以下是2531天前的记录
SPI
1 2017年05月26日 星期五EUV微影将在7nm投入生产
eettaiwan (0)EUV经过多年来的缓慢进展后,如今已准备好在未来几年内投入生产了,预计将从7nm节点开始…荷兰微影业者ASML NV的高层主管在日前表示,随着业界持续朝着量产部署经常被延迟的下一代微影技术目标迈进,该公司预计明年将出货20至24套极紫外光(EUV)微影工具。ASML总裁兼执行长Peter Wennink在发布该公司**季财报后告诉分析师,该公司持续朝向其每小时生产125片晶圆、90%光源可用性的EUV目标进展。Wennink提到英特尔(Intel)、三星(Samsung)和台积电(TSMC)在近期举行的SPIE先进微影会议(SPIE Advanced Lithography Conference)上所进行的简报,展示其使用EUV系统的*新成果以及EUV基础设施现况。Wennink说:“虽然目前仍在诸如光罩护膜(pellicle)等方面仍待完善,但依客户所指出的时间表来看,导入EUV似乎没有太大的障碍。”经过多年来经常令人沮丧和痛苦的缓慢进展后,EUV如今已准备好在未来几年内投入生产了,预计将从7nm节点开始,由英特尔、台积电和三星等公司部署于其生产中;这三家公司都在ASML进行投资,作
鼓励下一代投入研发是工程师能做的事!
eettaiwan (0)我爱我的微影技术研发工作,也很乐意把我的经验分享给年轻朋友,希望能帮助他们了解科学背后的乐趣以及艺术… 我从小就对各种东西的运作原理十分好奇,而且主要是因为诧异以及来自我爸妈的鼓励──他们分别是社工以及小学老师;我会把收音机、手表拆开,只为了想知道它们里面是怎么运作的。虽然我想过要当地质学家、天文学家或是音乐家,但后来主修化工,*后取得了美国马里兰大学(University of Maryland)化工学士学位,以及史丹佛大学(Stanford)化工硕士学位。我坚信培育下一代研究人员的重要性;身为一个西班牙裔的女性工程师,我有机会成为一个独特的模范。在我身为一个科学家的生涯中,*有成就感的经验就是能与旧城区的孩子们一起工作,分享我对科学以及技术研发的热情。我常常会拜访各个学校,跟孩子们一起做简单的实验,例如混合出常见的家用化合物像是硼砂(Borax)等等,赢得很多笑容;我也非常积极组织或是参与夏令营、教育性工作坊等活动,鼓励中学女孩们勇敢向科学与数学相关的职业生涯迈进。每当我告诉人们我从事微影技术(lithography)研发工作,我脑海里**个蹦出来的画面通常是复制精致艺术品的过程;
以下是2632天前的记录
SPI
2 2017年02月14日 星期二三星接班人李在镕正式被批捕
维库电子市场网 (0)当地时间今天清晨5点半左右,韩国首尔中央地方法院正式决定:批捕深陷韩国总统亲信干政事件的韩国三星电子副会长李在镕!16日,李在镕前往首尔中央地方法院接受问询,在经历了持续八个小时的问询后,李在镕离开法院,又前往首尔拘留所,等待法院对他逮捕令的审核结果。据路透社报道,周五韩国一家法院签发逮捕令批准逮捕三星集团实际***李在镕。此前他因涉嫌参与一起导致韩国国会弹劾总统朴槿惠的腐败丑闻而遭调查。 韩国首尔中区法院驳回了对三星电子总裁朴商镇的逮捕令申请,朴商镇还是韩国马术联合会的主席。特别检察官办公室周二以贿赂和其他指控为由,申请了针对两人的逮捕令。上月特别检察官也试图逮捕李在镕但被法院阻止。李在镕今年48岁,是三星集团会长李健熙的独子和法定继承人,特别检察官对他提出了包括贿赂等多项指控。法院未具体说明除了贿赂外还遭到哪些指控。特别检察官可在20日内起诉李在镕。检察官指控三星集团副会长李在镕有贿赂、职务侵占和作伪证嫌疑,并参与了三星向朴槿惠闺蜜崔顺实有关联实体支付近3700万美元(约合人民币2.51亿元)。检察官称这些支付款项是为了让政府支持两家三星子公司合并以巩固李在镕对三星电子的控制权。本
双通道宽频混频器可实现5G无线存取
