老杳推出个人微信公共平台，主推原创及重大突发事件分析，欢迎搜索公共号：laoyaoshow
1.半导体整并潮 赛灵思可望跟上；
半导体产业近来掀起一股整并热潮，迹象显示美国晶片业者赛灵思（Xilinx）可望搭上整并列车，带动该公司股价走扬。
赛灵思周四股价收涨8.59％，报46.78美元，优于预期的第3季业绩并非推动股价上扬主因，而是该公司可能成为收购对象。周五美股开盘赛灵思股价上升1.85％，报47.65美元。2015年赛灵思股价累计上涨9％。
赛灵思发布业绩时亦揭露，已向美国证管会（SEC）呈报与5位**高阶主管签订控制权变动（change of control）条款，包括执行长卡夫利罗（Moshe Gavrielov），目的在公司经营权出现变动时给予员工保障。
卡夫利罗于法说会表示：“晶片产业显然出现大规模整并，外界普遍预期这股趋势将延续。”他补充控制权变动合约纯粹让公司的薪酬与一般公司相同。
BMO 资本市场分析师史里维斯特瓦（Ambrish Srivastava）表示：“控制权变动条款大幅提升赛灵思可能被其他公司收购的可能性。在我们追踪研究的企业中，上次出现此条款是赛灵思的竞争对手－晶片设计业者阿尔特拉（Altera），后者*终被英特尔（Intel）以167亿美元高价收购。”
史里维斯特瓦表示，美国手机晶片大厂高通（Qualcomm）和中国清华控股可能是潜在买家，不过高通更可能出手收购，借此交易拓展手机以外业务。
BMO资本市场将赛灵思的投资评等由“符合大盘表现”上修至“超越大盘”，目标价由44美元调高至57美元。
总部设于加州的赛灵思上季净利达1.308亿美元，或每股盈余（EPS）49美分，符合分析师预期，但低于前一年同期的1.685亿美元或62美分。上季营收下滑4.6％至5.662亿美元，但优于市场预估的5.546亿美元。
2.物联网抢单大赛**起跑 全球芯片大厂强力动员；
物联网(IoT)相关芯片市场大战**开打，全球芯片大厂英特尔(Intel)、三星电子 (Samsung Electronics)、高通(Qualcomm)及联发科等纷瞄准物联网商机，竞相推出相关芯片产品，尽管目前重量级客户还未现身，然这几家半导体大厂均全力擘画物联网蓝图，希望吸引潜在客户下大单。
英特尔在2015年推出开放型整合芯片组 Curie，希望加速开拓商用物联网市场，并拉拢更多合作厂商，Curie可让物联网***应用在穿戴式装置、游戏机等各种装置上，内含资讯处理、存储器与通讯芯片，搭载6轴整合感测器(Combo sensor)，可在低电量下侦测加速度与动作，可测量使用者的运动量、步数与移动距离等数值。
英特尔自第1季起将以不到10美元的价格供应Curie芯片组，并透过美国实境竞赛节目America’s Greatest Makers，提供100万美元奖金，吸引参赛者使用Curie创作穿戴式或智能装置，不仅搜集创意，亦达到宣传效果。
三星2016年将量产物联网用途的开放型芯片组Artik，正积极寻找可能的客户，三星为扩大芯片应用范围，将Artik依功能与尺寸区隔，推出可用于门锁、智能灯具、火灾侦测器等超小型低功率装置用的Artik 1，用于相机或智能手表等小型高阶装置的Artik 5，以及用于智能型电视、无人机等大型复合装置的Artik 10。
另外，三星还推出健康医疗用途的物联网生物芯片组Bio-Processor，可测量体脂肪、骨骼肌肉量、心跳与皮肤温度等资讯，预计2017年上半搭载Bio-Processor的小型健康管理装置便会推出。
高通物联网芯片锁定无人机与智能车等领域，高通日前透过腾讯、零度智控等大陆业者的无人机，展出无人机用芯片组Snapdragon Flight；高通亦推出智能车用芯片组Snapdragon 820A，能提供汽车导航的先进驾驶辅助系统(ADAS)等功能，并协助采用高通车用应用处理器(AP)的奥迪(Audi)、BMW等客户，开发自动驾驶功能。
高通计划透过既有无线通讯芯片产品客户群，扩展物联网芯片市场势力，2015年高通透过物联网应用市场创造约10亿美元营收，并期望2016年物联网芯片事业营收再成长10%。
