意法新增五款表面黏着智能功率模块

意法(ST)推出之SLLIMM-nano系列IPM产品新增五款节省空间的表面黏着智能功率模块(Surface-Mount Intelligent Power Module, IPM)，提供IGBT或MOSFET输出选择，用于马达内建驱动器或其他空间受限的驱动器，输出功率范围从低功率至*高100W之电力。 新模块的导通效能和切换效能皆具备优异表现，特别是在*高20kHz硬切换电路内之表现更为出色。 透过管理切换电压和电流上升率(dV/dt, di/dt)，内部栅极驱动电路能将电磁辐射(Electromagnetic Emission, EMI)抑制到*低。 高散热效率封装提升产品的可靠性，并可支持无散热器设计，此外2.7mm沿面距离和2.0mm电气间隙确保在设计轻巧的双列直插SMD封装内具备**隔离，模块针脚配置重新优化，可简化电路板布局。多种家电和工业设备，例如，小风扇、电动卷帘、冰箱压缩机、洗碗机、污水泵、热水循环泵、普通小功率马达，都能从该公司新款IPM模块的小尺寸、高效能、高可靠性、**性和低噪声等优势中获益。除了整合栅极驱动电路和500V MOSFET或600V IGBT/飞轮

MOSFET供需紧张到年底　后段封装订单能见度无虞

时序进入智能手机传统旺季，快充话题持续发酵，大陆****Oppo、Vivo、华为、小米将陆续导入更多快充功能，另一方面，超微(AMD)、英特尔(Intel)、NVIDIA新款服务器平台、显示卡等产品陆续进入市场，金氧半场效电晶体(MOSFET)使用颗数大增，但国际龙头业者功率分离式元件部分因转攻车用、工业用之超接面(Super Junction)、绝缘闸双载子功率场效电晶体(IGBT)等高阶领域，传统PC用MOSFET供需持续紧张，IDM厂外包比例增加，后段封装厂商看好MOSFET供需趋紧将持续到年底没问题，如捷敏、菱生等业者订单能见度基本上看至第3季底无虞，其中，捷敏8月营收可望再挑战单月新高水准。功率半导体封测厂捷敏主攻MOSFET、IGBT、二极体、电源管理IC封测，约有7成以上聚焦MOSFET封装。熟悉相关产业人士表示，如台系MOSFET业者大中、富鼎、尼克森已经陆续因应供需状况调整价格，市场看好这波供需紧张至少持续到年底，不管是功率半导体元件厂还是后段封装厂，营运都可望持续受惠。熟悉捷敏人士表示，市场估计，今年MOSFET产业供需状况大致底定，将持续供不应求到年底，也使得捷敏

功率半导体器件及应用**中心将落户湖南

本报讯 记者侯沁报道：近日，湖南省IGBT产业对接会暨中国IGBT技术**与产业联盟第三届学术论坛在湖南省株洲市举行。本次会议由工信部电子信息司、湖南省经信委、株洲市人民政府、中国IGBT技术**与产业联盟联合主办。会上，株洲市有关领导、工信部电子信息司集成电路处处长任爱光、中国IGBT技术**与产业联盟理事长丁荣军分别致辞。湖南省经信委有关领导介绍了湖南省IGBT产业链的基本情况、发展思路、政策环境，表达了湖南省希望通过协同产业链上下游资源，共同推进我国IGBT产业发展的热切期盼。株洲市相关领导作推介发言，阐述了贯彻《中国制造2025》、建设制造强省的战略，建设“株洲·中国动力谷”、全力打造“3+3+1”产业新体系的目标愿景，表达了株洲市委、市政府全力支持中车株洲所在推进《中国制造2025》战略中当好排头兵的鲜明态度。此外，IGBT产业链的10余家单位在会上签署框架协议，约定共同创建功率半导体器件及应用**中心，**中心将通过协同技术、人才、资金等资源，打通技术研发供给、商业化等链条，打破国外垄断，推动我国新型功率半导体技术的突破。株洲中车时代电气股份有限公司、国家电网公司、格力电器

华天实际控制人增加董事长肖胜利之子肖智成

1.华天实际控制人增加董事长肖胜利之子肖智成；2.士兰微前三季度净利同比增长123%，8英寸产线即将放量；3.上海贝岭前三季度净利润同比增长290.82%，预计全年大幅增长；4.为保证关键原材料供应，扬杰科技拟7200万元控股成都青洋 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！复制 laoyaoic 微信公共号搜索添加关注。1.华天实际控制人增加董事长肖胜利之子肖智成；集微网消息，10月30日晚华天科技发布公告称，公司实际控制人成员增加一人，为华天电子集团增资扩股后认购875万股、占16.44%的自然人肖智成。自此肖胜利、刘建军、张玉明、宋勇、常文瑛、周永寿、薛延童、陈建军、崔卫兵、杨前进、乔少华、张兴安与肖智成等13人作为一致行动人，共同拥有公司控股股东华天电子集团的控制权，为公司的实际控制人。公告称，华天电子集团2017年增资扩股前，肖智成未持有华天电子集团股份。本次实际控制人个别成员变动除新增肖智成为实际控制人成员以外，实际控制人其他成员未发生变化。公司表示，此次变动不违反《公司法》、《合同法》等法律、法规和规范性文件的规定，不

面向单管IGBT的TRENCHSTOP Advanced Isolation封装

英飞凌科技股份公司推出全新封装技术TRENCHSTOP Advanced Isolation。TRENCHSTOP Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT，确保**的散热性能并简化制造流程。两个版本均经过性能优化，可取代全塑封封装(FullPAK)及标准和高性能绝缘箔。该新封装适用于诸多应用，如空调功率因数校正(PFC)、不间断电源(UPS)和变频器等。常见的绝缘选择，像FullPAK或采用绝缘材料的标准TO封装，其价格昂贵，较难加工。此外，它们不足以满足*新推出的大功率密度IGBT的散热需求。TRENCHSTOP Advanced Isolation具有与标准TO-247封装同样的尺寸，但100%绝缘。不过，无需使用绝缘箔或导热硅脂。得益于从IGBT晶圆到散热器有效可靠的散热路径，该全新封装具备更大功率密度。它提高了可靠性，并降低了系统和制造成本。由于不再需要使用绝缘材料和导热硅脂，设计人员可以将装配时间缩短达35%。与此同时，其通过消除错位箔片提高了可靠性。该全新封装的热阻(Rth)比TO-247 Fu

