Cadence设计系统公司近日宣布，立即推出基于台积电16纳米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知识产权)。16纳米技术与Cadence**的架构相结合，可帮助客户达到DDR4标准的*高性能，亦即达到3200Mbps的级别，相比之下，目前无论DDR3还是DDR4技术，*高也只能达到2133Mbps的性能。通过该技术，需要高内存带宽的服务器、网络交换、存储器结构和其他片上系统(SoC)现在可以使用Cadence DDR4 PHY IP完成设计，并能在有更高速DRAM可用时利用它们。Cadence DDR4 PHY IP具有循环冗余校验(CRC)、数据总线倒置(DBI)等可靠性、可用性、可服务性(RAS)功能， 支持无缓冲双通道内存模块(UDIMM)/ 带寄存器的双通道内存模块(RDIMM)。全新DDR4 PHY IP实现了4倍时钟(clocking)等架构**，以减少占空比失真和多频电源隔离(multi-band power isolation)，以增加抗扰度，实现带有电压转换速率控制的I/O。Cadence DDR4 PHY IP和Cadence DDR4控制器一起在台积电16纳米FinFET制程中经过了实际芯片的验证。
“对基于16纳米FinFET的设计的需求不断增长，推动对补充性DDR4 IP产品的市场需求，”台积电公司设计基础架构营销事业部**协理Suk Lee表示，“我们很早就和Cadence公司在该技术上保持紧密协作，因此我们的客户能够看到该设计的芯片成果，他们对采用Cadence从工具到IP**的16纳米支持将更有信心。”
“我们很多客户担心，因为内存系统的瓶颈，他们的下一代设计不能达到性能目标，”Cadence **副总裁兼IP集团总经理Martin Lund表示，“使用Cadence DDR4 IP，相信我们的客户必将更加坚定地认为，他们的产品一定能匹配未来面向更高速度的DRAM。”
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