eettaiwan (0)凌力尔特(Linear Technology)推出新宽频、高动态范围双通道混频器LTC5566,该元件整合了可编程可变增益IF放大器。此双通道混频器具备非常宽广的300MHz至6GHz输入频率范围,并经专门*佳化,且在新的3.6GHz和4.5GHz 5G频段及已使用长时间的4G频段具广泛的特性描述。 此外,该元件支援高达400MHz的频宽,以满足日益增多之低于6GHz的5G无线存取装置需求。该款双通道混频器提供了**的动态范围,在3.6GHz时具+11.5dBm输入P1dB和+25.5dBm输入IP3。在高达5.8GHz的较高频率时,IIP3保持超过+24dBm。该元件内建的IF放大器可将总功率转换增益提高到*大的12dB。透过内建SPI汇流排,每个通道的增益能够以精准的0.5dB步进独立设定。因此,当每个通道驱动一个A/D转换器时,精细的增益控制提供了简便的方法,以针对运用*少的外部元件平衡两个通道的增益,并校准至*佳值。LTC5566非常适用于在较高频率下要求更高性能和较宽频宽之5G无线多通道RRH(远端射频头端)无线存取装置。且该元件的高整合度并实现了小外壳内的多通道整合。其他适
三星电子股价创历史新高,今年已经涨了25%
网易科技报道 (0)网易科技讯 5月2日消息,据《金融时报》报道,韩国当地时间周二,随着三星电子的股价创下历史新高,韩国综合股票指数KOSPI有望突破历史*高记录。 在当地时间周二中午收盘时,韩国综合股票指数KOSPI上涨了1%,将向该指数于2011年5月2日创下的2228.96点的历史*高记录发起挑战。在周二上午的盘中交易中,Kospi指数一度上涨了1.1%,至2229.74点。包括今天上午的涨幅,Kospi指数今年已累计上涨了9.7%,这使韩国股市成为继印度、新加坡和香港地区之后2017年亚洲表现*好的主要股市之一。Kospi指数的上涨,很大程度上归功于三星电子的表现,该公司在该指数中所占的权重超过20%,今年以来其股价累计上涨了25%。在周二的交易中,截止中午收盘时,三星电子股价上涨了0.9%,至每股225.2万韩元,创历史新高。上周,受益于内存芯片和平板显示器的价格上涨,该公司**季度运营利润创三年以来的新高,同时拒绝了激进投资者要求将其分拆为一家控股公司和一家运营公司的呼吁。根据彭博社的数据,三星电子是全球第十二大上市公司,市值为2749亿美元。三星可能是韩国指数中*重要的个股,但今天的表现还不
以下是2682天前的记录
SPI
3 2016年12月26日 星期一新式TII技术可望微缩超越9nm
eettaiwan (0)*新的「倾斜离子注入」(TII)制程据称能够实现比当今*先进制程更小达9nm的特征尺寸... 美国柏克莱实验室(Berkeley Lab)的研究人员日前发表*新的「倾斜离子注入」(tilted ion implantation,TII)制程,据称能够降低制造先进芯片的成本、缩短研发时间,同时实现比当今*先进制程更小达的9奈米(nm)特征尺寸。近年来,随着芯片制造成本和复杂度的快速增加,延缓了摩尔定律(Moore’s law)的进展,该实验室的研究结果显示利用这项新技术有望降低芯片的制造成本和复杂度。 不过,目前还不清楚芯片制造商是否会采用这项技术。「我们利用氩离子选择性地损坏光罩薄层的某些部份,」在*新一期《IEEE电子组件处理》(Transactions on Electron Devices;TED)发表研究论文的**作者Peng Zheng说:「它能自对准且按照现有垒加光罩的特征倾斜,所以并不存在现有双微影蚀刻(Litho-Etch-Litho-Etch;LELE)方法的问题。 无法对准一直是这种LELE途径的致命伤。 」他说,相较于目前在16nm及更先进制程节点广泛使用的自对准
6通道逻辑/SPI/数位μModule隔离器实现高效率