北京京运通“基于IGBT用硅单晶区熔设备研制”课题通过验收

集微网消息，北京京运通科技股份有限公司昨天发布关于公司承担的国家科技重大专项课题通过验收的公告， 公告显示：由北京京运通科技股份有限公司承担的国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”（02重大专项）“基于IGBT用硅单晶区熔设备研制”课题，近日顺利通过02重大专项任务验收专家组的正式验收。公司承担的该课题是天津市环欧半导体材料技术有限公司作为牵头单位承担的“区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制”项目下的课题之一。专家组依据有关规定，听取了公司关于课题任务完成情况的汇报、测试组的现场测试报告，审阅了验收材料，经质询和讨论，形成如下意见：“课题承担单位完成了任务合同书规定的研发内容，研制出8英寸区熔硅单晶炉，相关技术指标、经济指标、知识产权指标、人才队伍建设指标和平台建设指标均达到任务合同书规定的考核要求。验收资料齐全。任务验收专家组同意课题通过任务验收。”截至目前，公司承担的该课题已实现区熔硅单晶炉产业化生产和销售，申请**29项，建立了具有一定年产能力的区熔硅单晶炉生产平台。该项目的顺利实施打破了国外大直径区熔硅单晶炉的技术垄断，体现了公司的技术开发实力和加工制造能力，有

Power Integrations推出紧凑、高效的SCALE-iDriver IC产品系列

中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的***(纳斯达克股票代号：POWI)今天推出SCALE-iDriver?系列电磁隔离的单通道门极驱动IC的扩展产品。新器件支持耐压为1700 V以内的IGBT，通常适用于400 VAC至690 VAC的应用。它们也适用于*新的三电平拓扑光伏逆变器，以及采用1500 V新直流母线标准的光伏阵列。扩展后的1700 V SCALE-iDriver产品系列允许OEM厂商在各类解决方案中使用相同的高度集成、**可靠的驱动器方案。1700 V SCALE-iDriver IC可用来驱动IGBT和MOSFET，它将Power Integrations**的FluxLink?磁感双向通信技术与其SCALE?功率器件驱动器技术**结合。FluxLink技术可省去可靠性相对较低的光电器件和相关补偿电路，从而增强系统运行的可靠性，同时降低系统的复杂度;SCALE技术将所有关键的门极驱动器功能集成到ASIC中，可在简化设计的同时减小尺寸和增强可靠性。**的eSOP封装具有超过9.5 mm爬电距离，并且CTI(相对漏电起痕指数)为600，可确保实现更大的工作

英飞凌针对分离式IGBT推出先进绝缘封装

英飞凌科技(infineon) 推出*新的 TRENCHSTOP先进绝缘封装技术，包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 两种版本，拥有**的散热效能以及更简易的制程。 这两种版本经过效能优化，可取代完全绝缘封装 (FullPAK)以及标准型和高效能型绝缘片，适用于空调、不断电系统(UPS) 的功率因子校正(PFC)，以及马达驱动的电源转换器等应用。 此先进绝缘具备与标准型 TO-247 相同的尺寸，且绝缘能力达 100%，且无需使用绝缘片或散热膏。 新封装提供从 IGBT 芯片到散热器的有效且可靠的散热路径，有助于提升功率密度及可靠度，同时降低系统与制造成本。由于不需绝缘材料与散热膏，设计人员可省下多达 35% 的组装时间。 此外，也可免去绝缘片无法对齐的问题，因此可靠度更高。 新封装的热阻 (Rth) 比 TO-247 FullPak 减少 50%，比使用绝缘片的标准型 TO-247 封装减少 35%，使新封装的效能更为优异，举例来说，其运作温度较采FullPak 封装的IGBT 降低了 10°C。 相较于使用绝缘箔的标准型 TO-2

中车株洲所IGBT亮相复兴号高铁

中车株洲所技术人员正在操作。胡小亮/摄6月26日上午11时05分，两列“复兴号”从京沪两地同时对开**。这是中国标准动车组的正式亮相。中国标准少不了“中国芯”——大功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术。正是它悄然把控着机车的自动控制和功率变换。这项被誉为“皇冠上的明珠”的现代机车车辆技术，被德国、日本等国把控了30年。如今，由中车株洲电力机车研究所有限公司（以下简称“中车株洲所”）研发突破，实现了自主国产化。国家难题高速和重载是现代机车车辆装备发展的两个重要方向，两者的关键都在于给机车提供一个强大而持续发力的“心脏”——牵引电传动系统。而牵引电传动系统里，一块巴掌大小的IGBT模块，成为“命脉”。过去，我国机车车辆用IGBT模块都要从德国、日本进口，特别是在高等级的IGBT器件上，更没有中国人的一席之地。2008年，随着高铁建设的加快，需求倍增，一个8列的动车组就需要152个芯片，成本高达200万元。每年中国需要10万只芯片，总金额高达12亿元。中车株洲所IGBT项目的一位研发负责人说，国际产品销售市场中，中国并非优先级，我们买的价格贵，一个模块就高达1万多元，而且只能买成品，产品交

大联大品佳集团力推英飞凌高效UPS解决方案

日本电子半导体产业的辉煌与衰败

IGBT应用电子电路设计集锦—电路精选（48）

2016年我国半导体照明产业规模达到5216亿元

本报讯 “2017先进半导体和集成电路配套材料技术市场交流会”于4月17日到19日在河北固安召开。会议是在工信部电子司和国家集成电路产业投资基金公司领导的支持下，中国电子材料行业协会与电子化工新材料产业联盟联合中国半导体照明/LED产业与应用联盟、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟、中国IGBT技术**与产业联盟共同举办的。宗旨是为了配合《国家集成电路产业发展推进纲要》产业生态体系的建立和不断完善，实现《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》关键材料在集成电路生产线上应用的目标，促进电子信息材料技术**和产业化，提高电子材料国内配套率，改变配套材料完全依赖进口的局面，努力实现产业跨越式发展。据了解，宽禁带半导体技术和材料已成为全球战略竞争新的制高点。美、日、欧等各国积极进行战略部署，中国也在积极推进，加快发展。2016年，我国半导体照明产业规模达到5216亿元，照明强国地位渐显，为宽禁带半导体在其他领域的技术研发和产业应用奠定了良好的基础。2016年宽禁带导体技术水平显著提升，市场逐步开启，政策**加速，资本积极进入，企业加快布局，南北基地启动，宽禁带半导体产业在中国迎来发展“元年”。

