内存价格飙升，海力士Q3利润大涨415%

据外媒报道，得益于芯片市场需求的回升和芯片价格的暴涨，韩国芯片生产商海力士在今年第三季度的运营利润大涨了415%。海力士公司目前是世界**大的半导体元件制造商，在截至9月末的第三季度中，海力士公司的运营利润达到了3.7万亿韩元(约合人民币218.1亿元)，这远远高于比去年同期的7260亿韩元。此外，SK海力士公布今年7-9月营收为8.1万亿韩元，较去年同期成长91%;营业利润达3.73万亿韩元。SK海力士表示，当季DRAM出货成长17%，平均售价较前季成长6%，主要受惠于移动设备，以及服务器季节性需求强劲。在NAND快闪存储器方面，出货增长16%，但单位平均售价则是下滑3%。随着苹果新机上市，第四季通常是存储器产业的旺季，分析师看好SK海力士更上一层楼，盈利有望突破4万亿韩元大关。

上海新阳预计2017年盈利达7500万，同比增长38%

集微网消息，上海新阳日前披露了2017年度业绩预告，公司预计2017年盈利6800万元-7500万元，比上年同期增长25%-37.87%。 上海新阳表示，报告期内净利润较去年同比上升，主要原因是报告期内主营业务收入较去年同期增长所致。2017年以来，上海新阳在传统封装领域，晶圆划片刀产品也开始逐步放量，已经实现盈利；在半导体制造领域，晶圆化学品持续放量继续保持高速增长，晶圆化学品已经进入中芯国际、无锡海力士、华力微电子、通富微电、苏州晶方、长电先进封装等客户，其中在芯片铜互连电镀液产品方面已经成为中芯国际28nm技术节点的Baseline，无锡海力士32nm技术节点的Baseline；用于晶圆制程的铜制程清洗液和铝制程清洗液也都分别开始供货；在IC封装基板领域，上海新阳的电镀铜添加剂产品仍处于供货阶段。此外，上海新阳已经被台湾电列入合格供应商名录，并正在进行产品验证；其参股子公司上海新昇半导体科技有限公司300mm大硅片项目从2017年**季度已经开始向中芯国际等芯片代工企业提供样片进行认证，目前进展顺利；同时向功能性化学材料的其他应用领域积极横向拓展,在工业特种涂料、汽车零部件表面处

海力士：去年第四季DRAM平均价格涨9%

集微网消息，全球**大内存芯片厂韩国SK海力士受惠DRAM价格大涨，以及市况持续畅旺，去年第4季获利创单季新高，看好今年服务器内存需求持续强劲。 市调机构集邦则预期，尽管智能手机销售不如预期，恐导致本季移动内存合约价涨幅收敛为3%，但第2季将重启拉货动能，价格仍会续涨。 SK海力士昨天举行发布会并公布去年财报，去年第4季获利和去年全年获利都**高。 该公司分析，去年第4季获利创高，主因DRAM芯片出货季增3%，平均价格涨9%；NAND芯片出货增16%，均价涨4%。SK海力士预估，2018年DRAM芯片需求较去年成长20%，NAND芯片需求将成长约40%，并预估今年资本支出较去年的10.3兆韩元增加，今年DRAM出货成长约20%，NAND出货约成长45%。

东芝出售芯片子公司或错过*后期限 将寻求更多选择

据路透社报道，中国商务部仍未在审议贝恩资本(BainCapital)牵头财团以180亿美元收购东芝(6502.T)芯片子公司的计划，使得该交易不大可能在即将到来的*后期限前完成。东芝似乎将为该子公司寻找更多选择方案。中国商务部周二向路透简要表示，正在评估该交易，但没有进一步详述。一位直接知情人士表示，该交易若要在3月31日的*后期限前完成，必须在本周初通过中国的反垄断审批，因行政程序和转账仍需要一定时间完成。如果不能如期完成，东芝将有权在不支付罚金的情况下放弃出售芯片子公司的交易，一些投资者敦促东芝考虑这种选择。东芝的芯片子公司是全球**大NAND芯片生产商。东芝发言人称，公司尚未放弃在月底前完成交易的努力，即便错过期限，仍将尽快出售芯片业务。此前，有分析师预测的将闪存业务分拆上市。也有媒体认为，没有通过反垄断审批，对东芝可能反而是件好事，由于财务数据有所好转，该公司可以重新提高收购报价，甚至比目前的价格高出40亿美元。一些活跃的股东反对东芝此次交易，认为资产价值被低估，他们认为应该和贝恩资本重新洽谈收购价，或是让闪存业务分拆上市。一般认为，东芝交易*大的审核难度来自韩国海力士公司。行

东芝变卖闪存业务“跳票” 股东们表示很失望

华尔街日报:海力士可能获得东芝芯片股权 与东芝说法相左

首款Gbit MRAM芯片亮相！海力士量产14纳米TLC NAND Flash

1.首款Gbit MRAM芯片亮相！；2.东芝芯片业务出售一波三折 谁能如愿以偿？；3.美光扩大研发中心规模　强化研发进入新领域；4.SK海力士量产14纳米TLC NAND Flash 打破平面16纳米*终迷思；5.大陆存储器封测需求大　矽品重返标准型DRAM；6.储存技术将改写监控产业资料处理方式 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.首款Gbit MRAM芯片亮相！；新的1-Gbit MRAM芯片可作为非挥发性缓冲器与编写快取，*终在SSD与快闪存储器储存阵列中找到取代DRAM的出路…在日前举办的年度快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit；FMS)上，Everspin宣布开始出样Gbit MRAM芯片，并预计在今年投产采用其256Mbit芯片的1-2Gb加速卡。在FMS大会上发布这项消息，象征着在一个聚焦于主流NAND市场成长的活动中，有越来越多的持久型存储器开始出现显著进展。Everspin希望新的产品可作为非挥发性缓冲器与编写快取，*终得以在固态硬

让东芝半导体购并案过关，传 SK 海力士愿放弃投票权

SK 海力士为求如愿迎娶东芝存储器(Toshiba Memory Corporation，以下简称 TMC)，传愿意放弃对 TMC 的投票权，将回到原先架构下，以纯出资的方式参与购并。SK 海力士是“美日韩联盟”成员之一，尽管美日韩联盟上个月好不容易获得 TMC 出售案优先谈判权，但 SK 海力士后来反悔要求投票权，引发日本政府担心技术外流，以致谈判触礁。日本时事(Jiji)通信社周末*新报导指出，SK 海力士为顾全大局，决定以借贷形式出资参与美日韩联盟购并 TMC，东芝已将之列入评估，有望在本月内做决定。在此同时， WD 请求美国加州高等法院禁止东芝出售 TMC 一案，14 日法院**次开庭审理，由于案情太过复杂，法院将延至 7 月 28 日做*后宣判。

上海新阳：大硅片项目进展顺利

公司发布半年度业绩预告:营业收入2.32亿元(YoY+20.77%),2017H1归母净利润3470万元(YoY+20.24%),其中2017Q2归母净利润区间1667万元(YoY+31.41%,QoQ-7.54%),符合预期(H1业绩预告区间3300-3600万元)。公司主营业务总体保持稳步增长:1)子公司考普乐实现营业收入1.17亿元,净利润1664万元,净利润同比进步持稳,主要因为氟碳涂料收入同比增长17.31%,但是由于原材料价格上涨毛利率下滑6.15%至36.65%;2)公司化学材料领域实现收入8835万元,同比增长28.07%;配套设备实现收入2244万元,同比增长21.42%;3)上海新昇上半年营业收入100.96万元,净利润-1367.33万元,拖累公司业绩。公司公告:以自有资金2500万元购买上海皓芯持有的上海新昇3.2%股权。收购完成后,公司将合计持有上海新昇约27.57%股份。 公司是国内半导体专用材料细分领域龙头企业,研发实力雄厚。在半导体制造领域,公司晶圆化学品持续高速增长,已经进入中芯国际、无锡海力士、华力微电子、通富微电、苏州晶方、长电先进封装等客户,其中

