交流期间，刘明院士为我校师生做了题为“集成电路技术发展态势与机遇”的学术讲座。讲述了集成电路60年的发展历程，现已成为电子信息产业的基础和国家信息**的根本保障；集成电路在不断缩小尺寸、提高性能和降低成本的发展道路日趋成熟，scaling down严峻面临挑战；未来集成电路进一步发展呈多元化趋势；我国集成电路制造业和国外先进水平存在差距，也在不断进步；中国集成电路产业迎来发展的春天等多方面的内容。
刘院士的讲座极大地开阔了师生的视野。现场讨论环节尤为热烈，刘院士一一解答了多位师生在科学研究方面的困惑，为师生的科研方向做重要的指引。
在天津市薄膜电子和通信器件重点实验室负责同志的陪同下，刘院士参观了重点实验室。她对实验室现有平台支撑以及研究方向的凝练给予了充分肯定，对进一步科研合作充满信心。
刘明，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员。从事微电子科学与技术的研究，研究领域主要是存储器机理模型、材料结构、核心共性技术和芯片集成等。973项目**科学家、国家杰出青年基金获得者和基金委**群体负责人。担任“Applied Physics A”的编辑、《中国科学》编委、Scientific Reports的编委会委员等。
刘明研究员长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。代表性成果包括：建立了阻变存储器(RRAM)物理模型，提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法，产生重要国际影响。拓展了新型闪存材料和结构体系，提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理，为存储器产业发展提供关键理论和技术基础。她发表SCI收录论文250多篇，SCI他引超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS(国际半导体发展路线图)、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。在本领域重要国际会议做邀请报告30多次。授权发明**180件(含美国授权**7件)，主要**转让/许可到多家重要集成电路企业。刘明研究员曾获国家技术发明二等奖3项、国家科技进步二等奖1项、中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖、北京市科学技术一等奖2项、北京市科学技术二等奖2项、中国真空科技成就奖和中科院杰出成就奖等奖项。
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