电子行业供应链厂商汇总

手机供应链：①高通方案公司及运营商：沃特沃德、闻泰、同洲、辉烨、东方拓宇、海信、优电、天珑、赛博宇华、豪成、中科创达等等。②MTK方案公司及运营商：TCL-机甲、鼎智、鼎为、酷派、锐嘉科、海派、华勤、龙旗、波导、闻尚、华粤世通、金科龙、倍易通、鼎维尔、致远、华立德、鸿宇、国通世纪、豪成、天亦达、朗易通、兴格、宝捷讯、三木通讯等等。③展讯方案公司：康永，天亦达、国通世纪、三木通讯等等。④方案/OEM/ODM 台湾：华亚科技（美光合资厂），南亚科技，瑞晶（尔必达合资厂），华邦，MTK（联发科），MXIC ②内存颗粒厂家：韩系：Samsung 日系：NEC(恩益禧)，Hitachi(日立)，ELPIDA(尔必达)，欧美系：Micron(美光)，siemens(西门子)，Infineon （英飞凌，德国，由西门子内存重组），Qimonda（奇梦达 ，德国，由英飞凌内存重组）台湾：Nanya（南亚） ，Winbond（华邦） ，PSC（力晶），ProMos（茂德）③终端存储模块及产品厂家：勤茂(上海)，Kingmax(胜创，台湾)，Corsair（海盗旗）--DDR4，Apacer（宇瞻），金邦

详解高压无功补偿发生器（SVG）电源解决方案

宏微IGBT模组提升高频设备效率

宏微科技 HN系列1200V IGBT高速型模组，采用新一代英飞凌高速型IGBT晶片，经由适当的封装设计，该产品系列模组，提供给客户50A~800A不等的多款规格选择，采用本系列模组的客户，皆证实该模组能有效的增加终端设备的整体效率。 宏微科技发现市面上仅有极少数可供选择的高速型IGBT大功率模组，绝大多数皆为10年前或甚至更早发表之产品，主要原因为频率需要操作在20~200Khz的大功率应用设备并不甚普遍，IGBT模组厂商在此一领域相对较无计划推出新产品方案。有鉴于此，该公司决定使用英飞凌HS3高速型IGBT晶片，进一步设计成大功率模组产品。相较于市面上传统的高速型IGBT模组，此1200V HN系列IGBT模组有许多特点，如晶片为沟槽式场截止型(Trench-Field-Stop)结构设计，Tj可高达175°C；更低的Vce压降，有效降低30%以上的导通损耗(Conduction Loss)等。耀迅国际科技业务副总兼宏微国际业务办公室负责人冯耀贤表示，HN 系列高速型IGBT模组为使用沟槽式场截止型晶片的模组产品，该型晶片过去只封装成IGBT单管(Discrete)型，很多客户只能

Littelfuse发布新型半桥IGBT模组

Littelfuse宣布推出IGBT模组功率半导体产品组合的*新产品系列--MG12600WB-BR2MM。相比该产品组合之前产品的*高额定电流(450A)，新型半桥IGBT模组系列(1200V，600A)，可为设计师提供显着更高的额定电流，以及高效快速的开关速度。 该模组的紧凑(152x62x17毫米)封装，可简化热管理，并支援更加简单、精密的系统设计，且能够降低焊点与PC电路板空间要求。其采用WB配置封装，功率范围广泛，可提供不同的额定电流。MG12600WB-BR2MM系列产品的应用包括电源控制应用，例如灵活、高效的工业和伺服驱动器、太阳能逆变器、大功率转换器、UPS和焊接设备。Littelfuse功率半导体技术战略全球经理Kevin Speer博士表示，该1200V、600A的模组扩大了该公司标准模组封装的电流范围，让客户能够采用同样的散热和PC电路板设计，在自己的平台内推出多种额定功率。该半导体技术可保持较高的转化效率，而多晶片模组则可实现精密的系统设计，减少故障点，提高可靠性。MG12600WB-BR2MM 1200V、600A半桥IGBT模组系列具有许多优势，像是沟槽栅视

新型半桥IGBT模组将额定电流提升至600A

Littelfuse推出IGBT模组功率半导体产品组合的*新产品系列。 Littelfuse推出IGBT模组功率半导体产品组合的*新产品系列——MG12600WB-BR2MM。相比该产品组合之前产品的*高额定电流(450A)，新型半桥IGBT模组系列(1200V，600A)可为设计师提供显着更高的额定电流，能够依托现代IGBT技术可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。该模组的紧凑(152×62×17毫米)封装可简化热管理，并支援更加简单、精密的系统设计。该多晶片模组能够降低焊点与PC电路板空间要求。本次发布的产品采用WB配置封装，功率范围广泛，可提供不同的额定电流。MG12600WB-BR2MM系列产品的应用包括电源控制应用，例如灵活、高效的工业和伺服驱动器、太阳能逆变器、大功率转换器、UPS和焊接设备。

英飞凌RC-E系列单管IGBT可直接升级现有设计，树立性价比新基准

元器件交易网讯 10月17日消息，感应加热电器通常采用谐振拓扑结构，需要单管IGBT在18 kHz至40 kHz的开关频率范围内表现出*佳性能。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出能够满足这些需求的全新单管IGBT器件。全新RC-E系列的成本和功能经专门优化，可满足高性价比电磁炉和电磁电饭煲的需求。单片集成逆导二极管全新RC-E系列IGBT采用单片集成逆导二极管实现谐振开关。这有助于降低器件的开关损耗和导通损耗。更低损耗支持设计师更轻松实现感应加热电器的效率和功率目标，降低功耗，进而降低消费者的使用成本。该系列具备较低的关断损耗（Eoff）、正向压降（VF）、热阻（Rth）和饱和压降（Vce(sat)），在性价比和易用性方面树立了行业新基准。新推出的RC-E系列秉承英飞凌RC单管IGBT的质量优势，能够满足软开关应用的所有要求，包括效率和电磁干扰（EMI）。RC-E系列以更具吸引力的价格，提供媲美前代产品的高性能，可降低物料（BOM）成本。RC-E系列器件采用标准的TO-247封装，可直接替换现有设计。

