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151 2013年12月20日 星期五国腾电子签下3.23亿大单是去年营收1.6倍
互联网 (0)因重大事项而于12月12日起停牌的国腾电子今日披露,公司控股子公司成都国星通信有限公司与客户陆续签订了数份产品销售合同,合同总金额达到 32274.69万元,占公司2012年经审计会计年度营业总收入的159.78%。目前,由于签订该重大合同的相关程序已经顺利完成,公司股票今日复牌。 国腾电子是国内**的北斗元器件、终端研制企业和运营服务提供商。尽管其在公告中并没有详细披露签订合同客户方情况以及具体销售的产品情况,但 市场人士普遍认为合同应是来自军方,出于保密的需要而不便披露,而根据国星通信的业务推测采购的产品应为“北斗二号”系列产品。 从接近公司的人士处了解到,该大单预期在2014年内履约完毕,这意味着将对国腾电子明年的营业收入和营业利润产生重大积极影响。数据显示,由于“北斗二号”业务推广比预期延后,近两年国腾电子业绩持续下滑,今年前三季度净利润仅310.19万元。
显示器件产业进入传统淡季局部有调整
华强电子网 (0)方正证券发布了新一期电子行业证券研究报告。报告指出,国家对显示期间产业的战略扶持态度依旧,显示器件业关税调整等,在大尺寸面板产能结构性过剩和上游原材料厂商相对羸弱的情况下,国家将加大扶持力度,保护产业度过这段低潮时期。本周主要观点大陆产业扶持力度将进一步加大国家对显示期间产业的战略扶持态度依旧,京东方和TCL集团分别获得政府补助6亿元,京东方合肥子公司获1.5亿元贷款贴息,深纺织A获政府补助5500万元,显示器件业关税调整等,在大尺寸面板产能结构性过剩和上游原材料厂商相对羸弱的情况下,国家将加大扶持力度,保护产业度过这段低潮时期。日本液晶产业逐渐没落,老牌巨头深度调整中日本三菱电机等公司已经宣布退出液晶显示屏业务,夏普深陷债务危机,逐步淡化液晶产业,调整发展战略,将转向工业解决方案领域,并且转变液晶面产业**路线,为了盈利推出一些低价格低成本产品,这对公司的长远发展是不利,日本液晶产业没落趋势加速。台湾厂商期待两岸面板业合作台湾厂商因为没有自己的品牌,也没有消化产能的出海口,在全球面板产业的话语权日渐衰弱;相反,大陆依靠内需市场、政府支持以及近年来的快速发展,国际话语权增强,目前全球大
新一代功率半导体加速导入元器件厂商拼杀
互联网 (0)与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加,同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。 SiC功率半导体方面,在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型,尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一,因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后,采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说,能够削减成本。 由于沟道型MOSFET具有以上特点,日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管**候选”,正式开始进行研究开发。这一动向在2013年9月29日~10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”上得到了充分体现。在此次会议上,各企业纷纷发表了沟道型SiC MOSFET的*新开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其中,罗姆在实用化方面似乎走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的“双沟道型”SiC MOSFET。 SiC备受汽车
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152 2013年12月06日 星期五Microchip推出三相无刷直流配套器件
