贸泽备货Cypress S71KL512SC0 HyperFlash和HyperRAM

e络盟现已发售 Xilinx All Programmable 器件

中国 北京，2017 年 9 月5 日 - 开发服务分销商 e络盟 宣布将 Xilinx® All Programmable 器件添加到其广泛的产品供应系统中。e络盟 将 Xilinx 添加到其不断扩展的全球特许供应商名单中，让其客户可以接触到设计灵活性和自由度兼具的市场**器件。Xilinx 渠道销售副总裁 Mike Barone 说：“我们很高兴 Xilinx 产品现在可以通过 e络盟 推向市场，这样有助于扩大我们的网络知名度，向全球扩展我们的影响力。我们认可 e络盟 为客户提供的**支持，支持的环节从概念到量产，支持的项目包括设计服务、定制开发和整合平台，还有评估套件和供应的持续性。e络盟 凭借其大众市场方法以及他们作为开发分销商的独特地位，实现客户拓展。”All Programmable 器件为设计人员提供灵活的系统实现途径。该器件的空白画布可以通过使用**开发工具和库快速配置，生产出功能完全符合要求的产品，加快上市时间。通过在单一器件中整合多种功能，材料清单得以缩减，在采购和制造方面都获得节省。这些灵活的器件让设计人员可以对已部署的系统执行升级。All Programmabl

格芯以eVaderis超低耗电 MCU 参考设计强化 22FDX® eMRAM 平台

美国加利福尼亚圣克拉拉，（2018 年 2月 27 日）——今日，格芯 与 eVaderis共同宣布，将共同开发超低功耗MCU参考设计方案，该方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX®）平台的嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与 eVaderis的超低耗电IP结合，适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用。 eVaderis 的 MCU 设计充分利用了 22FDX 平台高效的电源管理能力，相较于上一代 MCU，电池续航力可提高到10 倍以上，同时芯片尺寸大幅降低。这项由格芯FDXcelerator™合作项目（FDXcelerator™ Partner Program）开发的技术，所提供的高器件密度、低成本的单芯片解决方案，特别符合对功耗敏感的应用， 可帮助芯片设计人员将效能、密度以及易用性推向新的高度。“eVaderis **架构的超低耗电 MCU IP 设计以格芯 22FDX eMRAM 技术为基础打造，非常适合常闭的（normally-off）物联网应用。”eVa

开学好机惠 一加手机联手DJI推套装好礼

首款Gbit MRAM芯片亮相！

新的1-Gbit MRAM芯片可作为非挥发性缓冲器与编写快取，*终在SSD与快闪存储器储存阵列中找到取代DRAM的出路… 在日前举办的年度快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit；FMS)上，Everspin宣布开始出样Gbit MRAM芯片，并预计在今年投产采用其256Mbit芯片的1-2Gb加速卡。在FMS大会上发布这项消息，象征着在一个聚焦于主流NAND市场成长的活动中，有越来越多的持久型存储器开始出现显著进展。Everspin希望新的产品可作为非挥发性缓冲器与编写快取，*终得以在固态硬盘(SSD)与快闪存储器(flash)储存阵列中找到取代DRAM的出路。该加速卡采用Everspin推出作为开放来源的特殊Windows和Linux驱动程式，提供每秒700万次I/O作业以及低至2微秒(us)延迟的性能。至少有另外一家公司将为Everspin的加速卡提供**个供应来源。该公司表示目前已经有一家客户采用了这款芯片，并计划让产品在一年之内投产。首款采用3DXP存储器的SSD正开始出货，使英特尔(Intel)率先在主流储存市场推出新型存储器芯片。Western Digit

