Ambiq Micro的Apollo微控制器降低功耗达10倍 重新定义“低功率”

打造光通信“中国芯”：烽火P-OTS芯片炼成史

芯片曾被形象地比喻为国家的“工业粮食”，是信息产业的核心，是所有整机设备的心脏。在计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等几大领域，芯片几乎起着生死攸关的作用。然而，我国芯片产业起步较晚，许多核心技术受制于人，关键设备、原材料等长期依赖进口。 2013年，一则消息震惊了国人：来自海关的统计数据表明，2013年我国集成电路进口高达2313亿美元，超过石油进口排名高居首位。事实上，中国有十余年集成电路进口额超过石油，长期居各类进口产品之首。 国际货币基金组织曾测算过，芯片1元的产值可带动相关电子信息产业10元的增长，带来100元的GDP增长。我国每年2000多亿美元的消耗量，带动全球20多万亿美元的GDP。然而，中国巨大的市场却并未给自己带来多少利润。我国每年生产占全球77%的手机，自主芯片却不到3%，全球半导体市场规模超过3000亿美元，而国内制造的芯片只占国内市场份额的不到10%。 “只生产而不掌握核心技术，我国芯片业今后将面临更为严峻的挑战。未来5年是我国芯片产业‘生死存亡’的关键时期，这绝不是危言耸听。”国内某权威集成电路企业专家表示。 严峻的现实表明，在信息通信领域，打造“中国芯

Diodes全新微型晶体管缩减40%占位面积

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出全球首批采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2，比采用了DFN1006 (SOT883) 封装的同类型器件小40%，并能提供相等甚至更佳的电气性能。这些器件的离板高度只有0.4mm，非常适合智能手表、健康和健身设备等可穿戴产品，以及智能手机与平板电脑等受空间限制的消费性产品。Diodes公司首批DFN0606双极型晶体管产品 (两款NPN及两款PNP器件) 能够处理高达830mW的功耗。其中40V额定值的MMBT3904FZ及MMBT3906FZ可大幅提升功率密度，还提供高达200mA的集极电流;45V额定值的BC847BFZ和 BC857BFZ的集极电流则为100mA。所有器件都会以少於一伏特的底部射极电压开启，确保在极低可携性电源的情况下完全启动。

新的沟道材料如何选择？

莫大康编译新的沟道材料替代硅将从什么时间开始？目前尚难回答，但是有些事肯定会发生。芯片制造商正在由平面型晶体管向3D的finFET工艺转移，英特尔早在2011年的22nm时就已经向finFET过渡，如今已是**代finFET14nm，而其它代工企业也已分别进入16/14nm finFET制程的战斗。未来下一代工艺制程是什么？非常可能是趋向于10nm及7nm的finFET结构，但是由于硅材料自身可能提升的功能受限，为了制造更快的芯片，可能要解决finFET工艺制造中的核心部分，即沟道材料。沟道材料面临新挑战由于材料性质的不同，锗和III-V族元素如何从工艺上与硅材料兼容成为一大挑战。实际上芯片制造商目前正修订他们的沟道材料计划，但是面临许多挑战。*初芯片制造商关注两类材料，包括锗及III-V族化合物，将其作为7nm时的沟道材料。锗及III-V族元素由于它们的电子迁移率高，可以加快在沟道中的移动速度，用来提高器件的频率。但是由于材料性质的不同，锗和III-V族元素如何从工艺上与硅材料兼容成为一大挑战。为此，全球半导体业正在寻求解决方案，包括对于PFET中的锗硅及NFET中的应变硅材料的解决