华强电子网 (0)Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布推出一款新型带电源模块的三相BLDC电机栅极驱动器MCP8024。该器件能够为dsPIC®数字信号控制器(DSC)和PIC®单片机(MCU)供电,同时驱动六个N沟道MOSFET。客户可以实现更佳性能和更强的稳健性,同时提高效率,降低系统成本,并缩短产品上市时间。MCP8024可在6V至28V的较大电压范围内运行,可承受高达48V的瞬态电压。该器件为一个完整的电机系统设计提供高度集成的模拟模块,包括三个电流传感运算放大器、一个过流比较器、多个MOSFET驱动器和一个双向通信接口。对外部MOSFET的可配置驱动器死区管理、驱动器消隐时间控制以及过流限制(OCL),显着提高了灵活性。可调节的降压型直流-直流转换器凭借开关电源的高效率优势,可为各种单片机供电。此外,从-40°C至+150°C的宽工作温度范围(高温范围)使得MCP8024可以在汽车引擎盖下等恶劣环境中使用。MCP8024采用热增强型40引脚5 mm x 5 mm QFN封装和48引脚TQFP 7 mm x 7 mm封装。MCP8024非常适合广泛应用于汽车
超级电容的新能源商机、政策与现状
21IC电子网 (0)超级电容如今在全世界范围内也是一个炙手可热的话题,日韩美德等国家都在这个领域有了较大的发展。如今超级电容器已被广泛运用于电子技术、轨道交通、城市公交系统、国防科技、起重机械、光伏与智能电网等领域,但其关键技术一直被国外公司垄断。我国从上世纪90年代开始研制超级电容,2013年8月15日,中国南车宣布成立了我国**超级电容研究所,目标定为五年内成为亚太地区*大、实力*强的超级电容研发机构。作为新能源领域内的关键技术,更加先进的超级电容储能技术将为中国新能源领域带来一场**。超级电容器作为一种新型储能器件,兼具二次电池和传统电容器的优点。其中,高性能电极是超级电容器制造的核心,对超级电容器性能有决定性的影响。生产高性能电极技术的难点在于电极碳材料结构,法国国家科研中心和奥尔良大学研究人员借助核磁共振光谱技术量化分析了电极和正负离子间的静电作用强弱,结果发现,碳电极材料结构越不规则,超级电容器的容量就越大,对高压的承受能力也越强。近几年参与到超级电容市场竞争的厂商也日益增多,国内有上海奥威、深圳今朝时代、北京集星联合、锦州凯美、哈尔滨巨容新等,国际品牌中则以美国MAXWELL、韩国LSMtr
光迅科技拟向4G核心器件领域投资6亿元
华强电子网 (0)今日公告,拟向不超过10名特定对象,发行不超过2307万股,募集资金总额不超过6.3亿元,用于投资宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目。发行底价为27.31元/股,较前收盘价折价22.61%。该项目投资总额约6.10亿元,拟全部使用募集资金。该项目目标产能为年产150.60万只10G发射器件、年产84.00万只10G接收器件、年产4.80万只25G发射器件、年产0.96万只40G接收器件。公司预计建设期为2年,全部达产后预计将新增产品年销售收入7.63亿元,年新增利润总额1.39亿元,预计投资回收期 (税后)6.45年(含建设期2年),内部收益率(税后)为16.65%。值得注...
东芝推出用于汽车应用的小尺寸单通道高边开关IPD
21ic (0)东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布推出用于汽车应用的小尺寸封装单通道高边开关IPD(智能功率器件)"TPD1055FA"。批量生产定于本月底开始。该产品采用BiCD工艺制造,可使用新的WSON10封装。这可以使安装面积较采用SOP-8封装的同等产品1减少大约30%,有助于缩小器件的尺寸。主要特点· BiCD工艺(P沟道DMOS输出@VDSS=40V)· 供电电压:VDD(opr)=5至18V· 内置保护和诊断功能:保护功能:过电流保护、过热保护诊断功能:过电流诊断、过热诊断、开路负载诊断、VDD输出短路诊断· 低漏源导通电阻RDS(ON)=0.12Ω(*大)@VDD=8至18V,Io=-2A,Tch=25°C· 小尺寸封装WSON10(3mm x 3mm)应用使用12V电池(3A或更低电流)的汽车应用,例如电磁阀驱动、机械继电器驱动、行驶灯和负荷开关。注释:[1] 与“TPD1038F”和“TPD1053F”对比。客户垂询:功率器件销售和营销部门电话:+81-3-3457-3416
美高森美推出高可靠性、低电压齐纳二极管产品
