继与中国中车、深圳比亚迪微电子结成战略产业合作联盟之后，日前，上海先进半导体制造股份有限公司（简称“上海先进”）与国家电网智能电网研究院（简称“国网智研院”）在北京成功签署了战略合作协议。

签约仪式由国网智研院党组书记、副院长邱宇峰主持，国网智研院党组副书记、院长滕乐天、上海先进董事长陈建明、董事陆宁出席了签约仪式，电力电子所书记兼副所长潘艳与上海先进主持**工作的副总裁周卫平代表各自单位签署了战略合作协议。

上海先进董事长陈建明告诉《中国电子报》记者，双方将充分利用各自的优势，将具有自主知识产权的IGBT核心关键技术和半导体芯片制造技术进行强强联合，共同推进IGBT设计与芯片制造进程，突破国外的技术垄断，加速推进智能电网用IGBT芯片国产化进程。

打破国外技术垄断

随着国民经济的迅速发展，能源紧张、资源与消费分布不均衡，环境污染等问题也随着显现，需要发展高效、绿色的输变电技术，如柔直输电、新能源并网、电力电子装置等技术。同时针对未来智能电网对电力装置更大容量、更低损耗、更小发热量的要求，需要研发更高电压、更大容量、更高结温的全控型电力电子器件，其核心器件绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片，目前被国外少数公司拥有和垄断。

国家电网智能电网研究院为国家电网实现更**、更经济、更清洁、可持续的电力供应的基本使命提供技术保障，是国内**、国际**的电工装备研究院，承担着智能电网用IGBT的研究开发运用的重任。

上海先进是我国改革开放后**引进国际先进技术的大规模集成电路制造企业之一，经过二十多年来的引进、消化、吸收国外先进的半导体制造技术，逐渐形成以电源管理、功率器件为特色的技术工艺平台，特别是在汽车电子、IGBT、TVS等特定的领域处于国内**地位。上海先进从2004年开始制造IGBT晶圆，至今累计为国内外客户制造IGBT晶圆数量超过80万片，具备完整的IGBT制造工艺能力。

上海先进在高压大电流IGBT晶圆制造领域拥有国内**的工艺技术，国网智研院在IGBT芯片设计、压接式封装、装置应用方面有着丰富经验，双方合作将形成完善的产业链，有望填补电网用高压大电流IGBT芯片与模块产品国产化空白，满足巨大的市场需求，具有重要的经济性和战略性意义。

在此之前，上海先进与国网智研院已开始了密切合作，先后启动了1200V、1700V、3300V、4500V IGBT等项目的研发，对智能电网用压接式特殊工艺、聚亚酰胺等关键工艺技术进行攻关，特别在2015年3300V IGBT项目取得重要进展，在**工作区等动态性能关键指标上取得重要突破。双方计划在北京***“张北示范工程”项目中**应用具有完全自主知识产权的智能电网用3300V IGBT。

上海先进与国网智研院签署战略合作协议，是双方加强合作的重要里程碑，将推动双方合作迈上新的台阶，让原有的友好合作更密切、更有效、更具体地进一步推进。在战略合作协议的指引下，双方将逐步整合完善产业链，深化各环节的研发，落实技术瓶颈的突破，加快实际产品的产出时间，从而在市场中争取有利地位。双方充分利用各自的优势，将具有自主知识产权的IGBT核心关键技术和半导体芯片制造技术进行强强联合，共同推进IGBT设计与芯片制造进程，突破国外的技术垄断，加速实现智能电网用IGBT芯片国产化进程。

对接《中国制造2025》

《国家集成电路产业发展推进纲要》的颁布，让中国的集成电路产业发展迎来了黄金年代，上海先进也借乘东风积极谋划企业的发展路径。在国务院《中国制造2025》精神的指导下，上海先进积极落实制造强国战略**个十年的行动，按照上海市十三五规划关于集成电路产业发展的要求，根据企业自身的特点，**发展，加快企业转型升级步伐，

陈建明表示，为了对接《中国制造2025》，上海先进将分三个阶段参与国家战略发展，即生产制造一代，与比亚迪在新能源汽车领域进行合作；研发试验一代，与中国中车在轨道交通领域进行合作；规划推进一代，与国家电网在智能电网领域进行合作。

上海先进坚持“在深化拓展国际市场的同时，以建立建设国内战略产业联盟为中心，全力以赴开拓国内新市场”的中长期发展规划纲为指导，充分发挥在模拟电路、功率器件，特别是IGBT等特殊工艺的制造技术优势。

此次与国家电网签署战略合作协议，是上海先进在联合中国和世界*大的新能源汽车制造商比亚迪率先实现新能源汽车用IGBT产品市场化、与中国和世界*大的轨道交通设备制造商中国中车共同研发成功完全自主知识产权高压大电流轨道机车用IGBT后，在国家基础建设层面对上海先进IGBT晶圆制造工艺技术给予的高度肯定。

上海先进在参与国家智能电网建设的同时，也为企业开拓国内新市场再添新的增长点。下一步，上海先进将继续专注于集成电路产业特殊工艺的技术开发、工艺升级，主动融入国家战略体系，为民族品牌植入中国“芯”，致力成为****的模拟电路、功率器件芯片的制造企业。 （赵 晨）