全球第2大NAND型快闪存储器厂东芝(Toshiba)目前正针对半导体事业子公司“东芝存储器(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)”的出售案和日美韩联盟等阵营展开协商，而东芝为了展现其在NAND Flash的技术实力，于6月28日宣布，将在明年量产全球首款采用堆叠96层制程技术的3D NAND Flash产品，且也试作出全球首见、采用4bit/cell(QLC)技术的3D NAND Flash产品。而东芝再出招，宣布已试作出全球首款采用硅穿孔(TSV)技术的3D NAND Flash产品、并将在年内送样。
东芝11日发布新闻稿宣布，已试作出全球首见、采用TSV技术的3bit/cell(QLC) 3D NAND Flash产品，并已于6月开始提供研发用试作品、之后计划在2017年内提供样品出货。上述试作品将在8月7-10日期间于美国圣塔克拉拉举行的“Flash Memory Summit 2017”上进行参考展示。
东芝表示，上述试作品采用堆叠48层制程技术，成功提高省电性能，且和采用打线接合(Wire bonding)技术的产品相比、其电力效率(每单位电力的数据传送量、MB/s/W)可提高至约2倍水准；另外，借由堆叠16片512Gb芯片、成功实现了1TB的大容量产品。
根据嘉实XQ全球赢家系统报价，截至台北时间12日上午9点12分为止，东芝上扬0.04%至251日圆，表现优于日经225指数的下跌0.35%(9:12时报价)。
东芝目前已选定日美韩联盟作为TMC的优先交涉对象，不过因与该联盟的协商脚步延迟，故东芝已重启和鸿海(2317)、WD的出售协商。
东芝近来积极展现3D NAND的技术能力，不过对此，韩国媒体称东芝可能是为了出售存储器部门，蓄意放出消息、操弄媒体。
韩媒BusinessKorea 3日报导，东芝和WD为了东芝存储器(Toshiba Memory Corporation、TMC)出售案，搞到撕破脸互告。韩国业界人士称，东芝财务吃紧，被迫出售存储器求现，避免因为资本减损(capital impairment)下市，怀疑东芝有能力投入庞大资金、进行研发。
相关人士猜测，东芝发布96层3D NAND新闻稿，可能是想操纵媒体，炒热存储器业务买气。此一消息可以突显东芝半导体的技术优势，有望抬高售价、加速出售脚步。他们表示，东芝在这个时间点放出该讯息相当可疑。
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