首款Gbit MRAM芯片亮相！海力士量产14纳米TLC NAND Flash

1.首款Gbit MRAM芯片亮相！；2.东芝芯片业务出售一波三折 谁能如愿以偿？；3.美光扩大研发中心规模　强化研发进入新领域；4.SK海力士量产14纳米TLC NAND Flash 打破平面16纳米*终迷思；5.大陆存储器封测需求大　矽品重返标准型DRAM；6.储存技术将改写监控产业资料处理方式 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.首款Gbit MRAM芯片亮相！；新的1-Gbit MRAM芯片可作为非挥发性缓冲器与编写快取，*终在SSD与快闪存储器储存阵列中找到取代DRAM的出路…在日前举办的年度快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit；FMS)上，Everspin宣布开始出样Gbit MRAM芯片，并预计在今年投产采用其256Mbit芯片的1-2Gb加速卡。在FMS大会上发布这项消息，象征着在一个聚焦于主流NAND市场成长的活动中，有越来越多的持久型存储器开始出现显著进展。Everspin希望新的产品可作为非挥发性缓冲器与编写快取，*终得以在固态硬

三星Galaxy Note8正式发布 后置双摄+**屏+S Pen

迎接嵌入式存储器转型 全球晶圆代工大厂投入MRAM研发

据Semi Engineering网站报导，GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年稍晚开始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此举代表市场的巨大转变，因为到目前为止，只有Everspin已经为各种应用提供MRAM，例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(Write Cache)等。 STT-MRAM的下一个大好机会就是嵌入式存储器IP市场，NOR Flash是传统嵌入式存储器，随着制程从40nm进展到28nm，NOR Flash已经出现各种各样的问题，因此，这些代工厂的支持可以将STT-MRAM转变为先进节点的替代技术。GlobalFoundries嵌入式存储器副总裁Dave Eggleston表示，嵌入式快闪存储器将继续作为资料保存技术主流，特别是汽车和**应用领域，嵌入式快闪存储器将会有很长的使用寿命，但没有扩展空间，当达到28nm制程以上时，嵌入式快闪存储器实际上会成为昂贵的选择。因此，业界需要一个新的解决方案，STT-MRAM恰好为2xnm及以上的嵌入式存储器应用做好准备。先作为补充技

DIGITIMES：MRAM的进展与研发方向

**诉讼长期缠身 Rambus考虑对外出售

中国科学院刘明院士应邀到天大做学术交流

Vishay 推出新的磁性位置传感器 RAME027

集微网消息，Vishay 日前宣布，推出新的磁性位置传感器---RAME027，其精度可与霍尔效应器件媲美，而且有更高的可靠性和更好的耐久性。一次可编程(OTP)的Vishay Sfernice RAME027在25℃下的精度为±0.33%，高度只有27mm。典型应用包括国防和工业用的操纵杆、电动执行器、机械工具、纺织品制造、铣床和机器人。 可靠的性能和结构，使RAME027成为强振动和冲击等严苛工况的理想解决方案。Vishay可以根据客户的特殊机械尺寸、输出SSI、精度和分辨率、功能强化、针对EMC和ESD的保护功能，对RAME027进行定制。Vishay还可以提供额外功能，和温度范围更宽的产品。RAME027的工作电压为5V(±0.25V)，5V下的耗电小于20mA。器件的有用电角度为360°，带模拟输出，分辨率为12位，可在−25℃～+85℃温度范围内工作。据悉，RAME027现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。

赛灵思展示All Programmable 技术

美商赛灵思(Xilinx)近日于2017年OpenHW 设计大赛和学术峰会上宣布，此次大会将着重于展示赛灵思All Programmable 技术，协助新加坡打造智能城市和智能校园计划的优势。 赛灵思**副总裁兼**技术长 Ivo Bolsens 表示，看到过去11年里OpenHW 设计大赛产生这么多基于All Programmable 产品和技术的**项目，该公司感到十分振奋。 作为OpenHW大赛的发起者及All Programmable 产品(包括FPGA、SoC、MPSoC、RFSoC和3D IC)的公司，承诺将持续投资亚太地区和全球的硬件**活动。新加坡科技设计大学副教务长白敬良表示，响应新加坡打造智能国家的愿景，新加坡科技设计大学致力于打造智能校园。 该校很高兴能够与赛灵思一起将OpenHW设计大赛和学术峰会带到新加坡科技设计大学、带到新加坡，带到亚太地区。 赛灵思的All Programmable 技术能解决当前面临的许多设计挑战，也将加速推进智能校园计划。此由赛灵思大学计划(XUP)所发起的竞赛和大会，系与新加坡科技设计大学(SUTD)联合主办，并获得新加坡经济发展局(