EETTaiwan (0)凌力尔特(Linear Technology)日前推出6通道SPI/数位或I2C μModule隔离器 LTM2887,该元件针对低电压元件设计,包含较新的DSP和微处理器。 两个经过稳压的可调电源轨(高达5V)越过隔离势垒提供大于100mA的负载电流,并具有高达62%的效率。针对辅助电源,电压可调节至低如0.6V,而对于SPI介面,隔离型逻辑电源则可低至1.8V。每个电源提供一精准的电流限值调整针脚,并能使用外部电阻来调节电压。在工业系统应用中,接地电位的变化范围相当宽广,经常超过可容许的范围,这会造成通讯中断或甚至零组件损坏。LTM2887透过在一个内部隔离势垒的每侧对逻辑位准介面进行电隔离来断开接地回路。该电感式耦合势垒可承受高达2,500VRMS的非常大接地差分电压。低EMI隔离型DC/DC转换器负责为LTM2887供电,并向通讯介面和输出电源轨提供隔离式电源。单独的逻辑电源针脚可与低至1.62V的低压微控制器直接连接,而一个ON针脚使LTM2887能够关机并采用小于10μA的电流。LTM2887在共模瞬变>30kV/μs的情况下可提供不间断通讯,并在隔离势垒的两端提供强固的±
英飞凌新款LED驱动器助力结构紧凑、经济实惠的LED汽车头灯
达普芯片交易网 (0)LED汽车头灯可实现节能,支持诸如矩阵光束和激光远光灯等新型车灯设计及应用。英飞凌科技股份公司为汽车照明技术进一步提供大力支持,今日(16日)推出专为汽车头灯而设计的大功率LED驱动器,它们分别属于LITIX Power Flex和LITIX Power两个产品系列。这些器件为设计功率高达50W甚至更高的LED系统提供了灵活的DC/DC驱动方案。该器件的应用设计灵活多变,包括电压*高为55V、由众多中等功率LED组成的灯串,或者由少量电流高达3A乃至更高的LED组成的照明装置。LITIX Power Flex TLD5541-1QV和LITIX Power TLD5190QV这两款LED驱动器,非常适合大功率和大电流LED应用。其中包括汽车头灯、激光和LED大灯等。此外,它们作为高效率电源,还非常适合使用电池供电的LED应用。再者,它们还有助于设计成本节约型全LED汽车头灯,包括设计可安装于狭小空间,如摩托车车把上的经济型全LED头灯。LITIX Power Flex TLD5541-1QV助力实现LED系统效率*大化TLD5541-1QV是全新多拓扑DC/DC控制器系列LITIX P
高密度4Mbit ReRAM瞄准穿戴式装置与助听器
eettaiwan (0)富士通(Fujitsu)宣布推出*高密度4Mbit ReRAM(可变电阻式记忆体)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体合作开发之首款ReRAM产品。 MB85AS4MT为SPI介面的ReRAM产品,能在1.65至3.6伏特电压下运作,并于*高时脉5MHz的读取操作下仅需0.2mA的平均消耗电流。此全新产品适用于需要电池供电之穿戴式及医疗装置,例如助听器等需要高记忆体密度且低功耗的电子装置。截至目前为止,富士通藉由提供具有耐读写以及低功耗特性的FRAM(铁电随机存取记忆体),以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非挥发式记忆体的效能需求。在将新款4Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其产品线后,富士通如今可进一步扩充产品选项,以满足客户多样化的需求。MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内作业,还能透过SPI介面支援*高5 MHz的运作时脉,并在读取时仅需极低的作业电流(5MHz时脉下平均仅消耗0.2mA)。此外,此产品拥有业界非挥发性记忆体*低的读取功耗。此全新产品采用209mil 8-pin的SOP封装,脚位