半导体业者表示，目前不仅是NAND Flash技术，包括DRAM等已发展超过20年的技术，都陆续遭遇制程微缩极限不易突破的状况，对于半导体业者是一大挑战，并成为全球存储器技术掌握权大**的****，就看谁的眼光够精准，且愿意提前投资布局。
NAND Flash技术应用经历10年热潮，从*早期随身碟、快闪记忆卡应用，再到智能手机、笔记型电脑(NB)、固态硬碟(SSD)、云端服务器及数据中心等应用，由于对于NAND Flash需求不减，且采用容量越来越大，引爆全球12吋晶圆厂盖厂风潮。
旺宏总经理卢致远指出，全球NAND Flash技术发展面临一个大问题，当制程微缩到约15纳米便做不下去，各存储器阵营纷纷转进到3D NAND技术，或是发展更新一代存储器技术如ReRAM、RAM、PCM等，很多存储器大厂多方押注各种技术，希望能够一网打尽。
在这一波3D NAND和新世代存储器热潮中，抢先投入的业者包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)、Panasonic、Sony等大厂，陆续投入ReRAM和MRAM等存储器技术已达5~10年。
其中，美光与东京威力科创(TEL)等20家美日半导体厂合作新技术研发，未来将在美光广岛12吋厂量产MRAM存储器；至于日系半导体厂虽已退出标准型DRAM量产，仅东芝保留NAND Flash技术，但许多日厂包括Panasonic、Sony等对于新存储器开发十分热衷，已投入研发多年。
大陆半导体厂虽然进入存储器领域较慢，但近年来声势浩大，长江存储武汉12吋厂与Flash大厂飞索(Spansion)合作开发3D NAND技术，更新盖单月产能20万片的12吋厂全力冲刺。
中芯半导体布局愈益多元化，除了晶圆代工业务，也发展新式存储器，其与Crossbar合作40纳米制程ReRAM芯片已开始送样，2017年将导入28纳米制程在ReRAM技术上，成为中芯在新技术领域的里程碑。
台系半导体厂包括联电、华邦、旺宏等，亦积极投入3D NAND和新一代存储器技术，其中，联电不仅在晶圆代工领域占有一席之地，对于存储器的热情更是不减，其在福建晋华投入DRAM技术开发，抢先卡位新存储器商机。
联电与Panasonic携手研发40纳米制程ReRAM技术，系采用CMOS制程技术，预计2018年送样，2019年量产，而Panasonic的ReRAM技术在0.18微米制程已成功量产，日厂有意借由新技术重新在全球存储器版图拿下主导权。
旺宏原本是NOR Flash供应商，后来逐渐切入利基型NAND Flash技术，先从75纳米制程试水温，再转进36纳米，再跳到19纳米制程，接着衔接3D NAND技术，预计2017年第4季3D NAND技术可看到产品问世，但暂时不会大量生产，待找到适合的客户和产品后，才会大量投资量产。
华邦同样是NOR Flash供应商，以自有技术进入利基型NAND Flash领域，但华邦不走标准型3D NAND技术，而是投入ReRAM研发，预计很快可看到ReRAM技术进入量产。
存储器业者认为，ReRAM和MRAM技术都是非挥发性存储器，储存数据不会因为关机流失，由于读取和写入速度优于既有存储器，且结构十分简单，可部分取代现有NAND Flash市场，但要克服的瓶颈是新材料的稳定性。
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