南京华东电子信息科技股份有限公司关于非公开发行A股股票相关承诺的公告

本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。南京华东电子信息科技股份有限公司（以下简称华东科技、公司、本公司或发行人）非公开发行A股股票工作已经完成，现将本次非公开发行相关承诺公告如下：一、发行人承诺公司董事会将严格遵守《公司法》、《证券法》、《上市公司证券发行管理办法》等法律、法规和中国证监会的有关规定，承诺自本公司非公开发行股票新增股份上市之日起：（一）承诺真实、准确、完整、公平和及时地公布定期报告、披露所有对投资者有重大影响的信息，并接受中国证监会和深圳证券交易所的监督管理。（二）承诺本公司在知悉可能对股票价格产生误导性影响的任何公共传播媒体出现的消息后，将及时予以公开澄清。（三）承诺本公司董事、监事、**管理人员将认真听取社会公众的意见和批评，不利用已获得的内幕消息和其他不正当手段直接或间接从事本公司股票的买卖活动。本公司保证向深圳证券交易所提交的文件没有虚假陈述或者重大遗漏，并在提出上市申请期间，未经深圳证券交易所同意，不擅自披露有关信息。二、避免同业竞争承诺（一）实际控制人、控股股东的大股东、控股股东的承诺1、中国电子信息产

简单二极管用作热探针的传感器

ST新推三款100V晶体管提高汽车应用能效

ST*先进的STripFET™ F7系列低压功率MOSFET产品新添三款100V汽车级产品。STH315N10F7-2、STH315N10F7-6和 STP315N10F7优化了body-drain diode (体-漏极二极管)性能，在工作电压范围内*大限度降低峰值电压脉冲和开关噪声，实现更稳健、更可靠和更高效的设计。STripFET™ F7的增强型槽栅结构可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅电荷，使开关速度更快、能效更高。这三款产品将这些优势引入汽车市场，创下汽车市场上*低的RDS(on) x 面积和关断电能(Eoff)参数。新产品对Crss/Ciss 电容比进行了优化设计，以*大限度降低开关噪声，结合适合的二极管反向恢复软度，可降低EMI/EMC电磁辐射，因此无需外部滤波电路，从而降低了电路板面积和成本。新功率MOSFET是意法半导体针对汽车应用专门优化的产品，能够满足汽车应用对大电流、高功率密度和高能效的要求，目标应用包括混动汽车和电动汽车的DC/DC转换器、DC/AC逆变器和谐振LC转换器。三款产品全都获得AEC-Q101汽车级产品认证。STH315N10F7-2和STH31

一种模拟除法器的设计及仿真验证CMOS工艺

台积电以16nm制程取得压倒性胜利

2016年EUV降临 半导体格局生变

莫大康在9月份召开的“SEMICON Taiwan 2014”展览会上，ASML公司的台湾地区销售经理郑国伟透露，第3代极紫外光（EUV）设备已出货6台。郑国伟同时指出，ASML的EUV设备近期取得惊人突破，已有2家客户在以它进行晶圆处理时，测试结果达到每天可曝光超过600片晶圆。业界消息也印证了郑国伟的讲话：ASML与半导体制造厂共同研发，继7月底英特尔成功利用EUV微影技术，在24小时内完成曝光逾600片晶圆之后，台积电也成功在**内完成600片晶圆曝光。这个消息在印证郑国伟的讲话的同时，也预示了全球两家**大厂未来采用EUV光刻技术，在10nm的量产关键技术选项中几乎同步，或者说台积电在10nm时顺利赶上业界龙头英特尔。10nm制程的“十字路口”困局是由于光源的功率不足等原因，导致EUV设备一再被推迟，让业界几乎丧失信心。众所周知，一直以来半导体业界奉行的宝典是每两年跨上一个工艺台阶，即所谓的0.7×制程理论。打个比方，如果说2011年半导体业界跨上了22nm工艺台阶，那么2013年就是22×0.7=14nm。为什么半导体产业界会义无反顾地去遵循这一规律呢？道理十分清楚，尺寸缩小

东芝推出SO6L封装的晶体管输出光电耦合器

东芝推出一款采用SO6L封装的晶体管输出光电耦合器，该产品可用于代替传统的DIP4引脚封装产品。出货即日启动。新产品“TLP385”的绝缘规格与DIP4 F(宽引线)型封装产品相当，并保证了8mm(*小)的爬电距离和净距离，以及5kVrms(*低)的绝缘电压。“TLP385”的2.3mm(*高)低高度比DIP4型封装产品降低了45%。全新“TLP385”可用于具有严格高度限制要求的应用，例如主板，并有助于开发体积更小的装置。该产品可用于逆变器接口和通用电源等应用。新产品的主要规格