SK 海力士抢东芝半导体，传携 ORIX 打联盟战

东芝芯片业务引多家公司竞购

据外媒报道，东芝半导体（存储芯片）业务出现多家公司竞购局面，进一步加剧了全球半导体产业通过并购维持**地位的趋势。 据路透社援引消息人士话称，在19日**轮竞标截止前，包括私募股权投资公司KKR、贝恩资本和美国芯片生产商博通在内的公司，均参与对东芝半导体业务的竞购。东芝对芯片业务的估值至少为2万亿日元。在现已破产的美国核电业务成本严重超支导致公司现金短缺后，东芝今年不得不出售上述资产。出售该业务对东芝复苏至关重要。东芝方面曾表示，**轮竞标后仍可以有新竞标者加入。但竞购结果仍不确定，因与东芝共同经营其主要半导体工厂的西部数据也是竞购者之一。路透社报道称，该公司将寻求通过法律途径阻止东芝在未征得其同意的情况下出售芯片业务。一位消息人士称，KKR可能成为*受青睐的竞标方之一。KKR将与日本政府支持的基金——产业革新机构联手，开出规模至少为1.8万亿日元的报价。并称该报价有可能进一步上调以增强竞争力。日本政府已明确表态，将会阻挠任何可能导致高价值芯片技术从日本流出的交易，而且会把有政府背景投资方的参与视为关键的批准标志。知情人士称，产业革新机构和日本政策投资银行已分别向东芝表示，有意参与投标

传海力士分拆晶圆代工*晚本周内定案

继三星分拆晶圆代工业务后，南韩另一大半导体厂 SK 海力士也在考虑是否跟进，让旗下晶圆代工自立门户，以有更多发挥空间争抢订单。 韩媒 BusinessKorea 周三引述知情人士消息报导指出，SK 海力士*快可能在 5 月 24 日或*晚本周末，就会决定是否分拆晶圆代工。 晶圆代工目前被海力士归类为非核心事业，专家认为与其如此，独立专业经营还比较有战力。SK 海力士计划将晶圆代工分拆成***持股且独立运作的子公司，主要经营 CMOS 影像传感器、电源管理 IC（PMIC），以及显示驱动 IC 等，将委由南韩境内 8 吋（200mm）晶圆厂负责生产。SK 海力士与三星并列南韩内存双雄，但在晶圆代工领域，SK 海力士则是无名小卒。 按 IC Insights 排名，全球晶圆代工前五大厂依序为台积电、格罗方德（GlobalFoundries）、联电、中芯与力晶。三星日前进行组织结构重整，晶圆代工确定分拆成独立单位，将与内存、系统 LSI 并列三星半导体三大分支。 三星现任半导体研发主管 Chung Eun-seung 将升任首位晶圆代工部门执行长。

东芝存储器海力士博通二选一下周出标,海力士**鸿海出局

紫光呛提告WTO 台湾:不适用加入ＷＴＯ的承诺表

据「集微网」报导，紫光集团董事长赵伟国在上海出席论坛时，指控台湾是半导体业*不平等的地方，不排除要向ＷＴＯ提告台湾设置贸易和投资障碍，让中资无法进入台湾投资。 不过，台湾“经济部”响应，台湾加入ＷＴＯ仅开放服务业，半导体业任一环均属于制造业，不适用台湾加入ＷＴＯ的承诺表，且中资来台投资本应遵守台湾规范。 ＩＣ设计未开放中资投资经济部说明，台湾并非**禁止中资投资半导体业，目前尚未开放投资ＩＣ设计，但已开放投资ＩＣ制造与封测，只是须经关键技术小组审查通过，这并非贸易及投资障碍；紫光集团所指投资事宜，台湾均符合ＷＴＯ规范，并无违反情事。经济部强调，台湾自加入ＷＴＯ以来，一直遵守互惠、透明化及不歧视的原则。 况且，若论向ＷＴＯ「申冤」，恐怕紫光才是站不住脚的一方，因赵伟国二○一五年底来台曾公然呛声，若台湾不开放中资投资ＩＣ设计，将建议大陆政府禁止台湾相关产品进入大陆；当时经济部表示，若大陆执行抵制，不排除向ＷＴＯ提告。根据「集微网」报导，赵伟国在上海「Memory+」论坛致词表示，商业的普遍原则是平等，「但是，半导体行业*不平等的地方其实是台湾，为什么台湾企业可以到大陆投资，但是大陆的资金却

继海力士之后三星晶圆代工业务宣布独立

集微网消息，三星电子12日宣布，已在半导体业务新设晶圆代工部门，要在全球半导体需求畅旺之际，扩大纯晶圆代工业务份额。 此举无疑是要力拚超越台积电。 业内人士指出，三星藉由分割的动作，意欲去除客户疑虑的用意明显，可是分割后的代工部门仍在集团内，其实差异不大；且三星本身和不少客户具竞争关系，此举是否足以降低客户疑虑，值得观察。三星晶圆代工部门将为高通与辉达这类只做芯片设计的无厂半导体公司，生产手机芯片与其他非内存芯片，并与台积电等公司竞争。 新部门将由掌管整个半导体业务的总裁金奇男掌管。 南韩另一芯片厂SK海力士*近也宣布要分拆晶圆代工业务。三星半导体业务改组后有三大支柱，分别是内存、系统整合芯片与晶圆代工。韩媒Pulse报导，三星电子认为，让晶圆代工部门独立出来，有助于在这块传统由台湾主导、利润丰厚的晶圆代工市场迅速拓展势力。 全球半导体晶圆代工市场目前由台积电称霸，其次是联电、美国格罗方德，三星位居第四。虽然晶圆代工业务只占三星整体营收一小部分，但已大幅成长。 数据显示，三星晶圆代工业务营收去年成长78.6%至45.2亿美元。三星虽然这两年在苹果的订单份额大降，但在手握订单优势下，主要

更快更大！海力士发布72层256G 3D闪存芯片

苹果供应商海力士(SK Hynix)今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读��性能快 20%。海力士自从2016年11月开始生产 48 层 256Gb 3D NAND 芯片。之前的 36 层 128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月开始生产。因为层数更多，利用现有的生产线，产能可以提升 30%。海力士将在今年下半年开始量产。iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 配备的 NAND 闪存供应商来自东芝和海力士。一些 iPhone 7 采用东芝 48 层 3D BiCS NAND 芯片，这种芯片之前从未出现在其他商业产品中。其他 iPhone 7 型号采用海力士闪存芯片。32GB iPhone 7 比 128 GB 型号更慢，前者的数据读取速度为 656 Mbps，后者为 856Mbps。东芝和海力士的内存芯片采用 15纳米工艺打造

抢标东芝半导体，海力士携手贝恩资本组国际联盟

东芝半导体事业出售案，各阵营抢翻天，比口袋深度，也比经营团队招牌。*新消息指出，SK海力士为求顺利出线，已与美国私募基金贝恩资本（Bain Capital）结盟，将合伙出资竞标。 海力士合伙贝恩资本，若能成功吃下东芝半导体，将一跃成为全球**大NAND快闪存储器供应商。对于上述消息，海力士拒**上述消息发表评论。观察家指出，海力士其实把贝恩资本当招牌，目的是想吸引具竞争实力的日本投资人入伙，借以打造***经营团队来吸引东芝芳心。据日前媒体报导，鸿海准备3兆韩圜抢标东芝半导体，而海力士仅准备出2兆韩圜，两者差了一大截。不过，SK海力士会长崔泰源（Chey Tae-won）本月曾表示，东芝半导体投标结果并不拒约束力，出价高低也就不重要。

