三星电子(Samsung Electronics)表示，10纳米FinFET制程晶圆代工顺利进行，良率也逐渐提升，准备提出8纳米与6纳米制程技术蓝图，向客户介绍更先进的技术。
据韩媒Money Today报导，三星在2016年10月启动**代10纳米FinFET LPE(Low Power Early)制程量产后，至今已出货7万片。2015年三星**自家3D垂直构造的FinFET技术，加工各种移动装置产品。
三星系统LSI事业部晶圆代工组长尹宗奭(音译)表示，公司研发出的10纳米制程使其成为改变业界游戏规则者(game changer)，除了10纳米LPE之外，2017年底与2018年初将陆续发表10纳米LPP(Low Power Performance)与10纳米LPU(Low Power Ultimate)。
尹宗奭提到的LPP与LPU是三星**代及第三代10纳米制程，性能与功耗将比**代LPE更为优异。
三星并准备发表分别以10纳米与7纳米技术为基础的8纳米、6纳米制程技术蓝图，以争取更多客户需求。其即将在5月24日于美国举行三星晶圆代工论坛(U.S Samsung Foundry Forum)，届时将公开8纳米与6纳米技术蓝图。
据了解，目前三星的10纳米技术采用多重曝光(Multiple Patterning)，7纳米技术准备采用极紫外光(EUV)显影设备。
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