至于联发科则透过独立事业处(BU)专注物联网芯片发展，不仅持续扩充研发人员规模，并锁定穿戴式装置、智能家居等应用领域，近期已推出家庭物联网方案MT7697，可将各类小型装置、智能电器连结至手机及云端应用等。Digitimes
3.联发科10、16nm**芯片 今年到位；
市场传出，联发科高阶智慧手机晶片将跳过16奈米，直攻10奈米制程技术。联发科表示，今年将会推出16奈米晶片，也会推出10奈米晶片产品。
联发科表示，今年将会推出16奈米晶片，也会推出10奈米晶片产品（图为联发科晶片，联发科提供）
联发科高阶智慧手机晶片曦力X20采用28HPM制程技术，随着对手高通骁龙820新处理器采用三星14奈米制程，市场关注联发科16奈米产品推出进度。
联发科高阶智慧手机晶片曦力X20采用28HPM制程技术，随着对手高通骁龙820新处理器采用三星14奈米制程，市场关注联发科16奈米产品推出进度（图为联发科旗舰产品helio X20应用处理器，取自联发科官网）
联发科副董事长暨总经理谢清江于去年10月底法人说明会中曾表示，16奈米晶片将依计画于今年第1季末推出。
市场近日传出，联发科原本计划采用16奈米制程的曦力X30临时喊卡，将改为冲刺10奈米制程技术，预计今年底送样，将可超前高通推出10奈米晶片。
联发科表示，今年推出16奈米晶片计画不变，也将会推出10奈米晶片产品；只是相关细节，目前不便透露。（中央社记者张建中报导）
4.联发科：Helio X10 的 Wi-Fi 断流问题可通过设备软件更新解决；
你手上有搭载 Helio X10（MT6795）芯片的移动设备吗？如果有的话，是否遇到了 Wi-Fi 会间歇性断流的问题？关于这件事，坊间近来有越来越多针对此故障的用户回馈，而时至今日，生产商联发科终于出来发布了正式声明。按照他们的说法，断流是由于「少部分」使用 X10 的产品在「搭配某些版本软件」时，因「特殊外围环境」而产生的「低概率偶发」事件。之后只要用户对自己的设备进行相关的软件升级，就能解决这一问题。
据了解，在受到影响的产品当中，比例*高的应该是来自小米的红米 Note 3（双网通版本）和魅族的 MX5。不过我们在评测期间并未发现两者有此问题（运气比较好？），但如果你一直受其所扰的话，近期就多留意一下系统升级，看看更新后会不会有所改善啰。engadget
5.新一代芯片不再只靠硬件设计 系统、应用成发展关键；
半导体进入10纳米制程以下后，要顾及的不只是硬体开发，同样也得顾及装置的应用与周边科技。而愈是先进的制程，效能就越得靠应用和软体来表现出来。
据Semiconductor Engineering报导指出，目前芯片产品设计主要有三大考量，一是成本，二是效能，三是功耗。几乎所有芯片设计都得符合功率预算(Power Budget)，包括电费、数据中心的散热成本、或能源采集成本等等。
摩尔定律发展速度开始减缓，也愈来愈难实现*初的预言，因此产业界也不得不展开许多转型。Microsemi技术长Jim Aralis表示，产业正经历****的转型，由于制程限制与相关成本关系，芯片的传统设计与使用方式也不得不改变。
从芯片层级来看，可发现芯片设计愈来愈异质化，而在电路层级方面，则为了确保产品规模更进一步发展，而愈趋模拟化。除此之外，存储器也愈来愈重要，包括*佳存储器类型以及存储器的资料路径结构。
混合存储器立方(HMC)、高频宽存储器(HBM)等新式存储器结构也开启芯片速度的新可能性。就连嵌入式快闪存储器也开始转向更**、高密度的替代方案，例如一次性可程式化存储器。
进入物联网(IoT)时代，尤其是在工业应用与新型消费者应用部份，设计密度也成为关键议题。有许多应用都属于程式码密集型，得在存储器内设定许多程式码，即时执行芯片内建存储器电脑运算。
而由于物联网所需处理的资料量庞大，芯片密度也变得更加重要。此外，云端服务器与路由器也需要即时电脑运算，而这也需要更大的存储器密度。物联网与科技趋势影响所及不只限于硬体，而是影响整个半导体生态系统。
