韩媒etnews 4日报导，业界消息称，NAND Flash价格一路向上，三星眼看机不可失，决定平泽厂将提前三个月投产。目前平泽厂的建筑工事进入尾声，正修筑工厂外墙，预料12月完工，紧接着要开始设备投资，购买无尘室设施和晶圆生产仪器等。
多名设备业人士表示，三星若想在2017年初装设仪器，现在就得下单，据称三星不久后就会开始发出订单。外界预料，平泽厂将名为18代线，明年**季季初或季中开始营运，负责生产第四代64层3D NAND Flash。**阶段每月产量为4~5万片12寸晶圆，约为18代线总产量的1/4(总产量为20万片)。估计**阶段投资金额为27.2~31.7亿美元(3兆~3.5兆韩圜)。
Mirae Asset Securities研究员Do Hyeon-woo说，近来NAND Flash供需相符，但是三星平泽厂启动后，会打破平衡。另外，三星新厂也会拉大该公司与竞争者的差距。
外资曾发出警告，DRAM荣景能否持续，取决于记忆体龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。
巴伦(Barronˋs)9月23日报导，六月以来PC DRAM现货价大涨30%，光是过去两周就飙升9%；NAND Flash也供不应求，价格挺升，记忆体大厂SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)股价都因此一飞冲天。记忆体市场还能热多久？Bernstein Research的Mark Newman说，一切要看三星。
Bernstein报告称，要是DRAM获利提高到诱人地步，三星可能会增产，一如该公司在2014、2015年所做。他们估计，三星DRAM毛利将拉高至58~59%的高点，类似2014/15年，届时三星应会在17号产线或新落成的平泽厂等闲置厂房增加产能，如此一来，市场将从供不应求，转为平衡，甚至在2017年中或年末时，演变为供给过剩。
报告指出，未来几个月，DRAM类股仍会有好表现。不过供给紧俏、三星有巨大成本优势，又有闲置厂房可提升产能，预期三星可能会增加3D NAND和DRAM产出。
韩联社2015年5月报导，三星砸下15.6兆韩圜(144亿美元)兴建南韩平泽工厂，预定2017年上半开始生产，是三星对单一工厂的*高额投资。平泽区工厂全部完工时，将成三星*大的晶片厂，占地更胜三星南韩器兴(Giheung)厂的132万平方公尺、华城(Hwaseong)厂的158万平方工厂，也比三星中国西安厂的139万平方公尺更大。
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