宏微科技 HN系列1200V IGBT高速型模组，采用新一代英飞凌高速型IGBT晶片，经由适当的封装设计，该产品系列模组，提供给客户50A~800A不等的多款规格选择，采用本系列模组的客户，皆证实该模组能有效的增加终端设备的整体效率。
宏微科技发现市面上仅有极少数可供选择的高速型IGBT大功率模组，绝大多数皆为10年前或甚至更早发表之产品，主要原因为频率需要操作在20~200Khz的大功率应用设备并不甚普遍，IGBT模组厂商在此一领域相对较无计划推出新产品方案。有鉴于此，该公司决定使用英飞凌HS3高速型IGBT晶片，进一步设计成大功率模组产品。
相较于市面上传统的高速型IGBT模组，此1200V HN系列IGBT模组有许多特点，如晶片为沟槽式场截止型(Trench-Field-Stop)结构设计，Tj可高达175°C；更低的Vce压降，有效降低30%以上的导通损耗(Conduction Loss)等。
耀迅国际科技业务副总兼宏微国际业务办公室负责人冯耀贤表示，HN 系列高速型IGBT模组为使用沟槽式场截止型晶片的模组产品，该型晶片过去只封装成IGBT单管(Discrete)型，很多客户只能采用多个单管并联方式，来达到大功率的电路设计，徒增繁琐组装及减低可靠度的困扰，此模组有效地帮助客户简化设计，同时增加客户产品的运转效率。
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