特斯拉之光 台湾照亮谁？

华虹半导体深耕FS IGBT 聚焦新能源汽车应用市场

全球**的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(「华虹半导体」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」，股份代号：1347.HK)今日宣布，将充分利用在IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术方面的优势，积极开拓新能源汽车市场，加速新能源汽车芯片国产化进程。IGBT是新一代电能变换和控制的核心器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高等优点，广泛应用于新能源汽车、工业变频、智能电网、风力发电和太阳能等行业。自商业化应用以来，IGBT作为新型功率半导体器件的主型器件，在1~100kHz的频率应用范围内占据重要地位，其电压范围为400V~6500V，电流范围为1A~3600A。华虹半导体是全球**提供场截止型(FS, Field Stop)IGBT量产技术的200mm代工厂，2011年就已在200mm生产线上成功量产了1200V非穿通型(NPT, non-punch-through)IGBT;2013年，600V-1200V FS IGBT实现量产，并专注于持续开发更先进的FS IGBT。凭藉不断的研发**，公司与多家合作单位陆续推出了600V、1

ST新一代智慧功率模组降低马达功耗

意法半导体(STMicroelectronics)进一步扩大智慧功率模组产品阵容，推出SLLIMM-nano新一代产品，增加了更高功率和封装选项，特别适用于对能效提升和成本降低有要求的应用。新一代SLLIMM-nano产品可满足冰箱、洗衣机等家电的压缩机、风扇和电泵的电源要求，适用于驱动200W以下电器的硬开关电路且工作频率低于20kHz的低功耗马达。 SLLIMM-nano模组整合三个半桥式高电压闸极驱动器、六个IGBT和六个快速超软飞轮恢复二极体(ultra-soft freewheeling recovery diode)，以及在低功耗微控制器与电力网供电三相马达之间实现完整介面的低电压输入逻辑元件。意法半导体针对低功耗BLDC无刷DC马达的特性，*佳化模组内部IGBT(一个3A的平面技术电晶体和一个5A的TFS沟槽式场截止电晶体)和飞轮二极体的设计，取得了*佳的开关损耗与导通损耗比，提高马达的能效，并降低电磁干扰。意法半导体SLLIMM-nano新一代产品的主要特性：．在25°C时，3A-5A额定电流，600V击穿电压；．受益于TFS技术，VCE(sat)电压更低，即使在5A时

快捷离散式元件/裸片IGBT满足混合动力与全电动汽车设计

快捷半导体(Fairchild)宣布推出新的车用离散式元件与裸片IGBT与二极体产品，扩大其为混合动力汽车(HEV)、插电式混合动力汽车(PHEV)及电动汽车(EV)提供的车用级半导体解决方案的产品组合。 Fairchild汽车业务部门副总裁及总经理Sergio Fissore表示，该公司全新离散式元件与裸片IGBT及二极体产品是对效能、可靠性与灵活性有较高要求的汽车制造商及其供应商的理想选择，能满足其对牵引逆变器的具体要求。这些离散式元件与裸片IGBT及二极体产品全部使用先进的第三代场截止IGBT技术及快速软恢复二极体，满足车用级标准与附加功能及选项。这些技术、功能与选项的结合，使该公司提供具有较严谨参数分布的离散式元件与裸片产品。除了其效能与可靠性，这些离散式IGBT提供更大的灵活性，以利设计者定制其产品。设计者只须要并联IGBT就可以获得所需的额定系统功率，同时可以提高牵引逆变器或其他动力元件设计的整体效率。另外，该公司还用正在开发的全新车用级模组方面扩大其产品组合，将IGBT，续流二极体与闸极驱动器集成在一个电隔离的封装中。其特别适用于辅助马达控制应用，如油泵及交流压缩机。这是

“这是大变化！”，日立发布低损失的新构造IGBT

日立制作所在“ISPSD 2016”上发表了新型IGBT构造。其特点是，与该公司以往产品相比，可降低开关时的损失。开关开闭时生产的电力损失均可削减约3成。日历使用这种新型IGBT试制了耐压1.7kV、额定电流1400A的功率模块，并实施了工作试验。这种新构造的目标是被用于日立新一代IGBT“G Series”。该系列IGBT设想用于高输出功率模块“nHPD2”上。日立在演讲中简单回顾了IGBT的开发过程。首先，该公司在1980年代推出了“平面型”IGBT产品，1990年代又推出了沟道型IGBT产品。之后一直在不断改进沟道构造。现行的IGBT产品为沟道型。此次发表的IGBT虽然也设置了沟道，但采用的构造“与原来大不相同，就如同从平面型变成沟道型时带来的震撼，变化巨大”。采用侧栅构造此次大幅变更了IGBT的栅极构造。日立称之为“侧栅（Side Gate）”。通过采用该构造，抑制了导通IGBT时栅极电压的过冲“ΔVge”，减小了与IGBT一起使用的二极管的恢复损失（Err）。在6kV/μs的开关速度下，将IGBT的导通时损失（Eon）与Err的和（Eon+Err）降低了约34％。侧栅构造设置

瑞萨电子推出第8代IGBT，提升系统功率

原标题：瑞萨电子推出第8代IGBT，以行业**的超低损耗特性，提升系统功率 瑞萨第8代IGBT：G8H系列 2016年3月10日，日本东京讯——全球**的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723），于今日宣布推出第八代G8H系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的六款新产品，其可将用于太阳能发电系统的功率调节器中的转换损耗降至*低，并减少不间断电源（UPS）系统中的逆变器应用。推出的六种新产品额定功率分别为650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、40 A和75 A。瑞萨也为带内置二极管的1,250V IGBT实现了业界首款TO-247 plus封装，它为系统制造商提供了更大的电路配置灵活性。凭借电源转换器领域设计低损耗IGBT的专业知识，瑞萨电子优化了第八代IGBT，在过程结构中采用独特的沟槽栅配置（注1）。相较于以往的IGBT产品，这些装置具有更快的转换性能，这是IGBT性能指标的一个基本特征，同时，还通过降低饱和电压减少了传导损耗（Vce（饱和），注2）。此外，第八代设备的性能指数（注3）与之前的第七代IGBT相比改进了30%，有助于为用户

新型大功率模块助你在日益火爆的充电桩抢占先机

LED行业低迷，企业该往哪拓疆?

