近日，在美国《科学》杂志刊登一个报告中，中国研究人员在成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的“国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”
根据王鹏飞教授介绍，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流器件，过去几年的工艺进步，让晶体管的尺寸不断的缩小，越来越接近物理极限，这样才迫切需求并催生出新的结构和原理的晶体管，半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置——隧穿场效应晶体管(TFET)制成。它的优势在于体积可更小，结构更简单，读写速度更快，且一片这样的晶体管的功效可比得上多块MOSFET晶体管。
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