惊奇！生物芯片再造****

想象一下，如果科学家在一块芯片上重塑了一个你，或是你的一部分，会有什么样的效果呢?至少对于医生来说，这是个不错的**，因为它可以帮助医生识别出快速**你的方法，患者也不用再经历痛苦的“试错**”过程，而且还可以减轻目前医疗系统的负担。生物芯片现在加州大学伯克利分校的研究人员正在探索这一领域。他们尝试在一块小芯片上面“培育”人类器官组织，如心脏和肺。这些芯片并非我们常见的电脑芯片，而是源自**皮肤细胞的微型网络，它会在一个极小的、类似管道的塑料内庭(plastic chamber)上培育，然后胶合到一块显微镜载片上。这项研究的目的，是为了找到一种了解人体组织存活的方法，然后模拟真实人类器官功能。我们目前的**测试都需要利用动物，或是人类志愿者，整个过程非常冗长，如果这项技术能够成功，那么就能有更加便宜且高效的方法来进行临床**。不仅如此，传统的**研发并非针对个体，而是采用了统一标准的方法。根据该项目研究院Anurag Mathur透露，这些芯片有助于开发“定制**”，特别是可以针对指定的病人，测试出他们真正所需的**。去年五月，《自然医学》杂志披露哈佛大学和其他研究人员正在开发一款**

用运放和瞬态开关做的RC计时关断功能

集成电路发明56周年纪念——诞生之路

9月12日消息，Jack Kilby成功发明的**集成电路是将一只晶体管、数个电阻器和一个电容器嵌置在一片不到半英尺长的锗片上制成的。无论用哪种标准衡量，这种装置都只能用粗糙来形容，但示波器屏幕却显示这块集成电路确实能够运作。 Jack Kilby时常调侃说，如果他知道自己发明的**可实际使用的集成电路在接下来的40年一直被人们所运用，他一定会“把它设计得美一点”。 一代又一代电气工程师完成了他的这一愿望，而未来的接班人还将继续将他的原始设计变得更加**。 但是，回到1958年，究竟是怎样的技术元件帮助Jack Kilby将其粗略的设计从设想变成现实呢？ 早在九年前，贝尔实验室就发明了晶体管，由此打开了半导体电子学进步的大门。 贝尔的晶体管代替了此前体积大、成本高、易碎且功耗大的真空管。1950年代中期，晶体管开始出现在消费性产品和**应用中。 然而，晶体管自身也存在弱点。部分应用要求将数千个晶体管与同样成千上万个传统元件手工连接在一起，从而组成电路。这项工作不仅耗时、成本高昂而且可靠性也令人堪忧。 除此之外，晶体管还存在另一个问题，工程师将该问题称为“数字暴力”，即电路系统中相互连接

英飞凌**跃居MOSFET功率晶体管市场**

美国信息咨询公司 IHS Inc 的*新研究表明，凭借 12.3% 的市场占有率，英飞凌连续十一年稳居功率半导体市场领军地位。同时英飞凌**跃居 MOSFET 功率晶体管市场**。此类 MOSFET 是紧凑度极高的开关，用于能效型电源装置等设备中。全球功率半导体市场的 2013 年总值约为 154 亿美元，与上一年相比降低了 0.3%。尽管处在较为疲软的市场环境中，英飞凌仍实现营业额增长，与上一年相比市场份额提高 0.9%，达到 12.3%。在 MOSFET 功率晶体管领域，英飞凌市场占有率达到 13.6%，提升了 1.6%，**成为该领域的*大供应商。英飞凌同时赢得独立式 IGBT 功率晶体(市场占有率为 24.7%，位居**)以及 IGBT 拈(市场占有率为 20.5%，位居**)子市场的份额。“事实证明英飞凌的运营策略是正确的：转换产品型思维方式，从系统级角度看待问题，从而为客户提供正确的产品，让我们的运营更加成功。我们在 MOSFET 功率晶体管的持续成功是这一正确策略的有力证明。尽管市场环境较为疲软，我们仍实现了持续增长，”英飞凌科技股份公司**执行官 Reinhard Pl