跟联发科在一起？锤子坚果Pro配置售价曝光

早在一年多之前，锤子就发布了旗下的千元机系列——坚果。这款手机的推出，让众多消费者由路转粉。成为了锤粉的一员。一年过去了，坚果系列也将迎来了更新换代，坚果Pro，就是这次换代的主人公。 就在几周之前，就有网友曝光了一组锤子科技的新手机照片，疑似新款坚果手机。 从这几张照片可以看到，坚果新一代手机采取目前各大手机厂商广泛采用的、比较流行的了正反面双玻璃设计，不再是塑料后盖。机身正面依旧沿用了安卓传统三大按键，背面则添加了指纹识别传感器，和华为荣耀系列有些类似。机身颜色则回归了传统沉稳的黑色。而配置方面，早在之前曝光的坚果Pro的包装盒上可以看到，型号为OD103 的坚果Pro搭载骁龙 626 处理器，拥有5. 5 寸1080P屏幕，标配版则提供4GB RAM+64GB ROM的存储组合，还有4GB RAM+128GB ROM的高配存储组合， 1300 万像素后置双摄像头， 1600 万像素前置摄像头。 本以为这应该是坚果Pro*终的面貌，但事实上，我们还是被老罗耍了一番。今日，有网友曝光了一张坚果Pro的价格说明图，从图片中可以看到，这款坚果Pro竟然使用联发科Helio X20处理器，

台积电公开答复东芝竞标案和3nm厂选址的问题

台积电13日的法说会中，针对近期两大热门议题：日本半导体大厂东芝NAND Flash部门竞标案、先进制程3奈米晶圆厂的选址，一一对外界做*新的回覆。自从台积电董事长张忠谋公开表示，考虑参与日本半导体大厂东芝(Toshiba)竞标案后，台积电对该案的态度备受市场关注，尤其参与竞标者又是鸿海、SK海力士(SK Hynix)、威腾(WD)等全球大厂。台积电13日指出，内部确实评估过该案，但*后决定不去参与竞标，主要是两大原因，**，内部认为这种标准型记忆体的商业模式和逻辑产业很不一样，**是认为这样做并没有太多综效，因此，台积电没有参与，且强调假使台积电参与其中，也会自己去竞标，不会是呼朋引伴的景象，间接否认和鸿海一同竞标的猜测是不正确的。针对记忆体技术的布局，台积电表示，对于标准型独立式的记忆体晶片如PC DRAM晶片、NAND Flash晶片等并没有兴趣，但是对于嵌入式记忆体技术的布局，则是下了很大功夫。台积电目前是全球*大的嵌入式记忆体技术提供者，用在逻辑制程平台上，做晶圆代工，像是新式记忆体技术如ReRAM、MRAM等，台积电都有这些嵌入式记忆体技术，且因为28奈米以下，传统的嵌入式

