集邦科技昨(10)日发布*新调查，受到DRAM供应吃紧，第1季服务器DRAM模组价格涨幅逾25%，高容量涨幅甚至直逼30%，创下历年淡季*大涨势;标准型DRAM涨幅也相近。
集邦旗下的DRAMeXchange表示，标准型存储器价格一路看涨，使服务器用存储器模组价格也跟着发烫，更带动服务器厂商备货的动能与需求。
DRAMeXchange强调，今年整体DRAM产能扩增有限，全年度供需状况仍吃紧，服务器用存储器模组价格将随着原厂调配产出比重而维持稳定获利水位。
据调查，服务器用DDR4 32GB模组，每条已突破200美元大关，首季合约价平均涨幅逾25%，高容量模组涨幅更直逼30%以上。
DRAMeXchange表示，下一代的服务器处理芯片，英特尔14nm新平台Purley已于2016年第4季初陆续送至各大ODM厂测试，Purley平台将支援至六通道存储器，并支援单处理器*多12条DDR4 RDIMM、NVM DIMM与NVDIMM 等不同种类存储器，能显着改善高阶运算伺服务器群的效能。
集邦稍早也预估首季标准型DRAM和服务器用DRAM涨幅都会接近三成;移动DRAM因大陆智能手机因应春节前铺货，需求强劲，不论是单颗颗粒或多芯片封装(eMCP)，单季涨幅也超过一成、约达15%;绘图用存储器与利基型存储器也雨露均霑，单季涨幅将超过一成。
近期DRAM涨势主要由三星主导，且涨势仍未停歇，首季标准型DRAM涨幅逾三成，移动DRAM约15~20%，服务器用DRAM涨幅在25~30%。
据韩国经济日报报道，拜DRAM价格因供给短缺而以高角度上扬之赐，部份分析师预测韩国两大存储器厂三星与SK海力士，今年半导体营业利润可能年增五成，来到****的25兆韩圜。
存储器市况从去年六月触底反弹后，从*低每单位1.31美元一路走升，年底攀底至1.94美元，且在供给有限而需求增加的状况下，存储器今年有望延续涨势。
随着PC大饼持续萎缩，分析师去年一度唱衰电脑用存储器市况，但人算不如天算，下半年比百度你用存储器需求旺盛，让NAND 快闪存储器呈现缺货状态。至于PC用DRAM报价，今年**季预估将再上涨三成。
另外，即使三星Galaxy Note 7去年因自燃事件被迫停产，但移动DRAM需求仍旧不减反增，这主要归功于中国智能手机厂商积极填补Note 7**下的需求缺口。
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