东芝存储业务买家剩四阵营

集微网消息，日本媒体报导，夏普高层透露，正在考虑和母公司鸿海一起出资东芝新分拆的芯片公司。 同时，日本政府基金也考虑和美国半导体大厂博通连手出资，更加深这场出资案的竞争程度。 朝日新闻报导，目前东芝存储业务买家只剩博通、鸿海、ＳＫ海力士、美国西部数据等四阵营。 博通阵营除了日本官民基金产业革新机构（ＩＮＣＪ）和政策投资银行外，还包括美国投资基金银湖和ＫＫＲ集团。 部分大型银行已开始准备支持各阵营资金。夏普高层十九日透露，考虑参与东芝半导体事业股权标售。 由于日本政府恐东芝具竞争力的半导体关键技术外流，可能出手干预，不利夏普母公司、鸿海集团竞标，鸿海透过与夏普携手，意在化解日本政府对外资的抗拒。不过，日本政府为防止中国大陆或台湾企业收购东芝半导体，导致技术外流，可能依据外汇法加以阻挡。 即使夏普参与其中，能否获批仍很难说。*新消息指出，SK海力士为求顺利出线，已与美国私募基金贝恩资本（Bain Capital）结盟，将合伙出资竞标。海力士合伙贝恩资本，若能成功吃下东芝半导体，将一跃成为全球**大NAND快闪存储器供应商。对于上述消息，海力士拒**上述消息发表评论。观察家指出，海力士其实把

私募股权公司KKR欲160亿美元收购东芝芯片部门

腾讯科技讯 据外媒报道，据知情人士透露，美国私募股权巨头KKR & Co.正在与东芝进行谈判，希望获得这家日本公司的芯片部门的优先购买权，从而加速东芝出售芯片部门的过程，结束与其他潜在购买者的谈判。 上述知情人士称，东芝支持KKR公司及其合作伙伴日本**网络公司（Innovation Network Corp.）的提案，因为它简化了管制当局的审批程序，加快了兑现东芝所需要的现金。KKR公司及其合作伙伴——还包括日本政策投资银行（DBJ）——表示它们愿意支付1.8万亿日元（约合160亿美元）到2.1万亿日元。东芝并没有*终决定是否接受KKR公司的提案。它可能仍然会选择走拍卖流程。东芝芯片部门的其他竞购者还包括台湾鸿海精密集团、韩国海力士半导体公司和美国博通芯片制造公司（Broadcom Ltd）。在日本东京时间下午1:19，东芝的股价上涨了0.9%。此前，它的股价下跌了3.7%。东芝销售资产的目的是为了填补它的资产负债表中的黑洞，因为它旗下的Westinghouse核能公司亏损额高得惊人。东芝的芯片部门主要为手机和其他设备生产内存芯片，是该公司*有价值的资产。东芝希望到2018年3月前完

硅晶圆报价涨式渐猛 中芯、华虹抢货求长约

硅晶圆涨价情况一览　8吋及12吋硅晶圆合约价Q1出现近8年首度止跌回升后，随陆韩半导体厂大举抢货，价格逐季走高。图／美联社 面对半导体8吋及12吋硅晶圆市场供给日益吃紧，包括中芯、华虹等大陆半导体厂近期开始大动作出手抢货，业界并传出已祭出高于合约价1～2成幅度，希望与硅晶圆厂签下半年长约。同时，存储器大厂韩国三星亦来台大抢12吋硅晶圆产能，希望能包下环球晶圆的部份生产线。法人指出，硅晶圆价格继第1季止跌并调涨后，第2季合约价可望再涨10％幅度，由于近期陆厂及三星均出手大抢货源，供不应求情况有恶化迹象，第3季8吋及12吋硅晶圆合约价可望出现大涨行情，包括环球晶、台胜科、嘉晶、合晶等硅晶圆厂将直接受惠。半导体硅晶圆厂今年第1季因供不应求，价格出现近8年来首度止跌回升情况，由于上半年是各家半导体厂制程微缩的****，以晶圆代工厂来说，台积电开始加快10奈米微缩并拉高产能，联电14奈米也开始进入量产阶段，至于存储器厂如三星、美光等，DRAM制程正式进入1x/1y奈米世代，3D NAND也开始**进行投片。在此情况下，硅晶圆需求大幅提升，也推升第2季合约价顺利调涨10％左右幅度。业者指出，因为上

海力士抢食晶圆代工大饼，相关投资传扩大三倍

集微网消息，全球晶圆代工业蓬勃发展，激发起韩国存储器厂SK海力士的企图心，传今年打算扩大投资晶圆代工业务三倍。 Businesskorea.com引述知情人士的消息报导指出，海力士刚在旗下M8晶圆厂成立专案小组，目前正针对制程优化、产能改善与降低成本等项目做可行性评估。海力士今年资本支出总额达7兆韩圜，晶圆代工是其中一项，至于切确数字的大小，海力士表示不便对外对外透露。不过，海力士晶圆代工部门从去年第三季起，改由执行长直接指挥，显示其重视程度。海力士与三星并列韩国存储器双雄，但在晶圆代工领域，海力士可算的上是无名小卒。按IC Insights排名，全球晶圆代工前五大厂依序为台积电、格罗方德（GlobalFoundries）、联电、中芯与力晶等。另外，IC Insights预期晶圆代工近五年间年复合成长率平均可达7.3%，2021年营收规模将来到720亿美元，市场如此大，难怪海力士会心动。

传东芝发送招标信，盼芯片事业估值达1.5兆日圆

彭博报导，消息人士透露，日本东芝公司本周开始为出售记忆体事业发送招标信，希望买方的投标书将该事业的估值定在约1.5兆日圆（约130亿美元）。 消息人士表示，东芝将提供芯片事业的多数股权，也将愿意出售整个事业。惟整个半导体事业估值1.5兆日圆，远远低于先前媒体报导的2兆或2.5兆日圆。消息人士表示，尽管多家企业有兴趣，但东芝也许难以为芯片事业争取到1.5兆日圆的估值。东芝对资本支出的估算似乎太低，而不足以维持该事业。因认列美国核电业务高达63亿美元的减值亏损，东芝必须出售资产以弥补庞大的财务缺口。原本东芝仅打算出售金鸡母芯片事业的少数股权，但由于财务陷入困境，东芝被迫出售多数股权，放弃对该事业的主控权。无论*后从出售芯片事业获得多少资金，东芝都将从东证一部市场中剔除。消息来源表示，对东芝芯片事业有兴趣的潜在买家包括SK海力士、台湾鸿海集团、美国威腾电子（Western Digital Corp）与美光科技。而金融业的可能买主包括贝恩资本（Bain Capital）、银湖（Silver Lake Partners）与KKR投资公司。东芝、鸿海(2317)、银湖都不愿对此交易发表评论，海力士

中国大陆建厂推动，有钱也买不到硅晶圆

这家企业为了一颗中国“芯”投入千亿

中国是世界上*大的芯片消费国，我们一年制造11.8亿部手机，3.5亿台电脑，1.3亿台彩电，牢牢占据****。但遗憾的是，当中90%的芯片都是依赖进口，2016年，中国集成电路的进口总额高达2271亿美元，出口却只有693.1亿美元，进出口逆差达1613.9亿美元。中国在半导体行业对进口的高度依赖，给国内电子信息产业**带来了极大隐患。为了推动中国集成电路产业的发展，2014年6月，《国家集成电路产业发展推进纲要》正式出台，千亿元规模的国家集成电路产业投资基金成立；2015年**两会期间，集成电路产业头一次被写进政府工作报告。谁能破解中国的无“芯”之痛呢？通过“买买买”缔造芯片帝国的紫光集团也许是齐总一个好的选择。缺“芯”让中国终端产业失去话语权从2016年下半年开始，围绕在智能手机等智能终端领域的关键词是“涨价”，国产的千元机均纷纷涨价100元，这是史上**千元机的涨价潮。当中主要的原因是以手机内的DRAM和NAND Flash为代表的手机必要零部件涨价造成的。业内人士接受央视财经《经济半小时》记者采访时说，芯片占手机成本的比重应该在20%左右，2016年芯片价格大涨15-20%，而