台积电谈两大议题　东芝竞标和3nm厂选址

台积电13日的法说会中，针对近期两大热门议题：日本半导体大厂东芝NAND Flash部门竞标案、先进制程3奈米晶圆厂的选址，一一对外界做*新的回覆。 自从台积电董事长张忠谋公开表示，考虑参与日本半导体大厂东芝(Toshiba)竞标案后，台积电对该案的态度备受市场关注，尤其参与竞标者又是鸿海、SK海力士(SK Hynix)、威腾(WD)等全球大厂。台积电13日指出，内部确实评估过该案，但*后决定不去参与竞标，主要是两大原因，**，内部认为这种标准型记忆体的商业模式和逻辑��业很不一样，**是认为这样做并没有太多综效，因此，台积电没有参与，且强调假使台积电参与其中，也会自己去竞标，不会是呼朋引伴的景象，间接否认和鸿海一同竞标的猜测是不正确的。针对记忆体技术的布局，台积电表示，对于标准型独立式的记忆体晶片如PC DRAM晶片、NAND Flash晶片等并没有兴趣，但是对于嵌入式记忆体技术的布局，则是下了很大功夫。台积电目前是全球*大的嵌入式记忆体技术提供者，用在逻辑制程平台上，做晶圆代工，像是新式记忆体技术如ReRAM、MRAM等，台积电都有这些嵌入式记忆体技术，且因为28奈米以下，传统的嵌入

力成收购美光两家日本半导体封测厂

力成科技14日宣布与Micron Technology及Micron Memory Japan(美光)签订一系列合约，分别以公开收购方式取得美光所持有日本上市公司Tera Probe 39.6%股权，以及收购美光位于日本秋田封测厂Micron Akita(美光秋田)100%股权。力成董事长蔡笃恭表示，由于日本IT业者在车用、IoT物联网以及先进制程仍有**技术，此次收购*大目的是让力成在日本有一个完整full turn-key供应链。据力成表示，在今年下半年完成该两厂并购案后，预计单月合并营收可增加新台币3亿元，全年度则可挹注约40亿元。力成14日宣布透过日本子公司(力成日本合同会社)于4月17日开始对日本东证交所创业板的上市公司Tera Probe(6627.JP)进行公开收购，预计以每股日币1，100元收购美光持有的Tera Probe 39.6%股份，以及其他有意愿参卖股东的持股;力成现在已有Tera Probe 11.6%股权，若收购完成，合计持股将达到或超过51.2%。另外，在美光秋田厂部份，则是以100%股权全资收购。日本上市公司Tera Probe成立于2005年，以存储

视觉封装系统整合即时脸部侦测与识别

CSEM的研究人员结合微型摄影机与配备蓝牙发射器的微控制器，打造出低功耗的视觉封装系统，并透过其机器学习演算法，可实现即时脸部侦测与识别... 瑞士电子与微技术中心(CESM)的研究人员开发出高效率的机器学习演算法，并用于设计出一款仅有几立方公分的低功率即时脸部侦测与识别摄影机系统。研究人员将这款经概念验证的系统称为“视觉封装”(Vision-In-Package；VIP)系统，整合了摄影机系统，以及低功耗处理器(ARM Cortex M4/M7与8MB RAM)、高动态范围成像器、光学元件和通讯介面等。该系统仅占用约4立方公分的空间，连电池加起来的重量还不到20克，并配备一套可即时执行的完整脸部分析管线，并完全嵌入于此VIP系统中。其软体部份十分精简且独立作业，无需外部支援。它是由精简版uKOS作业系统(在μKernel计划开发)以及执行于其上的脸部分析套件共同组成。相较于执行于强大硬体架构的现有系统，VIP系统仅需更低几十倍的CPU时间与记忆体容量，而其分析管线大约以每秒4-5格的速率执行QVGA级的解析度。首先，该系统侦测到所有的脸部资料输入并撷取讯号格，这通常需要不到100毫秒

