当导体，也要有半导体的功能，这是电子元件需要进行的通断切换操作的关键。半导体由其带隙所定义的，带隙指的是激发一个电子，让它从不能导电的价带跃迁到可以导电的导带所需要的能量。带隙必须足够大，这样来使得晶体管开和关之间的状态才对比明显，这样它才能准确无误地处理信息。常规的石墨烯是没有带隙的——它特殊的波纹状价带和导带实际上是连在一起的，这使得它更像是金属。尽管如此，科学家们试图分开这两个带。通过把石墨烯制造成奇特的形状，如带状，目前*高可以让带隙达到100meV，但这对电子工程应用来说还是太小了。美国佐治亚理工学院的Edward Conrad和同事们通过外延生长制造了他们的石墨烯。这种方法要把碳化硅衬底被加热到1360 ℃，使它开始

半导体行业并购交易价值超过1360亿美元

意法半导体推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管

意法半导体推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与**的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一，并始终致力于技术的研发与升级。这次推出的1200VSCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列，具有小于290mΩ的通态电阻(RDS(ON))及高达200°C的*大工作结温等诸多特性优势;其高度稳定的关断电能(Eoff)和栅电荷(Qg)可使开关性能在整个工作温度范围内表现始终如一。*终的低导通损耗和开关损耗配合超低泄漏电流，将有助于简化热管理设计，并*大限度地提高可靠性。除更低的电能损耗外，意法半导体的碳化硅MOSFET的开关频率也同样出色，较同等级的硅绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高出三倍，这让设计人员能够使用更小的外部元器件，进而降低产品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高温性可大幅度简化电源模块、电动汽车等应用的散热系统 (cooling-system) 设计。SCT

意法半导体(ST)扩大碳化硅MOSFET产品系列

为更多应用带来宽带隙技术优势2月11日消息，意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与**的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。 意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一，并始终致力于技术的研发与升级。这次推出的1200V SCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列，具有小于290mΩ的通态电阻 (RDS(ON)) 及高达200°C的*大工作结温等诸多特性优势；其高度稳定的关断电能 (Eoff) 和栅电荷 (Qg) 可使开关性能在整个工作温度范围内表现始终如一。*终的低导通损耗和开关损耗配合超低泄漏电流，将有助于简化热管理设计，并*大限度地提高可靠性。 除更低的电能损耗外，意法半导体的碳化硅MOSFET的开关频率也同样出色，较同等级的硅绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高出三倍，这让设计人员能够使用更小的外部元器件，进而降低产品尺

Diodes微型场效应晶体管节省40%空间

Diodes为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。新推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管，以及30V额定值的P通道器件，产品全都采用了DFN0606微型封装。每个器件的电路板占位面积仅0.6mm x 0.6mm，比一般采用DFN1006 (SOT883) 封装的MOSFET小40%，是下一代可穿戴科技产品、平板电脑及智能手机的理想之选。DMN2990UFZ (20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ (30V nMOS通道) 和 DMP32D9UFZ (30V pMOS通道) 能够提供与大多数大型封装器件相同甚至更佳的电气性能。新产品旨在尽量降低导通电阻，并同时维持**的开关性能。此外，器件的典型阈值电压低於1V，这种低开启电压适合单电池工作模式。全新微型MOSFET非常适合进行高效率功率管理，还可作为通用介面及简单的模拟开关。这些DFN0606封装器件的功耗达到300mW，使电路功率密度得以提升。

飞思卡尔推出突破性的大功率塑封晶体管，进一步扩大耐用的射频产品组合

飞思卡尔半导体日前推出了业界*高射频功率的塑封晶体管。新款MRFE6VP61K25N提供的功率超过1250W CW，而新款MRFE6VP6600N提供的功率超过600W。飞思卡尔的塑料封装与大体积的焊接工艺兼容，支持严苛的尺寸公差，与陶瓷封装的晶体管相比，其热阻减少了30%。这种热阻，结合新产品的高效和增益，可以通过提高性能和减少冷却材料的使用，降低系统成本。新产品为工业和广播应用提供理想的功率晶体管，这些应用包括CO2激光器、等离子体设备、MRI放大器和粒子加速器，以及FM和VHF广播发射机。飞思卡尔**副总裁兼射频业务部总经理Paul Hart表示：“这些新产品继续保持了飞思卡尔为工业领域提供关键射频**的骄人业绩。 新产品保留了塑封的优势，却没有降低射频性能，这是一次重大飞跃，我们的客户可采用它开发终端产品，在竞争激烈的工业市场中脱颖而出并赢得竞争。”除了这些超高性能的新器件外，飞思卡尔还提供一系列极其耐用的晶体管，可在从1至600 MHz的恶劣工业环境中蓬勃发展。根据当前的介绍，飞思卡尔的工业产品组合现在包括5个陶瓷封装部件和5个塑封部件，可满足从25W至1250W的功率需求。

Diodes高压稳压器晶体管为微控制器提供5V电源 并节省占位面积

Diodes推出新的稳压器ZXTR2105F，该产品把晶体管、齐纳二极管及电阻器单片式集成起来，有效在高达60V的输入情况下提供5V 15mA的输出。这款稳压器晶体管采用了小巧的SOT-23封装，可减少元件数量，以及节省微控制器应用的印刷电路板面积，例如个人电脑和服务器的直流散热风扇，以及工业与汽车市场的电机驱动器、排气扇和传感器应用。ZXTR2105F旨在替代三个分立元件，当一般用来从12V或24V的输入产生4.7V到5.3V之间的稳定电源时，不但能够尽量缩减解决方案尺寸，还可提高系统的功率密度及可靠性。这款器件的输入额定值*高达60V，确保在瞬态过压的情况下提供充足的净空。**的线性和负载调节功能通过防止瞬态电压降导致锁死现象来保持器件连续工作，有助於进一步增加系统可靠性。ZXTR2105F是ZXTR2000系列的*新产品，并以一万个为出货批量。