基于电流输出电路技术的多款实用电路案例

宜普电源转换公司推出高性能氮化镓功率晶体管

氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界**的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及**的热性能，因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能，例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广阔应用。全新氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及相关开发板· 更低导通电阻(RDS(on))由于全新氮化镓场效应晶体管系列可降低一半导通电阻，因此可支持大电流、高功率密度应用。· 进一步改善品质因数(FOM)与前代器件相比，由于*新一代氮化镓场效应晶体管把硬开关FOM降低一半，因此在高频功率转换应用可进一步提高开关性能。· 扩展电压范围由于可受惠于采用氮化镓场效应晶体管的应用扩展至30 V的应用，因此可支持更多应用包括更高功率的直流-直流转换器、负载点转换器以及隔离型电源供电、电脑及伺服器内的同步整流

如何判断过流保护，还是短路保护？

以色列研制出**光子路由装置

科技日报讯（记者房琳琳）以色列魏茨曼研究所的科学家们近日研制出世界上**光子路由装置。该光子路由装置是一种基于单个原子的量子装置，可以实现单光子路由功能。这项发布在《科学》杂志上的重大成果，标志着在构建量子计算机所面临的重重困难中，人类又向前迈进了一步。该装置的核心是一个原子，它可以在两种状态之间切换。被设定的状态为，仅从光纤右边或左边发送单个光子，相应地，装置中心的原子将反射或者传导下一个传入的光子。比如，一个从右边过来的光子沿着自己的路径奔向左边，同时一个从左边过来的光子被反射回去，导致处在中心的原子快速翻转。完全相反的情形是，原子让左边过来的光子正常行进，一旦从右边来的光子逆流而至，这个原子又被快速翻转回来。这种原子基“开关”仅用单个光子就可操作，不需其他额外条件。“从某种意义上讲，这个光学设备类似于能控制电流开关的电子晶体管。”魏茨曼研究所量子光学课题组组长巴拉克·达洋博士说，光子不仅是构成信息流的单位，还具备控制设备的功能。物理学家组织网7月15日（北京时间）报道称，取得这项成果需要充分结合世界上两个*先进的技术。一个是激光制冷和原子捕获技术，另一个是基于芯片和超高品质的微型

柔性有机器件将进入皮肤内侧

在2014年7月10～11日举办的研讨会“思考有机电子新方向”上，东京大学研究生院工学系研究科电气工程专业的教授染谷隆夫登台发表了题为“有机器件与柔性医疗IT应用”的演讲，介绍了他领导的研究组正在研究的有机器件在医疗及健康领域的应用情况。染谷教授长期从事具有柔性、大面积等特点的有机器件的开发。在这一领域，显示器用途曾备受看好，但*近，“围绕生物和医疗用途的开发竞争进行地如火如荼”。发挥有机器件优异的形状随动性染谷研究组开发的是厚度仅为1～2μm的轻量有机晶体管和有机太阳能电池等器件。这些器件的*小弯曲半径只有数μm～数十μm，即使揉成一团也不会影响功能。这种极薄、超轻、伸缩自如的电子电路非常适合贴在身体表面获取人体信号的用途。原因是其具有良好的形状随动性，能够稳定读取人体信息。但人体发出的信号都很微弱，为了稳定读取信号，必须配备信号放大电路(放大器)。通常使用的是由有机材料制成的放大器(有机放大器)，但是，与硅电路相比，有机放大器的晶体管存在特性偏差，容易造成问题。为此，染谷等人开发出了使用浮动栅极结构调整晶体管的阈值电压，抑制有机放大器特性不均的技术。有机放大器的工作速度虽然不及硅放

