抢攻物联网商机，意法半导体(ST)宣布推出新系列微控制器—STM32H7，适用于工业闸道器/人机介面、家庭自动化、电信设备、消费性电子，以及高性能马达等。该系列微控制器采用40nm制程，大幅提高运算效能，并内建1MB SRAM及2MB快闪记忆体，进一步提升储存容量，降低嵌入式系统开发复杂度，加速产品上市时间。
意法半导体**行销经理杨正廉表示，物联网应用已成市场关注焦点，其主要架构便在于云端、闸道器(Gateway)及相关设备，而面对未来越来越多的数据资料，微控制器的记忆体容量和运算能力势必也须跟着提升。因此，该公司新推出的STM32H7系列便是强调有足够的记忆体和效能；同时，在物联网世代，产品的**性也是不容忽视，新产品也强化其**防护机制，如支援加解密运算，并增加乱数产生器，可与加解密运算达到相辅相成的效果。
杨正廉进一步指出，此一产品也特别强调快闪记忆体保护(Flash Protection)机制。不论是现在或是未来，电子产品受到骇客入侵的机率越来越高，或是客户在进行软体升级时资料被盗用。为因应此一情形，该产品也针对Flash Protection的**防护上下了一些功夫，例如采用密码演算法或是**金钥储存，确保物联网硬体资料**无虞，或是客户在进行Firmware升级其软体IP不至于被盗取。
据悉，新系列微控制器采用400MHz ARM Cortex-M7核心，具备高运算能力，同时采用40nm制程技术更是使该产品得以大幅提升储存容量的主要原因，使其得以结合2MB双区快闪记忆体和1MB SRAM大容量记忆体，让开发人员不再受到记忆体资源限制，可自由开发更先进复杂、功能丰富的应用。
另外，除提升运算性能和晶片上开发资源，STM32H7系列微控制器还结合STM32 Dynamic Efficiency节能技术，工作功耗较上一代产品降低一半，且其功耗优化还包括动态电压调节和资料批次处理模式。前者可按照性能需求调节功耗，后者则可直接将资料批量送入记忆体，而毋须将MCU从节能模式唤醒。
在储存方面，意法还开发数个支援动态效能电能管理的储存区域，其分别为D1、D2、D3。这三个区域分别用于处理密集型任务，以及透过高性能AXI汇流排矩阵互连的外部周边(D1区域)、通讯连接任务(D2区域)和节能分的批次处理任务(D3区域)，为了*大化节能效果，每个功耗区域都能独立开关。
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