新思科技协助Cortex-A73早期采用者成功投片

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新思科技宣布与安谋国际于其新款ARM Cortex-A73 处理器及 Mali-G71 绘图核心的成功合作,协助早期使用者在采用FinFET制程技术时成功地实际投片,可有效应用于高阶行动装置的晶片设计。

新思科技(Synopsys)宣布与安谋国际(ARM)于其新款ARM Cortex-A73 处理器及 Mali-G71 绘图核心的成功合作,协助早期使用者(early adopters)在采用FinFET制程技术时成功地实际投片,可有效应用于高阶行动装置的晶片设计。

此次合作亦提供采ARM Artisan标准元件、记忆体及POP IP 的Cortex-A73 CPU参考实作(RI),利用Design Compiler Graphical、IC Compiler II和其他Galaxy设计平台工具的*新功能,达到设计产能及优化效能、功率(power)与面积(PPA)方面的突破。

ARM高阶行动应用套件早期采用者可运用Cortex-A73四核心参考实作中,新思Galaxy设计平台的诸多功能,达到晶片设计时效能、功率及面积(PPA)之*佳化:

• Design Compiler Graphical中的multibit register inference及placement-awareness大幅降低壅塞,并可加快20%周转时间(turnaround time)。 • IC Compiler II所提供的layer-awareness、concurrent clock和data optimization以及先进路由选项等,协助维持讯号完整性。 • 于synthesis、place & route及签核(signoff)过程中进行on chip variation (OCV)分析,以达成*佳时序及功率。 • IC Compiler II 的PrimeTime 时序与leakage engineering change order (ECO)流程,可在不影响效能的情况下,将功率提升20%。 • **层阶式流程(hierarchical flow)加速设计实作。 • 针对多电压参考设计的UPF功耗设计,可达到*佳功率管理实作与验证。 • **性的multi-corner, multi-mode(MCMM)优化与签核分析。

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