DIGITIMESResearch观察，大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(FullyDepletedSilicon-on-Insulator；FD-SOI，有时也称Ultra-ThinBody；UTB)制程技术，包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线，而非台积电(TaiwanSemiconductorManufacturingCo.,Ltd.；TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线，估与手机产业链、贸易政策考量相关。
FD-SOI的特点在于较低的导通电压、运作电压，电路运作时的省电性较佳，同时支持者强调FD-SOI每闸电路成本较低。不过，现阶段FD-SOI的微缩制程不如FinFET，相同面积内的电晶体密度较低，电路运作效能也较低。
目前支持FD-SOI的晶圆代工厂主要为美国格罗方德(GlobalFoundries)、南韩三星半导体(SamsungSemiconductor)的晶圆代工业务，以及欧洲意法半导体(STMicroelectronics；STMicro)，大陆晶圆代工厂华虹(HHGrace)也可能加入，不过即将已表态支持的业者营收加总，其合计营收总额仍远不及台积电营收，此连带反映代工产能，并影响晶片商的制程路线选择。
DIGITIMESResearch推测，现阶段仅有代工产量少、价位中低，无法在现有晶圆代工排程中获得优先顺位的晶片商转投FD-SOI。高量、高价晶片以及高效能、高密度晶片，仍会倾向FinFET生态圈。
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