21ic (0)美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布推出全新 1-2.4 V齐纳二极管产品,与标准齐纳二极管相比,提供*高4x的更好的电压调节性能和*高40x的典型泄漏电流改进。。新型高可靠性ultra-sharp knee二极管器件瞄准国防、航天、工业和医疗市场中的低电压调节和瞬变保护应用,低额定电容和低额定泄漏电流也使得这些新型二极管适合高速和高频静电放电(ESD)应用和便携式应用,以期确保更长的电池寿命。此外,这些齐纳二极管可以用于某些需要低阻抗和低电压的瞬态电压保护(TVS)应用。美高森美公司高可靠性产品部门营销总监Durga Peddireddy表示:“美高森美充分利用广泛的高可靠性产品专有技术,提供新型解决方案,以期满足对于具有更低阻抗、更好的电压调节性能和更低的泄漏电流的齐纳二极管的需求。我们计划扩大这个产品种类,提供不同的封装和电压选项。高可靠性产品是美高森美的一个关键领域,我们继续推动这个战略市场领域的新产品开发工作。”美高森美公司新的二极管产品采用坚固耐用的密封的表面安装UB封装,经设计耐受不利的运作条件,比如冲击和振动。这些二极管还经过筛选,以期满足J
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器件
153 2013年11月11日 星期一RS推出40V新型车用COOLiRFET
21ic (0)全球**的电子与维修产品**服务分销商Electrocomponents plc(LSE:ECM)旗下的贸易品牌RS Components(RS)宣布,全球功率管理技术领导厂商International Rectifier(IR)的全新车用COOLiRFET™系列业已到货。这些新型器件的导通电阻堪称同类产品之标杆,适合内燃机(ICE)和微型混合动力汽车平台上的电动助力转向(EPS)、制动系统及其他重载应用。本系列共有22种新型40伏N沟道产品,均达到AEC-Q101标准,并采用IR经过实践检验的12.7代沟道技术以及D2Pak-7P、D2Pak、DPak、TO-262、IPAK和TO-220封装,实现超低导通电阻。AUIRFS8409-7P型场效应管采用D2Pak-7P基准封装,在栅源电压10伏、额定电流高达240安时提供低至0.75毫欧的导通电阻。这些新型COOLiRFET™器件传导损耗低、雪崩性能强,可提供更高的效率、功率密度和可靠性与其他先进的MOSFET系列相比,可大幅降低多种应用的运行温度。IR车用COOLiRFET™系列遵循IR的零缺陷汽车质量理念,经过动静态零件平均测试
TI多核软件开发套件扩展至低功耗DSP+ARM®器件
赛迪网 (0)11月14日消息,日前,德州仪器 (TI) 宣布推出基于低功耗 OMAP-L138 及 OMAP-L132 DSP + ARM9™ 处理器的多核软件开发套件 (MCSDK),帮助开发人员缩短开发时间,实现针对 TI TMS320C6000™ 高性能数字信号处理器 (DSP) 的扩展。为工业、通信、电信以及医疗市场开发各种应用的客户现在无需转移其它软件平台,便可升级至高性能器件。 TI MCSDK 提供高度优化的特定平台基础驱动器捆绑包,可实现基于 TI 器件的开发。此外,MCSDK 还可为实现便捷编程提供定义明确的应用编程接口,支持未来向更高性能 的TI 多核平台的移植,因此开发人员无需从头设计通用层。MCSDK 不仅可帮助开发人员评估特定器件开发平台的软硬件功能,而且还可帮助他们快速开发多核应用。此外,它还有助于应用在统一平台上使用 SYS/BIOS 和/或 Linux®。MCSDK 的各内核通常还可指定运行 Linux 应用,作为控制平台,而其它内核则可同时分配高性能信号处理工作。借助这种异构配置的高灵活性,软件开发人员可在 TI 多核处理器上实施**解决方案。在 TI OMAP-
德州仪器多核软件开发套件扩展至低功耗DSP+ARM®器件