环球晶：半导体硅晶圆供需缺口3~5% 涨价来自市场预期

集微网消息，据台湾媒体报道，中美硅晶旗下半导体硅晶圆厂环球晶圆20日举行临时股东会，董事长徐秀兰会后表示，近期半导体硅晶圆涨价主因来自于其报价基期低，2016年第4季创历史底点，再者即大陆晶圆厂积极投入，使需求拉升，并与既有国际晶圆大厂进行抢料，使市场预期需求持续成长，缺货将持续下，宁愿加价备库存。2017年供需缺口约维持3~5%，2018年约7~8%。 针对2017年第1季半导体硅晶圆缺货及涨价动力，徐秀兰指出，主要即是2016年硅晶圆报价创历史新底点，年平均每平方英寸的报价为0.67美元，创11年来新低点，2016年第4季更是谷底，而在大陆积极投入半导体晶圆，开始进行硅晶圆购料，导致硅晶圆形成缺货及**。目前主流的12吋硅晶圆涨价力道*猛，导致有些抢货力道不足的需求，被迫回头采购8吋，或宁愿留在使用8吋不愿升级至12吋以免缺料，这使得8吋需求拉升、跟着供不应求而涨价，同理也带动6吋需求快速拉升，所以，环球晶圆除了12吋、8吋供不应求外，连6吋产能都大爆满，2017年计划以去瓶颈方式来拉升6吋的产能。徐秀兰说，因为大陆半导体晶圆厂开始加入硅晶圆购料，并出更高价格来采购，这使得既有的半

南京这个产业项目落地签约 为何书记省长都来了

1月18日下午，紫光南京半导体产业基地项目在宁签约，省委书记李强，省委副书记、省长石泰峰，省委副书记、南京市委书记吴政隆出席签约仪式。紫光南京半导体产业基地项目是继台积电后，又一个落户南京江北新区的大型半导体产业项目。江苏半导体产业发展现状如何，为何能频频吸引半导体行业巨头项目落户？紫光南京半导体产业基地项目的落地，将会为江苏经济带来什么影响？交汇点记者为此采访了多位行业专家进行解读。 中国半导体芯片的年进口总额超过了石油“半导体产业是指生产集成电路芯片为主要项目的产业，诸如电脑CPU、内存、固态硬盘、U盘等，这是和我们工作生活息息相关的产业。其中英特尔、三星电子、台积电排世界半导体产业前列。”南京大学化工学院副教授杨立军介绍。“目前中国半导体芯片的年进口总额已经超过了石油。”杨立军说，我国拥有******的集成电路市场，**手机出货量占全球八成，平板电脑产量占六成，电脑接近八成，电视占六成，但其核心部件——集成电路芯片自给率不到8%，大多依赖进口。如2014年，**集成电路进口芯片2000多亿美元，超过原油进口额。“1美元的集成电路能带动5美元的电子产品，进而带动100美元的GDP，

海力士四季度运营利润13亿美元，同比大增55%

北京时间1月31日消息，苹果内存芯片供应商海力士（SK Hynix）公布四季度业绩，由于移动设备、计算机对内存芯片的需求增加，半导体价格上涨，海力士业绩超过分析师预期。截止12月的3个月，海力士运营利润同比增长55%，达到1.54万亿韩元（13亿美元）。分析师估计的平均运营利润约为1.28万亿韩元。四季度海力士营收同比增长21%，达到5.36万亿韩元（约45.9亿美元）。12月底，DDR3 4GB动态随机存储芯片的价格上涨到2.79美元，一年前约为1.84美元。NAND内存芯片价格的上涨也让海力士受益，其中3D芯片需求增加，供货受限。手机、平板、一些PC用NAND芯片存储数据。今年，海力士准备投资7万亿韩元，分配给NAND的资金比DARM多。按照海力士的预计，今年与去年相比DRAM的需求将会增加20%，NAND的需求将会增加30%。

分析师：Toshiba分拆内存业务有利未来发展

东芝将分拆内存业务，预期分拆后的新公司将有更多经营弹性及更佳的筹资能力。 TrendForce内存储存研究部门DRAMeXchange*新调查显示，日本大厂东芝(Toshiba)为提升半导体业务竞争力，已正式宣布将在今年3月31日前完成分拆内存业务，预期分拆后的新公司将有更多经营弹性及更佳的筹资能力，长期而言对东芝/威腾(WD)电子阵营在NAND Flash产能提升、产品开发均有所帮助。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，东芝的策略一方面为的是应付日渐沉重的产业竞争环境，另一方面是为纾解经营压力，并满足筹措营运资金的需求。 从产业结构来看，DRAMeXchange统计，在全球NAND Flash产出比重上，三星(Samsung)市占率约为36%，东芝/威腾阵营合计约35%，美光(Micron)/英特尔(Intel)阵营则为17%，海力士(SK Hynix)为12%。其中三星、美光和海力士均拥有DRAM以及NAND Flash，在内存布局上更具有策略纵深，但东芝/威腾阵营仅有NAND Flash，在面对变化波动甚大及高投资金额特性的内存产业时，所面临的挑战更为严峻。另一方面，从财

债务超1500亿日元 东芝被迫出售半导体业务

作为“日本制造”的代表企业之一，在核电业务巨额亏损的拖累下，东芝走到了十字路口。根据东芝*新财报预测，截至2017年3月的2016财年，全年将出现3900亿日元的亏损，为连续三年亏损，债务将超出资本1500亿日元。为填补亏损，东芝计划在3月底前出售“金鸡母”半导体业务股权，社长纲川智在2月14日的记者会上表示不排除100％出售的可能性。但贱卖的情况可能暂时不会发生了。2月16日，日媒消息称，东芝初步决定押后出售半导体业务股份。而一旦推迟出售，届时很可能难以摆脱资不抵债困境，按东京证券交易所规则，东芝股票或将从主板降为二板交易。集邦咨询半导体研究中心研究协理杨文得向21世纪经济报道记者分析介绍，东芝半导体（存储部分）营收占整体东芝公司仅约15％，营业利润却高达50％，是东芝*大获利来源。除非财务窟窿太大，东芝不会愿意100％出售，否则未来将没办法赚钱。危机不断有142年历史的东芝是日本老牌家电企业，日本**个电灯泡、**台洗衣机、**款冰箱，都诞生在东芝的车间。而在过去十多年时间里，在中韩企业夹击下，曾经如日中天的日本家电业早已雄风不再。索尼、日立、松下等公司亦纷纷开始了去家电化的业务转

DRAM吃紧 淡季涨价25％，三星海力士赚翻

集邦科技昨(10)日发布*新调查，受到DRAM供应吃紧，第1季服务器DRAM模组价格涨幅逾25%，高容量涨幅甚至直逼30%，创下历年淡季*大涨势;标准型DRAM涨幅也相近。集邦旗下的DRAMeXchange表示，标准型存储器价格一路看涨，使服务器用存储器模组价格也跟着发烫，更带动服务器厂商备货的动能与需求。DRAMeXchange强调，今年整体DRAM产能扩增有限，全年度供需状况仍吃紧，服务器用存储器模组价格将随着原厂调配产出比重而维持稳定获利水位。据调查，服务器用DDR4 32GB模组，每条已突破200美元大关，首季合约价平均涨幅逾25%，高容量模组涨幅更直逼30%以上。DRAMeXchange表示，下一代的服务器处理芯片���英特尔14nm新平台Purley已于2016年第4季初陆续送至各大ODM厂测试，Purley平台将支援至六通道存储器，并支援单处理器*多12条DDR4 RDIMM、NVM DIMM与NVDIMM 等不同种类存储器，能显着改善高阶运算伺服务器群的效能。集邦稍早也预估首季标准型DRAM和服务器用DRAM涨幅都会接近三成;移动DRAM因大陆智能手机因应春节前铺货，需求强

