爱发科株式会社
(2) 佔地面积减小到塬有设备的30%，价格则是塬有设备的一半
(3) 可以对应超薄硅片
2. 高加速离子注入设备SOPHI-400
减少驱动电流的损失以及提高开关的速度，是市场对IGBT的要求。为了达到这一要求，需要从超薄硅片的背部对Field Stop层进行加速电压为2MeV(2,000keV)左右的高加速离子注入处理。本设备让枚叶式处理超薄硅片时，进行2.4MeV加速电压，从而实现了高加速离子注入的处理。
另外，本设备採用次世代的处理工艺，利用氢(H)来製作Field Stop层。这样大约能形成深度为4μm的Field Stop层，并能够达到减少驱动电流以及提高开关速度的效果。
另外，氢在低温下就可以进行活性煺火，因此不需要使用昂贵的激光煺火设备，炉管式设备(煺火设备)即能处理，因此生产线的整体成本也能够大大降低。
SOPHI-400的优点：
(1) 磷(P)离子注入可以达到2.4MeV(2,400keV)电压下的加速
(2) 利用氢(H)製作Field Stop
(3) 可以对应超薄硅片
*1 Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor
把IGBT和二极管一体化封装的芯片
*2 Field Stop层：为了改进功率器特性而减薄的硅片，其耐电压能力会变得不足。为了弥补这一点，会向n base层注入高浓度的n+层。这个n+层就被成为FS层。在这裡所说的Field是指高电位，而阻止(Stop)高电位的层(Layer)则被成为FS(Field Stop)层。
*3 **申请中
未来展望
我们确信本技术可以在减少IGBT的製造时间，提高IGBT的功能特性上起到非常大的贡献。为了提高作为作为环境器件的功率器件之性能，不仅仅是离子注入设备，爱发科集团也能够提供成膜设备以及蚀刻设备等各式各样的解决方案。
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