传统半导体产业当中，芯片只要做得愈小、愈快、且密度愈高、成本愈低即可。然在万物联网新时代，制程微缩将不再是万用解决方案，半导体不论在材料、微影、制造方面都得有进展，芯片不再是**需要改进之处。
专家分析认为，半导体业**会从系统、应用、软体层级开始，尤其是在万物联网当中，将有许多低阶、低复杂度、功能有限的装置，而这些装置又将与复杂的服务器、网路装置进行连结。
10纳米以下芯片制程也将受限于物联网应用装置体积，即使产业开始拓展应用发展，早期开发成本也将相当昂贵。因此，为了缩短上市时间、增加产品稳定性，市场也开始出现愈来愈多可程式化的解决方案。
像是2.5D与扇出型(fan-out)等先进封装以及专用的FPGA，Marvell的模组芯片架构MoChi与台积电的整合式扇出型晶圆InFo都属于此类。
未来芯片设计也将愈来愈仰赖第三方IP，而由于关键IP的研发成本高昂，IP的成本与可取得性也将决定芯片的效能、成本以及晶圆代工选择。其他的商业模式则包括自行开发IP并整合入FPGA、封装或复杂的SoC，或者厂商也可自行开发在不同处理器上运行的运算式。
总结而言，半导体设计具备多重面向，可从商业、技术及需求等层面来看，并不只是有了产品就自然会有需求如此简单。芯片不论在成本与经济上都有重大改变，而厂商得思考何种模式是*具成本效益、可套用于多种应用的*佳解决方案。Digitimes
6.韩半导体以投资研发 积极对抗景气困境
从2013年以来持续成长的DRAM市场，2016年展望值首度出现衰退。为突破半导体市场的不景气，三星电子(Samsung Electronics)致力升级微细制程技术；SK海力士(SK Hynix)则准备以史上*大规模的投资计划应战。
韩国半导体业界自年初就弥漫紧张感，DRAM价格持续下跌，搭载DRAM的PC、智能型手机、平板电脑等市场需求也在萎缩。从2013~2015年一直维持成长的存储器市场，2016年展望值首度出现衰退。三星、SK海力士借着技术研发与大胆投资，试图突破市场困境。
据韩国经济报导，三星致力升级微细制程技术，日前宣布应用14纳米**代鳍式场效晶体管(FinFET)制程的移动系统单芯片(SoC)开始量产。14纳米**代FinFET制程比**代耗电量节省15%，性能提升15%。
三星在2015年1月率先业界，量产应用14纳米FinFET制程的Exynos 7 Octa；2016年以**代FinFET制程同时量产Exynos 8 Octa与高通(Qualcomm)Snapdragon 820等代工产品。**代制程产品预定将搭载于2016年3月上市的Galaxy S7(暂称)。
无论在资料处理速度或性能上，三星制程水准都在业界名列前茅，而借着这次量产的机会，三星代工事业收益性可望更上一层楼。
另一方面，SK海力士2016年则将执行史上*大规模，上看6.5兆韩元(约53.5亿美元)的投资计划。由于2015年投资规模为6.4兆韩元，因此根据估计2016年投资至少增加1,000亿韩元，约6.5兆韩元。
SK海力士相关人士表示，经营条件虽然困难，为了奠定未来的成长基础，仍然必须抢先投资。
SK海力士2013年起就持续扩大设备投资，以拓展竞争力。2013年投资3.6兆韩元、2014年5.2兆韩元，2015年京畿道利川M14厂竣工，完成量产系统的整顿。SK海力士2014年的营业利益首度突破5兆韩元的纪录，也被业界归功于大胆投资带来的效果。
2016 年SK海力士的投资重点将放在开发技术、强化成本竞争力与建构相关基础设施等方面。除了致力于10纳米级DRAM、3D NAND Flash的开发与量产，同时也会持续在韩国利川与清州地区进行兴建新厂的投资。已知SK海力士曾在2015年8月宣布，后续将投入46兆韩元建设M14 等3间新厂。
韩国半导体产业协会常务安基贤(译名)表示，连大陆都跨足存储器半导体市场，让韩国业界充满危机感，现在强化技术并透过投资维持竞争力，比任何时候都更为重要。Digitimes
公安机关备案号：