IEDM：28nm嵌入式MRAM即将问世

包括三星、东芝、海力士等公司的研究团队将在IEDM发表有关MRAM的*新发展。在今年即将于美国加州举行的国际电子元件会议(IEDM)上，来自三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究团队预计将发表多项有关磁阻式随机存取记忆体(MRAM)的*新发展。此外，三星的研发团队以及旗下LSI业务部门显然也将再次发表其致力于开发MEMS的*新成果。三星将分别透过口头简报以及海报展示双管齐下的方式，介绍在28nm CMOS逻辑制造制程中嵌入8Mbit自旋传输(STT) MRAM等主题。在该公司发表的论文主题中，研究人员们将这种电路形容为具有“高度功能性且十分可靠”。在其摘要中并补充：该公司采用包括**整合、材料堆叠与图案化技术等途径，成功地将垂直式磁穿隧接面(pMTJ)记忆体单元阵列嵌入于铜金属后端，而不至于发生开路故障，同时，磁性能也并未发生严重退化现象。这种pMTJ记忆体单元采用氧化镁/钴铁硼(MgO/CoFeB)堆叠，可在完全整合后达到180%的穿隧磁阻值。离子束蚀刻技术用于降低至低于1ppm的短路故障;有趣的是看到离子束蚀刻技术对于生产吞吐量的影响

SK 海力士计划明年**季量产 10 纳米 DRAM

继三星之后，SK 海力士计划明年开始量产10 纳米DRAM，在1x DRAM 开发完成后，SK 海力士将继续研发1y DRAM，并为发展 1z DRAM 铺路。 来自产业界的消息指出，SK 海力士1x DRAM 开发代号设为Alius，已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样，正要在进行可靠度认证。半导体认证通常需将过工程试样（Engineering sample）与客户端式样（Customer sample）两道程序，在通过客户测试后，产品开发才算完成。据报导，SK 海力士为将量产时程往前推，打算直接做客户测试，暗示 1x DRAM 已经开发成功。一般认为，SK 海力士技术落后三星约 1 年半时间，但从SK 海力士计划在明年**季量产10 纳米DRAM 推算，两者差距已经拉近至1 年3 个月左右。

牛！海力士72 层3D NAND 内存，传2017年**全球量产

SK 海力士*先进72 层3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川(Icheon)的M14 厂将可在下半年开始生产。若按计划进行，海力士将成为****个量产72 层3D NAND 的内存厂。为顺应市场需求增温，海力士上周已宣布将在韩国与中国两地，投资3.15 兆韩圜来增加DRAM 与NAND 内存产能。随着微缩制程遭遇瓶颈，业者纷纷改以3D 垂直方式堆叠内存做突破，但制程技术各不相同。目前技术**的三星已于2013 年量产48 层3D NAND 内存，至于64 层3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。据市调机构 DRAMeXchange 统计，三星第三季 NAND 内存营收来到 37.44 亿美元，市占率较前季进步 0.3 个百分点至 36.6%。东芝以 19.6% 位居**，Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名，市占率依序为17.1%、10.4% 与9.8%。

台美联军成形迎接 DRAM 新时代

台湾记忆体产业，进入台、美联军时代。美光出资千亿元，拥抱台湾记忆体产业，抛开中国追兵，抢食未来 3 年大成长，这将影响台湾半导体产业的工作和机会。 为了这**，美光执行长邓肯（Mark Durcan）已经准备了一年。12 月 12 日，他踏着愉快的脚步，踏进桃园原华亚科的厂房，几天前，华亚科的标志旁，早已立起全新的美光招牌。“台湾是我们*重要的 DRAM（动态随机记忆体）制造基地”，这句话，邓肯过去一年已经讲了不只一次，为了这桩美光在台*大规模、高达 1,325 亿元台币的并购案，他今年频频穿梭在台、美之间。当中国积极投资记忆体产业，拚命向美光招手时，美光却选择投入巨资、把台湾打造成美光的 DRAM 旗舰基地。DRAM 是为美光带进近 5 成营收的重要产品项目，美光在全球 DRAM 产业市占率达 20%。美光每生产价值 10 元的 DRAM，就有价值 7 元的产品是在台湾制造，台湾早已是美光*大 DRAM 制造基地，2015 年相关营收达 607.62 亿美元（约 1.9 兆元台币）。虽然茂德、力晶等台湾公司淡出标准型 DRAM 市场，但美光逐步接手原有的台湾 DRAM 厂，目前台湾

苹果DRAM供货传由海力士转单美光

中国首座DRAM厂动工，三星、海力士冒冷汗

韩国经济日报周二报导，国营福建晋华积体电路公司（音译：Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.）在来自联电（2303）技术的加持下，已着手建造半导体厂，将藉此切入DRAM市场。 来自产业内的讯息指出，福建晋华上周六已在晋江市，举行DRAM厂破土动工仪式，**期工程投资规模预估来到370亿人民币，或相当于55亿美元，2018年投产后每月可产出6万片晶圆（32奈米）。据报导，福建晋华将获得联电技术支援，且全球晶圆代工龙头台积电（2330）传也有参与投资，但未获证实。中国厂商为抢市，往往杀价竞争。尽管中国计画进军DRAM市场传闻已久，但这还是**有陆企付诸行动，且是海峡两岸联手，三星、SK海力士等两大南韩DRAM制造商接获消息后，或许已在冒冷汗。

三星海力士加强投资3D NAND 巩固霸主地位

据韩国经济报导，大陆半导体产业在政府的强力支援下，清华紫光与武汉新芯采行攻击性投资策略，迫使南韩、日本、美国等主要半导体业者也纷纷强化投资。市调业者DRAM eXchange表示，全球半导体市场中，NAND Flash事业从2011~2016年以年均复合成长率(CARG)47%的速度成长;清华紫光以新成立的长江存储进行武汉新芯的股权收购，成立长江存储科技有限责任公司，未来可能引发NAND Flash市场版图变化。清华紫光拥有清华大学的人脉，在社会上拥有一定的影响力，武汉新芯拥有技术方面的竞争力，两者合并将为大陆记忆体产业发展开启新的局面，同时也会对全球记忆体市场带来莫大影响。先前武汉新芯与美国材料半导体业者Spansion共同研发3D NAND Flash技术，拥有量产32层堆叠晶片的技术能力，目前武汉新芯则计划投资240亿美元兴建晶圆厂。面对大陆的积极追赶，三星电子(Samsung Electronics)持续进行西安工厂的相关投资，同时也加紧兴建位于南韩的平泽工厂，欲将其打造为全球*大规模的单一产线，用于投入3D NAND Flash量产。三星在平泽厂区的投资金额上看15.6兆韩元

iphone7发布或因内存产能不足 将面临严重缺货

iPhone 7发布上市进入***，但却传出消息称即将面临严重缺货，因为某些零部件的产能跟不上。猜测分析可能是iPhone 7所用的双摄像头模组或者台积电16nm A10处理器，但是根据市调机构DRAMeXchange的消息，iPhone 7内存颗粒主要供应商之一的SK海力士却没有通过苹果认证，苹果将会把订单转向三星和美光。近期全球各大手机厂商纷纷推出大量新产品，对各种零部件的需求大幅度上涨，纷纷��入供应短缺的局面，包括内存颗粒，而且恐怕会持续到明年**季度。iPhone 7方面，三星原本就承接了大约一半的订单，不太可能再吃下原本给海力士的部分，因此苹果只能求助其他供应商，**美光。美光20nm LPDDR4内存颗粒原本只在华亚科生产，拿到了iPhone 7 20%左右的订单，而这次为了紧急抢单，已经迅速扩充产能，8万片产能几乎全部转向20nm。目前的移动内存市场上，三星占据多达61.5%的份额，而且20nm工艺良品率稳定、产品多元化，优势巨大。海力士本也占25.1%，但没想到突然发生如此变故，而美光的份额只有11.4%，急切间难以满足苹果需求。

