富士通(Fujitsu)宣布推出*高密度4Mbit ReRAM(可变电阻式记忆体)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体合作开发之首款ReRAM产品。
MB85AS4MT为SPI介面的ReRAM产品，能在1.65至3.6伏特电压下运作，并于*高时脉5MHz的读取操作下仅需0.2mA的平均消耗电流。此全新产品适用于需要电池供电之穿戴式及医疗装置，例如助听器等需要高记忆体密度且低功耗的电子装置。
截至目前为止，富士通藉由提供具有耐读写以及低功耗特性的FRAM(铁电随机存取记忆体)，以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非挥发式记忆体的效能需求。在将新款4Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其产品线后，富士通如今可进一步扩充产品选项，以满足客户多样化的需求。
MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内作业，还能透过SPI介面支援*高5 MHz的运作时脉，并在读取时仅需极低的作业电流(5MHz时脉下平均仅消耗0.2mA)。此外，此产品拥有业界非挥发性记忆体*低的读取功耗。
此全新产品采用209mil 8-pin的SOP封装，脚位与EEPROM等非挥发性记忆体产品相容。富士通在微型8-pin SOP封装中置入一个4 Mbit的记忆体，以超越串列介面EEPROM的*高密度。
富士通预期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式装置、助听器等医疗装置，以及量表与感测器等物联网装置。
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