LED行业景气度持续低迷，产业集中化程度加剧，LED企业普遍过着“粗茶淡饭”的日子，部分企业通过并购进行强强联合，或是“1+1”产生规模效应，或是优势互补进行产品升级，去年接连的巨额跨境并购将LED行业并购事件引向高潮。另外，一些企业在布局LED产业的同时，也在逐步拓展其他高毛利或广阔前景的领域，尝试多元化发展，为未来LED照明普及高峰后，寻找后续增长点。三安光电在集成电路业务的快速扩张成长便是*为成功的案例。 雷曼股份掘金体育产业雷曼股份3月17日晚间发布公告称，公司与北京雷曼第十二人科技有限公司、深圳人人足球俱乐部有限公司分别签订合作协议，分别就出售中超、中甲联赛球场LED屏广告权益事宜、球员留洋计划权益达成合作协议。2011年“无心插柳”涉足体育产业的雷曼股份，在足球和体育宏观政策重大利好之下，却成为政策利好的直接受益者。经过四年多的生态圈布局，“体育营销资源+互联网+投资并购”的战略格局已经成形，与LED业务并为公司的双主业战略。在体育业务及其营收的比重越来越大的新形势下，原雷曼光电的企业名称已经不能涵盖公司的业务格局，2015年8月19日雷曼光电正式更名为雷曼股份，意味着雷曼

湖南IC业要走“特色”强芯路

本报记者 侯沁中部工业大省湖南在集成电路产业领域不断发力。去年6月28日，“大基金”向湖南国科微电子注资4亿元人民币。今年3月11日，湖南又成立首只集成电路创投基金，为湖南省集成电路企业加快发展注入市场化的活力。眼下，湖南正加快集成电路产业发展步伐，致力于打造我国集成电路产业特色聚集区。“近年来，湖南集成电路产业复合年增长率达到50%以上，初步形成以芯片设计和IGBT为特色的长沙、株洲两大产业集聚区。目前已拥有集成电路企业30多家，涵盖集成电路设计、制造、封测、装备及材料等各环节，2015年全产业链收入近80亿元。” 湖南省经信委主任谢超英在接受《中国电子报》记者采访时表示，集成电路产业将成为湖南经济新动力。聚焦集成电路特色制造业“湖南的集成电路产业重点在特色，并且湖南已经在特色集成电路上有了较为深入的发展。”湖南省经信委电子通信产业处处长彭涛在接受《中国电子报》记者采访时说道。在株洲市，一款为我国高铁量身定做的基于8英寸制造工艺的750A/6500V高性能IGBT模块，经科研团队集体攻关，已完成测试验证与地面试验，不日将替代国外进口产品，装备到高速动车组上。“我们的目标是让中国自己的

安森美半导体参与APEC 2016

安森美半导体(ON Semiconductor)参与APEC 2016，此为全球电力电子行业的旗舰性活动。会议期间，7名安森美半导体应用工程和研发**技术成员将在一系列的专业教育研讨会和行业会议中分享重要知识。 会议的主题将涵盖广泛而多样的主题，与现今工程界发展息息相关，包括快速分析技术的设计挑战、小讯号模型、非线性热主题、下一代锂离子电源管理、高功率、高压IGBT、和其它高能效**。同时，工程师将能在安森美半导体展场观看10多种**技术 ，其中包括从未面世的*新项目。关键展示包括：高频准谐振反驰是实现电脑以及消费性电子产品小型转换器的演进动力。元件尺寸小型化，同时具备高能效，产生了高功率密度。NCP1339和NCP1340是*新一代高频准谐振反驰式控制器。同步整流也扮演了实现高能效的关键角色，新的NCP43080采用一个大的8A/4A驱动器，能在满载到空载皆维持高能效。这两个元件的结合成为了现今市场上*小的超高密度AC-DC转换器。NCP4371参考设计展示支援新的Type-C连接器的*新高通QC3.0快速充电协定。采用高通的高压专用充电连接埠(HVDCP)，提供3.6~20VDC的

中国投资者为何对功率电子行业感兴趣

英飞凌携中国电动车百人会 助力我国电动车产业可持续发展

元器件交易网讯 1月23日上午，为期两天的中国电动汽车百人会(EV100)年度论坛(2016)在北京钓鱼台国宾馆拉开帷幕。自去年英飞凌正式加入中国电动汽车百人会国际专家咨询委员会以来，英飞凌科技与相关国家政府部门、汽车产业链上下游、高校及研究机构等领域的专家学者们积极探讨我国电动车发展的新生态，助力我国电动车产业的可持续发展。在论坛召开期间，由EV100主办的“车创未来”创客大赛也进入决赛。作为大赛协办单位***家行业内专注电子系统和元器件的技术公司，英飞凌全程支持大赛的举办，为我国电动车产业源源不断地输入***的汽车电子技术。英飞凌科技（中国）有限公司**总监及中国区汽车电子业务负责人徐辉女士还受邀担任“车创未来”创客大赛的导师，与中国工程院院士陈清泉、比亚迪股份有限公司董事长王传福、博世（中国）投资有限公司总裁陈玉东等17位业内专家一起推选出****项目。今年论坛的主题为构建竞争、**、可持续的产业生态。而汽车要**，必须靠“核芯”。半导体在汽车领域发挥着极其重要的作用，对电动汽车而言，半导体更是保障其高效动力运转的核心部件。英飞凌作为全球**汽车电子半导体的企业，始终致力于为电动

澳洋顺昌拟15亿元投入集成电路芯片项目

澳洋顺昌(6.33 -6.50%,买入)1月28日晚间公告称，公司拟与香港芯能科技有限公司在江苏省淮安市合资发起设立“江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司”作为项目实施主体，在淮安市清河新区实施集成电路芯片项目，投资建设一条8英寸集成电路芯片生产线，投资总额为15亿元人民币，主要研发制造以硅基材料生产IGBT和SuperjunCtion等，同时研发量产碳化硅材料的宽禁带半导体器件。 公告称，公司切入IGBT相关集成电路功率器件核心领域，有利于将该领域与民营企业效率对接，凭借公司**的生产管理能力，从而提升该领域的产业竞争力与产品竞争力，抢占市场份额，推进IGBT等集成电路关键器件的国产化。公司表示，本次集成电路芯片项目是公司原有LED产业的有效延伸，是半导体行业，有相关的共性。新项目生产线与原有LED芯片生产线具有高协同性。生产设备、厂房、能源方面能够实现共通，部分生产环节能够实现有效共享。前期积累的LED工艺及生产经验对于项目建设能够形成良好协助，促进此次项目加快建成投产。该项目建成达产后，预计可以实现年销售收入20亿元，公司的半导体营收规模将在目前基础上获得迅速提升，形成公司新的利润增

