韩国媒体Business Korea 14日报导，UBS Securities 2017年2月就曾出言示警，声称中国IT厂商大举建立库存，是半导体报价去年大涨的主因，下半年DRAM、NAND型闪存恐将严重过剩。
仔细分析中国国家统计局的数据就可发现，在2015年1-8月期间，中国的半导体库存从人民币2,775亿元一路上冲至历史高3,330亿元，随后在2016年1月下滑至2,784亿美元，直到2017年4月才反弹至3,305亿元。 然而，*近中国的半导体库存年增率只有个位数、甚至负成长，远不如2015年的20-50%成长率。 也就是说，目前中国IT企业并未大举建立库存。 业界消息显示，部分陆企今年**季开始减产、零组件订单的缩减幅度也比往年还要高。
不只如此，DRAM、NAND闪存下半年的供应量势将跳增，供需日益失衡。 三星位于平泽市的新厂预定7月投产，SK海力士在利川的M14厂房则已开始扩充产能。 美光也在拉高DRAM、NAND闪存的产量，英特尔则计划在下半年生产NAND型闪存。
先前就有报导直指，三星电子率先量产18纳米DRAM，把同业抛在脑后。 竞争对手美光和SK海力士则不甘示弱，纷纷砸钱要追上三星。
Nikkei Asian Review、BusinessKorea报导，三星是DRAM龙头，制程**对手1~2年，2016年下半首先量产18纳米DRAM，计划今年下半推进至15纳米。 IHS Markit估计，今年底为止，三星打算把18纳米DRAM的生产比重，提高至30%。 业界人士说，三星会以利润优先，不会扩产抢市，打乱价格。
三星一马当先，DRAM第三大厂美光拼命追赶，计划未来两三年砸下20亿美元，研发13纳米DRAM制程。 美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器。 进入13nm制程之后，同一片晶圆能分割成更多芯片，生产力将提高20%。 美光已于今年**季量产18纳米DRAM。
与此同时，SK海力士也准备在今年下半量产计算机用的18纳米DRAM，接着再投入行动装置用的18纳米DRAM。 SK海力士会优先提高21nm制程良率，之后转进20nm、再转向18nm。 SK海力士人员透露，该公司正在研发1y DRAM制程，但是还不确定量产时间。
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