Xilinx All Programmable RFSoC 背景资料

新型 RFSoC 能将功耗和封装尺寸减少50-75%，对高效部署 5G 大规模 MIMO 和毫米波无线回传至关重要。简介随着通信行业逐渐向 5G 标准靠拢，移动设备制造商十分钟情于技术试验和概念验证测试。现在，这些技术的商业可行性正在进行严格评估，然而原型设计所使用的很多技术都无法很好地转化为商业部署。由于目标是以更低功耗通过频谱效率、高度致密化以及新频谱来提高网络容量，因此制造商正在依靠软件、硬件和系统级的技术突破来实现目标。有些技术对满足严苛的网络容量目标具有至关重要的作用，而大规模多输入多输出（MIMO）天线阵列就属于这类技术。与这些天线阵列进行接口连接的射频单元必须满足极其严格的功耗和封装尺寸要求，但如果没有系统集成方面的突破，这些目标很可能无法实现。赛灵思不断在准 5G 和 5G 技术的实现、试验和商业化中扮演主要角色，促进网络设计中的灵活性和可编程性。为使大规模 MIMO 系统的商业化成为现实，赛灵思正推出首款采用 RF 级模拟技术的全可编程（All Programmable）RFSoC，该方案在集成方面取得了突破性的进展，其将高性能 ADC 和 DAC **集成到了 So

西数和Rambus达成**授权协议

在完成对闪迪公司的**收购之后，HDD大户西数摇身一变成为全球**的NAND业务巨头，实现了产业转型的一个小目标。不过进军存储市场之后，西数还有个小BOSS需要通关——那就是Rambus，别看他们是一家小公司，但Rambus在存储技术上的**使得他们收服了三星、美光、东芝、NVIDIA、AMD、Intel等多家半导体巨头，现在西数也不例外，双方达成了5年期的**授权协议。 根据Rambus公司的通告，他们与西数公司就技术授权达成了合作协议，后者可以使用Rambus公司的存储**技术，包括高速接口、存储架构、电阻式内存及**技术。该合作协议有效期长达5年，到2021年截止，不过双方还约定未来再延长5年的选项。双方公告里并没有提到协议涉及的金额，不过西数缴纳一大笔**费是跑不了的，Rambus这几年生存、发展都是靠跟大公司打**官司、和解、收取授权费过日子的。这样的生意就跟原始人打猎一样，逮到一头野牛就能痛快吃肉，逮不到猎物就要饿肚子，Rambus的营收、盈利就跟过山车一样，忽上忽下的。

东芝分拆快闪部门垂涎三尺 科技大厂谁有机会

美国子公司“西屋电气”的核能发电业务表现不佳，日本科技大厂东芝于2月15日公告该子公司于2016年4～12月期间产生了7125亿日圆的亏损，由于亏损数字远高于外界预期，债权银行为了确保东芝的偿债能力，因此要求东芝必须拆分旗下*赚钱的快闪记忆体部门并出售部分股权，用以提升集团的财务品质。 全球科技业受冲击东芝经营团队顺应债权银行的要求，预计将于3月31日分拆并且出售部分半导体的股权，由于东芝是全球第2大快闪记忆体晶圆厂，而快闪记忆体又是智慧型手机、平板电脑及固态硬碟的关键零组件，此次的分拆将为全球科技产业带来冲击，鸿海（2317）、台积电（2330）、群联（8299）及力成（6239）等国内科技大厂都有意参与投标，鸿海集团董事长郭台铭表示有信心与诚意收购东芝芯片事业，苹果、微软、美光、威腾、紫光及海力士等海外科技大厂亦被传言将积极争取。环顾当今科技产业的变化，快闪记忆体已经成为各个终端应用的重要零组件，由于消费者利用手机拍照、录影及玩游戏的频率愈来愈高，储存的需求也愈来愈大，苹果iPhone及iPad内建的快闪记忆体每年都在增加，非苹品牌也采取类似的策略来吸引消费者，加上伺服器、云端运算