世强签约国际桥堆领军企业新电元 共拓工业汽车领域新版图

全球先进电子元件分销商世强日前与国际桥堆制造领军企业Shindengen签订分销协议，前者正式代理包括桥堆、二极管、电源模块、可控硅、IGBT、MOS等在内的新电元全线产品。新电元工业株式会社于1949年成立以来，主要从事功率半导体和开关电源、电装制品的制造和销售，并以电力电子技术为主要领域。旗下的电源用肖特基二极管、桥堆等分立器件产品的市场占有率稳居世界前列，在日本国内占95%的市场份额。其整流桥在全世界占有接近40%的市场份额，素有“桥王”之称。新电元的主打产品——桥堆及其重磅新品电源模块(桥堆+IGBT)，与世强现有的产品配合使用，将更加适合功率模块小型化、轻量化和高效率化的研发和制造需求，为世强数以千计的工业客户，包括伺服，变频器，太阳能和新能源，电动汽车，充电桩，超级电容等客户的新一代产品提供重要的功率器件。新电元香港总经理小柳浩之表示：“我们非常高兴能与世强建立合作伙伴关系，工业与汽车市场是新电元未来重点关注的应用领域，而世强已在此领域深耕细作二十多年，积累了丰富的市场开拓和技术服务经验，我们有理由相信世强能帮助我们进一步打开中国市场，成为新电元实现低碳社会创造高效的低碳产

中国为何对功率电子行业感兴趣？

中国投资财团与美国安森美半导体（ON Semiconductor）围绕仙童半导体（Fairchild Semiconductor）股权收购展开的攻守战至今仍未结束。仙童于2015年12月拒绝了中国投资财团**次提出的收购方案，但随后于2016年1月5日宣布，将考虑华润微电子与华创投资的修订方案。 在新方案中，中国资本将以每股21.70美元的现金收购仙童，这一价格远远高于安森美提出的每股20美元，也显示出了中国投资方的决心。这并不是中国投资者**次对半导体行业产生兴趣。下面我们就重点探讨一下中国掌握着关键的功率半导体行业。中国加入功率电子领域的国际竞争  对于功率电子行业而言，40％的功率半导体器件产品都依赖于进口的中国自然是*重要的市场（参考Yole Developpement的分析报道《Status of the Chinese Power Electronics Industry 2015》（2015中国功率电子行业现状））。2014年面向中国市场供应的功率半导体器件达到了60亿美元，包括FET（Field-Effect Transistor，场效应晶体管）、IGBT（Insula

英飞凌S5系列IGBT登陆Mouser

2015年12月14日–贸泽电子(MouserElectronics)为**分销InfineonTRENCHSTOP™5S5绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的全球分销商。此新一代超薄晶圆TRENCHSTOP5系列产品在175°C的温度下，能够提供业界**的1.60VCE(sat)低典型饱和电压，因此即使在高温工作条件下，也能保持较高的能效。Print_Infineon Trenchstop S5Mouser分销的InfineonTRENCHSTOP5S5IGBT提高了开关性能，可降低电路复杂度，此外由于不需要电容与齐纳二极管，还可以降低整体系统成本。此系列IGBT可提供高达98%的系统效率级别，从而能*大限度提高太阳能电池设备的发电量，而且更加坚固耐用，质量更高，可帮助终端产品实现20年的使用寿命。Mouser提供的此系列IGBT的电流级别为30A、40A、50A和75A，并且都采用三引脚TO-247封装。S5系列产品特别针对开关频率在10kHz至40kHz之间的工业应用中的AC-DC转换设备而设，如光伏逆变器和不间断电源，以提供高能效、更快的产品上市周期，并*佳化PCB物料清单(BOM

Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列产品 S5系列IGBT率先登陆Mouser

集微网2015年12月14日消息 – 贸泽电子 (Mouser Electronics) 为**分销Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的全球分销商。此新一代超薄晶圆TRENCHSTOP 5系列产品在175°C的温度下，能够提供业界**的1.60 VCE(sat) 低典型饱和电压，因此即使在高温工作条件下，也能保持较高的能效。 Mouser分销的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了开关性能，可降低电路复杂度，此外由于不需要电容与齐纳二极管，还可以降低整体系统成本。此系列IGBT可提供高达98%的系统效率级别，从而能*大限度提高太阳能电池设备的发电量，而且更加坚固耐用，质量更高，可帮助终端产品实现20年的使用寿命。Mouser提供的此系列IGBT的电流级别为30A、40A、50A和75A，并且都采用三引脚TO-247封装。S5系列产品特别针对开关频率在10 kHz至40 kHz之间的工业应用中的AC-DC转换设备而设，如光伏逆变器和不间断电源，以提供高能效、更快的产品上市周期，并*佳化PCB物料清单 (BOM)

三种IGBT驱动电路和保护方法详解

英飞凌可控逆导型IGBT灵活提高系统输出功率

英飞凌科技新发布的一款采用可控逆导型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和续流二极管的6.5kV功率模块。这款RCDC（二极管可控逆导型IGBT）IGBT芯片较之安装尺寸相同的前几代模块，电流密度提高了33%，散热性能也有所增强。因此，它可以延长产品工作寿命并提高可靠性，进而*大限度降低系统维护工作量。编辑点评：RCDC IGBT芯片，非常适合现代高速列车和高性能电力机车及未来的HVDC输电系统和传动装置。它的推出，使英飞凌进一步壮大高性能6.5kV KE3 IGBT产品的系列。设计人员可以灵活提高系统输出功率，而无需以加大外形尺寸为代价。利用其更高功率密度的优点，可以在保持功率不变的情况下减少IGBT并联数量，从而减小系统尺寸、减轻产品重量，并降低成本。

