恩智浦半导体今日推出BLF188XR– 其XR系列“超耐用” LDMOS 射频功率晶体管的*1驻波比的严重负载失配。BLF188XR更强大的集成ESD保护，http://v.youku.com/v_show/id_XNTY3NDU2MzY0.html
恩智浦半导体射频功率事业部市场总监Mark Murphy表示：“我们的‘超耐用’系列目前具有更强的耐用性，完全满足*苛刻的射频负载要求，并且采用恩智浦*新的高电压LDMOS技术，轻松超越VDMOS的性能、耐用性和可靠性。全新的BLF188XR借助BLF578XR的成功之处，扩展了我们的产品组合，并带来额外的耐用性、线性度、功率和简化设计。凭借作为ISM市场**的射频功率产品供应商所创下的骄人业绩，我们已将BLF188XR设计为**吸引力的解决方案，在激光器、MRI、射频照明和射频干燥以及VHF/FM广播发射机等各种低频应用。”
上市时间
合格客户现在可索取BLF188XR工程样品。
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