安森美在东京举行的策略记者会中,特别提及将强化日本国内的产品开发、制造及销售服务的投资计划。其中,安森美原于2011年收购三洋半导体(SANYO Semiconductor)后,成立专门负责日本国内的产品开发设计与制造事宜的“System Solutions Group(SSG)”事业,也从原有的5个部门整并为3个组。
负责金属氧化层半导体场效电晶体(MOSFET)、绝缘栅双极电晶体(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT)等产品开发的“HD事业部”及智能型电源模组的“IPM事业部”纳入PSG组。其次,负责马达驱动技术的“iPS事业部”及音响扬声技术的“DS事业部”划分入ASG组。而专门开发自动对焦、光学防手震IC元件的“IMD BU”则是编制于ISG组。
经过重新**后,原旧三洋半导体部门虽然被完全分拆,但安森美强调,针对日本市场仍会持续进行强化设计开发能力的投资,目前为因应安森美的总需求量,计划将会在未来一年提升日本国内3成的产能,更希望借由事业体的专业化,拉抬集团竞争力。
安森美首要的任务为强化旧三洋半导体位处的新潟县工厂进行增产,目标2017年底以前要以8吋晶圆产品为主力,让周产能达1.2万片。安森美也提到,次世代电池保护用场效电晶体(FET)与中耐压FET制程也是目前正在研发的项目。
在这波整并之后,安森美表示,预计将在6~9个月内重整快捷半导体的销售网络,并将过去委外生产的部分产品改由自行生产,借以提高集团运作效率及确保品质。