华强电子网 (0)日前,德州仪器 (TI) 宣布推出基于低功耗 OMAP-L138 及 OMAP-L132 DSP + ARM9™ 处理器的多核软件开发套件 (MCSDK),帮助开发人员缩短开发时间,实现针对 TI TMS320C6000™ 高性能数字信号处理器 (DSP) 的扩展。为工业、通信、电信以及医疗市场开发各种应用的客户现在无需转移其它软件平台,便可升级至高性能器件。TI MCSDK 提供高度优化的特定平台基础驱动器捆绑包,可实现基于 TI 器件的开发。此外,MCSDK 还可为实现便捷编程提供定义明确的应用编程接口,支持未来向更高性能 的TI 多核平台的移植,因此开发人员无需从头设计通用层。MCSDK 不仅可帮助开发人员评估特定器件开发平台的软硬件功能,而且还可帮助他们快速开发多核应用。此外,它还有助于应用在统一平台上使用 SYS/BIOS 和/或 Linux®。MCSDK 的各内核通常还可指定运行 Linux 应用,作为控制平台,而其它内核则可同时分配高性能信号处理工作。借助这种异构配置的高灵活性,软件开发人员可在 TI 多核处理器上实施**解决方案。在 TI OMAP-L138 应用实例中
TEMHP产品解决对高性价比电路保护器件需求
华强电子网 (0)新能源汽车无疑会成为汽车将来的发展方向,TE也非常重视新能源汽车的发展。对于电动车市场而言,和传统汽车相比,电力驱动以及控制系统是电动汽车的核心,也是区别于内燃机汽车的*大不同点。而*近美国纯电动汽车制造商特斯拉的异军突起,也引爆了全球电动汽车市场。特斯拉所采用的电池就是一种锂电池,而TE公司在电池保护领域有独到的造诣,不仅在小功率的手机锂离子电池有完善的保护方案,而且针对电动汽车的高电压大电流锂离子电池也研发出来了MHP产品。这款MHP器件解决了市场上对高性价比电路保护器件的需求,可以取代或帮助减少在一些复杂IC/MOSFET电池保护设计中使用的场效应放电管和附属的散热器的数量。这款新型混合保护器件将双金属保护器与PPTC器件并联,提供了可复位过流保护,同时利用PPTC元件的低阻抗来帮助抑制双金属保护器在高电流下产生的电弧。在正常工作过程中,由于接触电阻非常低,所以大部分电流将通过双金属片。当电池故障情况发生时比如过流情况下,电池电路中将产生很高的电流,这导致双金属片触点打开,这时电流会通过与双金属片并联的PPTC,使得PPTC的电阻迅速上升,同时PPTC温度也会上升对双金属片进行加
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154 2013年10月24日 星期四阿尔卑斯绿色器件实施线圈项目的业务合作
21ic (0)阿尔卑斯绿色器件株式会社(位于东京都大田区,代表取缔役社长:岛冈基博)和东邦亚铅株式会社(位于东京都中央区,代表取缔役社长:手岛达也)就有关线圈项目的业务合作达成共识,并于10月22日签订了合同。以此加强双方在小型高效电力转换器件的开发,量产以及产品互相销售方面的合作。阿尔卑斯绿色器件公司自成立以来一直从事于利用阿尔卑斯电气和东北大学共同研发的独特材料-《Liqualloy™》开发的高效功率电感器和电抗器等产品的生产和销售。而东邦亚铅公司多年来则以各种铁粉芯电感器-《TAKRON COIL》为主,具有从磁性材料研发开始进行一条龍体制式生产和销售业绩。这次,两个公司通过在线圈项目方面的业务合作,加强了电力转换器件的开发量产体制,为满足小型化和高效化要求,应对高开关频率的电源电路(变流器、变频器等)的电力电子化趋势,将开发并提供新一代低损耗型电感电抗器。而且,通过积极利用阿尔卑斯电气的销售网络,在完善全球性销售体制的同时通过相互销售扩大事业规模。■业务合作内容1.Liqualloy™应用产品(磁芯、电感器、电抗器)的共同开发2.TAKRON COIL、Liqualloy™产品的互相销售
砷发镓器件市场收益规模继续增长
华强电子网 (0)Strategy Analytics砷化镓和化合物半导体技术服务(GaAs)发布*新研究报告《砷发镓行业预测:2012-2017》指出,2012年收盘势头强劲使得砷发镓器件市场小幅增长并刷新当年收益记录。整体市场约增长2%,以略高于53亿美元的收益收盘。增长主要来自蜂窝部分,而砷发镓器件大多其他部分持平或下跌。报告预测未来两年该市场增长高于平均水平,市场对蜂窝部分的需求放缓导致其增速低于史上平均水平。这些趋势导致的结果是2017年市场规模将略低于61亿美元。Strategy Analytics砷化镓和化合物半导体技术服务(GaAs)总监Eric Higham谈到:“2012年砷发镓器件市场收盘增长强劲,我们认为该趋势将持续至2013年。随着市场对蜂窝应用,尤其是功率放大器的需求增加,我们预测2013年和2014年的市场增长将高于史上平均水平。遗憾的是,随着富有竞争力的技术和新架构联合抢占市场份额及砷发稼器件市场增长缓慢,我们认为这一局面是短暂的。”Strategy Analytics战略技术实践(STP)总监补充到:“矽胶衍生物技术,尤其是CMOS和多频段功率放大器的发展势头将阻碍砷发
