紫光集团董事长赵伟国
大陆紫光集团在2016年终正式宣布投资总额高达240亿美元，在武汉东湖高新区兴建全球单一*大3D储存型快闪存储器（NAND Flash）厂，为全球存储器市场投下一颗震撼弹。
半导体设备业透露，紫光集团由旗下长江存储公司负责推动这项计画。紫光集团暨长江存储董事长赵伟国甚至将这项投资案，等同辽宁号航空母舰出海试航，是中国大陆存储器产业从零突破的开端，也创下由国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作的新合作模式。
由紫光集团联合国家集成电路产业基金（大基金）、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资，并结合武汉、上海、矽谷及台湾等研发人员，决定以自主研发投入生产3D NAND Flash设计、制造。
由长江存储主导投资的3D NAND Flash厂，位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，占地高达1,968亩，将建立三座全球单座洁净面积*大的3D NAND Flash厂房，一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，**期计画预定2018年建成启用投产，2020年全部完工，月产能将达到30万片，年产值将超过100亿美元。将成为全球*大单一NAND晶片制造厂。
至于后续的封测，以南茂为主要封测平台，但力成也积极接洽争取。
紫光高层并透露，长江存储将会等到取得国际大厂授权，或自主研发技术达到成熟阶段，才会跨足DRAM制造，绝不会窃取他厂的技术或**投入生产。
紫光集团董事长赵伟国上月30日宣布这项投资案，当天包括：**工信部副部长刘利华、工信部电子信息司司长刁石京、国家发改委高技术产业司副司长孙伟、国家集成电路产业投资基金公司董事长王占甫等人，与湖北省副省长许克振，武汉市委、常务副市长龙正才、东湖高新区党工委书记胡立山等重要官员都亲自出席，为中国大陆跨足建立自主存储器技术且是历年来单笔*大投资案做见证。
业界人士指出，虽然紫光集团强调技术自主研发，但近期已积极对台展开大规模挖角行动，值得有关单位和企业密切注意。
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