中国IC迎弯道赶超机遇；重庆发展集成电路有四大优势

1、产业转移不可逆转 中国IC迎弯道赶超机遇；2、孙政才称重庆发展集成电路有四大优势；3、国内众创空间一年“疯”长46倍 今年或超4000家； 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1、产业转移不可逆转 中国IC迎弯道赶超机遇；证券时报记者 阮润生“错过这轮发展，今后难有再好的机会了。”中芯国际作为国内芯片制造龙头，公司副总裁赵**在日前举办的“2016年中国集成电路制造年会论坛”上如此感言。正值“十三五”开局，《国家集成电路产业发展推进纲要》推进步入关键节点，国内外业界精英汇聚，从产业差异化竞争路线和国内外资本运作，探讨集成电路制造业倍增驱动力。弯道超车机遇虽然集成电路在国际上属于成熟产业，但中国集成电路产业增长率远高于全球同行，将保持全球*大市场，产业规模去年超过3600亿元。中国科学院微电子研究所产业化促进中心主任王汇联表示，全球半导体产业向中国转移趋势不可逆转，同时，区域发展不平衡和新兴领域兴起也为中国IC赶超创造机遇。另一方面，中科院微电子所所长叶甜春也指，未来中国集

台湾DRAM双雄 法人保守看

美光（Micron）2016会计年度第2季营运符合市场预期，但其第3季前景虽预期记忆体市场需求开始增温，但对DRAM和NAND Flash营运持中立看法下，法人机构对南亚科（2408）、华亚科投资评等也维持中立。美光由于终端电子相关应用出货不佳影响，2016会计年度第2季（2015年12月~2016年2月）营收为29.34亿美元，季减12.42%，税后亏损达0.97亿美元，这是2013会计年度第2季以来**呈现亏损，每股纯益（EPS）为亏损0.09美元。群益投顾副总裁曾炎裕指出，美光对第3季（3月~5月）记忆体市场持较中性的看法，预估单季营收为29~31亿美元，范围为季减1.16%到季增5.66%间，略低于市场预期的32亿美元，毛利率从20%下滑至16.5%~19%，EPS亏损0.05美元至亏损0.12美元，也低于市场0.05美元，美光对整体DRAM和NAND Flash出货量和价格皆呈现持平或下滑的看法，而NAND Flash表现将较DRAM稳定。其中，DRAM产业进入寡占格局，但三星、海力士与美光转进新制程的进度没有减缓，三星为保有技术**，将于今年导入18nm的生产，海力士201

下一代存储器技术现状及发展建议

存储器是半导体产业的基石之一。以海量数据存储为主要载体的物联网对存储器提出了低成本、低功耗、高容量、高速度、高可靠性的要求。为了抢占这一邻域的技术优势，全球各大公司、高校和研究机构一直在这一领域投入大量的人力和资源,持续开展前沿技术研发。以非挥发性存储器为例，除原先的电荷存储为主的闪存技术浮栅存储器(FG)和电荷俘获存储器(CTM)外，磁变存储器(MRAM)、阻变存储器(RRAM)和相变存储器(PCM)等存储技术蓬勃发展，形成了存储器发展历史上的一次“百花齐放”的时代。在中国存储器产业急需寻求突破的重要历史阶段，对以上几种技术进行**比较，寻找一种*具有竞争力和发展潜力的非挥发性存储器，紧迫且意义重大。 新型存储技术现状  磁变存储器*有潜力的代表是自旋转移力矩磁变存储器(STT MRAM)。既有动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)的高性能，又能兼顾闪存的低功耗优势。存储单元主体为磁性隧道结(MTJ)，有上下两层磁性材料(如：钴铁合金)和中间的绝缘夹层(如：氧化镁)所组成。其中一层为固定磁性层，另一层为自由磁性层。工作原理是由磁场调制上下两层磁性层的磁化方向成为平行或

三星18纳米DRAM投产　海力士、美光面临更大压力

三星电子(Samsung Electronics)开始量产18纳米DRAM，成本将可比目前的20纳米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等业者的DRAM制程都还停留在20纳米以上世代，三星电子未来在DRAM市场上，势必将更具价格竞争力。 根据韩媒ETnews报导，存储器半导体的价格越来越低，越快将成本压到比下滑的市场价格更低的话，才有利润能剩下，若降低成本的速度太慢，就会产生赤字。以目前看来，2016年美光*需担忧的就是赤字问题，因为美光没能成功地转换微细制程。而三星电子能比竞争对手创造出更多利润的原因，就是因为拥有成本竞争力的关系。DRAM的价格走势预计将持续下滑的走势。根据市调业者DRAM eXchange的数据显示，主要的DRAM(DDR3 4Gb 1333/1666MHz)价格从2014年11月为起点开始持续下滑。PC出货量减少，智能型手机的出货成长速度也变迟缓，所以预估DRAM价格的下滑趋势将会继续维持。专家预测，当DRAM的主力产品价格掉到1美元以下的时候，除了三星电子之外，其他业者都会有赤字发生。业界相关人士表示，由于三星电子进入

联发科攻UFS 抢快闪商机

今年起，新一代的通用快闪储存规格UFS 2.0在手机端将慢慢取代嵌入多媒体储存卡（eMMC），联发科（2454）下一代旗舰晶片曦力（Helio）X30也将支持UFS，可望带动手机用记忆体更快速转往UFS世代，牵动群联、华邦电等记忆体供应链布局。 目前智慧手机、平版电脑的快闪记忆体以嵌入式的eMMC为主，但为了追求更快速度，快闪记忆体的主要规格制定者东芝早已与全球手机晶片龙头高通共同发表新一代的快闪储存规格UFS 2.0。记忆体大厂三星更早已在去年发布的旗舰机Galaxy S6搭载UFS，SK海力士（SK Hynix）也可望在今年量产UFS，进度比日系和美系记忆体大厂更快，将驱动快闪记忆体需求转向。联发科也积极跟进这个趋势，在初期就参与规格制定的工作，去年已以专为行动与相关产业制定介面规格的MIPI联盟台湾会员的身分，在台举办互通性测试研讨会，希望促成业界广泛采纳M-PHY与UniPro规格，第三场预计在今年夏天举办。目前已经有多个产业组织将MIPI M-PHY与UniPro规格纳入标准，其中包括JEDECR的通用快闪储存（UFS）以及Google的模组化手机Project Ara。联发

甩开海力士、美光纠缠，三星18奈米DRAM成功量产

三星周二宣布，*高阶18奈米制程DRAM已**同业于二月进入量产，而三星的主要竞争对手SK海力士与美光目前都还停留在20奈米练功。 制程微缩指的是指电晶体上的线宽、线距缩小，越细代表电晶体单位面积可容纳的电路越多，一来更省电、二来体积缩小、产出增加还可降低制造成本，对竞争者产品造成压力。据日经新闻报导，从20奈米微缩至18奈米，每片晶圆产出可增加约三成，而电力消耗可减少约两成。三星去年在半导体事业的投资支出达14.7兆韩圜（127亿美元），较2014年成长3%。产业分析师估计三星记忆体技术**同业1.5至2年。三星18奈米DRAM将优先应用在PC与伺服器上，智慧型手机与其它行动装置用DRAM预计也将在年底开始量产。据传，惠普已与三星签下18奈米DRAM的采购合约。（KoreaTimes.com）

紫光入股韩国海力士半导体遭拒

*近有媒体报道称，紫光集团计划收购海力士*多20%的股权。但该发言人拒**此置评。 北京时间11月27日下午消息，韩国芯片制造商SK海力士发言人今天表示，该公司拒绝了紫光集团的合作要约，但并未提供详细信息。*近有媒体报道称，紫光集团计划收购海力士*多20%的股权。但该发言人拒**此置评。紫光集团发言人称，该公司尚未留意相关事项。SK海力士股价周三和周四累计大涨8.4%，但周五午盘下跌0.6%。紫光集团今年早些时候斥资230亿美元洽购美光集团，同样遭到拒绝。但知情人士表示，该公司尚未放弃这项交易。