《中国电子报》**：液晶材料本土化现状调查

近年来，我国液晶面板产业不断发展壮大，而上游配套却一直成为产业发展的“短板”,尤其是在外资占有率超过90%的液晶材料市场，中国企业仍然处于劣势地位。日前，国家发改委办公厅、工业和信息化部办公厅联合发布了关于组织实施新型平板显示研发及产业化专项有关事项的通知，强调的重点之一就是支持高世代（6代及以上）薄膜晶体管液晶显示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研发和产业化。然而，客观来看，虽然我国液晶材料国产化取得了一定的进展，但是国产化所占的比例还很低，液晶国产化材料严重滞后于产业链其他材料的发展。如何提升平板显示上游材料配套能力，如何探索液晶面板材料国产化之路，成为行业发展面临的重大课题。 上百吨规模材料市场 国产率不到10% 尽管液晶材料只占液晶面板总成本的3%左右，但它却是液晶面板至关重要���核心原材料。华星光电副总裁赵勇告诉《中国电子报》记者，从面板配套的采购情况来看，玻璃基板处于首位，其次是偏光片，液晶材料处于第三位。实现液晶材料国产化对于产业发展具有重要意义。 然而，与众多的其他上游原材料一样，国产TFT液晶材料在全球市场中所占的份额依然有限，庞大的TFT材料市场被国外企业所把持

意法半导体的节能功率芯片系列产品可提升能效、**性和可靠性

意法半导体的新HB系列绝缘栅双极晶体管拥有比竞争对手的高频产品低达40%的关机能耗，同时可降低达30%的导通损耗。HB系列利用意法半导体的沟栅式场截止型高速晶体管制造工艺，集电极关断尾电流极低，饱和电压(Vce(sat))为1.6V (典型值)，从而*大限度降低了开关和导通时的能耗。此外，这项技术具有良好的可控性，参数分布窗口十分紧密，从而可提高设计再用性，简化系统设计。意法半导体的HB系列IGBT 可提升目标应用的能效，例如太阳能逆变器、电磁炉、电焊机、不间断电源、功率因数校正器和高频功率转换器。650V的宽额定工作电压确保环境温度在-40°C时击穿电压至少600V，使其特别适用于高寒地区的太阳能逆变器。175°C的*大工作结温和宽**工作区(SOA)提高了产品的可靠性，准许目标应用使用更小的散热器。可选参数包括30A到80A(在100°C时)的*大额定电流、多种主流的功率封装和为谐振或硬开关电路优化的内置二极管的封装。HB系列产品现已量产。

一种低电压、低功耗模拟电路设计方案

因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，输入信号加在衬底和源极之间，这样阈值电压就可以减小或从信号通路上得以避开。衬底驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应改变衬底电压就能调制漏极电流。应用衬底驱动技术建立一些基本的模拟电路标准模块，通过举例来说明衬底驱动技术在模拟电路设计中的使用。1 简单和增强型衬底驱动电流镜简单的衬底驱动电流镜结构即本文提出的低电压电流镜如图1(b)所示，这种电流镜用衬底-漏极连接代替传统简单电流镜结构里的栅极-漏极连接[3].当然，M3和M4通过衬底连接而不是栅极，而N型MOS管M3和M4的栅极应施加一个合适的正向偏置电压。这种简单衬底驱动电流镜的缺陷是输入输出电流呈非

Synopsys ***解读IC设计业现状与发展趋势

在2013年，工艺28纳米(含32和28纳米)的芯片流片在数量上突破了500家，28纳米成为了当前数字芯片的主流工艺。下一代的工艺进展如何？20纳米和14纳米哪个会更适合？笔者*近采访了Synopsys Chairman & co-CEO Aart de Geubs博士，他的专业见解值得中国半导体产业业者细细体会。您认为现在IC设计和产业的趋势是什么？我们通过自己的工具和IP与业界**的半导体公司都在互动，在此我很乐意一些我IC设计的关键趋势的看法。趋势之一就是，在芯片发展上，摩尔定律依然还在发生作用。而且更引人注意的是，FinFET晶体管工艺已经应用到某些领域了，我认为它正在开启更一个时代！它是更小尺寸的晶体管，更低功耗的晶体管，更快的晶体管，也许(maybe)还是更便宜的晶体管。请注意我说的是“也许”。因为摩尔定律既包含了技术上的意义，也有经济上的含义。经济上可能会有些压力，这并不是坏事，因为现代芯片所创造的价值是巨大的。有意思的一件事，我昨天刚刚与业界巨头英特尔的高层聊天，他跟我谈起了新一代的16/14纳米、10纳米甚至是7纳米的工艺。事实上我其实已经知道这些了，因为我们的几个技