索尼XZ Premium上架：5400元/4K屏+骁龙835，4G RAM

今年MWC的*佳手机被索尼Xperia XZ Premium摘得，它不仅**了骁龙835处理器和IMX400 CMOS，而且延续了4K HDR屏幕，规格之高令人倾心。现在，英国Unlocked-mobile、亚马逊、Clove三家已经上架预购，*便宜640英镑（约合人民币5400元），*贵650英镑。稍稍遗憾的是，目前仅有黑色、银灰色可选，上架贴出的告示是，发货时间为6月上旬。看起来，索尼虽然提前三星S8**了骁龙835，但却要晚一个月才能出货。后者本来是4月上旬开卖，但据说也因为10nm骁龙835的产能问题拖延到了4月28日。回到XZ Premium的基本配置，5.5英寸IPS屏幕（康宁5代大猩猩）、4GB RAM，1900万像素后置摄像头（Motion Eye技术，1/2.3”，集成DRAM，支持960fps 720P慢镜头），电池3230mAh（QC3.0快充，USB-C接口）。

盘点那些FRAM带来独特优势的十大类医疗电子设备

在医院里，都有哪些设备用到了富士通半导体的FRAM？并且为什么FRAM会与我们的医疗保健息息相关？我们一起来盘点盘点。下图所示的这些应用有一个共同的特点，就是无需独立电池为存储器不间断供电一——医疗应用中的无电池存储解决方案。对于不同的医疗器械，富士通半导体都有与之相应的产品型号可以应用，下面列出FRAM专家为不同应用所推荐的不同的具体产品型号以及采用FRAM所带来的好处���1、呼吸机（CPAP Machine）推荐产品型号：·SPI接口： MB85RS1MT（1Mbit），MB85RS2MT（2Mbit）。选用FRAM 的优势：· 节能环保（FRAM无需电池）；· 储存设定参数（FRAM的高可靠性）；· 患者呼吸状态履历实时记录（FRAM的高速/高读写耐久性）。2、输液泵（Infusion Pump）推荐产品型号：·I2C接口： MB85RC1MT（1Mbit），MB85RS2MT（2Mbit）。选用FRAM 的优势：· 节能环保（FRAM无需电池，无需大电容）；· 储存设定参数（FRAM的高可靠性）；· 注射状态，报警履历实时记录（FRAM的高速/高读写耐久性）。3、胰岛素注射泵（I

Nokia Heart现身：5.2吋720P屏幕、2G RAM +16GROM、骁龙430

2020年63%智能手机采用8GB RAM

智能手机屏幕放大、分辨率提高，推升高效能移动DRAM的需求，让三星、海力士等韩国两大存储器厂钱景一片看好。TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange周日发布报告预测，**季DDR双通道存储器芯片报价今年**季有望成长10-15%，为前一季3-7%的两倍多，反映市场供给吃紧的程度。智能手机功能越来越多元，高分辨率的大屏幕手机更有赖于高密度DRAM模组驱动，如此才能实现类似PC的“多线程工作”。据传，三星今年推出的Galaxy S8手机其中一款将采用6.2吋屏幕，RAM则加大至****的8GB，透露未来智能手机存储器朝超大容量发展的趋势。DRAMeXchange预测，2020年智能手机存储器平均将比去年成长逾25%至6.9 GB，届时约有63%的手机采用8GB存储器芯片。三星、海力士目前移动DRAM市场份额分别约为50%与25%。

三星 Galaxy Tab S3 规格曝光：Exynos 7420 + 4GB RAM

新一代STT-MRAM容量达Gb水准

被视为次世代存储器技术之一的自旋力矩传输存储器(STT-MRAM)，在2016年12月举办的国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting；IEDM)中公开了若干突破性研究成果，*值得注意的是推出了容量超过1Gb的产品，以及将STT-MRAM嵌入CMOS逻辑芯片的技术实证。 MRAM算是次世代非挥发性存储器科技中出现较早的一种，其记忆单元以磁隧结(MTJ)组成，由于占用体积大与耗电量高，*大容量约16Mb，仅适用于若干特殊需求；MTJ水平排列的iSTT-MRAM虽然成功缩小化，记忆密度还是偏低，*大容量仅256Mb。直到较新的pSTT-MRAM出现，MTJ改用垂直排列，才能进一步扩大记忆密度，韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)与东芝(Toshiba)从2011年起合作，到2016年成功推出目前容量*大的STT-MRAM，记忆容量达4Gb，虽然详细数据并未公布，不过报导推算记忆密度与DRAM相当。不过，存储器技术要求的不只有记忆容量与密度，使用寿命与容错能力等数据也很重要，GlobalFoundries与Everspin Tec