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155 2013年09月26日 星期四飞兆PowerSupplyWebDesigner增添功率链分立式器件功率损耗和效率分析工具
华强电子网 (0)飞兆半导体公司*近将Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在线设计和模拟工具,可在一分钟内提供完整的设计–进一步强化,引入传动系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率损耗和效率分析工具。这些新模型可根据输入和输出条件用于100 W至3 kW的设计,为设计人员提供功率因数校正(PFC)、相移全桥加次级端同步整流(PSFB+SR)功率链分立式器件分析,以及与这些拓扑相关的器件组合矩阵。根据用户指定的电气和机械规格,新模型可提供分立式功率半导体、变压器和电感设计值以及物料成本(BOM)的*佳组合。它还可以提供仪表盘视图,指示转换器系统和器件功率损耗、器件结温以及整个工作条件范围内的进一步组件微调。关于PSW模型,使用这些工具的设计人员能够接受默认的推荐值,或花些时间优化重要的细节以满足独特的设计需要。设计人员可以快速、准确地估计设计性能,并随时改进设计选择。这些工具还允许他们花时间执行详细的模拟分析,检验自己的设计及硬件原型能否顺利运行。功率链分立式模型由相移全桥和次级端同步整流(PSFB+SR)模型和功率因数校正(PFC)模型组成。它们是简单易用、
国家政策明确高速光器件与芯片技术优先发展
华强电子网 (0)据工信部网站消息显示,工信部近日印发了《产业关键共性技术发展指南(2013年)》。明确将“高速光通信关键器件和芯片技术”、“宽带光通信技术”列入优先发展的范畴,将利好光通信厂商。 业界多位光通信专家均表示,核心光器件和芯片技术研发是我国在光通信急需提升的一大领域。国际经验表明,**光器件产品将是未来光器件行业的发展方向。 目前,**的关键芯片技术掌握在国外公司手中,国内的**器件生产受到严重制约。芯片国产化、**化不仅能提升光通信厂商的竞争力,还能提高其利润率。工信部此举将利好光迅科技为代表的光通信厂商。不久前,由光迅科技牵头的《通信光电子器件的关键工艺与支撑技术研究》项目已顺利完成,该项目解决了制约我国光通信产业发展的瓶颈――“空芯化”问题。据悉,公司10Gb/sADP芯片于2013年Q3进入大批量生产阶段。“芯片受制于人是公司进入**市场的重大瓶颈,主要竞争对手垄断了**芯片,公司受制于芯片供应,特别是**的40G、100G产品难以量产。”一位匿名分析师如此表示。资料显示,“高速光通信关键器件和芯片技术”主要技术内容包含:窄线宽可调光源、调制及驱动器件、集成相干接收机、高速率模数
Vishay发布通过DLADrawing13017认证的可用于航空和航天应用的液钽电容器
华强电子网 (0)日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用通过Defense Logistics Agency(DLA) drawing 13017认证的玻璃钽密封的新款液钽电容器---13017电解电容器。器件可用于航空和航天系统,是业内首款通过DLA认证的液钽电容器,在+85℃下的反向电压达到1.5V,提高了抗振动(周期振动:50g;随机振动:27.7g)和热冲击(300次循环)能力。13017电解电容器具有Vishay的SuperTan®系列器件的所有优点,同时具有更高的反向电压,可实现更高的性能,并且增强了抗振动和热冲击能力,以提高可靠性,适用于航天和航空设备的电源里的定时、滤波、储能和脉冲电源应用。器件提供轴向T1、T2、T3和T4外形尺寸,电压为25V~125V,容量10µF~680µF,在120Hz和+25℃标准条件下的容量公差为±10%和±20%。13017工作温度为-55℃~+85℃,电压降额时温度可达+125℃,在120Hz和+25℃条件下的ESR低至0.70Ω。今天发布的电容器采用标准锡/铅(Sn/Pb)端接,也有符合RoHS的纯锡端接。130
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156 2013年09月11日 星期三Intersil推出具有3V-36V宽输入电压范围和内部补偿的多用途同步降压稳压器