恩智浦小信号分立器件销售量位居全球榜首

恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）今日宣布，该公司现已成为小信号分立器件的全球头号供应商。致力于提供关键信息和见解的全球**行业分析公司IHS，在其近期的一份报告——“Competitive Landscaping Tool (CLT)™ – 年度详细信息 – 2014全球半导体市场份额”中指出，恩智浦成功实现了总销售量的显著增长。该报告还确认了恩智浦继续保持其在全球标准产品领域中的整体**地位。自恩智浦于1997年成立通用(GA)分立产品事业部以来，这是其**在小信号分立器件排名中位居榜首。恩智浦通用产品事业部提供全球*广泛的产品组合之一，在ESD保护、能源效率和小型化方面处于**地位。凭借**产品、高质量水准和大批量生产基础设施，恩智浦通用分立产品事业部成为汽车、通信和娱乐消费电子产品客户的**供应商。客户对恩智浦小信号分立器件的需求约占全球市场对该产品需求的四分之一。恩智浦自2013年以来一直在标准产品市场上独占鳌头。恩智浦的产品系列包括双极功率晶体管、FET功率晶体管、可控硅整流器、整流器、功率二极管、小信号及其他分立器件。到了2014年，标准逻辑产

一种自旋阀GMR隔离放大器的设计方案

意法半导体新推两款50V防潮射频功率晶体管

       意法半导体推出两款新的防潮射频(RF，radio-frequency）功率晶体管，以提高目标应用在高 潮湿环境内的耐用性和可靠性。 这两款50V RF DMOS器件的封装腔内填充凝胶，以防止裸片发生电迁移现象，例如银枝晶迁移。这是标准陶瓷封装受高温、偏压和潮湿结合影响的情况下发生的一种常见现象。使用注胶封装有助于降低目标应用在高湿度环境内的总体维护成本。意法半导体的SD2931-12MR和300W SD4933MR提供了高成本效益的功率射频解决方案，可用于50V工业设备的射频功率发生器，应用包括感应加热、CO2激光束源、PECVD((Plasma-enhanced chemical vapor deposition，离子增强化学气相沉积) 溅射和太阳能电池制造设备。SD4933MR的击穿电压高于200V，为业内*高，所有相都具有65:1负载失匹功能，达到*严格的设计要求。SD2931-12MR和SD4933MR均已正式投入量产。

世界上传输速度*快的有机薄膜晶体管诞生

GigaADC介绍及杂散分析

 摘要Giga ADC 是 TI 推出的采样率大于 1GHz 的数据转换产品系列，主要应用于微波通信、卫星通信以及仪器仪表。本文介绍了 Giga ADC 的主要架构以及 ADC 输出杂散的成因分析，以及优化性能的主要措施。1、Giga ADC 架构及 TI 的 Giga ADC1.1 Giga ADC 架构演进Giga ADC 目前已经广泛的应用于数据采集、仪器仪表、雷达和卫星通信系统;随着采样速率和精度的进一步提高，越来越多的无线通信厂商开始考虑使用 Giga ADC 实现真正的软件无线电。软件无线电不仅可以简化接收通道设计，同时可以方便不同平台的移植和升级，从而降低开发成本和周期。Figure 1 列出了在使用各种采样架构下，采样精度和采样速率之间关系。随着技术和工艺的发展，各种架构可以支持的采速率在不断的提升，但就目前的水平来看，要实现 1Gpbs 以上的采样率，必须采用 Flash 或者折叠(Folding)架构。这主要是因为在其它架构中，都采用了反馈环路;这些反馈环路的传输延时限制了 ADC 速率的进一步提升。例如在 pipeline 中，每**都有一个 DAC，用于把本级的

