三星电子(Samsung Electronics)日前更新其代工技术蓝图，详细介绍该公司的**代FD-SOI平台进展、多种块材矽(bulk silicon) FinFET制程微缩至5nm，以及计划在2020年推出4nm“后FinFET”结构制程。
三星在上周宣布拆分其代工业务成为独立单位，称为Samsung Foundry，同时重申先前发布的计划——在2018年7nm节点时将极紫外光(EUV)微影技术投入生产。
三星代工行销**总监Kelvin Low表示：“我们极其积极地经营我们的开发蓝图，不只是作规划，而且也宣布未来三到四年内要做的事。”
在该公司于加州举行的年度代工技术论坛上，三星发布的重大技术突破是其专有的下一代产品架构，称为多桥通道场效电晶体(MBCFET)。据称这种结构是三星自行开发的全包覆式闸极场效电晶体(GAAFET)专有技术，采用奈米薄片元件，克服FinFET架构的实体微缩与性能限制。
三星的开发蓝图计划在2020年时以4nm低功耗(LPP)制程投产MBCFET技术。
而从现在到2020年，三星预计今年将投产8nm LPP制程，明年推出搭配EUV微影的7nm LPP制程，而在2019年计划推出5nm和6nm LPP制程。
EUV长久以来承诺可成功实现193nm浸润式微影技术，如今终于发展到即将投入生产之际。三星主要的竞争手——台积电(TSMC)与Globalfoundries，均已宣布在2019年将EUV用于生产的计划了。
三星已在制程开发中展现250W EUV光源生产的目标。根据Low，透过EUV微影，可望达到每天1,500万片晶圆的产能。三星目前已能达到每日1,000片晶圆产能，并且有信心很快就能实现1,500万片晶圆产能的目标。
三星半导体部门总裁Kinam Kim发布该公司的代工制程蓝图
“我们有信心能准备好在2018年将EUV投入生产，”Low说：“这已经不再只是概念性的开发蓝图。”
Low表示，相较于其竞争对手，三星将10nm节点视为“长前置期节点”(long-lead node)，即在相当长的一段时间内可为客户提供先进设计所要求的性能和功耗。
“只要功耗、性能和生产规模达到预期的目标，我们认为这就会是一个非常有生产力的节点，”Low说。
三星还详细介绍了计划在2019年投入生产的18nm FD-SOI制程技术。预计在提供**代FD-SOI平台之前，该公司将借由整合射频(RF)与嵌入式MRAM，逐步扩展现有的28nm FD-SOI制程至更广泛的平台。相较于上一代平台，三星预计其**代FD-SOI平台功耗更低40%、性能和尺寸优势也提升了20%。
编译：Susan Hong
(参考原文：Samsung Targets 4nm in 2020，by Dylan McGrath)
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