修复半导体材料缺陷 发光效能提升百倍

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半导体材料越薄,对电子、光电元件的效能越有影响,台大跨国团队开发能让单层二维半导体材料“修复缺陷”的方法,将可提升LED发光效能近百倍。

阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学教授何志浩、台大博士连德轩、美国加州大学柏克莱分校教授、前台大校长李嗣涔等人组成的跨国研究团队发现,将二维材料浸于有机超强酸中,可让单层薄膜达到“零缺陷”,大幅提高其发光效率,研究成果刊登在国际期刊“科学(Science)”。

台大跨国研究团队表示,二维半导体材料具特殊的电子传导、光学、机械特性,被视为有潜力取代传统矽材元件,而“MoS2(二硫化钼)”是*热门的半导体二维材料之一,但单层的MoS2厚度,比人类DNA链的直径更小,其缺陷也成为应用于电子或光电元件上*大的瓶颈。

研究团队发现,将二维材料浸于有机超强酸中,可让单层薄膜达到“零缺陷”,若将MoS2浸在“亚胺”的有机超强酸中,可提高二维材料的量子效率,从不到1%增至近100%,未来可应用在开发透明的LED显示器、超高效太阳能电池、高灵敏度的光侦测器、与低功耗的奈米级电晶体,让MoS2有机会取代矽材元件,为电晶体带来**性改变。

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