台积电20nmSoC下半年将爆发

台积电共同执行长魏哲家16日宣布，台积电20纳米生产系统单芯片（SoC）昨日正式投片，初期量虽不大，但下半年起开始爆发，估计第4季营收占比将飙升至20%，是台积电一大利器，预估全年20纳米营收占比可达约一成。另一共同执行长刘德音指出，台积电16纳米FinFET（鳍式场效电晶）制程，也正准备为客户进行产品设计定案（tape-out），估计明年第1季即可无缝接轨量产。刘德音预期，台积电在10纳米制程，晶体管密度就会与英特尔相近。台积电昨天公布，去年第4季40纳米加计28纳米营收占比达51%，其中28纳米制程占比达34%，是主力制程。魏哲家表示，台积电现有28纳米客户已逾60个，但将陆续转进采用20纳米，目前客户数已有12个，并于昨天开始投片量产，预估第2季产出，但一开量还小，要到第3季才会快速提升。台积电财务长何丽梅补充，20纳米制程预估今年占营收约一成，乍看比率不高，但第3季将爆发，第4季冲高占营收20%，相较28纳米经历四年才达到占营收三成的水平，这个比率相当惊人。刘德音昨天引用英特尔法说会所展示在晶体管密度的差异，反驳英特尔比台积电的密度多35%。

德州仪器超小型FemtoFET™MOSFET支持*低导通电阻

徐晓田解读当前中国IC业热点

中国半导体行业协会执行副理事长徐小田在上海针对目前国内IC产业热点问题，从行业管理者层面解释了相关现象存在的原因及解决的思路，供大家借鉴参考。既然本土IC发展很快，为什么进口IC依然在增加？徐小田：中国本土IC设计公司这几年保持了高速成长，今年中国IC设计业的增长会达到30%！远超世界同行的增长速度，本土IC设计公司华为海思、展讯、RDA、格科微的这几年的增长速度都不错。到今年年底，中国会有两家10亿美元级别的IC设计公司，将进入高速发展时期，所以未来本土IC设计发展会大大提速。但目前来看中国依然是组装大国，是集成电路的使用大国。根据中国半导体行业协会的数据，2012年中国的半导体市场规模为9826.2亿元，占全球需求的54.1%，而且这个比例未来还会增大，由于中国整体电子信息产业规模也增长很快，所以进口IC的数量也在增加。不过我们也应看到，本土IC的出口也保持了高速增长，未来，我们预计本土IC的比例要增长到20%左右，不过了前路漫漫，一口吃不成大胖子嘛，希望大家用发展的眼光看待这个问题。清华紫光收购了展讯后又想收购锐迪科（RDA），是否意味北京半导体的力量越来越强？徐小田：首先，IC

基于SVPWM算法的变频调速系统设计方案

iPadAir应用IGZO屏幕性能提升明显

台积电老主顾Altera回心转意成功突围英特尔

业界传出，受英特尔先进制程进度不如预期影响，今年初“变心”转单英特尔的台积电老客户Altera，近期回头找台积电支持，使得台积电先进制程面临“爆单”，*快明年第2季展现业绩强劲爆发力。随着大客户回头找上门，透露台积电面临英特尔等强敌进逼，已成功突围。台积电不愿对Altera订单动向置评，强调公司20、16纳米布局为同一个计划，要用20纳米的经验，缩短16纳米学习曲线，采取稳扎稳打策略，比对手稳健、可靠。Altera是台积电20年老客户，今年初把14纳米鳍式晶体管(FinFET)代工订单转给英特尔，一度让市场忧心台积电后市。台积电董事长张忠谋曾在法说会公开以“Hate(憎恶)”这样的字眼，形容这件事情对他而言非常遗憾，需自我检讨。业界传出，由于英特尔14纳米FinFET进展不如预期，Altera近期回头向台积电追加20纳米产能，让台积电在先进制程拉开竞争对手威胁，大举提高胜率，引发新一波先进制程卡位潮。法人指出，台积电20纳米以下先进制程原本就被苹果、高通、博通、联发科等大客户包走，产能吃紧，Altera回头找台积电，将使台积电先进产能面临“爆单”，*快明年第2季可看到业绩爆发力。设备业