高密度4Mbit ReRAM瞄准穿戴式装置与助听器

富士通(Fujitsu)宣布推出*高密度4Mbit ReRAM(可变电阻式记忆体)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体合作开发之首款ReRAM产品。 MB85AS4MT为SPI介面的ReRAM产品，能在1.65至3.6伏特电压下运作，并于*高时脉5MHz的读取操作下仅需0.2mA的平均消耗电流。此全新产品适用于需要电池供电之穿戴式及医疗装置，例如助听器等需要高记忆体密度且低功耗的电子装置。截至目前为止，富士通藉由提供具有耐读写以及低功耗特性的FRAM(铁电随机存取记忆体)，以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非挥发式记忆体的效能需求。在将新款4Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其产品线后，富士通如今可进一步扩充产品选项，以满足客户多样化的需求。MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内作业，还能透过SPI介面支援*高5 MHz的运作时脉，并在读取时仅需极低的作业电流(5MHz时脉下平均仅消耗0.2mA)。此外，此产品拥有业界非挥发性记忆体*低的读取功耗。此全新产品采用209mil 8-pin的SOP封装，脚位

DRAM与NAND的区别及工作原理

科学家将记忆芯片变成处理器

Nokia 6预购破120万件！旗舰机P1曝光、传采夏普IGZO

中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片 是NAND寿命的一千倍

国内媒体消息，中芯国际日前正式出样40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片，更先进的28nm工艺版很快也会到来，这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍，耐用一千倍。据了解在储存芯片领域，2018年将推出国产3D NAND闪存，意图实现国家要求的芯片自给率要求。SMIC中芯国际已经出样40nm工艺的ReRam存储芯片在存储芯片领域，NAND闪存是目前的**主流，保守点说三五年内它都会是电子设备存储芯片的主流选择，但研究人员早就开始探索新一代非易失性存储芯片了，，Intel、美光研发的3D XPoint之前有说是基于PCM相变存储，也是新一代存储芯片范畴了，而今天说的ReRAM(非易失性阻变式存储器)更是代表性的非易失性存储器。虽然它的名字中带RAM，不过ReRAM其实更像NAND闪存那样用作数据存储，只不过它的性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。说到ReRAM，不得不提的一家公司就是Crossbar，根据该公司资料，Crossbar技术

安兔兔再测苹果A10高通骁龙835，各擅胜场难分高下

集微网消息，据台湾媒体报道，日前高通推出*新的8核心处理器芯片Snapdragon 835，透过知名评测软件安兔兔(AnTuTu)的测试，Snapdragon 835以综合评分181,434分轻松击败了苹果A10芯片的172,644分，表面上看起来前者似乎在效能上略胜一筹，但详细检视各个子项目的分数，便可以发现两者其实在不同领域各擅胜场，很难真正分出高下。 根据Fudzilla网站报导，安兔兔是一款针对电脑、平板与手机处理器芯片运作效能进行测试的软件，虽然它在测试完毕后会根据芯片的整体表现给出综合评分，但实际上的测试内容还包含了中央处理器(CPU)、3D绘图、使用者体验等不同类别的子项目，因此一款芯片的好坏其实并不能只是依据整体评分的高低来加以判断。首先针对CPU的部分，需要说明的是，苹果A10芯片实际上是由两个客制化的芯片所组成，分别是追求性能表现的Hurricane，以及注重工作效能，负责处理较低阶工作的Zephyr；而在骁龙835的部分则是采取了类似的设计架构，差别只在于Snapdragon 835内部包含了两个芯片组，而每个芯片组分别具备4个处理核心。在Fudzilla网站提供