28nm MCU支援新世代环保汽车与自动驾驶车

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瑞萨电子(Renesas Electronics)与台积电(TSMC)宣布,双方合作开发28奈米嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程技术,以生产支援新世代环保汽车与自动驾驶车的微控制器(MCU)。

透过此次合作,瑞萨具备高可靠性及高速优势的金属氧化氮氧化矽(MONOS) eFlash技术,将结合台积电高效能、低功耗的28奈米高介电层金属闸制程技术,生产全球先进的车用MCU产品,以支援广泛的应用,例如自动驾驶车的感测器控制、电子控制单元(ECU)之间的协调控制、环保汽车的高效率燃油引擎控制以及电动车的高效率马达变频器控制。

为了满足未来自动驾驶车对于高效能与**性的严格要求,新世代MCU利用3D雷达监测车辆四周环境,以实现高精度的感测功能,同时可整合多个感测器的资料,并且具备自动驾驶操作时所需的即时判断处理能力。能够**控制自动驾驶功能的ECU亦需要新世代的MCU快速处理复杂的控制任务(包括失效稳定运作能力、**性、以及对多个ECU之间协调控制的支援),并提高整体系统的能源效率及功能**性。

同时,为了符合更严格的排放法规,新世代环保汽车的引擎还需要强大的运算效能来运作新的燃油系统,它也需要强大且大容量的内建快闪记忆体来容纳更大的韧体程式。由于市场对环保的要求越来越高,对电动车(EV)与充电式油电混合车(PHV)也要求具备更长的行驶距离,因而创造了对于更高运算效能及功能整合度MCU的需求,以实现效率更高、体积更小的马达变频器。大容量快闪记忆体亦不可或缺,能够更**地支援各国环境法规与标准,并得以透过空中传输(OTA)的方式无线更新控制程式。

此外,具备优异效能与****性的MCU嵌入式快闪记忆体技术对于打造**社会的新世代控制技术来说也是必须的,适用领域包括工业4.0等工业领域以及社会基础建设领域。

透过此项合作所开发的28奈米eFlash制程技术,MCU的程式记忆体容量*高将可比目前的40奈米技术多出四倍以上,效能也将提升超过四倍,符合新世代车用运算的需求。此全新MCU产品的其他强化特点还包括了使用多CPU核心、更先进的**性,并且支援多种介面标准。

采用此全新28奈米制程技术生产的车用MCU预计于2017年提供样品,2020年开始量产。

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