SK海力士2017年资本支出将逾60亿美元

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SK海力士(SK Hynix)2017年第2季创下史上*佳业绩表现,季营业利益率也上升至46%,傲视全球科技同业。由于存储器市场持续看好,加上资料中心需求增温,SK海力士决定扩大2017年支本资出规模,目前计划7兆韩元(约62亿美元),但未来不排除往上加码至9.6兆韩元,进行攻击性投资。多家韩媒报导,SK海力士2017年第2季营收约为6.7兆韩元,营业利益约为3.1兆韩元,其中营收较2016年同期增加70%,营业利益更是2016年同期的6.8倍,正式开启营业利益3兆韩元时代的序幕。SK海力士相关人士于2017年第2季法说会中表示,预计2017年DRAM生产规模将较2016年增加3~5%,因此总资本支出规模可能高于原先预期的7兆韩元。此外,大陆无锡厂及韩国清州厂完工时间预计为2018年第4季,也较当初规划的时间提前半年左右。2017年上半SK海力士的资本支出已超过5兆韩元,主要为韩国清州M14厂的3D NAND Flash投资。另一方面,为了确保DRAM竞争力,也进行额外研发投资。由于存储器市况看好,SK海力士也决定展开大规模投资,以延续甜美果实。不过包括三星电子(Samsung Electronics)在内的两大韩厂,近日不断宣布大手笔投资,其实也引发各界正反两极的看法。2017年第2季SK海力士业绩表现良好的主因,在于由云端服务带动的伺服器用DRAM与NAND Flash商机,高容量、高效能存储器出现了物以稀为贵现象,价格不断走扬。SK海力士相关人士表示,伺服器用存储器需求不断增加,不但使2017年第2季出货增加,平均销售价格也上升11%。展望2017年第3季,随着新款iPhone等旗舰手机上市,也将带动移动存储器需求增加。全球存储器市场需求增温,加上供给并不充足,短期内产品价格走扬情况恐怕不会止歇。随着SK海力士扩大21纳米制程DRAM生产,及3D NAND Flash量产走稳,生产成本降低效应开始浮现,预估2017年SK海力士全球营收将突破10兆韩元,2018年更有可能上看12兆韩元。SK海力士*近也积极投入产品研发,目前SK海力士72层3D NAND Flash已进入生产样品阶段,预计*晚2017年第3季末,完成移动与一般消费性SSD的72层3D NAND Flash产品研发。

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