紫光入股海力士半导体遭拒；联发科传下单中芯

2015全球半导体产能排行榜 台积电海力士出货*有力

DRAM元月报价重挫，三星、海力士今年恐麻烦大了

DRAM记忆体元月份报价持续走跌，预告三星、SK海力士等南韩半导体厂今年路途恐不平顺。 TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange周二公布数据显示，4GB DDR3记忆体模组合约价平均较去年同期下滑6.15%，4GB DDR4记忆体更是大跌8.82%。（韩联社）很不巧的，上述两项产品均是三星与海力士半导体事业营收的主力，预料两家公司的获利展望将���冲击。据统计，三星DRAM去年第四季市占率达46.4%、海力士也有27.9%，两者合计来到74.3%。另外，南韩出口连续13个月呈现衰退，DRAM报价下滑也被认为是主要原因之一。为了降低成本、提高竞争力，三星、海力士都有往更高阶制程发展的计画，三星目前正在导入16奈米制程，而海力士则准备开始采用21奈米。

高启全操盘　紫光今年主攻DRAM

对岸财新周刊报导，继2015年发动一连串国内外IC封测与硬碟厂的购并案之后，2016年清华紫光集团重点将放在DRAM布局。 今年紫光集团重心，在完成旗下同方国芯的800亿人民币现金增资，对外购并方向锁定DRAM业者，也可能自建DRAM工厂，而主导人就是前华亚科（3474）董事长高启全。财新周刊*新一期的封面故事，就是专访清华紫光集团董事长赵伟国。赵伟国并未透露是否会收购美光、海力士这类DRAM制造商，但他说，“不管有没有收购，我肯定要自己建存储工厂。在中国建立起中国资本控制的工厂，这不仅仅是企业自身的需要，也是国家的需要”。赵伟国认为，存储晶片（即DRAM）是中国IC产业链的弱点，相较美日韩等国，中国从技术到产业面都非常落后，他希望同方国芯能为紫光在DRAM的未来铺路。他指出，DRAM市场的主要厂商是三星、海力士与美光，总计占全球90%以上产能，在快闪记忆体的主要厂商是三星、海力士、英特尔、美光、东芝与闪迪。目前中国还没有具一定规模的记忆体业者，“有些公司在做些边边角角的小东西”。至于紫光集团的未来面貌，赵伟国认为，仍将以IT和网路技术为主，“我们可能不会太直接去做互联网，但是会做互联

Intel 力推嵌入式 DRAM，力拚三星、SK 海力士

海力士前高层加入慧荣　SSD大战鸣枪

固态硬碟(SSD)战火正热，持续成为2015年产业焦点，NAND Flash控制芯片业者为了布局上游半导体大厂，使出浑身解数绑桩，传出慧荣将延揽前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division**副总Gi Hyun Bae担任公司高层。慧荣一向和SK海力士合作紧密，双方合作内嵌式存储器eMMC业务外，有机会延伸至SSD产品线上，2015年更是关键年，慧荣内部极度重视SSD产品线，立下通吃NAND Flash大厂和存储器模组两大族群的目标，看好公司营运可顺着SSD产品线起飞而大成长。业界日前也传出，慧荣延揽前SK海力士Solution Development Division**副总Gi Hyun Bae担任公司高层，将于2015年1月1日正式上任，为公司擘划下一个5~10年新格局，业界也期待此举有着布局存储器上游厂的策略。半导体业者分析，NAND Flash芯片应用从快闪记忆卡、随身碟走到内嵌式存储器eMMC，再走到SSD应用，范围从个人电脑(PC)扩大到消费性电子、工控存储器、军规、国防、伺服器、大型资料中心等领域，应用数量和容量倍数成长，

HBM显存*大劲敌：美光明年上三代HMC

三星海力士DRAM停止增产 急需消化库存

三星DRAM全球份额再创历史新高，美光远远落后

研调预估：8寸晶圆 明年产能续满载

今年以来8寸产能满载话题延烧，市场看好联电、世界明年8寸产能可望持续吃紧。研调机构IC Insights出具报告指出，韩国、台湾在全球8寸厂中仍将扮演领导地位。其中韩国掌控全球8寸产能达35%，台湾则占21%。IC Insights指出，韩国的8寸产能主要来自三星与海力士两大厂商，其中光是三星就占了全球8寸产能的24%。若是排除存储器的部分、仅考量晶圆代工的 8寸产能，韩国则占全球的28%。IC Insights指出，三星、海力士在海外也都有8寸的产能，其中海力士*大的8寸厂就在中国大陆，三星则在中国设有一座8寸厂、在美国则设有两座8寸厂。另外，台厂也在全球8寸产能占有举足轻重的地位。IC Insights指出，台湾8寸产能占全球达21%，其中又有85%集中在晶圆代工、另外15%则来自存储器。值得注意的是，IC Insights表示，台湾的8寸厂几乎都是由台厂所设置，仅有一座美光的8寸厂，是2013年与华亚科(3474)结盟后所得来。另外，联电在新加坡也设有一座8寸厂。除韩国、台湾外，IC Insights指出，即使位于北美本地的8寸晶圆产能仅占全球的15%，不过北美企业则掌控了全球8

无奈！海力士DRAM产能不足与OEM“分手”

业内消息称，SK海力士目前的DRAM内存颗粒产能依然无法满足PC OEM客户的需求，迫使后者不得不转向其它供应商，以维持合理库存。9月份无锡工厂的一把大火之后，海力士颗粒一直供应紧张。为此，海力士一边积极修复无锡工厂、恢复产能，一方面重新分配韩国工厂的产能，把原本用于NAND闪存的生产线调配到DRAM内存上，但依然无法从根本上解决问题。消息人士称，无锡工厂的恢复进度并非主因，关键在于韩国工厂从NAND转向DRAM的过程中，良品率始终无法达到令人满意的水平。受此影响，DRAM颗粒的合约价格将一直维持高位，甚至有可能略有上涨，中国春节之前降价的可能性微乎其微。这就意味着，在整个2013年12月和2014年1月，内存都不会便宜。海力士中国工厂原本每月可以生产13万块PC、服务器用的DRAM晶圆。DRAMeXchange估计，那场大火可能影响了*多50%的产能。根据海力士的*新通报，无锡工厂会在12月份的某个时候完全恢复，而此前的说法是11月份。坊间传闻称，今年其实根本没戏，必须等到明年**季度。泰国的一场洪水让硬盘行业花了两年时间才恢复正常，但愿内存别这么耗下去。

海力士大火估损9亿美元恐成国内*大保险理赔案

今年9月初发生在无锡新区SK海力士的一场大火已经过去了几个月，这场大火尽管没有人员伤亡，但其影响却很大，比如在国内芯片市场和保险市场方面。昨日（12月19日），有险企人士向《每日经济新闻》记者透露，SK海力士大火报损约10亿��元，保险业估损将达9亿美元，这将是国内*大的一笔保险赔案。据《中国保险报》此前报道，SK海力士5家承保公司中各自的份额分别为：现代保险占比50%，人保财险占比35%，大地保险、太平洋产险、乐爱金财险各占5%。上述险企人士进一步介绍称，该案件各家保险公司基本上都办理了再保险，主要涉及的再保险公司包括：韩国再保险、瑞士再保险、慕尼黑再保险等，而这个案例会影响到直保和再保险财险公司的承保利润，同时也将会导致半导体行业来年费率以及再保险费率的上涨。火灾报损约10亿美元记者在无锡市**生产监督管理局官网上看到的一条消息称，2013年9月4日，位于无锡市新区的韩资企业海力士-意法半导体（中国）有限公司发生一起火灾，此事故处置和救援由无锡市消防支队组织。但值得注意的是，这不是一场普通的大火。这场大火不光影响了SK海力士，进而导致国内芯片价格上涨，保险行业也同样受到影响。据了解，