中证解读：澳洋顺昌拟投资15亿元建集成电路芯片生产线

澳洋顺昌(002245)1月3日晚间发布公告，2015年12月31日公司与江苏省淮安市人民政府签署了《澳洋顺昌集成电路芯片项目投资意向书》。公司拟在淮安市清河新区投资建设一条8英寸集成电路芯片生产线, 预计投资总额为约15 亿元。该生产线主要研发制造以硅基材料生产IGBT和Superjuction等，同时研发量产碳化硅材料的宽禁带半导体器件，将在未来1-2年内逐步完成。项目完成后预计可实现年销售额超过20亿元。公告称，鉴于澳洋顺昌投资项目为当前国家积极鼓励和大力发展的战略性新兴产业;淮安市政府同意根据实际情况为其提供“8英寸集成电路芯片生产线”项目专项扶持资金，用于该项目建设,并帮助、支持澳洋顺昌向国家、省市申请争取各项扶持资金和扶持政策。澳洋顺昌表示，该项目如能顺利实施，并迅速形成产能、将填补国家该行业部分领域的空白，同时就能获得产业发展的先发优势，在**率先形成生产，打造产业链，成为该产业领域的先发地区、核心板块。公司此次签署投资意向书，拟投资建设一条8 英寸集成电路芯片生产线,符合既定发展战略，有利于把握行业发展的机遇，形成新的发展着力点，极大提升公司行业地位与竞争力。近年来，中

瑞萨电子IGBT提升空调的电源效率

瑞萨电子(Renesas Electronics)推出新款RJP65T54DPM-E0，它是适用于空调功率因数校正(PFC)电路的功率半导体装置，并采用中低阶空调广为使用的部分开关。 现代的空调必须符合高效率及开关噪音抑制标准。RJP65T54DPM-E0为瑞萨第7代绝缘闸双极电晶体(IGBT)的扩充，以**业界的1.35 V低饱和电压(Vce(sat))与低开关噪音实现电源效率。RJP65T54DPM-E0的主要功能包括：RJP65T54DPM-E0以瑞萨第7代IGBT技术为基础，并运用该公司的薄型晶圆技术。RJP65T54DPM-E0已针对空调PFC电路进行*佳化，具备**业界的1.35 V Vce (sat)，可为PFC电路带来*低的传导损耗。RJP65T54DPM-E0具有*小的开关噪音，可减少电磁干扰(EMI)并简化EMI过滤。另外，新产品采用隔离型全模制封装，装置与散热片之间无需使用绝缘片。RJP65T54DPM-E0额定*高达Tj=175°C，可提高操作温度范围。除了新款IGBT装置之外，瑞萨目前有三款运用第7代技术进行生产的IGBT装置，皆适用于完全开关的PFC电路(R

英飞凌扩充650V耐压IGBT的产品线，饱和电压为1.35V

英飞凌科技于2015年11月12日发布了+650V耐压IGBT的新产品“TRENCHSTOP 5 S5”系列。其特点是支持高开关频率下的软开关动作；能以10k～40kHz驱动；集电极与发射极之间的饱和电压（VCE（sat））较低，工作温度为+175℃时为1.60V，+25℃时为1.35V，比该公司原产品“TRENCHSTOP 5 H5”系列降低20％。由于具备这些特点，将新产品用于AC-DC转换电路和DC-AC转换电路时，可提高能源效率。具体用途包括光伏发电系统用逆变器装置和不间断电源（UPS）等。 该系列备有*大集电极电流各异的4款产品，分别是*大集电极电流为39.5A的“IKW30N65ES5”、50A的“IKW40N65ES5”、60.5A的“IKW50N65ES5”和80A的“IKW75N65ES5”。其中，IKW30N65ES5的特性如下：接通时的能源损失为0.56mJ、关断时为0.32mJ；栅极电荷为70nC；配备的续流二极管的正向电压为39.5A（100℃的值），反向恢复电荷（Qrr）为0.83μC；软开关时不会发生尾电流和电压过冲等，因此无需外置电容器、稳压二极管和EM

瑞萨推出空调PFC电路用650V耐压IGBT

瑞萨电子2015年11月16日发布了用于空调功率因数校正（PFC）电路的+650V耐压IGBT“RJP65T54DPM-E0”。主要用于部分开关方式的PFC电路。在这种PFC电路中，IGBT的电力损失占电路整体电力损失的一大半。为此，瑞萨此次通过将集电极与发射极之间的饱和电压（VCE（sat））降至1.35V（标称值）等手段，削减了IGBT的电力损失，由此可提高空调的电力效率。 新产品利用瑞萨第7代IGBT技术制造，该技术采用沟槽栅构造和薄型硅晶圆等。具体性能如下：*大集电极电流在连续时为60A（25℃下的值），峰值时为225A；栅极-发射极间电压为±30V；栅极-发射极间截止电压的*小值为+5V，*大值为+7V；栅极电荷为72nC（标称值）；输入电容为1500pF（标称值）；输出电容为42pF（标称值）；反馈电容为30pF（标称值）；接通时的能源损失为0.48mJ（标称值），关断时为0.96mJ（标称值）；开关波形的脉冲上升沿为20ns（标称值），脉冲下降沿为125ns（标称值）；开关频率支持50Hz～20kHz。新产品由于开关时产生的噪声较小，因此可在降低EMI（放射噪声）的同时简

华微电子:中国IGBT新龙头,进口替代大蓝海

半导体分立器件具备核心价值,**功率器件IGBT进口替代大蓝海:中国半导体产业发展进入趋势性拐点,是自主可控信息**发展的*高层级。半导体分为集成电路和分立器件两大类产品,此前国家政策大力扶持集成电路发展,其实分立器件尤其在**功率器件如IGBT等领域,是中国半导体产业链的相对薄弱环节,90%份额仍掌握在海外巨头手中,进口替代空间更大,未来也存在政策扶持空间。 中国IGBT新龙头,变化正在发生:中国IGBT**企业不多,南车时代、比亚迪等均主要为自己的高铁和新能源汽车做配套,华微电子属于国内在消费类IGBT市场的龙头企业,此前主要产品是第四代产品,和国际龙头差距较大,近期公司重点推进第六代产品研发,未来有望进入核心客户目录,向白色家电、消费类电子、**、新能源汽车等新兴领域进军。如IGBT模块在充电桩成本占比接近15%,有望显著受益于充电桩和新能源汽车大发展。业绩谷底,反转弹性较大:公司在公告中提出未来经营发展规划,提出到2018年营业收入和利润都要翻一番。则营业收入应达到24亿左右,而公司现净利润率3%,处于历史较低水平,参考公司历史业绩和海外同行业公司经营状况,公司合理净利润率应在