华强电子网 (0)Intersil公司今天宣布,推出一款具有宽输入电压范围并集成同步FET和内部补偿的多用途同步降压稳压器---ISL85415。新一代通信、工业及消费系统需要开关稳压器来支持宽输入电压范围---ISL85415满足这一需求,它能够支持3V - 36V输入电压范围,可调输出电压范围从0.6V到输入电压的95%,支持PFM(跳频)模式,有效提高轻载效率。ISL85415集成了上管和下管,外围电路不需要MOS管和二极管,比传统buck电路设计更简单,更少外围器件,也节省了设计时间。设计人员需要时还可以增加外部补偿电路。宽输入电压和输出电压范围,再加上集成的同步FET和内部补偿,使它能够用*少外部元件实现高效、可靠的设计。特性和规格· 轻负载效率模式,提高轻载条件下的性能· 固定500KHz开关频率或可调节300KHz - 2MHz开关频率提供灵活的电感器选择· 仅80uA的静态功耗–电池供电应用的理想选择 通过Intersil的iSim™和在线设计/布线工具,设计简便 定价与供货ISL85415现已供货,产品采用4mm x 3mm
TeledyneLeCroy升级了超高速USB3.0协议分析仪平台
21ic (0)Teledyne LeCroy(力科)升级了其旗舰产品,USB协议分析仪平台,使其集成了标准的USB 3.0数据上传端口。可看作为一个超高速的USB 3.0器件,新的Voyager M3x能够以每秒400MB的速率发送捕获到的数据。作为Gigabit以太网和超速USB上传端口的共同特点,Voyager M3x能够帮助工程师减少调试时间并为测试USB 3.0系统和器件提供了更快速的工作流程。“Teledyne LeCroy(力科)的协议分析仪平台代表了超高速USB 3.0数据上传的一个理想的应用情形”,Teledyne LeCroy协议分析仪方案组产品研发VP,Michael Romm说。“更快的数据传输,结合行业***的模拟探测技术使得Voyager M3x成为USB 3.0验证的无可匹敌的测试平台。Voyager M3x来源于Teledyne LeCroy(力科)公司的市场**的协议分析仪Voyager M3i,并提供了相同的分析仪、训练仪,以及该旗舰系统中的一致性测试能力。除了新的更小的外形,Voyager M3x包括了内嵌的CrossSync端口,使得多菊花链分析仪系统的协议通信
探月工程总结软件典型案例提升软件设计水平
单位:304所 (0)近日,探月中心委托航天科工304所编写的《探月与航天工程软件 /FPGA典型案例分析及设计参考》经过专家评审。该案例及设计参考将为探月工程软件及FPGA可编程器件研制积累宝贵经验,并将有助于航天工程软件技术人员有效提升软件设计水平。《探月与航天工程软件 /FPGA典型案例分析及设计参考》归纳总结了“软件典型案例及设计参考”及“FPGA典型案例及设计参考”共119条设计细则。该文件是在广泛征集探月工程各研制单位、评测单位在研制、试验和测试过程中发现的软件及FPGA典型问题形成的。作为探月工程**份贴合工程实践的软件及 FPGA 技术经验总结性文件,该文件内容详实、案例生动,对探月工程相关技术人员具有较高的借鉴意义。
LED器件价格再跳水封装厂商打响规模战
高工LED (0)今年上半年LED照明市场供应起量,从上游芯片到中游封装再到配套的设备都赶上了好时候,不少公司营业收入的增长纷纷提速。但看似一片利好的同时,白光器件价格却呈现快速下跌趋势。从当前各封装上市公司发布的半年报看,各公司的白光器件毛利率也纷纷呈下跌趋势。主营白光业务的鸿利光电(SZ.300219)白光器件营业收入增长20.34%,但Lamp LED 毛利下滑9.35%,SMD LED 毛利下滑9.84%;瑞丰光电(SZ.300241)LED照明器件营业收入增长49.23%,毛利比去年下降4.89%;聚飞光电LED照明器件营业收入4390.23万,较去年增长42%,毛利为20.16%,但下降5.59%。今年LED白光器件需求大涨,如果按照往年价格下跌幅度,白光封装企业的日子应该过得相当不错。但现在白光器件价格下降过快,大厂还可以通过扩产弥补一定的利润,中小企业却呈现出大面积倒闭、人人自危的情况。价格再跳水年初,业内人士预估,今年LED器件的价格大概不会出现往年大幅下跌的态势。在供货量上升的同时,白光照明器件的价格却一路走低,这是大家所未料及的。“上半年5630、5730价格下降很快,但2835相