现货价催升合约价DRAM厂受惠

海力士（Hynix）中国大陆无锡厂火警效应蔓延，市场供给不足，DRAM现货价于去年底重启涨势，2014年初更是加速上涨，上周五DDR3 2Gb*高触及3美元新高，也将带动合约价持续跟涨，相关记忆体厂可望受惠。去年第四季以来，海力士火警拉升DRAM现货价持续攀高，预期海力士无法于短期内恢复火警前的产能，影响整体市场供给；记忆体模组厂威刚科技(3260)董事长陈立白认为，今年**季DRAM市场肯定缺货。在缺货预期心理激励下，市场追价拉货态度积极，带动DRAM现货价持续攀高，去年12月报价稳步上扬，较11月上升逾二成，今年以来随著中国大陆市场农曆年前备货需求强劲，带动DRAM现货价再度展开飙涨走势。根据市调机构集邦科技调查，DDR3 2Gb颗粒现货均价已达2.799美元，创3年多来新高价；DDR3 2Gb颗粒现货均价今年来已上涨0.26美元，短短2天大涨1成。在现货价续**高下，预期合约价也将续涨，华亚科(3474)*为受惠，并可望挹注母公司南科(2408)持续维持获利步调。继去年第四季华亚科业绩续攀高下，本季包括华亚科、南科及威刚等厂均可望不淡。利基型记忆体亦可望跟涨，上周土洋法人也对华邦

新型记忆体芯片MRAM受热捧

全球半导体业者竞逐下一个世代记忆体芯片的主导权日趋白热化，东芝和海力士组成的日韩联军、美国美光公司领军的团队，以及南韩三星电子等三大阵营，研发磁阻式随机存取记忆体(MRAM)，要拼谁*快量产。日本的东芝和南韩的海力士公司，*快将于2016年度起合作量产新型记忆体芯片MRAM，比美国半导体大厂美光科技(Micron Technology)规划的2018年早约两年。东芝和海力士正研发的MRAM在关掉电源后，仍能保存数据资料。相较于目前广泛使用在PC、智能手机和其他装置的动态随机存取记忆体(DRAM)，MRAM的资料储存量高出九倍，耗电量仅三分之二。东芝和海力士于2011年同意携手开发MRAM，希望明年度就能开始提供由首尔郊外海力士晶圆厂生产的样品。双方的计划是让MRAM在南韩量产，如果需求达标，将组成合资公司，投入1,000亿日圆(9.4亿美元)资金，在日本或南韩开辟专属生产线。除东芝和海力士外，全球还有两大阵营在各自努力推动MRAM 的商业化。美光现正与包括东京威力科创在内约20家美、日半导体业者合作，力图在2018年实现量产的目标。南韩的三星电子公司也不落人后，目前维持自主研发路线。M

ICInsights预测2013年半导体销售额排名

美国市场调查公司IC Insights发布了2013年半导体销售额前20强的预测，瑞萨电子排在第11、SK海力士位居第5。此次预测中，销售额排在前4位的企业与上年相同，仍为英特尔、三星电子、台积电和高通。2012年排在第8的海力士此次跃居第5。由于DRAM市场形势大好，估计各大DRAM厂商的排名都会上升。在前20强中，预计海力士的销售额增幅*大，达到44％。 2013年各半导体厂商的销售额排名预测。单位为百万美元。*为代工专业厂商，**为无厂企业（资料：IC Insights）在前20强中，销售额增幅仅次于海力士的是台湾无厂半导体企业联发科，该公司的排名从去年的第22名上升至第16名，估计销售额将增长34％。该公司面向中国等亚太地区的低端智能手机芯片表现出色。而日本厂商的情况则不容乐观。上年位居第7的瑞萨预计将减收16％，排名跌至第11。正在重组半导体业务的富士通的排名也从上年的第16名跌至第21名。预计索尼也将减收14％，排名从上年的第12名跌至第14名。日本厂商中表现抢眼的是东芝，预计销售额将增长9％，继续保持在第6名。20家企业的合计销售额估计将达到比上年增加7％的2308.17

海力士10月复工MCP缺货晶豪科Q4接手

韩国存储器厂SK海力士（SK Hynix）无锡厂大火后，等到11月中旬之后才能回复到火灾前产能进行投片，亦即PC或手机厂要拿到足够货源仍要等到明年。由于SK海力士是大陆多芯片存储器模块（MCP）*大供应商，现在确定无法在第4季回复正常出货，联发科、高通、展讯等手机芯片厂已建议客户提早备货，晶豪科（3006）受惠急单大涌入，第4季MCP接单已经全满。SK海力士无锡厂9月初大火后，现在已开始进入厂区进行善后工作，虽然外界仍不清楚实际受损情况，但SK海力士已通知客户要等到11月中旬之后，才有办法回复火灾前产能，并开始重新进行投片。业界人士指出，若11月中旬才行全产能进行投片，加上进行后段封装测试，整个前置时间（lead time）大约需要2～2.5个月，由此来看，SK海力士无锡厂真正开出产能并交货给客户，也是明年1月或2月的事，不仅赶不上今年底圣诞节旺季，明年初中国农历年旺季也无法足额供货。由于SK海力士的供货时间大致底定，但三星及美光因多数标准型DRAM及Mobile DRAM产能均被OEM及手机大厂包下，也无多余货源能释出到现货市场，也因此，近期标准型DRAM价格持续飙涨，4Gb DDR

3DNANDFlash走起三星/海力士已启程

随着传统的半导体制造技术在NAND flash领域即将达到极限，存储器芯片厂商纷纷开始采用3D生产技术以提高产能。根据IHS的报告显示，到2017年，全球近三分之二（65.2%）的快闪存储器芯片将采用3D技术，而在2013年这一比例仅为1%。2014年采用3D技术的快闪存储器芯片比例将增至5.2%，2015年则将飙升至30.2%。到了2016年这一比例将扩大至49.8%，几乎占整个快闪存储器市场的一半。“普遍认为采用传统平面半导体技术的NAND flash再经过一代或两代就将达到理论极限，”IHS内存和存储**分析师Dee Robinson表示。“随着平面印刷技术进一步萎缩，NAND的性能和可靠性将仅适合极低成本的消费性产品。在未来几年，由于NAND厂商被迫开发更高密度和更低价格的产品，因此将会迅速向3D制造转移。”三星和SK海力士这两个全球*大的存储器厂商在8月份的加州圣克拉拉快闪存储器峰会上发布了他们的3D NAND**成果。三星表示该公司名为V-NAND的3D快闪存储器产品已经在**季度开始商用化生产。其终端产品将会是480千兆字节以及960千兆字节的V-NAND固态硬盘，初期目

DRAM短缺，无锡SK海力士被三星抢占市场

DRAM短缺，合约价格持续上扬，市场研究机构TrendForce指出，主流模组4GB10月价格较9月成长6.25%，预计在下旬合约价公佈后，现货与合约颗粒价格将更为贴近。而SK海力士火灾过后，韩商三星半导体藉扩张产能欲夺回PC-DRAM市场主导地位，2家韩商已打起PC-DRAM市占率的争夺保卫战。市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示，受到SK海力士火灾影响，供给面出现短缺使得合约价格持续上扬，主流模组4GB*高价格已经站上34美元，与9月相较成长6.25%，换算4Gb颗粒价格后单颗颗粒*高为3.94美元，已经逼近4美元大关，与当前现货价格4Gb颗粒*高价4.25美元尚有约8%的价格差距，预计在下旬合约价公佈后，现货与合约颗粒价格将更为贴近。从市场面来观察，一线PC-OEM厂并未受到SK海力士无锡厂火灾影响，除了PC出货不如预期外，SK海力士将产能都优先供货给一线PC-OEM厂更是主因，但二三线PC-OEM厂乃至于现货市场已逐步感受到供货短缺的状况，此举将让现货市场价格欲跌不易。TrendForce指出，虽然火灾过后，SK海力士致力回复无锡

全球第三季内存产值营收续攀升9%，三星成长表现*亮眼