华邦自主3x和2x纳米DRAM技术今年内实现量产

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集微网消息,据海外媒体报道,台系存储器大厂华邦自己研发的3x纳米DRAM技术即将在今年量产,2018年更进入2x纳米,2017年资本支出将创下高达新台币166亿元,惟产能受限下,2017年营收成长有限,会全力聚焦在冲刺毛利率上,尤其30纳米制程的技术陆续量产后,可让毛利提升,且进一步优化客户和产品结构。

华邦2016年全年合并营收为新台币420.92亿元,归属母公司净利为新台币28.98亿元,累计每股纯益0.81元;在存储器事业群方面,2016年利基型存储器(SDRAM)占营收49%,年增率3%;移动存储器(Mobile DRAM)占营收14%,年增率达30%;快闪存储器(Flash Memory)占37%,年增率11%。

华邦2016年资本支出为新台币48亿元,在部分支出递延,以及全力投入新产品新制程3x和2x纳米开发下,预计2017年资本支出将**高,达新台币166亿元。

华邦总经理詹东义表示,2017年会全力致力于优化产品、客户组合和提升整体毛利率,然受限产能,营收成长会受限,同时也看好汽车电子、物联网、工控市场、移动装置、KGD等应用领域会有更为显著的成长。

华邦看好产品线的规划越来越广,且组合越来越多元化布局,前2年开始计划要扩增产能,2016年投入12吋新产能建置,2017年下半后,新12吋晶圆厂产能将陆续开出,估计未来华邦12吋产能将从4万片提升至超过5万片。

华邦自有开发的3x纳米DRAM制程技术已经通过内部的认证,预计2017年第3季量产,且2018年会进入2x纳米,这是华邦的DRAM制程技术在4x纳米制程停留6年后的大突破。

同时,华邦2018年也会进入3x纳米的SLC型NAND技术,在DRAM、Flash自有开发的计划都大突破下,也借此证明华邦是台湾**同时拥有DRAM/SDRAM、NOR Flash/NAND Flash自有技术的存储器厂,身价上升犹如洛阳纸贵。

詹东义表示,从2013年开始,华邦已经连续4年都交出稳定获利的成绩单,尽管这期间存储器价格波动剧烈,华邦已经完全和标准型存储器脱勾,对未来营运的期许,是营运能步入稳定成长期,用技术和新产品来证明华邦已经全然脱胎换骨。

同时,华邦的产品线在四个应用领域上分布越来越平均,车用电子和工控的营收比重已经拉升至19%,已快与电脑、消费性电子、通讯三大领域的营收比重旗鼓相当。

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