瑞萨电子推出业界**的低功耗 IGBT，可提高空调运行效率

瑞萨电子近日宣布推出用于空调功率系数校正(PFC)电路的新型功率半导体器件，可广泛用于中低端空调的部分开关。如今的空调必须满足极高的效率和开关降噪标准。RJP65T54DPM-E0 基于瑞萨电子第七代绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，具有行业**的 1.35V 低饱和电压和低开关噪声，运行效率更高。RJP65T54DPM-E0 的主要特点： (1) 行业**的低功耗，非常适合空调 PFC 电路。RJP65T54DPM-E0 基于瑞萨电子第七代 IGBT 技术，并采用了瑞萨的薄晶圆技术。RJP65T54DPM-E0根据空调 PFC 电路的要求进行了优化，其业界**的 1.35 V 低饱和压可将 PFC 电路的传导损耗降至*低水平。 (2) 开关噪声低。RJP65T54DPM-E0 的开关噪声极低，可减少电磁干扰(EMI)并简化 EMI 滤波。 (3) 绝缘型 TO-3PF 包装使用绝缘全成型包装，器件和散热片之间无需绝缘片。此外，RJP65T54DPM-E0 的额定 Tj=175°C，运行温度范围更大。除了这款新型IGBT器件以外，瑞萨目前还有三款在产的 IGBT 器件采用了第七代技术，适

Fairchild的SPM 55系列智能功率模块荣获中国Top-10电源产品奖

Fairchild今天非常荣幸地宣布，其智能功率模块在由中国电子出版物《今日电子》和21中国电子网 (21IC) 联合举办的第十三届Top-10电源产品奖评选中斩获殊荣。在由这两家媒体举办的颁奖仪式上，Fairchild Motion SPM® 55系列中的FNB51560TD1获得大奖，该系列产品经过优化，可提供全功能、高性能逆变输出级，用于交流感应、永磁同步(PMSM)和无刷直流(BLDC)电机。候选产品由《今日电子》和21IC的编辑进行初选，而Top-10获奖产品由行业专家组*终裁定。获奖产品必须满足以下三项标准：· 在技术或其应用方面有显着进步· **型设计· 在性价比方面有实质性大幅提升Motion SPM 55系列模块集成了Fairchild行业**的IGBT及其栅极驱动技术，可*大限度降低电磁干扰(EMI)和功耗，同时还可提供多种模块内保护功能，包括欠压锁定、内锁功能、过流关断、驱动IC的温度监控以及故障报告。高速HVIC仅需一个电源电压即可将接收到的逻辑电平栅极输入转换为所需的高电压、高电流驱动信号，从而合理驱动模块强健的短路额定IGBT。独立负 IGBT 引脚适用于各

固纬新推PHX-系列可编程开关直流电源

英飞凌IGBT积极助力《中国制造2025》十大重点领域

本报记者 陈炳欣半导体在工业制造领域起着不可或缺的作用，特别是国家提出《中国制造2025》发展规划之后，工业智能化和绿色化发展成为主题，对智能控制芯片和IGBT等功率半导体有了更多需求。《中国制造2025》发展规划中，提出以信息化与工业化深度融合为主线，重点发展新一代信息技术、**数控机床和机器人、航空航天装备、海洋工程装备及高技术船舶、先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、新材料、生物医药及高性能医疗器械、农业机械装备十大领域，强化工业基础能力，提高工艺水平和产品质量，推进智能制造、绿色制造。半导体作用不可或缺对此，英飞凌工业功率控制事业部中国区负责人于代辉表示：“《中国制造2025》与德国提出的工业4.0有着诸多的相似之处，都属于一个国家的长期发展战略，都在强调信息技术与制造技术的深度融合，以带动制造业的数字化、网络化和智能化，从而提升国家制造业的竞争力。只不过，中国与德国工业化进程不同，中国需要工业2.0、3.0和4.0同时推动，以提高**能力、强化工业基础、建设质量品牌以及推行绿色制造来实现基础产业转型。英飞凌是德国工业4.0的理事会成员，又在中国市场耕耘多年，深刻理解

全球集成电路产业并购整合风起云涌

全球集成电路增速放缓，整机商重返研发，以中国为代表的新兴市场因产业升级催生芯片新需求，这几个因素交叉发酵，导致全球集成电路行业并购整合此起彼伏。在此大背景下，29日举行的2015北京微电子国际研讨会备受业界关注，行业精英热议其中新机遇。 整机商重返研发推升整合Intel斥资167亿美元并购Altera，Avago370亿美元并购Broadcom，全球集成电路产业并购浪潮汹涌，并购数量和金额屡**高。“2015年是集成电路产业的并购年，行业增速放缓让这些国际大厂只能抱团取暖。”有业内人士表示。华为刚宣布将于11月5日发布麒麟950芯片，三星就表示Exynos8890将于12月份大规模量产。整机厂商自主研发芯片成为一��不可忽视的新力量。“芯片大厂的整合不会停止，而整机厂再次杀入研发芯片，会给独立芯片厂商带来巨大压力，给全球集成电路产业生态的发展带来深远影响。”魏少军表示。自张忠谋创立台积电，世界集成电路生产从IDM模式(垂直厂商)走向Foundry模式，诞生了高通、博通等一大批**的Fabless芯片厂商，然而随着苹果、三星、华为等整机商自主研发芯片，这种模式有望再次被改变。如今，华为用自

全球集成电路增速放缓 整机商重返研发推升整合

全球集成电路产业并购整合风起云涌 ⊙记者 李兴彩 ○编辑 全泽源全球集成电路增速放缓，整机商重返研发，以中国为代表的新兴市场因产业升级催生芯片新需求，这几个因素交叉发酵，导致全球集成电路行业并购整合此起彼伏。在此大背景下，29日举行的2015北京微电子国际研讨会备受业界关注，行业精英热议其中新机遇。整机商重返研发推升整合Intel斥资167亿美元并购Altera，Avago370亿美元并购Broadcom，全球集成电路产业并购浪潮汹涌，并购数量和金额屡**高。“2015年是集成电路产业的并购年，行业增速放缓让这些国际大厂只能抱团取暖。”有业内人士表示。华为刚宣布将于11月5日发布麒麟950芯片，三星[微博]就表示Exynos8890将于12月份大规模量产。整机厂商自主研发芯片成为一股不可忽视的新力量。“芯片大厂的整合不会停止，而整机厂再次杀入研发芯片，会给独立芯片厂商带来巨大压力，给全球集成电路产业生态的发展带来深远影响。”魏少军表示。自张忠谋创立台积电，世界集成电路生产从IDM模式(垂直厂商)走向Foundry模式，诞生了高通[微博]、博通等一大批**的Fabless芯片厂商，然而随