Advanced Substrate News报导，采用先进SOI技术制造的FEM已经应运在所有智能型手机上，截至目前止，RF FEM都是以8吋SOI晶圆制造，但随着需求持续增加，以及4G LTE-A(以及之后的5G)逐渐普及，RF-SOI(射频绝缘层覆矽)未来展望看俏，因而需要更大型的晶圆来生产。
Soitec握有许多相关技术及8吋晶圆RF-SOI制造经验，量产12吋SOI晶圆对Soitec也非新鲜事。不过，*新加入产品线的先进RFeSI90晶圆要求更**的技术，Soitec多年前与伦敦大学学院(UCL)合作找出突破瓶颈的方式，以便催生更高度整合的IC，为先进的4G/LTE通讯，乃至于新世代无线技术包括5G应用铺路。
Soitec现在迈入12吋晶圆制程，其SOI基板同时容纳了天线转换器、调整器和部分功率放大器，以及智能型手机和相关移动装置的Wi-Fi电路。事实上，Soitec的新技术已获多数主要RF半导体厂采用，借此来降低成本、提高效能和整合3G和4G/LTE。
Soitec旗下通讯和电力事业**副总裁Bernard Aspar表示，*新12吋RF-SOI技术提升Soitec制造产能，客户不仅可改善效率，有了更大型晶圆的制造厂做后盾，生产线也多了更多的调整空间。
不过，8吋RF-SOI晶圆目前需求仍强劲，因此Soitec在投入更先进的12吋RF-SOI生产之际，也提高8吋晶圆产能。2015年秋季Soitec宣布决定与大陆上海新傲科技合作，利用Soitec的Smart Cut技术为该公司在大陆客户，以及全球OEM客户制造SOI晶圆。
Soitec过去18个月以来已送出12吋RFeSI90样品进行产品认证，对于新的12吋 RF-SOI产品达到新里程碑和杰出表现助益良多。事实上，为了确保客户得到想要的产品效能，Soitec工程师甚至开发出新的方式，以预测该公司晶圆产品效能。
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