如何使用氮化镓：增强型氮化镓晶体管的电学特性

石墨烯量子晶体管或可用于医疗电子领域

在基因组测序技术领域，科学家在不断追求速度更快、成本更低的方法和设备。*近，美国伊利诺斯大学厄本那—香槟分校*近开发出了一种新奇的方法：把石墨烯纳米带(GNR)夹在两层有纳米孔(内径约1纳米)的固体膜中间，再让DNA分子穿过这种“三明治”设备，以此来感知辨认所通过的DNA碱基对。研究人员设计的DNA感测器是一种以石墨烯为基础的场效应类晶体管设备，能探测DNA链的旋转和位置结构。实现这一点的关键是利用了石墨烯的电学性质，制成的GNR可以多方调节，改变它的边缘形状、载流子浓度、纳米孔位置等，由此来调节它的电导率和对外部电荷的灵敏度。“在这一专业领域，当前主要的实验研究是模型模拟。”这里面临着许多难题和挑战，让-皮埃尔·莱伯顿教授介绍说，常用的密度泛函理论(DFT，一种物理学和化学中所用的量子力学模型方法，用于研究多物体系统的电子结构)，**于固体系统中，而我们所处理的是一种固—液混合系统。此外，DFT还要对石墨烯纳米带假设一些过于简单和理想化的条件，比如GNR宽度要一致，边缘要规则，纳米孔还要位于石墨烯带的中心，没有电解液的静电穿透等。“在我们的方法中，我们使用一种多轨道紧绑(TB)技术，

美研发石墨烯无缝集成电路架构

美国科学家研制出了一种新的集成电路架构并做出了模型。在这一架构内，晶体管和互连设备无缝地结合在一块石墨烯薄片上。发表在《应用物理快报》杂志上的这项*新研究将有助于科学家们制造出能效超高的柔性透明电子设备。目前，用来制造晶体管和互联设备的都是大块材料，因此很难让集成电路变得更小，而且大块材料也容易导致晶体管和互联设备之间的“接触电阻”变大，而这两方面都会降低晶体管和互联设备的性能并增加能耗。基于石墨烯的晶体管和互连设备**前景，有望解决这些基本问题。该研究的***、加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)电子和计算机工程系教授、纳米电子设备研究实验室主任高斯塔夫˙巴纳吉表示：“石墨烯除了是目前*纤薄的材料之外，其还具有一个可调谐的带隙。狭窄的石墨烯带能被用来制造半导体;而宽的石墨烯带是金属。不同的石墨烯带可以制成不同的设备，制成的设备可以无缝地结合在一起，这样也可以降低接触电阻。”在实验中，巴纳吉研究团队使用非平衡格林函数(NEGF)来对包含有如此多异质结构的复杂电路架构的性能进行评估，并研究出了一种方法，设计出了这种“全石墨烯”的逻辑电路。该研究的合作者康家豪(音译)表示：“对电子通过由不同类

英特尔将为Altera代工晶体管数超40亿的64位ARMS

之前我们报道过英特尔将为Altera代工64位四核ARM芯片的消息，自此该公司开始了x86和ARM"两手抓"的历程。至于这么做的原因，或许是新任CEO Brian Krzanich想要让代工业务更加迅速地扩张，以规避自家芯片需求下降所带来的影响。至于Altera，ARM组件将作为其FPGA数据包管理的"控制处理器"，并且会成为世界上晶体管数量*大(40亿个)的芯片。在接受采访时，Altera公司SoC产品营销**总监Chris Balough说到："该芯片面世之后，将成为世界上晶体管*多的芯片——应该会突破40亿个(采用*新的14nm工艺)"。相比之下，英特尔*新款Haswell芯片，其晶体管数量只有差不多15亿个。Altera预计该SoC的生产将从2013年底开始，并于2015年进入量产。不过Altera也不是**个找英特尔代工ARM芯片的。4月份的时候，Netronome宣布英特尔将为其代工整合了ARM processor的流处理器。

德州仪器超小型FemtoFET™MOSFET支持*低

小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源，延长电池使用寿命日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界*小型低导通电阻 MOSFET。该*新系列 FemtoFET™ MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻。三个 N 通道及三个 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面栅格阵列 (LGA) 封装，与芯片级封装 (CSP) 相比，其可将板积空间锐减 40%。CSD17381F4 与 CSD25481F4 支持不足 100 毫欧的导通电阻，比目前市场上类似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超过 4000V 的人体模型 (HVM) 静电放电 (ESD) 保护。FemtoFET MOSFET 归属 TI NexFET 功率 MOSFET 产品系列，该系列还包括适用于手机等便携式应用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大电流低压降 (LDO) 线性稳压器以及 TPS65090 前端电源管理单元 (PMU) 等各种