全球*大半导体设备厂应用材料宣布，利用钴金属**取代铜当作导线材料，以协助客户**推进至7奈米以下制程，并延续摩尔定律，目前将主要应用在逻辑芯片当中，也可望协助客户在3D NAND架构中维持效能及良率。
由于智能手机及平板计算机需求广大，显示行动时代不断需要更高规格配备，新应用也不断发展，以高效能芯片如何突破现有速度、功耗更低及储存空间更多为例，势必就得不断延续摩尔定律，从现有的10奈米制程节点向前演进至个位数奈米制程。
不过，10奈米以下制程技术含量高，且若用现有材料导电速度将会不如以往效率。 因此，应用材料昨（17）日宣布，将以钴金属在个位数奈米制程节点**取代现有的铜金属当作导线材料，导电效率有显著提升。
应用材料半导体设备事业群金属沉积产品部**经理陆勤表示，将现有的芯片为缩到7奈米及以下制程是目前在半导体历史中*困难的技术挑战，产业界技术蓝图的精进有赖组件设计、制程技术及新材料的**，因此应材耗时3年时间，研发出以钴取代传统铜的需要，以确保组件效能更高、良率更佳，维持客户竞争力与推进技术蓝图的主要驱动力。
以钴金属**取代铜当作导线材料，将可能在7奈米制程进行学习阶段，在5奈米制程客户端有望**导入。 在机台部分可望持续沿用当前的Endura平台，进行技术及零件升级即可采用钴当作导线材料。
Endura能在关键的阻障层及重晶层进行沉积，使制程先进的导线成为可能，当业界到达10奈米以下，岛县内非常的薄的薄膜就需要在控制良好的环境中，有够精准材料工程及接口，这套系统能支持*多8个制程反应室，方便半导体厂能将各个制程技术同时整合在同一平台上。
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